專利名稱：電子硬盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及計算機存儲設(shè)備，更具體地說，涉及一種可用于終端機、工控機及無盤站的采用IDE接插標(biāo)準(zhǔn)的電子硬盤。
本實用新型上述技術(shù)問題這樣解決，構(gòu)造一種電子硬盤，包括外殼、被外殼固定的IDE標(biāo)準(zhǔn)40孔插座、固定在外殼內(nèi)的PCB板，在所述PCB板上裝有FALSH存儲單元及存儲控制單元。
在上述按照本實用新型提供的電子硬盤中，所述存儲控制單元包括與主機AT/IDE總線接口的SRAM緩沖器，通過內(nèi)部總線與SRAM緩沖器連接的MCU單元、多任務(wù)接口單元、內(nèi)部DMA單元。
在上述按照本實用新型提供的電子硬盤中，所述存儲控制單元由一個型號為55LD017的集成電路實現(xiàn)。
在上述按照本實用新型提供的電子硬盤中，包括多個NAND閃存單元。
實施本實用新型提供的電子硬盤，具有以下積極效果，無須驅(qū)動卡，也無須USB口，可直接插在IDE槽內(nèi)，直接利用機器中的直流電源供電，體積小，重量輕，可廣泛用于終端機、工控機及無盤站等需要容量較小硬盤的場合中。
權(quán)利要求1.一種電子硬盤，其特征在于，包括外殼、被外殼固定的IDE標(biāo)準(zhǔn)40孔插座、固定在外殼內(nèi)的PCB板，在所述PCB板上裝有FALSH存儲單元及存儲控制單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電子硬盤，其特征在于，所述存儲控制單元包括與主機AT/IDE總線接口的SRAM緩沖器，通過內(nèi)部總線與SRAM緩沖器連接的MCU單元、多任務(wù)接口單元、內(nèi)部DMA單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述電子硬盤，其特征在于，所述存儲控制單元由一個型號為55LD017的集成電路實現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一項所述電子硬盤，其特征在于，包括多個NAND閃存單元。
專利摘要一種電子硬盤，包括外殼、被外殼固定的IDE標(biāo)準(zhǔn)40孔插座、固定在外殼內(nèi)的PCB板，在所述PCB板上裝有FALSH存儲單元及存儲控制單元。實施本實用新型提供的電子硬盤，具有以下積極效果，無須驅(qū)動卡，也無須USB口，可直接插在IDE槽內(nèi)，直接利用機器中的直流電源供電，體積小，重量輕，可廣泛用于終端機、工控機及無盤站等需要容量較小硬盤的場合中。
文檔編號G06F12/00GK2585315SQ0224978
公開日2003年11月5日 申請日期2002年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月22日
發(fā)明者華廣宇 申請人:深圳市元美達科技有限公司