專利名稱：運行至運行控制與故障檢測的集成的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及半導體制造。特別是，本發(fā)明涉及一種通過集成運行至運行控制(run-to-run control)與故障檢測概念(fault detectionconcepts)而制造半導體的技術。
背景技術：
在通常的半導體制造工藝(processes)中，半導體晶片或簡單的晶片，預先通過多個處理站，這被稱為加工站(fab)。在這個組裝線狀處理中的每個位置上，加工(processing)設備或工具進行加工操作，以便修正晶片。例如，一個工具可以向晶片上添加各種層(例如淀積工具)，同時另一個工具可以修正這些層(例如刻蝕工具)，由此形成完整的半導體產(chǎn)品。
當它們在組裝線(assembly line)上移動通過時，在晶片上進行周期質量檢測。質量檢測通常包括在晶片上測量微線(microscopic lines)的寬度和膜厚，以確定偏差(aberrations)。利用很多質量檢測，只可以在晶片經(jīng)過產(chǎn)生偏差的那些加工之后再經(jīng)過處理后進行測量。此外，引入偏差和它們的檢測之間需要一定時間周期和大量工藝步驟。這樣，即使在已經(jīng)產(chǎn)生偏差之后，也可以在晶片上進行大量工藝。類似地，即使在已經(jīng)開始產(chǎn)生偏差，工具也可以連續(xù)加工晶片。在任何情況下，大量晶片必定會被弄碎。
常規(guī)技術已被用于解決其中部分問題。兩個例子包括運行至運行控制和故障檢測。
一般來說，運行至運行控制通過利用建模技術(modeling techniques)送出(outgoing)和引入(incoming)晶片以調整工藝參數(shù)而解決了工藝結果(process output)偏移(即偏移工藝目標)。這些偏移(drifts)涉及由于正常工具使用而產(chǎn)生的工具制造結果的方式上的輕微變化。例如，利用化學機械拋光(CMP)工藝，用于減小膜厚的拋光墊在一段時間后被磨損。結果是，被磨損的拋光墊比新拋光墊勢必需要更多時間來產(chǎn)生預定厚度。通過調整工藝參數(shù)如拋光時間以解決如拋光墊上的磨損等問題，運行至運行控制可用于解決這些類型的問題。
運行至運行控制使用在一個或多個工藝步驟上提取的計量數(shù)據(jù)在運行至運行的基礎上調整工藝菜單(recipes)(即，完成加工結果所需要的一組預定工藝參數(shù))。一次運行可構成晶片制造工藝的一個或多個步驟?？梢园ㄒ慌?batch)晶片組(lot)、單組晶片或者甚至單個晶片，這取決于具體需要與工藝步驟和加工站的能力。通常，運行至運行控制使用在每個工藝或工具上測量的數(shù)據(jù)，以便通過對每個工具菜單上的設定點(setpoints)做輕微改變或調整而保持晶片特性(例如膜厚，均勻性等)接近于它們的標稱值。在典型的情況下，將在特定工具上進行的工藝步驟期間或剛剛完成工藝步驟之后提取的數(shù)據(jù)反饋以調整用于下一次運行的菜單。同樣，數(shù)據(jù)可以發(fā)送給下一工具，以便調整下游菜單。通過這種方式，可使用運行至運行控制解決工藝結果的偏移問題。
當使用運行至運行控制解決工藝偏移問題時，對于在工具不再能制造可接受的產(chǎn)品的情況是不合適的，不管菜單設定點所做的調整。同樣，運行至運行控制不能解決晶片包含缺陷的情形。這些情形被稱為工具或晶片特性故障。已經(jīng)經(jīng)受錯誤或故障狀況的工具使得向晶片中引入偏差或缺陷。同樣地，晶片特性缺陷表示不可修復的晶片狀況。大量方法可用于檢測這些狀況。例如，相對于進行給定工藝操作所需的溫度的很大的溫度下降可以表示為故障。故障狀況的另一例子可能是工藝材料的流速尖峰(spike)。在這些例子中，是運行至運行控制器(run-to-run controllers)把這些故障作為偏移，以便通過調整工具菜單來修正這種情形，即使僅僅調整不能解決該問題。這樣，代替將工具返回到可接受的操作條件，工具繼續(xù)在后來的晶片中引入偏差或繼續(xù)加工有缺陷的晶片，由此導致額外的浪費。
與運行至運行控制相對照，故障檢測監(jiān)視工藝設備參數(shù)和晶片屬性(attributes)，以便檢測工具和晶片缺陷或故障狀況。故障檢測系統(tǒng)在工藝設備操作期間收集工藝數(shù)據(jù)并分析該數(shù)據(jù)以確定不正?；蚬收稀Ｈ绻麢z測到故障，故障檢測系統(tǒng)可以具有各種反應方法。例如，該系統(tǒng)可以通知設備操作者或甚至終止工藝設備的執(zhí)行。
故障檢測適于應付工具或晶片特性有故障的情況，但是對解決工藝偏移不起任何作用。這樣，直到工具或工藝失敗，故障檢測系統(tǒng)保持沉默并允許工具偏移最佳操作條件。
這樣，顯然需要一種用于工藝晶片的顯著有效的技術。更具體地說，需要一種能解決工藝偏移和故障狀況的系統(tǒng)。

發(fā)明內容
本發(fā)明通過集成運行至運行控制和故障檢測技術而解決了上述問題。具體而言，可以使用運行至運行控制器和故障檢測系統(tǒng)和制造執(zhí)行系統(tǒng)相結合以處理工藝半導體晶片和其它對象。首先，根據(jù)本發(fā)明的一個以上的實施例，運行至運行控制器從制造執(zhí)行系統(tǒng)接收一個菜單以控制一個工具。這個菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的設定點。這樣，通過使用故障檢測系統(tǒng)和/或傳感器測量包括故障狀況的加工屬性，監(jiān)視晶片加工。這些加工屬性從故障檢測系統(tǒng)傳送到運行至運行控制器。結果是，可以根據(jù)加工屬性由運行至運行控制器修改菜單的設定點，以便保持目標晶片特性，除了被故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況的情況之外。
在另一(或平行的)實施例中，也可以根據(jù)菜單加工晶片。這個菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點。該技術還包括測量晶片特性和檢測表示故障狀況(例如晶片或設備故障)的狀況。如果沒檢測到故障狀況，則根據(jù)被測晶片特性修改菜單的設定點，以便保持目標晶片特性。在某些實施例中，如果檢測到故障狀況，則終止工藝。
在其它(或平行)實施例中，可以在進行加工之前測量晶片特性。在又一(或平行)實施例中，修改菜單的兩個或兩個以上的設定點，這些設定點可包括溫度、壓力、功率、加工時間、和升高位置和材料的流速。
在另一(或平行)實施例中，可以使用故障檢測模型確定表示故障狀況的條件范圍。在這些實施例中，可以修改故障檢測模型以便作為參數(shù)，由運行至運行控制器修改的菜單的設定點并入。
附圖簡述當與附圖結合考慮時，參照下面本發(fā)明的詳細說明能更好地理解本發(fā)明的各個目的、特征和優(yōu)點，其中

圖1是表示可用于執(zhí)行本發(fā)明的至少一部分概念的一部分半導體制造系統(tǒng)的至少一個例子的硬件方框圖；圖2表示通過用于制造半導體晶片的圖1的半導體制造系統(tǒng)可執(zhí)行的控制系統(tǒng)的至少一個例子；圖3表示可用于控制根據(jù)本發(fā)明一個或多個實施例的制造工藝的至少一個工藝例子；圖4是可用于執(zhí)行本發(fā)明的一個或多個實施例的運行至運行控制過程的至少一個工藝例子；圖5表示可用于執(zhí)行本發(fā)明的一個或多個實施例的故障檢測控制過程的至少一個工藝例子；圖6是表示作為本發(fā)明的一個或多個實施例的一部分并與其一起使用的計算裝置的高級方框圖；和圖7表示可用于儲存本發(fā)明的一個或多個實施例的計算機執(zhí)行程序的存儲介質的一個例子。
具體實施例根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，提供一種技術，其使用運行至運行控制器和故障檢測系統(tǒng)并結合制造執(zhí)行系統(tǒng)用于工藝半導體晶片。更具體地說，該制造執(zhí)行系統(tǒng)將菜單傳送給運行至運行控制器，用于控制工具。這個菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的設定點。此外，故障檢測系統(tǒng)通過測量加工屬性來監(jiān)視晶片加工，其中加工屬性包括故障狀況和晶片特性。運行至運行控制器根據(jù)加工屬性(從故障檢測系統(tǒng)以及例如其它信息收集源接收到的)修改菜單的設定點，以便保持目標晶片特性，除了由故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況的情況之外。
圖1示出了表示可用于執(zhí)行本發(fā)明的至少一個或多個發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)100的一部分的硬件方框圖的至少一個例子。如圖1所示，除了其它組件之外，半導體制造系統(tǒng)100包括故障檢測系統(tǒng)110、運行至運行控制器120和一件或多件工藝設備或工具150、這些組件的都通過網(wǎng)絡130互連。如上所述，故障檢測系統(tǒng)110用于監(jiān)視一個或多個工具150和晶片，目的是為了檢測故障狀況。運行至運行控制器120用于修改工具菜單，目的是為了提高制造效率。盡管圖1示出了作為分離的或獨立的組件的故障檢測系統(tǒng)110和運行至運行控制器120，但是本發(fā)明的一個或多個實施例企圖在單個計算節(jié)點(computing node)執(zhí)行故障檢測系統(tǒng)110和運行至運行控制器120。
除了運行至運行控制器120和故障檢測系統(tǒng)110之外，本發(fā)明的一個或多個實施例期望在由一個或多個工具150剛剛加工之前或之后，任何數(shù)量的計量工具或傳感器190可設置在用于測量晶片特性的一個或多個工具150的每個的上游或下游。如果使用的話，計量工具190可經(jīng)過網(wǎng)絡130連接到系統(tǒng)100的其余部件上。同樣，還可從上游或饋送工具(例如設置在另一工具上游的工具)接收輸入晶片特性。這樣，可以在先前制造步驟結束時或期間通過在其它工具上的傳感器測量這些特性并傳送，以便在當前工具中使用。這種計量工具190的例子包括由加利福尼亞的San Jose的KLA-Tencor提供的RS-75TM。
一個或多個工具150可以是可用于加工晶片以便產(chǎn)生預定輸出的任何數(shù)量的不同類型的工具。例子包括CMP、光刻、淀積、或刻蝕工具，等等。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，一個或多個工具可包括控制器152、任何數(shù)量的工藝腔室154、和晶片測量子系統(tǒng)156。如下面的更詳細的說明，控制器152利用來自故障檢測系統(tǒng)110和運行至運行控制器120的信息加工晶片。在操作中，輸入晶片160首先移動到工藝腔室154中。在那里，加工晶片，然后移出該工具。這些加工腔室的例子包括雙等離子體刻蝕腔室和CMP拋光腔室。
在晶片加工之前、期間和/或之后，使用晶片測量子系統(tǒng)156測量晶片特性。這些特性取決于待討論的工具(一個或多個)的類型，并且可包括膜厚、均勻性等。晶片測量子系統(tǒng)156可包括能夠在加工期間實時測量晶片參數(shù)的原位傳感器。同樣，晶片測量子系統(tǒng)156可包括位于加工腔室154內或附近的集成的在線的(inline)傳感器，用于近似實時測量。原位傳感器的例子包括由加利福尼亞的Santa Clara的應用材料股份有限公司提供的原位可移去監(jiān)視器(In Situ RemovalMonitor)。集成或在線式傳感器的例子包括與計量技術集成一體的工具(例如，由Rehovot的Nova測量儀器有限公司提供的Nova 2020TM，由加利福尼亞的Santa Clara的Nanomertric提供的Israel或Nano9000TM)。
一般來說，一個或多個工具160根據(jù)工藝菜單或者換言之，根據(jù)執(zhí)行加工結果所需要的一組預定工藝參數(shù)在輸入晶片160上進行操作。例如，典型的菜單可表示用于實現(xiàn)預定輸出所需的任何數(shù)量的一個或多個設定點。這樣，菜單可識別所需的溫度、壓力、功率、加工時間、升高位置和產(chǎn)生特殊晶片結果所需要的材料的流速。此外，其它特性也可包含在內。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，當需要時，控制器152利用從例如上游計量工具接收的信息和一個或多個工具150的先前操作或運行修改這些菜單。這樣，可以沿著在加工之前的先前運行的結果將輸入晶片的測量膜厚提供給控制器152。然后，可由控制器152使用這個信息修改工藝菜單的一個或多個設定點，以便提高制造效率。
在加工期間，晶片測量子系統(tǒng)156可用于測量任何數(shù)量的晶片特性。此外，還可以在剛剛加工之前或之后測量晶片特性。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，可以使用子系統(tǒng)156檢測加工的完成(例如經(jīng)過結束點檢測等)。一旦加工完成，將晶片從工藝室154移出到例如下游工具。由晶片測量子系統(tǒng)156或其它計量工具通過完成工藝收集的任何晶片特性可以輸送給下游工具。同樣，測量的特性可以輸送給控制器152、故障檢測系統(tǒng)110和/或運行至運行控制器120，用于修改將來的運行。如下面所討論的，可以分析輸送給故障檢測系統(tǒng)110和運行至運行控制器120的數(shù)據(jù)，用于檢測任何故障狀況和用于修改后來的工藝菜單。
參照圖2，其中示出了可由半導體制造系統(tǒng)100執(zhí)行的控制系統(tǒng)200的一個例子。如圖2所示，控制系統(tǒng)200包括控制工藝210、故障檢測工藝220、運行至運行工藝230和晶片測量工藝240。控制工藝210使用例如控制算法等控制一個或多個工具150的操作。例如，控制工藝210可用于選擇用于加工晶片的工具或工藝菜單。這個工藝菜單可以由工藝工程師輸入或下載到系統(tǒng)200中。該菜單部分地識別所需輸出或要制造的最終產(chǎn)品，如由任何數(shù)量的目標特性所規(guī)定的。這些目標特性可包括例如將要由CMP工具制造的最終所需膜厚。此外，控制工藝210還從例如上游計量工具接收任何數(shù)量的晶片預測量值(pre wafermeasurements)214。對于控制工藝210這些測量值描述輸入晶片的特性，并用于確定菜單設定點，如下所述。
使用這些輸入(即菜單212和測量值214)，控制工藝210產(chǎn)生用于實現(xiàn)所需產(chǎn)量的特殊設定點。如本領域普通技術人員公知的，控制工藝210在某些輸入基礎上使用例如用于預報所需輸出的模型分析目標特性和測量值214。在這種情況下，輸入目標特性(例如膜厚)和晶片預測量值(例如實際厚度)。然后，在模型基礎上，可以預報獲得所需目標特性所需的設定點。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，可以通過例如工藝工程師等在系統(tǒng)初始化階段輸入或執(zhí)行模型。一般來說，可以使用任何合適的半導體晶片制造模型。
在使用時，在工藝之前、期間和/或之后由晶片測量系統(tǒng)240收集任何數(shù)量晶片特性的測量值。然后將這些特性輸送給運行至運行工藝230。運行至運行工藝230分析由晶片測量系統(tǒng)240測量的晶片特性并確定對工具的工藝菜單是否做任何修改(例如經(jīng)過控制工藝210)，以便提高效率。為了說明，如上所述，在CMP拋光操作中，使用時拋光墊很容易磨損。結果是，磨損的拋光墊比新拋光墊需要更多的拋光時間來獲得特定膜厚。當需要時(例如當拋光墊已經(jīng)磨損)，運行至運行程序230可以用于識別需要更多時間和指示拋光工具，由此增加其拋光時間。這樣，運行至運行工藝分析的結果可以輸送給控制工藝210，用于訪問后來操作中的工藝偏移。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，故障檢測工藝220被系統(tǒng)200使用以便檢測故障狀況。如下面更詳細的說明，在工藝期間故障檢測工藝220使用被例如原位或集成傳感器收集的數(shù)據(jù)。一個或多個實施例預見到為了這些目的而產(chǎn)生故障檢測標記。具體而言，這個標記可以控制工藝210利用以便確定是否對工藝菜單進行調整。例如，故障檢測標記和由運行至運行工藝230所產(chǎn)生的分析結果輸送給控制工藝210并分析以確定是否改變工藝菜單，其中故障檢測標記和由運行至運行程序230所產(chǎn)生的分析結果一起構成由本發(fā)明使用的至少一些加工屬性。例如，運行至運行控制工藝230產(chǎn)生對菜單的修改和故障檢測工藝220識別是否應該或不應該執(zhí)行修改的情況。相應地，只有在適當?shù)臅r候(即，當工具菜單以修復可解決的問題或無效性的方式調整時)，控制程序210可以修改菜單。這樣，系統(tǒng)200能夠在“故障”條件下制止執(zhí)行根據(jù)運行至運行技術產(chǎn)生的修改。
圖3表示可用于控制本發(fā)明的制造工藝的工藝的至少一個例子。參見圖3(結合圖1)，至少在本例中，加工開始于測量晶片特性的步驟(步驟304)。具體而言，可以在它們到達工具(例如一個或多個工具150)之前測量預加工晶片特性。如上所述，可使用位于上游工具中的任何后測量傳感器，原位傳感器、集成或在線式傳感器、或者其它類似裝置。此時可以測量任何數(shù)量的晶片特性，包括例如膜厚、均勻性、臨界尺寸、顆粒數(shù)量等。測量這些晶片特性之后，將數(shù)據(jù)輸送給運行至運行控制器120(步驟308)。
結合測量數(shù)據(jù)向運行至運行控制器120的傳輸，相應晶片被輸送給具有任何相關工藝信息的一個或多個工具150(步驟312)。此外，制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)輸送涉及和識別特定菜單的信息，用于加工晶片，其中這些特定菜單將被一個或多個工具150使用。如本領域普通技術人員公知的，MES可識別將要使用的特定室、任何工藝序列、該工具中的傳送信息、設置等。同樣，MES通常用于自動化、集成和諧調執(zhí)行或產(chǎn)生輸出產(chǎn)品所需要的每個工藝和資源。
接下來，一個或多個工具150執(zhí)行其制造工藝(步驟316)。更具體地說，一個或多個工具150根據(jù)從MES接收的信息并結合由運行至運行控制器120和/或故障檢測系統(tǒng)110提供的信息加工晶片。如下所述，在沒有故障時可使用從運行至運行控制器120接收的信息修改或調整由MES提供的菜單。
在進行工藝期間，如下面將要描述的，故障檢測系統(tǒng)110監(jiān)視工具的工具故障或工具缺陷和晶片的晶片特性故障(步驟320)。由故障檢測系統(tǒng)進行的分析，或者換言之，是否檢測到故障，輸送給運行至運行控制器120(步驟324)。例如，故障檢測標記可傳輸?shù)娇刂破?20(從故障檢測系統(tǒng)110)，用于識別是否存在故障。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，然后使用這個信息確定根據(jù)運行至運行技術應修改(和不修改)菜單的那些情況。
在已經(jīng)完成執(zhí)行工具工藝之后，在后工藝測量步驟中測量晶片(步驟328)。在本發(fā)明的一個或多個實施例中，使用工具上的集成傳感器進行測量。同樣，其它類型的傳感器也可以使用。然后用這個信息修改隨后的菜單，如這里所述的。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，并如上所述，運行至運行控制器120使用后工藝測量值并結合故障檢測信息修改工具菜單。具體而言，首先確定工藝是否已經(jīng)經(jīng)歷工具或晶片特性故障(步驟332)。例如，如下面更詳細說明的，將由故障檢測系統(tǒng)如110產(chǎn)生的故障檢測標記(例如表示存在于晶片和/或工具上的一個或多個狀況的一個或多個數(shù)字標識)與由例如運行至運行控制器120可接受的值范圍相比較。如果該標記是不可接受的，則發(fā)生故障。如果故障已經(jīng)發(fā)生，則從發(fā)生工具故障的運行收集到的運行后工藝測量值不能用于修改隨后的菜單(步驟336)。此外，工藝可以完全終止。另一方面，如果程序確定沒有發(fā)生故障，則在本發(fā)明的運行至運行技術下修改菜單(步驟340)。通過這種方式，在沒有發(fā)生工具故障的情況下修改菜單。
圖4表示可用于根據(jù)本發(fā)明的一個或多個概念用于進行運行至運行控制過程的工藝的至少一個例子。首先，測量來自先前工藝或工具的后工藝晶片特性并將其輸送給將要在其中進行本發(fā)明的運行至運行和故障檢測技術的工具(步驟404)。這些測量值可從上游工具或從位于上游工藝之后但在當前工具之前的計量工具提取。同樣，可以在當前工具本身或在任何其它模擬裝置或加工前的位置上提取測量值。
在某些情況下，上游測量是無效的。例如，在一些工具或工藝中測量每個晶片需要太多時間。在這些情況下，不可測量每個晶片或運行操作。例如，可以在每個第二或第三運行上進行測量。因此來自這些晶片的后加工測量在該工藝中是無效的或不考慮的。這樣，檢測上游測量值以確定它們是否是有效的測量(步驟408)。如果不是，運行至運行控制器120忽略被測量的上游測量值并使用先前運行的設定點繼續(xù)加工(步驟432)。如果有效，可以在修改工具的加工菜單上使用這些測量值。
根據(jù)本發(fā)明的至少一些實施例，和如下面更詳細說明的，對菜單的修改可以作為各種變型分為故障檢測模型的因子。在這些實施例中，由運行至運行控制器120進行的任何菜單設定點變化被輸送給故障檢測系統(tǒng)110，該故障檢測系統(tǒng)110利用這菜單修改識別新的故障狀況范圍。通過這種方式，即使由運行至運行控制器120改變了菜單，故障檢測系統(tǒng)110也可用靈敏的方式操作(即調整故障狀況的范圍，以便適應任何修改的菜單設定點)。
應該理解，前面已經(jīng)借助例子介紹了實施例的具體步驟及其順序，本發(fā)明還考慮了其它的附加、省略和配置。例如，可以想象由運行至運行控制器接收到的所有加工屬性首先通過(或開始于)故障檢測系統(tǒng)。在這些實施例中，如果檢測到故障，則不是接收任何加工屬性，而是運行至運行控制器只接收例如故障警報。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個方面，并如上所述，在用于后來運行的運行至運行工藝中不考慮被已經(jīng)經(jīng)歷工具故障或已經(jīng)經(jīng)歷晶片特性故障的工具加工的晶片或運行。這樣，在繼續(xù)執(zhí)行之前考慮關于加工工具的故障檢測信息(步驟416)。具體而言，如果在先前運行中檢測到缺陷或故障狀況，則不修改工具的菜單(步驟412)。此外，可以顯示錯誤信息，并完全暫停加工。
如果在先前運行中沒有檢測到故障，執(zhí)行對數(shù)據(jù)的任何所需轉換(步驟420)。例如，由傳感器所讀取的原始數(shù)據(jù)可以轉換成更有意義的形式。作為一個例子，不均勻參數(shù)可要求大量測量值之間的比。這樣，在本例中，計算每個測量值的比。同樣，膜厚的平均值將要求轉換以平均所有的測量厚度。而且，對某些測量值完全可以不必進行轉換。
進行任何轉換(如果需要的話)之后，執(zhí)行控制工藝算法，用于估計下一個預報輸出(步驟424)。通常來說，該算法利用各種模擬技術、工具菜單和涉及輸入晶片和先前工藝運行的信息，用于建立將要由該工具預定產(chǎn)生的輸出。例如，通過利用模型，可以在對應參數(shù)如壓力、功率、氣流等的設定點基礎上預報特定輸出膜厚。
一旦已經(jīng)由控制算法預報了下一輸出，則該輸出與規(guī)格限(specification limits)相比較(步驟428)。規(guī)格限指示出晶片特性的可接受極限。如果輸出在規(guī)格限內(即如果預報的輸出處于可接受范圍內)，不必修改，并在先前運行中使用的相同設定點可再次使用(步驟432)。另一方面，如果預報的輸出超過了規(guī)格限，則預報輸出與工具的可接受范圍相比較(步驟436)。工具的范圍描述了工具可實現(xiàn)的能力。如果由于工具范圍不夠而使預報的輸出不能處于規(guī)格限內，則將不能獲得所需結果。在這種情況下，工藝忽略該結果，顯示錯誤信息，并例如終止加工(步驟440)。
如果預報的輸出處于規(guī)格限之外但處于工具范圍內，則可對工具菜單進行修改(步驟444)。尤其是，根據(jù)標準模擬技術修改菜單的一個或多個設定點。在很多情況下，如本領域普通技術人員公知的，這些模型是通過工藝工程師設計的并在設備的初始階段下載到系統(tǒng)100上。一旦已經(jīng)估計了為獲得所需產(chǎn)品所需要的調整，執(zhí)行該工藝(步驟448)。通過這種方式，在本發(fā)明的一個或多個實施例中，控制算法利用一個或多個目標晶片特性(即所需輸出)、測量的輸入晶片特性和對工具菜單的修改，如由運行至運行和故障檢測技術確定的，以便有效地制造半導體晶片。
圖5表示了可用于執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的各一個或多個實施例的故障檢測控制工藝的工藝的至少一個例子。首先，故障檢測系統(tǒng)110識別出在工具或工藝上執(zhí)行的菜單(步驟504)。根據(jù)正在使用的菜單，建立或選擇一個故障檢測模型(步驟508)。如本領域普通技術人員所公知的，故障檢測模型可用于確定表示故障狀況的條件范圍。這樣，使用了具體涉及該菜單的模型。
選擇故障檢測模型之后，制造工藝開始執(zhí)行，在這個期間內，傳感器實時收集晶片特性如膜厚、均勻性等。作為選擇，可以在程序之前或之后收集晶片特性。這些特性與故障檢測模型相比較，產(chǎn)生故障檢測標記或故障事件(即觸發(fā)器)。如本領域普通技術人員公知的，任何數(shù)量的方法都可用于產(chǎn)生故障檢測標記。例如，可以利用任何統(tǒng)計學工藝控制、神經(jīng)網(wǎng)絡、或以分析技術為基礎的模型等。該標記表示由該工具產(chǎn)生的晶片的最優(yōu)化。這樣，該標記可以與預定值相比較以便表示工具故障或工具缺陷。如上所述，在最優(yōu)化晶片制造中這個標記構成由本發(fā)明使用的晶片工藝屬性的至少一部分。例如，也如上所述，運行至運行控制器120可忽略來自于運行中，由已經(jīng)經(jīng)歷故障狀況的工具制造的被測晶片的特性。
如上所述，本發(fā)明的至少一些實施例考慮對由運行至運行控制器120所做的菜單的修改分解成故障檢測模型因子，作為獨立參數(shù)。通過這種方式，故障檢測系統(tǒng)110可重新確定故障狀況的范圍，以便容納菜單改變，由此提高系統(tǒng)靈敏度。
更具體地說，可以根據(jù)并考慮菜單設定點的改變或修改重新確定故障狀況邊界。特別是，通過根據(jù)菜單設定點的修改調整故障狀況范圍，可以在故障檢測模型中實施更窄的故障狀況范圍。在本發(fā)明的至少一些實施例中，故障狀況范圍可根據(jù)到菜單設定點的固定距離來設置。這樣，在這些實施例中，對設定點的修改導致對故障狀況范圍的相應修改。
作為例子，在單維情況下，用于獲得特定目標特性的固定菜單設定點設置在初始值(例如五十個單位)。根據(jù)涉及這個菜單的故障檢測模型，故障狀況邊界可以初始地設置在給定范圍(例如四十八和五十二個單位)。這樣，在給定范圍(例如五十二以上和四十八個單位以下)以外的實際晶片特性測量值導致故障狀況。在這些故障狀況下，如上所述，加工例如可以終止。
在加工期間，對菜單設定點的修改可以由運行至運行控制器120來實施，以便解決工藝輸出偏移。這樣，在上述例子中，運行至運行控制器120可增加菜單設定點(例如從五十增加到五十三個單位)，由此必然導致故障狀況。為解釋正常運行至運行修改，一種解決方案是增加故障狀況的范圍(例如增加到四十三和五十七個單位)。但是，這種解決方案使故障檢測能力不敏感。為了解決這個問題，本發(fā)明的實施例考慮將修改的設定點合并到故障檢測模型中，以便在到設定點的距離的基礎上產(chǎn)生故障狀況邊界。通過各種方式，通過集成運行至運行技術與故障檢測概念不會危及系統(tǒng)靈敏度。這樣，在本例中，故障狀況的范圍將再設置在五十一到五十五。
集成的多維情況是相同的。在這些情況下，非故障狀況區(qū)域可以視為到多維設定點的坐標的距離。當由運行至運行控制器120修改確定菜單中的設定點的一個或多個坐標時，故障狀況邊界的范圍可以重新定義為操作菜單參數(shù)的函數(shù)。
此外，在多個輸入、多輸出情況的至少一些實施例中，預報的輸出值和實際測量的輸出值之間的距離可用作故障檢測的度量標準(metric)。這樣，預報值和實際值之間的差別可用于確定故障狀況邊界。
圖6表示圖2的系統(tǒng)100的潛在任何組件的的內部硬件的一個例子的方框圖，其例子包括任何數(shù)量的不同類型的計算機，如由加利福尼亞的Santa Clara的Intel公司制造的具有奔騰TM基的處理器的計算機?？偩€656用作互連系統(tǒng)100的其它部件的主信息鏈路。CPU658是該系統(tǒng)的中央處理單元，進行執(zhí)行本發(fā)明的工藝以及其它程序所需的計算和邏輯操作。只讀存儲器(ROM)660和隨機存取存儲器(RAM)662構成該系統(tǒng)的主存儲器。磁盤控制器664將一個或多個磁片驅動器連接到該系統(tǒng)總線656。這些磁盤驅動器例如是軟盤驅動器670、或CDROM或DVD(數(shù)字視頻盤)驅動器666，或者內部或外部硬盤驅動器668。CPU658可以是任何數(shù)量的不同類型處理器，包括由Intel公司或Illinois的Schaumberg的摩托羅拉公司制造的處理器。存儲器/存儲裝置可以是任何數(shù)量的不同類型存儲裝置，如DRAM和SRAM以及各種類型的存儲裝置，包括磁性和光學介質。此外，存儲器/存儲裝置還可采用傳輸?shù)男问健?br> 顯示接口672連接顯示器648和允許來自總線656的信息顯示在顯示器648上。顯示器648也可以是任選的附件。與外部裝置如上述該系統(tǒng)的其它部件的通信是例如利用通信端口674實現(xiàn)的。例如，端口674可以與連接到計量工具190的總線/網(wǎng)絡連接。光纖和/或電纜和/或導體和/或光學通信(例如紅外等)和/或無線通信(例如射頻(RF)等)可以用作外部裝置和通信端口674之間的傳輸介質。外圍接口654連接鍵盤650和鼠標652，允許輸入數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇偩€656。除了這些部件之外，控制系統(tǒng)還可以任選地包括紅外發(fā)射器678和/或紅外接收器676。在計算機系統(tǒng)結合通過紅外信號傳輸發(fā)送/接收數(shù)據(jù)的一個或多個加工組件/站使用時，可選用紅外發(fā)射器。代替利用紅外發(fā)射器或紅外接收器，控制系統(tǒng)也可選用低功率無線電通信發(fā)射機680和/或低功率無線電通信接收機682。低功率無線電通信發(fā)射機傳輸由制造工藝的組件接收到的信號，并經(jīng)過低功率無線電通信接收機接收來自這些部件的信號。
圖7是表示可用于存儲計算機可讀編碼或指令的示意計算機可讀存儲介質784，其中計算機可讀編碼或指令包括模型、菜單等。作為一個例子，介質784可由圖6中所示的磁盤驅動器使用。通常，存儲介質如軟盤，或CDROM，或者數(shù)字視頻盤將包含例如用于單字節(jié)語言的多字節(jié)場所(locale)和用于控制上述系統(tǒng)的程序信息以使計算機執(zhí)行這里所述的功能?；蛘撸琑OM660和/或RAM662還可用于存儲程序信息，這些程序信息用于命令中央處理單元658執(zhí)行與當前工藝相關的操作。用于存儲信息的合適的計算機可讀介質的其它例子包括磁性、電子、或光學(包括全息照相)存儲器、它們的一些組合等。此外，本發(fā)明的至少一些實施例考慮計算機可讀介質可以是傳輸型的。
本發(fā)明的實施例考慮用于執(zhí)行如前面所說明的本發(fā)明的不同方面的軟件的不同部分，可以位于存儲器/存儲裝置中。
通常，應該強調的是本發(fā)明實施例的各個組件可以在硬件、軟件、或其組合中實施。在這種實施例中，不同組件和步驟將在硬件和/后軟件中執(zhí)行，以便實施本發(fā)明的功能。任何目前可得到或將來開發(fā)的計算機軟件語言和/或硬件部件都可以用在本發(fā)明的這些實施例中。例如，上述功能的至少一些功能可以使用BASIC、C、C++或其它編程或腳本(scripting)語言(例如TCL、Pearl、Java或SQL)。
還顯然和能夠理解這里所述的本發(fā)明的具體實施例只是用于表示本發(fā)明的一般原理。本領域普通技術人員可以做各種符合前述原理的修改。
權利要求
1.一種使用帶有故障檢測系統(tǒng)的運行至運行控制器在制造執(zhí)行系統(tǒng)中加工晶片的方法，所述方法包括以下步驟1)將用于控制工具的菜單接收到所述運行至運行控制器中，其中所述菜單包括至少一個設定點，用于獲得一個或多個目標晶片特性；2)通過測量加工屬性監(jiān)視所述晶片的加工，其中所述加工屬性包括由所述故障檢測系統(tǒng)識別的晶片特性和故障狀況；3)將所述加工屬性輸送給所述運行至運行控制器；和4)根據(jù)所述測量的加工屬性修改在所述運行至運行控制器上的所述菜單的至少一個設定點，以便除了由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外保持所述目標晶片特性。
2.根據(jù)權利要求1的方法，還包括在進行加工之前測量晶片特性。
3.根據(jù)權利要求1的方法，還包括由所述測量的加工屬性生成故障檢測標記，并將所述標記傳輸?shù)剿鲞\行至運行控制器，目的是為了修改所述至少一個設定點。
4.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述修改包括比較預報輸出與可接受的工具規(guī)格限。
5.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述修改包括比較預報輸出與可接受的工具范圍。
6.根據(jù)權利要求1的方法，還包括在檢測到故障狀況時終止所述加工。
7.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述至少一個設定點包括兩個或多個設定點。
8.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述至少一個設定點包括溫度、壓力、功率、加工時間、升高位置和材料的流速中的至少一個。
9.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述故障狀況包括工具故障。
10.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述故障狀況包括晶片特性故障。
11.根據(jù)權利要求1的方法，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
12.根據(jù)權利要求1的方法，其中當檢測到晶片故障時，所述測量的晶片特性不能用于修改所述菜單。
13.一種用于加工晶片的方法，所述方法包括以下步驟1)根據(jù)菜單加工所述晶片，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；2)測量晶片特性；3)檢測表示故障狀況的條件；和4)根據(jù)所述測量的晶片特性修改所述菜單的至少一個設定點，以便在沒有故障狀況的情況下保持所述目標晶片特性。
14.根據(jù)權利要求13的方法，其中如果檢測到故障狀況則終止加工。
15.根據(jù)權利要求13的方法，所述測量步驟在加工期間進行。
16.根據(jù)權利要求13的方法，其中所述測量步驟在加工之后進行。
17.根據(jù)權利要求13的方法，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便作為參數(shù)并入到所述菜單的所述至少一個設定點。
18.一種在制造執(zhí)行系統(tǒng)中加工晶片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括運行至運行控制器，用于根據(jù)從所述制造執(zhí)行系統(tǒng)接收來的菜單控制工具，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于測量包括晶片特性的加工屬性的傳感器；故障檢測器，用于監(jiān)視所述晶片特性以檢測表示故障狀況的條件和將所述條件輸送給所述運行至運行控制器；和其中根據(jù)所述加工屬性修改所述菜單的所述至少一個設定點，以便保持所述目標晶片特性，除了由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外。
19.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，還包括用于在進行加工之前測量晶片特性的傳感器。
20.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述故障檢測器從所述測量的加工屬性生成故障檢測標記，并將所述標記傳送給所述運行至運行控制器，以便修改所述至少一個設定點。
21.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述運行至運行控制器通過比較預報的輸出與可接受的工具規(guī)格限而修改所述至少一個設定點。
22.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述運行至運行控制器通過比較預報的輸出與可接受的工具范圍而修改所述至少一個設定點。
23.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中在檢測到故障狀況時所述運行至運行控制器終止加工。
24.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述至少一個設定點包括兩個或兩個以上的設定點。
25.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述至少一個設定點包括溫度、壓力、功率、處理時間、升高位置和材料的流速中的至少一個。
26.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述故障狀況包括工具故障。
27.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中所述故障狀況包括晶片特性故障。
28.根據(jù)權利要求18的系統(tǒng)，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
29.一種用于加工晶片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括運行至運行控制器，用于根據(jù)菜單加工所述晶片，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于測量包括晶片特性的傳感器；故障檢測器，用于檢測表示故障狀況的條件；和其中所述運行至運行控制器根據(jù)所述晶片特性修改所述菜單的所述至少一個設定點，以便在沒有被所述故障檢測器檢測到故障狀況的情況下保持所述目標晶片特性。
30.根據(jù)權利要求29的系統(tǒng)，其中如果檢測到故障狀況，則所述運行至運行控制器不修改所述菜單的所述至少一個設定點。
31.根據(jù)權利要求29的系統(tǒng)，其中在加工期間所述傳感器測量晶片特性。
32.根據(jù)權利要求29的系統(tǒng)，其中在加工之后所述傳感器測量晶片特性。
33.根據(jù)權利要求29的系統(tǒng)，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
34.一種使用帶有故障檢測系統(tǒng)的運行至運行控制器在制造執(zhí)行系統(tǒng)中加工晶片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括用于將控制工具的菜單接收到所述運行至運行控制器中的裝置，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于通過測量加工屬性監(jiān)視所述晶片加工的裝置，其中所述加工屬性包括由所述故障檢測系統(tǒng)識別的晶片特性和故障狀況；用于將所述加工屬性輸送給所述運行至運行控制器的裝置；和用于根據(jù)所述加工屬性修改在所述運行至運行控制器上的所述菜單的所述至少一個設定點的裝置，以便保持除了由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外的所述目標晶片特性。
35.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，還包括用于在進行加工之前測量晶片特性的裝置。
36.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，還包括用于從所述測量的加工屬性生成故障檢測標記的裝置，和用于將所述標記傳送給所述運行至運行控制器以便修改所述設定點的裝置。
37.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，其中所述用于修改的裝置包括用于比較預報輸出與可接受的工具規(guī)格限的裝置。
38.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，其中所述用于修改的裝置包括用于比較預報輸出與可接受的工具范圍的裝置。
39.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，還包括用于在檢測到故障狀況時終止所述加工的裝置。
40.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，其中所述故障狀況包括工具故障。
41.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，其中所述故障狀況包括晶片特性故障。
42.根據(jù)權利要求34的系統(tǒng)，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
43.一種用于加工晶片的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括用于根據(jù)菜單加工所述晶片的裝置，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于測量晶片特性的裝置；用于檢測表示故障狀況的條件的裝置；和用于根據(jù)所述測量的晶片特性修改所述菜單的所述至少一個設定點的裝置，以便在沒有故障狀況的情況下保持所述目標晶片特性。
44.根據(jù)權利要求43的系統(tǒng)，其中如果檢測到故障狀況則終止加工。
45.根據(jù)權利要求43的系統(tǒng)，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
46.一種在制造執(zhí)行系統(tǒng)中的計算機可讀介質上用于加工晶片的計算機程序，該制造執(zhí)行系統(tǒng)使用帶有故障檢測系統(tǒng)的運行至運行控制器，所述計算機可讀介質包括用于將控制工具的菜單接收到所述運行至運行控制器中的計算機可讀指令，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于通過測量加工屬性來監(jiān)視所述晶片加工的計算機可讀指令，其中所述加工屬性包括被所述故障檢測系統(tǒng)識別的晶片特性和故障狀況；用于將所述加工屬性輸送給所述運行至運行控制器的計算機可讀指令；和用于根據(jù)所述測量的加工屬性修改在所述運行至運行控制器中的所述菜單的所述至少一個設定點的計算機可讀指令，以便除了由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外，保持所述目標晶片特性。
47.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，還包括在進行加工之前用于測量晶片特性的計算機可讀指令。
48.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，還包括用于由所述測量的加工屬性生成故障檢測標記的計算機可讀指令，和用于將所述標記傳送給所述運行至運行控制器以便修改所述設定點的計算機可讀指令。
49.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，其中所述用于修改的計算機可讀指令包括用于比較預報輸出與可接受的工具規(guī)格限的計算機可讀指令。
50.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，其中所述用于修改的計算機可讀指令包括用于比較預報輸出與可接受的工具范圍的計算機可讀指令。
51.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，還包括在檢測到故障狀況時終止所述加工的計算機可讀指令。
52.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，其中所述故障狀況包括工具故障。
53.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，其中所述故障狀況包括晶片特性故障。
54.根據(jù)權利要求46的計算機可讀介質，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便在所述運行至運行控制器中并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
55.一種在計算機可讀介質上執(zhí)行的用于加工晶片的計算機程序，所述計算機可讀介質包括用于根據(jù)菜單加工所述晶片的計算機可讀指令，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的至少一個設定點；用于測量晶片特性的計算機可讀指令；用于檢測表示故障狀況的條件的計算機可讀指令；和用于根據(jù)所述測量的晶片特性修改所述菜單的所述至少一個設定點的計算機可讀指令，以便在沒有故障狀況的情況下保持所述目標晶片特性。
56.根據(jù)權利要求55的計算機可讀介質，其中如果檢測到故障狀況則終止加工。
57.根據(jù)權利要求55的計算機可讀介質，其中修改用于確定表示故障狀況的條件范圍的故障檢測模型，以便并入作為參數(shù)的所述菜單的所述至少一個設定點。
58.一種使用帶有故障檢測系統(tǒng)的運行至運行控制器在制造執(zhí)行系統(tǒng)中用于加工物品的方法，所述方法包括以下步驟1)將用于控制工具的菜單接收到所述運行至運行控制器中，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標物品特性的至少一個設定點；2)通過測量加工屬性監(jiān)視所述物品的加工，其中所述加工屬性包括由所述故障檢測系統(tǒng)識別的物品特性和故障狀況；3)將所述加工屬性輸送給所述運行至運行控制器；和4)根據(jù)所述測量的加工屬性修改在所述運行至運行控制器上的所述菜單的至少一個設定點，以便除了當由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外，保持所述目標物品特性。
59.根據(jù)權利要求58的方法，還包括在進行加工之前測量物品特性。
60.根據(jù)權利要求58的方法，還包括從所述測量的加工屬性生成故障檢測標記，并將所述標記傳輸?shù)剿鲞\行至運行控制器，目的是為了修改所述至少一個設定點。
61.根據(jù)權利要求58的方法，還包括在檢測到故障狀況時終止所述加工。
62.根據(jù)權利要求58的方法，其中所述至少一個設定點包括兩個或兩個以上設定點。
63.一種用于加工物品的方法，所述方法包括以下步驟1)根據(jù)菜單處理所述物品，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標物品特性的至少一個設定點；2)測量物品特性；3)檢測表示故障狀況的條件；和4)根據(jù)所述測量的物品特性修改所述菜單的至少一個設定點，以便在沒有故障狀況的情況下保持所述目標物品特性。
64.根據(jù)權利要求63的方法，其中如果檢測到故障狀況則終止加工。
65.一種在制造執(zhí)行系統(tǒng)中加工物品的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括運行至運行控制器，用于根據(jù)從所述制造執(zhí)行系統(tǒng)接收來的菜單控制工具，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標物品特性的至少一個設定點；用于測量包括物品特性的加工屬性的傳感器；故障檢測器，用于監(jiān)視所述物品特性以檢測表示故障狀況的條件和將所述條件輸送給所述運行至運行控制器；和其中根據(jù)所述加工屬性修改所述菜單的所述至少一個設定點，以便除了由所述故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況之外，保持所述目標物品特性。
66.根據(jù)權利要求65的系統(tǒng)，還包括用于在進行加工之前測量物品特性的傳感器。
67.根據(jù)權利要求65的系統(tǒng)，其中所述故障檢測器從所述測量的加工屬性生成故障檢測標記，并將所述標記傳送給所述運行至運行控制器，目的是為了修改所述至少一個設定點。
68.根據(jù)權利要求65的系統(tǒng)，其中在檢測到故障狀況時所述運行至運行控制器終止加工。
69.根據(jù)權利要求65的系統(tǒng)，其中所述至少一個設定點包括兩個或兩個以上的設定點。
70.一種用于加工物品的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括運行至運行控制器，用于根據(jù)菜單處理所述物品，其中所述菜單包括用于獲得一個或多個目標物品特性的至少一個設定點；用于測量物品特性的傳感器；故障檢測器，用于檢測表示故障狀況的條件；和其中所述運行至運行控制器根據(jù)所述物品特性修改所述菜單的所述至少一個設定點，以便在所述故障檢測器沒有檢測到故障狀況的情況下保持所述目標物品特性。
全文摘要
結合使用運行至運行控制器和故障檢測系統(tǒng)制造執(zhí)行系統(tǒng)加工半導體晶片。由運行至運行控制器從制造執(zhí)行系統(tǒng)接收菜單用于控制工具。該菜單包括用于獲得一個或多個目標晶片特性的設定點。通過使用故障檢測系統(tǒng)和一個或多個傳感器測量加工屬性來監(jiān)視晶片的加工，其中加工屬性包括故障狀況和晶片特性?？梢愿鶕?jù)加工屬性在運行至運行控制器修改菜單的設定點以保持目標晶片特性，除了由故障檢測系統(tǒng)檢測到故障狀況的情況下之外。這樣，在存在工具或晶片故障狀況時獲得的數(shù)據(jù)不能用于反饋目的。此外，可使用故障檢測模型確定表示故障狀況的條件范圍。在這些情況下，可以修改故障檢測模型，以便作為參數(shù)并入被運行至運行控制器修改的菜單的設定點。
文檔編號G06F19/00GK1564970SQ02814257
公開日2005年1月12日 申請日期2002年7月12日 優(yōu)先權日2001年7月16日
發(fā)明者T·P·賴斯, A·P·尚穆加松拉姆, A·T·施瓦姆 申請人:應用材料有限公司