專利名稱：通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)及其方法，特別是涉及一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)及其方法。
背景技術(shù)：
在學(xué)習(xí)外語的過程中，記憶單詞是非常重要的，掌握足夠數(shù)量的詞匯是構(gòu)建第二語言大廈的基石。心理學(xué)研究表明， 一個人學(xué)習(xí)外語詞匯時，潛意識里母語往往會產(chǎn)生排斥性干擾，再加上遺忘規(guī)律的作用，記憶并真正掌握 外語單詞變得非常困難。
人的記憶過程包括三個基本階段輸入學(xué)習(xí)、短時記憶、長期記憶。輸入信息在經(jīng)過人的瞬時高效學(xué)習(xí)后，形成短時記憶，如果不及時復(fù)習(xí)，這些暫時記住的東西就會被遺忘，只有經(jīng)過及時的復(fù)習(xí)后，短時記憶才會轉(zhuǎn)化為人的長期記憶。據(jù)艾賓浩斯(H.Ebbinghaus， 1850-1909)的研究，人的記憶過程符合以下規(guī)律記憶的數(shù)量受時間因素制約，遺忘量隨時間遞增；增加 的速度是先快后慢，在識記后的短時間內(nèi)遺忘特別迅速，然后逐漸緩慢。遺忘的進(jìn)程是先快后慢。圖l為艾賓浩斯遺忘曲線(豎軸記憶量，橫軸記憶天數(shù)，曲線記憶量變化規(guī)律)，根據(jù)艾賓浩斯遺忘規(guī)律，人們發(fā)明了很多巧妙記憶外語單詞的方法，例如聯(lián)想法、詞根法、對比法、歸納法、情境法等，并開發(fā)了一系列學(xué)習(xí)單詞的產(chǎn)品。但由于受艾賓浩斯規(guī)律的影響，這些產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)模式基本一致，亦即釆用時間安排上前緊后松的方式，設(shè)計多次練習(xí)(以聽/說/寫為主)的學(xué)習(xí)題庫，使學(xué)習(xí)者通過多次重復(fù)，機(jī)械式地強(qiáng)記下外語單詞。這種"填鴨式"死記硬背的學(xué)習(xí)模式， 一沒有考慮到每位外語學(xué)習(xí)者個性特征的不同，二以幫助學(xué)習(xí)者應(yīng)付外語考試為主要目 的——而不是真正掌握外語，即消耗時間、又浪費(fèi)精力，效果卻并不能得到 保證。而且，隨著時間流逝，如果學(xué)習(xí)者沒有得到鍛煉所學(xué)外語的機(jī)會，很多單詞就逐漸被淡忘了，非?？上?。
記憶是對輸入信息的編碼、存儲和提取的過程，是從"識記"到"回憶"
的過程。人腦側(cè)葉大概有4億個腦細(xì)胞，每個細(xì)胞之間的距離大約是0.2納
米，細(xì)胞與細(xì)胞之間有很多突觸相互聯(lián)系。目前一種比較流行的記憶學(xué)理論
認(rèn)為當(dāng)一個內(nèi)容如單詞"Cerebrum"被存儲時，細(xì)胞之間會形成某種聯(lián)系， 突觸間的距離減小。當(dāng)"提取"首個腦細(xì)胞的存儲信息時，相連的突觸就會 把最近的突觸啟動，繼續(xù)"提取"下一個腦細(xì)胞中的信息，通過這種聯(lián)想式 鏈?zhǔn)椒磻?yīng)就可以在大腦中重構(gòu)被存儲的"內(nèi)容影像"。如果持續(xù)有效地刺激 存儲了單詞"Cerebrum"的記憶細(xì)胞聯(lián)想鏈，突觸間的距離越來越小，最后 甚至接近到連在一起，這時回憶就又快速又準(zhǔn)確。所以要記住單詞， 一個很 重要的方法就是盡量減小記憶細(xì)胞聯(lián)想鏈的長度，保持聯(lián)想的連續(xù)性。
另外，人們學(xué)習(xí)外語單詞時大多有這樣的體驗(yàn)對已經(jīng)記憶過的單詞一 般都有印象——也就是說大腦對自己認(rèn)真學(xué)習(xí)過的字母組合相對比較敏感， 從"記住單詞"到"認(rèn)出單詞"這個階段不存在很多障礙。但往往在大腦認(rèn) 出單詞后，進(jìn)一步聯(lián)想、回憶單詞的含義或用法時卻發(fā)生了困難，結(jié)果導(dǎo)致 不認(rèn)識(不知道含義)、或不會應(yīng)用單詞。因此，這種記憶細(xì)胞聯(lián)想鏈的中 斷是由于個人記憶缺陷造成的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言 單詞的系統(tǒng)，包括 一系統(tǒng)單詞題庫，存儲語言單詞的所有題庫； 一單詞學(xué) 習(xí)模塊，根據(jù)系統(tǒng)單詞題庫，隨機(jī)、循序或依學(xué)習(xí)推論輸出一單詞學(xué)習(xí)題目； 一單詞記憶效果測試模塊，由學(xué)習(xí)者針對單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并根據(jù)每 一單詞的答題結(jié)果，輸出對應(yīng)每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的一記憶效果矩陣； 一記 憶特性分析模塊，根據(jù)記憶效果矩陣，計算并輸出一記憶缺陷矩陣； 一學(xué)習(xí) 推論控制模塊，根據(jù)記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的一記憶深度值； 一學(xué)習(xí)推論 單詞題庫，根據(jù)記憶深度值決定學(xué)習(xí)推論，并從系統(tǒng)單詞題庫中更新學(xué)習(xí)推 論單詞題庫，并連接至單詞學(xué)習(xí)模塊輸出該單詞另一學(xué)習(xí)題目； 一個人單詞 庫，連接系統(tǒng)單詞題庫，根據(jù)記憶缺陷矩陣決定一活用詞庫與一疑難詞庫； 以及一動態(tài)學(xué)習(xí)激勵調(diào)整模塊，根據(jù)學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的一激勵觸發(fā)提示，
以符合單詞學(xué)習(xí)模塊輸出的單詞學(xué)習(xí)題目。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述隨機(jī)或所述循序輸出所述單詞學(xué)習(xí)題目為一初始化步驟。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測試時間。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述單詞測試項(xiàng)目包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述記憶效果矩陣為每一所述單詞對應(yīng)所述單詞音標(biāo)、所述單詞拼 寫、所述單詞含義與所述單詞應(yīng)用的記憶程度比例。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)，其中所述記憶效果矩陣根據(jù)所述記憶程度比例做一互補(bǔ)運(yùn)算得到所述記 憶缺陷矩陣。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中將各所述記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到所述記憶深度值。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述疑難詞庫進(jìn)一步包括音標(biāo)類、拼寫類、含義類與應(yīng)用類。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系 統(tǒng)，其中所述激勵觸發(fā)提示為一動畫提示或一警告提示。
本發(fā)明還提出一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語 言單詞的方法，包括下列步驟根據(jù)隨機(jī)、循序或?qū)W習(xí)推論輸出一單詞學(xué)習(xí) 題目；由學(xué)習(xí)者針對單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并根據(jù)每一單詞的答題結(jié)果， 輸出對應(yīng)每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的一記憶效果矩陣；根據(jù)記憶效果矩陣，計算 并輸出一記憶缺陷矩陣；根據(jù)記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的一記憶深度值；根 據(jù)記憶深度值決定學(xué)習(xí)推論，并輸出該單詞的另一學(xué)習(xí)題目；根據(jù)記憶缺陷 矩陣決定學(xué)習(xí)者所學(xué)習(xí)的一活用詞庫與一疑難詞庫；以及根據(jù)學(xué)習(xí)推論，設(shè) 置對應(yīng)的一激勵觸發(fā)提示，以符合單詞學(xué)習(xí)題目。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其中所述隨機(jī)或所述循序輸出所述單詞學(xué)習(xí)題目為一初始化步驟。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法，其中所述學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測試時間。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法，其中所述單詞測試項(xiàng)目包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法，其中所述記憶效果矩陣為每一所述單詞對應(yīng)所述單詞音標(biāo)、所述單詞拼寫、所述單詞含義與所述單詞應(yīng)用的記憶程度比例。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法，其中所述記憶效果矩陣根據(jù)所述記憶程度比例做一互補(bǔ)運(yùn)算得到所述記憶缺陷矩陣。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其中將各所述記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到所述記憶深度值。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其中所述疑難詞庫進(jìn)一步包括音標(biāo)類、拼寫類、含義類與應(yīng)用類。
所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其中所述激勵觸發(fā)提示為一動畫提示或一警告提示。
通過本發(fā)明的上述技術(shù)方案，以記憶個性化，通過統(tǒng)計、分析學(xué)習(xí)者個 人的記憶過程，得出個人的遺忘曲線和記憶缺陷，并根據(jù)這兩種特征為個人 定制個性化的單詞題庫，大大提高了記憶效率；系統(tǒng)利用動畫形象作為與用 戶友好的交互接口，為了使記憶過程有趣，實(shí)際設(shè)計可以開始學(xué)習(xí)的前3 5 分鐘，會通過一些有趣的動畫游戲來調(diào)整、調(diào)動學(xué)習(xí)者的情緒；學(xué)習(xí)過程中 動畫形象也經(jīng)常出現(xiàn)與學(xué)習(xí)者互動，避免學(xué)習(xí)、記憶過程太枯燥；對于單詞 分類化，利用對學(xué)習(xí)者記憶單詞的缺陷分析，系統(tǒng)很容易區(qū)分出學(xué)習(xí)者真正 掌握、會用的單詞(Active Words)和疑難詞匯，從而產(chǎn)生個人的活用詞庫 和疑難詞庫，其中疑難詞庫還可以分出音標(biāo)類、拼寫類、含義類、應(yīng)用類四 個子庫；另外，利用記憶深度值還可以對單詞掌握程度進(jìn)行量化描述，使學(xué) 習(xí)者對自己的記憶狀況了如指掌，學(xué)習(xí)更有效率。
以上的關(guān)于本發(fā)明內(nèi)容的說明及以下的實(shí)施方式的說明用以示例與解 釋本發(fā)明的原理，并且提供本發(fā)明的專利申請范圍更進(jìn)一步的解釋。


圖1為德國心理學(xué)家艾賓浩斯所提出的遺忘曲線；
圖2為本發(fā)明所提出的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)方塊圖3本發(fā)明所提出的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的記憶效果矩陣圖4為本發(fā)明所提出的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的記憶缺陷矩陣圖5為本發(fā)明所提出的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的記憶深度值實(shí)例圖；以及
圖6為本發(fā)明所提出的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法流程圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下
200系統(tǒng)單詞題庫
210單詞學(xué)習(xí)模塊
220單詞記憶效果測試模塊
230記憶特性分析模塊
240學(xué)習(xí)推論控制模塊
250學(xué)習(xí)推論單詞題庫
260個人單詞庫
270疑難詞庫
2701音標(biāo)類
2702拼寫類
2703含義類
2704應(yīng)用類
280活用詞庫
290動態(tài)學(xué)習(xí)激勵調(diào)整模塊
步驟610根據(jù)隨機(jī)、循序或?qū)W習(xí)推論輸出一單詞學(xué)習(xí)題目
步驟620由學(xué)習(xí)者針對單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并根據(jù)每一單詞的答題 結(jié)果，輸出對應(yīng)于每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的一記憶效果矩陣
步驟630根據(jù)記憶效果矩陣，計算并輸出一記憶缺陷矩陣
步驟640根據(jù)記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的一記憶深度值
步驟650根據(jù)記憶深度值決定學(xué)習(xí)推論，并輸出該單詞的另一學(xué)習(xí)題目
步驟660根據(jù)記憶缺陷矩陣決定學(xué)習(xí)者所學(xué)習(xí)的一活用詞庫與一疑難
詞庫
步驟670根據(jù)學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的一激勵觸發(fā)提示，以符合單詞學(xué)習(xí)題目
具體實(shí)施例方式
所謂個人記憶缺陷是指每個人在記憶過程中，由于個性特征不同，對被 記憶對象的分支內(nèi)容在記憶時各有偏重，那些對個人而言比較難記、容易產(chǎn) 生聯(lián)想中斷的分支就是個人的記憶缺陷。
例如英語單詞，包括音標(biāo)、拼寫、含義、應(yīng)用四個分支內(nèi)容，人們在記 憶單詞時，困難可能出現(xiàn)在不熟悉音標(biāo)、拼寫錯誤、忘記含義、不懂應(yīng)用等 方面，個人各有不同，只有所有分支內(nèi)容都被熟記的單詞，才是個人的活用詞庫(Active Word)——即真正掌握、能應(yīng)用自如的單詞。
以學(xué)習(xí)者甲為例，在記憶單詞"Cerebrum"的過程中，甲對該詞的拼寫、 含義、應(yīng)用等分支內(nèi)容都記憶的很好，但音標(biāo)方面始終沒有正確掌握，那么 這個單詞的音標(biāo)就是甲的一個記憶缺陷；更進(jìn)一步，如果連續(xù)統(tǒng)計甲在記憶 較多單詞(例如100個單詞)的過程中，有80%的單詞都存在音標(biāo)不能正確 掌握的問題，那么可以做出這樣的結(jié)論學(xué)習(xí)者甲在音標(biāo)方面存在個人記憶 缺陷，置信度是80%。
同樣，如果統(tǒng)計學(xué)習(xí)者乙記憶單詞的過程，可能得出"學(xué)習(xí)者乙在拼寫 方面存在個人記憶缺陷，置信度是70%"的結(jié)論；統(tǒng)計學(xué)習(xí)者丙記憶單詞的 過程，可能得出"學(xué)習(xí)者丙在含義方面存在個人記憶缺陷，置信度是60%" 的結(jié)論。
學(xué)習(xí)外語單詞時，個人的記憶缺陷包括(一)針對某個單詞的記憶缺陷； (二)具有大量單詞統(tǒng)計特征的記憶缺陷。所以，要真正快速、高效地掌握外 語單詞，除了要了解個人的艾賓浩斯遺忘曲線，還要找到個人的記憶缺陷， 有針對性的進(jìn)行學(xué)習(xí)訓(xùn)練，突破記憶聯(lián)想中斷。據(jù)此理論，本發(fā)明提供一種 根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)及其方法。
圖2為本發(fā)明所提出的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)方塊圖，包含 一系統(tǒng)單詞題庫200，存儲語言單詞的所有題庫.
一單詞學(xué)習(xí)模塊210，根據(jù)系統(tǒng)單詞題庫，隨機(jī)、循序或依一學(xué)習(xí)推論輸出一單詞學(xué)習(xí)題目，隨機(jī)或該循序輸出該單詞學(xué)習(xí)題目為初次使用本系統(tǒng)時 的一初始化步驟，以隨機(jī)或循序方式視用戶而定，為學(xué)習(xí)者提供記憶單詞的各種功能，與目前其它單詞學(xué)習(xí)系統(tǒng)有重要區(qū)別的是，該單詞學(xué)習(xí)模塊210有接收學(xué)習(xí)者個人記憶特性分析結(jié)果的接口，可以根據(jù)個人艾賓浩斯遺忘規(guī) 律和個人記憶缺陷來動態(tài)調(diào)整學(xué)習(xí)內(nèi)容，例如對疑難詞庫中的詞匯進(jìn)行重點(diǎn) 練習(xí)和測試(詳見后述的依學(xué)習(xí)推論)。
一單詞記憶效果測試模塊220，由學(xué)習(xí)者針對單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題， 并根據(jù)每一單詞的答題結(jié)果，輸出對應(yīng)每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的一記憶效果矩 陣，所述的學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測試時間，單 詞測試項(xiàng)目更進(jìn)一步包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用，記憶 效果矩陣為每一單詞對應(yīng)單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用的記憶 程度比例。圖3本發(fā)明所提出的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的記憶效果矩陣圖，初次 使用本系統(tǒng)時，單詞學(xué)習(xí)題目由系統(tǒng)單詞題庫200提供，隨著學(xué)習(xí)深入，-旦系統(tǒng)統(tǒng)計、分析出了學(xué)習(xí)者的個人記憶特性后，測試題由學(xué)習(xí)推論單詞題 庫250提供(詳見后述)。單詞記憶效果測試模塊220的輸出數(shù)據(jù)是完成一次 測試后的單詞記憶效果矩陣及各單詞的測試次數(shù)和相對應(yīng)測試時間。例如某 次測試了100個單詞，這100個單詞的記憶效果矩陣如圖3所示，其中圖中 數(shù)字1 5反應(yīng)了學(xué)習(xí)者對這100個單詞的掌握程度，1表示記憶效果最差， 5表示記憶效果最好。
一記憶特性分析模塊230,根據(jù)記憶效果矩陣，計算并輸出一記憶缺陷 矩陣。記憶特性分析模塊230輸出的記憶缺陷矩陣的各單詞的分項(xiàng)的記憶缺 陷值計算方法很多，如根據(jù)互補(bǔ)運(yùn)算原理，若記憶效果最好為5，最差為O， 那么當(dāng)記憶效果為3時，記憶缺陷為5—3二2。所以對圖3所示的記憶效果 矩陣進(jìn)行互補(bǔ)運(yùn)算，可得到圖4所示的記憶缺陷矩陣，根據(jù)該矩陣，可以反 饋在單詞學(xué)習(xí)模塊210和單詞記憶效果測試模塊220，有針對性的進(jìn)行一些 記憶訓(xùn)練。
一學(xué)習(xí)推論控制模塊240，根據(jù)記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的一記憶深度 值，記憶深度值通過將各記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到，為了更形象、更 直觀的描述學(xué)習(xí)者學(xué)習(xí)單詞的效果，本發(fā)明還設(shè)計了一個特殊的記憶深度 值，對學(xué)習(xí)者己經(jīng)記憶過的每個單詞進(jìn)行記憶深度統(tǒng)計。記憶深度值越大，
表示單詞記憶的越牢固，回憶也越快，計算方式如記憶深度值=(音標(biāo)記 憶效果+拼寫記憶效果+含義記憶效果+應(yīng)用記憶效果)/ (四項(xiàng)最好記憶效 果之和)，圖5為本發(fā)明所提出的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的記憶深度值實(shí)例圖。 根據(jù)上式，最大記憶深度值是l。
一學(xué)習(xí)推論單詞題庫250，根據(jù)記憶深度值決定學(xué)習(xí)推論，并從系統(tǒng)單 詞題庫中更新學(xué)習(xí)推論單詞題庫，并連接至單詞學(xué)習(xí)模塊210輸出另一單詞 學(xué)習(xí)題目。根據(jù)統(tǒng)計分析大量單詞測試后學(xué)習(xí)者的個人記憶缺陷，例如根據(jù) 圖4所示，對100個單詞的各項(xiàng)記憶缺陷值進(jìn)行平均運(yùn)算，若音標(biāo)的記憶缺 陷平均值最高，就可以判斷該學(xué)習(xí)者在音標(biāo)記憶方面有缺陷(很可能沒有經(jīng) 過系統(tǒng)的音標(biāo)學(xué)習(xí)訓(xùn)練，所以音標(biāo)的記憶缺陷值比較高)，系統(tǒng)會建議學(xué)習(xí) 者加強(qiáng)音標(biāo)基礎(chǔ)的學(xué)習(xí)，并特別地出一些強(qiáng)調(diào)音標(biāo)的練習(xí)來訓(xùn)練學(xué)習(xí)者。
一個人單詞庫260，連接系統(tǒng)單詞題庫200，根據(jù)記憶缺陷矩陣決定-活用詞庫270與一疑難詞庫280。上述的記憶特性分析模塊230還有一個重 要功能是整理學(xué)習(xí)者的個人單詞庫260，并根據(jù)記憶效果對單詞進(jìn)行分類， 產(chǎn)生疑難詞庫(Hard Words Database) 270和活用詞庫(Active Words Database) 280。例如圖4中的單詞2的各項(xiàng)記憶缺陷值有3個為0 (判斷標(biāo) 準(zhǔn)l) 、 l個小于2 (判斷標(biāo)準(zhǔn)2)，表明學(xué)習(xí)者已經(jīng)基本掌握這個單詞，可 以列入學(xué)習(xí)者的活用詞庫280;而單詞3、單詞5、單詞100的記憶缺陷值明 顯偏高，必須列入疑難詞庫270，并且還可以繼續(xù)根據(jù)各記憶缺陷值進(jìn)行細(xì) 分，整理出疑難詞庫270的子庫音標(biāo)類2701疑難詞庫、拼寫類2702疑難 詞庫、含義類2703疑難詞庫、應(yīng)用類2704疑難詞庫。
一動態(tài)學(xué)習(xí)激勵調(diào)整模塊290，根據(jù)學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的一激勵觸發(fā) 提示，以符合單詞學(xué)習(xí)模塊210輸出的單詞學(xué)習(xí)題目。激勵觸發(fā)提示為一動 畫提示或一警告提示。在實(shí)際應(yīng)用中，若學(xué)習(xí)者想了解對某個單詞的總體記 憶效果——假設(shè)記憶深度值為0.75，系統(tǒng)可以通過動畫方式來描述，例如-個正在深度刻度為1的"記憶井"里努力向下挖掘的寵物。
本發(fā)明還提出一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的根據(jù)個人記憶缺陷輔助學(xué)習(xí)語 言單詞的方法，包括下列步驟在步驟610中根據(jù)隨機(jī)、循序或?qū)W習(xí)推論輸 出一單詞學(xué)習(xí)題目；在步驟620中由學(xué)習(xí)者針對單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并 根據(jù)每一單詞的答題結(jié)果，輸出對應(yīng)于每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的一記憶效果矩陣；在步驟630中根據(jù)記憶效果矩陣，計算并輸出一記憶缺陷矩陣；在步驟 640中根據(jù)記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的一記憶深度值；在步驟650中根據(jù)記 憶深度值決定學(xué)習(xí)推論，并輸出另一單詞學(xué)習(xí)題目；在步驟660中根據(jù)記憶 缺陷矩陣決定學(xué)習(xí)者所學(xué)習(xí)的一活用詞庫與一疑難詞庫；以及在步驟670中 根據(jù)學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的一激勵觸發(fā)提示，以符合單詞學(xué)習(xí)題目。
所述的學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測試時間；單 詞測試項(xiàng)目更進(jìn)一步包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用；記憶 效果矩陣為每一單詞對應(yīng)單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng)用的記憶 程度比例；而記憶效果矩陣根據(jù)記憶程度比例做一互補(bǔ)運(yùn)算得到記憶缺陷矩 陣；再將各記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到記憶深度值；其中疑難詞庫更進(jìn) 一步包括音標(biāo)類、拼寫類、含義類與應(yīng)用類；激勵觸發(fā)提示為一動畫提示或 一警告提示。
本發(fā)明所提出的方法以記憶個性化，通過統(tǒng)計、分析學(xué)習(xí)者個人的記憶 過程，得出個人的遺忘曲線和記憶缺陷，并根據(jù)這兩種特征為個人定制個性 化的單詞題庫，大大提高了記憶效率；系統(tǒng)利用動畫形象作為與用戶友好的 交互接口，為了使記憶過程有趣，實(shí)際設(shè)計可以開始學(xué)習(xí)的前3 5分鐘， 會通過一些有趣的動畫游戲來調(diào)整、調(diào)動學(xué)習(xí)者的情緒；學(xué)習(xí)過程中動畫形 象也經(jīng)常出現(xiàn)與學(xué)習(xí)者互動，避免學(xué)習(xí)、記憶過程太枯燥；對于單詞分類化， 利用對學(xué)習(xí)者記憶單詞的缺陷分析，系統(tǒng)很容易區(qū)分出學(xué)習(xí)者真正掌握、會 用的單詞(Active Words)和疑難詞匯，從而產(chǎn)生個人的活用詞庫和疑難詞 庫，其中疑難詞庫還可以分出音標(biāo)類、拼寫類、含義類、應(yīng)用類四個子庫； 另外，利用記憶深度值還可以對單詞掌握程度進(jìn)行量化描述，使學(xué)習(xí)者對自 己的記憶狀況了如指掌，學(xué)習(xí)更有效率。
雖然本發(fā)明以前述的較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明。 在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所作的更動與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保 護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請參考所附的申請專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)，包括系統(tǒng)單詞題庫，存儲所述語言單詞的所有題庫；單詞學(xué)習(xí)模塊，根據(jù)所述系統(tǒng)單詞題庫，隨機(jī)、循序或依學(xué)習(xí)推論輸出單詞學(xué)習(xí)題目；單詞記憶效果測試模塊，由學(xué)習(xí)者針對所述單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并根據(jù)每一單詞的答題結(jié)果，輸出對應(yīng)每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的記憶效果矩陣；記憶特性分析模塊，根據(jù)所述記憶效果矩陣，計算并輸出記憶缺陷矩陣；學(xué)習(xí)推論控制模塊，根據(jù)所述記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的記憶深度值；學(xué)習(xí)推論單詞題庫，根據(jù)所述記憶深度值決定所述學(xué)習(xí)推論，并從所述系統(tǒng)單詞題庫中更新所述學(xué)習(xí)推論單詞題庫，并連接至所述單詞學(xué)習(xí)模塊輸出所述單詞的另一學(xué)習(xí)題目；個人單詞庫，連接所述系統(tǒng)單詞題庫，根據(jù)所述記憶缺陷矩陣決定活用詞庫與疑難詞庫；以及動態(tài)學(xué)習(xí)激勵調(diào)整模塊，根據(jù)所述學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的激勵觸發(fā)提示，以符合所述單詞學(xué)習(xí)模塊輸出的所述單詞學(xué)習(xí)題目。
2. 如權(quán)利要求1所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，所述隨機(jī)或所述循序輸出所述單詞學(xué)習(xí)題目為一初始化步驟。
3. 如權(quán)利要求1所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，所述學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測試吋 間。
4. 權(quán)利要求3所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)，其 特征在于，所述單詞測試項(xiàng)目包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與單詞應(yīng) 用。
5. 如權(quán)利要求4所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，所述記憶效果矩陣為每一所述單詞對應(yīng)所述單詞音標(biāo)、所述單 詞拼寫、所述單詞含義與所述單詞應(yīng)用的記憶程度比例。
6. 如權(quán)利要求5所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，所述記憶效果矩陣根據(jù)所述記憶程度比例做一互補(bǔ)運(yùn)算得到所述記憶缺陷矩陣。
7. 如權(quán)利要求5所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，將各所述記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到所述記憶深度值。
8. 如權(quán)利要求1所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)， 其特征在于，所述疑難詞庫進(jìn)一步包括音標(biāo)類、拼寫類、含義類與應(yīng)用類。
9. 如權(quán)利要求1所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)，其特征在于，所述激勵觸發(fā)提示為一動畫提示或一警告提示。
10. —種通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方法，包括下列步驟 根據(jù)隨機(jī)、循序或?qū)W習(xí)推論輸出單詞學(xué)習(xí)題目；由學(xué)習(xí)者針對所述單詞學(xué)習(xí)題目進(jìn)行答題，并根據(jù)每一單詞的答題結(jié)果，輸出對應(yīng)每一單詞的學(xué)習(xí)屬性的記憶效果矩陣；根據(jù)所述記憶效果矩陣，計算并輸出記憶缺陷矩陣； 根據(jù)所述記憶效果矩陣，設(shè)置對應(yīng)的記憶深度值；根據(jù)所述記憶深度值決定所述學(xué)習(xí)推論，并輸出所述單詞的另一學(xué)習(xí)題目；根據(jù)所述記憶缺陷矩陣決定所述學(xué)習(xí)者所學(xué)習(xí)的活用詞庫與疑難詞庫； 以及根據(jù)所述學(xué)習(xí)推論，設(shè)置對應(yīng)的激勵觸發(fā)提示，以符合所述單詞學(xué)習(xí)題目。
11. 如權(quán)利要求10所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述隨機(jī)或所述循序輸出所述單詞學(xué)習(xí)題目為一初始化步驟。
12. 如權(quán)利要求10所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述學(xué)習(xí)屬性包括單詞測試項(xiàng)目、單詞測試次數(shù)、單詞測 試時間。
13. 如權(quán)利要求12所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述單詞測試項(xiàng)目包括單詞音標(biāo)、單詞拼寫、單詞含義與 單詞應(yīng)用。
14. 如權(quán)利要求13所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述記憶效果矩陣為每一所述單詞對應(yīng)所述單詞音標(biāo)、所述單詞拼寫、所述單詞含義與所述單詞應(yīng)用的記憶程度比例。
15. 如權(quán)利要求14所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述記憶效果矩陣根據(jù)所述記憶程度比例做一互補(bǔ)運(yùn)算得 到所述記憶缺陷矩陣。
16. 如權(quán)利要求14所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，將各所述記憶程度比例做一平均運(yùn)算得到所述記憶深度值。
17. 如權(quán)利要求10所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述疑難詞庫進(jìn)一步包括音標(biāo)類、拼寫類、含義類與應(yīng)用 類。
18. 如權(quán)利要求10所述的通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的方 法，其特征在于，所述激勵觸發(fā)提示為一動畫提示或一警告提示。
全文摘要
一種通過計算機(jī)可執(zhí)行的輔助學(xué)習(xí)語言單詞的系統(tǒng)及其方法，包括一系統(tǒng)單詞題庫、一單詞學(xué)習(xí)模塊、一單詞記憶效果測試模塊、一記憶特性分析模塊、一學(xué)習(xí)推論控制模塊、一學(xué)習(xí)推論單詞題庫、一個人單詞庫及一動態(tài)學(xué)習(xí)激勵調(diào)整模塊，通過統(tǒng)計、分析學(xué)習(xí)者個人的記憶過程，得出個人的遺忘曲線和記憶缺陷，并根據(jù)這兩種特征為個人定制個性化的單詞題庫，以提高輔助學(xué)習(xí)語言單詞的效率。
文檔編號G06F17/00GK101201812SQ20061016880
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日
發(fā)明者濤 余, 邱全成 申請人:英業(yè)達(dá)股份有限公司