專利名稱：輸入裝置以及輸入方法
技術領域：
本發(fā)明涉及薄型輸入裝置以及輸入方法。
背景技術：
圖11是表示使用在便攜終端中的以往的操作部中的鍵部的結構的說
明圖。圖11的(a)例示了以往的鍵部的上表面圖。圖11的(b)例示了 以往的鍵部的截面圖。
圖11所示的鍵部被電絕緣地設置在基板6上，包括具有與基板6相對 的凹部并具有彈性的鍵片和通過粘接片等固定在該凹部上的金屬板9。
另外，如圖11的(b)所示，金屬板9的端部與形成在基板6上的墊 (pad)面7接觸，金屬板9的中央部被設置為可以相對于基板6向遠近方 向發(fā)生位移。并且，當金屬板9的中心部被向基板6按下時，金屬板9的 中心部與形成在基板6上的墊面8接觸。圖12是表示金屬板9的中心部被 按下了的狀態(tài)的說明圖。
并且，如果金屬板9與墊面8接觸而電導通，則便攜終端的控制部檢 測出鍵部被按下了。
另外，在專利文獻1中記載了以下開關在基板的一個面上設置有壓 電元件，當手指接觸了該基板的另一個面時檢測出發(fā)生了變化的基板內的 超聲波，從而檢測出手指的接觸。
專利文獻1:日本專利文獻特開平7 — 282699號公報(段落0018 0043，圖1)。

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的問題
隨著便攜終端的薄型化，對包括多個鍵的鍵部也要求薄型化。但是，
在圖11和圖12所示的以往的鍵部的構造中，為了避免在未被按下的狀態(tài) 下金屬板9與墊面8電導通，在金屬板9的中央部與墊面8之間必須設置 間隙。因此，難以使操作部薄型化。結果，妨礙了便攜終端的薄型化。
并且，為了防止金屬板9的中央部和墊面8的接觸不良，優(yōu)選使異物 或水等不會進入到金屬板9的中央部與墊面8之間的間隙中。為了使異物 等不會進入間隙中，例如必須在潔凈室中進行鍵部的組裝工序，或者按照 出廠后異物不會進入到間隙中的方式來構成鍵部。
另外，如果為了使鍵部薄型化而制成薄的金屬板9，則存在著金屬板 9的強度下降而有可能破損的問題。
另外，在專利文獻1所記載的開關中，由于在基板的一個面上設置有 壓電元件，因此難以薄型化。
因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種能夠防止發(fā)生接觸不良并實現 了薄型化的輸入裝置和輸入方法。
用于解決問題的手段
本發(fā)明的輸入裝置包括基板，在表面上形成有信號線；以及絕緣 片，與基板的表面相對設置，在與基板相對的面的相反側的面上表示了指 示多個操作位置的信息；所述輸入裝置的特征在于，包括信號發(fā)生單 元，向信號線輸出信號；反射波檢測單元，檢測信號發(fā)生單元輸出的信號 的反射波；以及運算單元，根據反射波檢測單元檢測出的反射波來判斷進 行了操作的操作位置。
本發(fā)明也可以采用以下方式在所述基板上形成有通過所述絕緣片上 的操作位置的附近的所述信號線，并且與所述信號線平行地形成有接地電 位的地線。
本發(fā)明也可以采用以下方式在所述基板上按照通過所述絕緣片上的
操作位置的附近的部分與通過其他操作位置的附近的部分之間的距離變長 的方式而形成了所述信號線。
本發(fā)明也可以采用以下方式所述運算單元根據所述信號發(fā)生單元輸 出的信號的信號強度和所述反射波檢測單元檢測出的反射波的信號強度來 判斷進行了操作的操作位置。
本發(fā)明也可以采用以下方式所述運算單元根據所述信號發(fā)生單元輸 出的信號的信號強度和所述反射波檢測單元檢測出的反射波的信號強度來 進行時域反射率測量，并根據時域反射率測量的結果來判斷進行了操作的 操作位置。
本發(fā)明也可以采用以下方式包括存儲單元，預先存儲有將時域反射 率測量(TDR)結果和被輸入的指示對應起來的表，所述運算單元根據存
儲單元存儲的表和TDR結果來確定被輸入了的指示。
本發(fā)明也可以采用以下方式在所述基板上形成有具有圓形部分的信
號線，所述運算單元根據TDR結果的變化來判斷在絕緣片上進行了的操作。
本發(fā)明的輸入方法是使用輸入裝置的輸入方法，所述輸入裝置包括 基板，在表面上形成有信號線；以及絕緣片，與基板的表面相對設置，在 與基板相對的面的相反側的面上表示了指示多個操作位置的信息；所述輸 入方法的特征在于，包括信號輸出步驟，信號發(fā)生單元向信號線輸出信 號；反射波檢測步驟，反射波檢測單元檢測在信號輸出步驟中信號發(fā)生單 元輸出的信號的反射波；以及運算步驟，運算單元根據在反射波檢測步驟 中反射波檢測單元檢測出的反射波來判斷進行了操作的操作位置。
發(fā)明的效果
根據本發(fā)明，取得了能夠防止發(fā)生接觸不良并實現了薄型化的效果。 其原因在于在本發(fā)明中，由于輸入裝置不具有機械性的開關構造，因此
可以使輸入裝置薄型化，并且能夠防止由于異物等的侵入等而導致的接觸 不良。
在本發(fā)明中，當在基板上平行地形成有通過操作位置的附近的信號線 和地線時，由于通過信號線和地線來構成共面線路，因此在用戶的手指接 觸到操作位置等情況下會產生信號發(fā)生單元輸出了的信號的反射波，反射 波檢測單元能夠檢測出該反射波。
在本發(fā)明中，當在基板上按照通過絕緣片上的操作位置的附近的部分 與通過其他操作位置的附近的部分之間的距離變長的方式而形成了信號線 時，能夠仿似地增長各個操作位置之間的距離，降低信號發(fā)生單元輸出的
信號的頻率。
在本發(fā)明中，當在基板上形成有具有圓形部分的信號線、運算單元根
據TDR結果的變化來確定被輸入了的指示時，輸入裝置能夠應對與用戶 手指的移動相對應的指示的輸入。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的鍵輸入裝置的構成例子的立體圖； 圖2是表示電信號的通信路徑的構造的立體圖； 圖3是表示微機模塊的構成例子的框圖4是表示在共面(coplanar)線路中沒有產生阻抗不匹配時的TDR 波形的說明圖5是表示阻抗的變化的說明圖6是表示存儲器中存儲的鍵映射的一個例子的說明圖7是表示基板和鍵片的截面的說明圖8是表示被按下的鍵片的截面的說明圖9是表示設置了膜時的鍵輸入裝置的立體圖IO是表示共面線路的一部分形成為圓形的鍵輸入裝置的立體圖； 圖ll是表示使用在便攜終端中的以往的鍵部的結構的說明圖； 圖12是表示按下了金屬板的中心部的狀態(tài)的說明圖。
標號說明 1鍵片
2鍵的位置 3微機模塊 4末端電阻 5共面線路 6基板
7、 8墊面 9金屬板 10信號線
11地線
12接地層 13外部導體 14電介質 15內部導體 16信號發(fā)生器 17定向耦合器 18信號檢波器 19運算器 20存儲器 21接口線
22形成為圓形的部分 23膜2具體實施例方式
參考附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方 式的鍵輸入裝置(輸入裝置)的構成例子的立體圖。
圖1所示的鍵輸入裝置包括以硅橡膠等為主要成分的具有彈性的鍵片 (絕緣片)l和形成有共面線路5的基板6。
當鍵片1應用于數字小鍵盤時，在鍵片1的一個面上印刷數字等，在 另一個面的、與印刷在一個面上的數字等相對應的部分設置圓錐形狀或圓 筒形狀的凹部。即，設置在鍵片1的一個面上的凹部的位置與印刷在鍵片 1上的數字等鍵的位置2相對應。
在基板6的共面線路5的一端設置有末端電阻4，在另一端設置有微 機模塊3。共面線路5形成為通過印刷在鍵片1上的數字等各個鍵的附 近。并且，在基板6上形成有用于與微機模塊3和其他模塊等連接的接口 線21。
圖2是表示電信號的通信路徑的構造的立體圖。圖2的(a)所示的共 面線路包括信號線IO，形成在基板6的一個面上；以及接地電位的地線11，與信號線10平行地配置，形成為具有與信號線10相同的截面面積。
圖2的(b)所示的微帶(micro strip)線路具有在基板6的一個面上 形成信號線10、在另一個面上形成接地電位的接地層12的結構。
圖2的(c)所示的同軸線路具有以下結構在圓筒形的線路的中心設 置有內部導體(信號線)15，在圓筒形的線路的外邊緣部設置有外部導體 13，在內部導體15與外部導體13之間填充了電介質14。
圖3是表示微機模塊3中的與信號收發(fā)和運算有關的部分的構成例子 的框圖。圖3所示的微機模塊3包括定向耦合器17、信號發(fā)生器(信號 發(fā)生單元)16、信號檢波器(反射波檢測單元)18、運算器(運算單元) 19、以及存儲器(存儲單元)20。微機模塊3使用在時域中直接觀測發(fā)射 波的時域反射率測量法(TDR: Time Domain Reflectometry，時域反射) 檢測出共面線路5中的存在阻抗不匹配的位置，由此來確定被輸入的指 示。
信號發(fā)生器16例如使頻率從30kHz到3GHz發(fā)生變化而輸出信號。另 外，信號發(fā)生器16向運算器19輸出表示輸出了的信號的強度的發(fā)送信號 強度信息。定向耦合器17向共面線路5輸出信號發(fā)生器16輸出了的信 號，向信號檢波器18輸出從共面線路5輸出的反射波。
信號檢波器18對定向耦合器17輸出的反射波進行檢波，并向運算器 19輸出接收信號強度信息，該接收信號強度信息是表示反射波所包含的信 號的信號強度的信息。運算器19根據發(fā)送信號強度信息和接收信號強度 信息計算出頻域反射率，并對計算出的頻域反射率進行傅立葉逆變換，計 算出時域反射率。另外，頻域反射率是指反射波所包含的信號的信號強度 相對于信號發(fā)生器16輸出的各個頻率的信號的信號強度的比例。另外， 時域反射率是指信號發(fā)生器16輸出的信號的反射波相對于時間的變化的 比例。
存儲器20為了根據時域反射率來測量共面線路5中的存在阻抗不匹配 的位置而存儲有沒有阻抗不匹配的情況下的TDR波形。另外，存儲部20 存儲有將時間、距離、以及與該距離相對應的鍵對應起來的鍵映射，所述 時間是指從信號發(fā)生器16輸出信號到產生阻抗不匹配為止的時間(到共200780007254.4
說明書第7/ll頁
面線路5的阻抗發(fā)生變化為止的時間)，所述距離是指與所述時間相對應 的、從微機模塊3的定向耦合器17到產生了阻抗不匹配的位置的距離。
圖4是表示在共面線路5中沒有產生阻抗不匹配時的TDR波形的說明 圖。當在共面線路5中沒有產生阻抗不匹配時，不產生信號發(fā)生器16輸 出的信號的反射波。因此，如圖4所示，當橫軸表示時間、縱軸表示阻抗 時，得到平坦的TDR波形。
圖5是表示共面線路5的阻抗的變化的說明圖。在圖5所示的例子中 表示了信號發(fā)生器1輸出信號后的L秒之后阻抗變化了的情況。圖6是表 示存儲器20中存儲的鍵映射的一個例子的說明圖。在圖6所示的例子中 表示了以下情況在信號發(fā)生器16輸出信號后的2t秒之后阻抗發(fā)生了變 化的情況下，在與微機模塊3的距離為21的位置產生了阻抗不匹配，鍵 "1"與該位置相對應。
共面線路5的特性阻抗由信號線IO和地線11的寬度及厚度決定。構 成共面線路5的信號線IO和地線11為了使特性阻抗相同而分別由一根線 形成。另外，共面線路5考慮了TDR的分辨率而在基板6上彎曲地形成。
對基板6中的共面線路5所形成的路徑進行說明。 一般的便攜終端的 各個鍵之間的距離為10mm左右。因此，為了在便攜終端上安裝鍵輸入裝 置而必須使TDR的分辨率小于10mm。另夕卜，TDR的分辨率是信號發(fā)生 器16輸出的信號中的頻率最高的信號的波長的1/4。因此，信號發(fā)生器16 必須輸出7.5GHz的頻率的信號。
但是，由于高頻信號的直進性強，因此可能會從共面線路5輻射信 號。因此，為了降低信號發(fā)生器16輸出的信號的頻率而在基板6上彎曲 地形成共面線路5的路徑，仿似地增長了各個鍵之間的距離。即，共面線 路5為了使通過鍵片1上的各個鍵的附近的部分之間的距離變長而彎曲地 形成。
圖7是表示基板6和鍵片ll的截面的說明圖。在基板6的與鍵片l相 對的面上形成有信號線IO和地線11。信號線IO和地線11的導體部分的 寬度和高度是相同的。另外，信號線IO和地線11的導體部分的寬度和高 度以及信號線10附近的鍵片1的截面形狀被設定為使得共面線路5 (參考
圖1)的特性阻抗在在任何部分均相同。即，在鍵片1未被按下等情況
下，在由信號線10和地線11構成的共面線路5中不產生阻抗不匹配。 即，如圖7所示，在鍵片1未被按下等狀態(tài)下，在共面線路和鍵片1的與 基板相對的面之間存在間隙，所述共面線路是由在基板6上按照通過設置 在鍵片1的與基板6相對的面?zhèn)鹊陌疾康姆绞絹聿季€的信號線10和地線 ll構成的。
在圖7所示的例子中，由于鍵片1未被按下等，因此在共面線路5中 不會產生阻抗不匹配。因此，信號發(fā)生器16輸出的信號被末端電阻4消 耗，不產生發(fā)射波。
圖8是表示被按下了的鍵片1的截面的說明圖。如圖8所示，按下了 鍵片l后，為電介質的鍵片l變形(撓曲)，與由信號線IO和地線11構 成的共面線路5 (參考圖1)抵接，共面線路的周邊的介電常數發(fā)生變 化。因此，在共面線路中產生阻抗不匹配。并且，在共面線路5中的產生 了阻抗不匹配的位置產生微機模塊3 (參考圖1)輸出的信號的反射波。 微機模塊3輸出的信號的反射波在共面線路5中向微機模塊3傳輸。
接著，參考圖3對圖1的微機模塊3的動作進行說明。信號發(fā)生器16 使頻率從低頻(例如30kHz)到高頻(例如3GHz)連續(xù)變化而始終輸出 信號(步驟S101)。并且，信號發(fā)生器16向運算器19輸出發(fā)送信號強度 信息，該發(fā)送信號強度信息是表示輸出的信號的強度的信息(步驟
5102) 。
定向耦合器17向共面線路5輸出信號發(fā)生器16輸出了的信號(步驟
5103) 。并且，當在共面線路5 (參考圖1)中產生了阻抗不匹配時，從 共面線路5向定向耦合器17輸出反射波(步驟S104)。定向耦合器17將 被輸出的反射波輸出給信號檢波器18 (步驟S105)。信號檢波器18對定 向耦合器17輸出的反射波進行檢波，并向運算器19輸出接收信號強度信 息，該接收信號強度信息是表示反射波所包含的信號的強度的信息(步驟 S106)。
圖3的運算器19根據信號發(fā)生器16輸出的發(fā)送信號強度信息和信號 檢波器18輸出的接收信號強度信息計算出頻域反射率。并且，運算器19
對計算出的頻域反射率進行傅立葉逆變換，得到TDR的結果(TDR波 形)。
當在共面線路5中產生了阻抗不匹配時，產生信號發(fā)生器16輸出的信 號的反射波。因此，如圖5所示，當橫軸表示時間、縱軸表示阻抗時，得 到表示阻抗變化的TDR波形。
到圖5所示的TDR波形中的阻抗顯示出變化為止的時間與產生了阻抗 不匹配的位置和微機模塊3的定向耦合器17之間的距離成比例。因此， 運算器19能夠參考圖6例示的存儲器20中存儲的鍵映射并根據到TDR波 形中的阻抗顯示出變化為止的時間而判斷出哪個鍵被按下了 (圖3所示的 步驟S107、 S108)。
并且，運算器19根據判斷的結果來確定被輸入了的指示。運算器19 向安裝有輸入裝置的便攜終端等的控制單元輸出表示確定了的被輸入(按 下)的指示(鍵)的信息。
根據本實施方式，通過形成有共面線路5的基板6和具有彈性的鍵片 l來構成鍵輸入裝置。因此，不需要圖ll所示的圓頂形的凹部。因此，可 以使鍵輸入裝置薄型化。
另外，根據本實施方式，由于根據在基板6上形成的共面線路5的阻 抗的變化來判斷哪個鍵被按下了，因此在鍵的下部不需要具有其他裝置 等，從而可以使鍵輸入裝置薄型化。
另外，根據本實施方式，在形成在基板6上的共面線路5與鍵片1之 間不存在機械性的開關構造。因此，具有鍵輸入裝置不會由于機械性的磨 損而劣化或發(fā)生故障的效果。另外，具有以下效果即使有異物或水等侵 入到形成在基板6上的共面線路5與鍵片1之間，也不會產生接觸不良等 動作不良。
另外，也可以代替鍵片l而將表示了鍵的位置的絕緣性的膜23設置在 基板6的形成有共面線路5的面上。圖9是表示代替鍵片1而將表示了鍵 的位置的膜23設置在基板6的形成有共面線路5的面上時的鍵輸入裝置的 立體圖。
當膜23設置在基板6的形成有共面線路5的面上時，如果手指等接觸
了膜23，則手指等所接觸的位置的周邊的介電常數也會發(fā)生變化并產生阻 抗不匹配。因此，在共面線路5中的手指等所接觸的位置產生反射波，微 機模塊3根據反射波而得到TDR波形，從而能夠判斷出手指等與哪個鍵 進行了接觸。
當表示了鍵的位置的膜23設置在基板6的形成有共面線路5的面上 時，與使用鍵片l時相比，可以進一步使鍵輸入裝置薄型化。另外，膜23 優(yōu)選具有高耐久性。
另外，共面線路5可以具有形成為圓形的部分22。圖10是表示共面 線路5的一部分形成為圓形的鍵輸入裝置的立體圖。如果與共面線路5的 形成為圓形的部分22相對應的鍵片1的部分被手指描繪按壓，則在被描 繪的部分會產生阻抗不匹配。并且，根據該手指的移動，產生阻抗不匹配 的位置發(fā)生變化。因此，如果微機模塊3根據產生了阻抗不匹配的位置的 變化來判斷手指的移動，則鍵輸入裝置可以具有圓盤形的操作部。
另外，運算器(運算單元)19根據信號檢波器(反射波檢測單元)18 檢測出的反射波來判斷進行了操作的操作位置是指運算器19測量到信 號檢波器18檢測出反射波為止的時間，根據所測量的時間計算出信號檢 波器18與進行了操作的操作位置的距離，判斷出進行了操作的操作位 置。
運算器19根據信號發(fā)生器(信號發(fā)生單元)16輸出的信號的信號強 度和信號檢波器(反射波檢測單元)18檢測出的反射波的信號強度來判斷 進行了操作的操作位置是指運算器19對信號發(fā)生器16輸出的信號的信 號強度和信號檢波器(反射波檢測單元)18檢測出的反射波的信號強度進 行比較，在信號檢波器18檢測出了信號強度與信號發(fā)生器16輸出的信號 的信號強度不同的信號的定時(timing)判斷信號檢波器18檢測出了反射 波，并根據到信號檢波波18檢測出反射波為止的時間計算出信號檢波器 18與進行了操作的操作位置的距離，判斷出進行了操作的操作裝置。
運算器19根據信號發(fā)生器16輸出的信號的信號強度和信號檢波器18 檢測出的反射波的信號強度來進行時域反射率測量是指運算器19對信 號發(fā)生器16使頻率變化而輸出的信號的信號強度和信號檢波器18檢測出
的反射波所包含的各個頻率的信號的信號強度進行比較，計算出頻域反射 率，并對計算出的頻域反射率進行傅立葉逆變換，從而進行時域反射率測
運算器19根據作為時域反射率測量的結果的TDR結果來判斷進行了 操作的操作位置是指運算器19根據時域反射率變化了的定時計算出信 號檢波器18與進行了操作的操作位置的距離，并判斷出進行了操作的操 作位置。
運算器19根據存儲在存儲單元中的表和TDR結果來確定被輸出了的 指示是指運算器19參考將時域反射率變化了的定時和被輸入的指示對 應起來的表，判斷與時域反射率變化了的定時相對應的指示是被輸入了的 指不。
產業(yè)上的實用性
本發(fā)明可以利用在便攜終端等的輸入裝置上。
權利要求
1. 一種輸入裝置，包括基板，在表面上形成有信號線；以及絕緣片，與所述基板的所述表面相對設置，在與所述基板相對的面的相反側的面上表示了指示多個操作位置的信息；所述輸入裝置的特征在于，包括信號發(fā)生單元，向所述信號線輸出信號；反射波檢測單元，檢測所述信號發(fā)生單元輸出的信號的反射波；以及運算單元，根據所述反射波檢測單元檢測出的反射波來判斷進行了操作的操作位置。
2. 如權利要求1所述的輸入裝置，其中，在所述基板上按照通過所述絕緣片上的操作位置的附近的方式而形成 了所述信號線和與所述信號線平行的接地電位的地線。
3. 如權利要求1或2所述的輸入裝置，其中，在所述基板上按照通過所述絕緣片上的操作位置的附近的部分與通過 其他操作位置的附近的部分之間的距離變長的方式而形成了所述信號線。
4. 如權利要求1至3中任一項所述的輸入裝置，其中， 所述運算單元根據所述信號發(fā)生單元輸出的信號的信號強度和所述反射波檢測單元檢測出的反射波的信號強度來判斷進行了操作的操作位置。
5. 如權利要求1至4中任一項所述的輸入裝置，其中， 所述運算單元根據所述信號發(fā)生單元輸出的信號的信號強度和所述反射波檢測單元檢測出的反射波的信號強度來進行時域反射率測量，并根據 作為所述時域反射率測量的結果的TDR (Time Domain Reflectometry)結 果來判斷進行了操作的操作位置。
6. 如權利要求5所述的輸入裝置，其中，包括存儲單元，預先存儲有將所述TDR結果和被輸入的指示對應起 來的表，所述運算單元根據所述存儲單元存儲的表和所述TDR結果來確定被 輸入了的指示。
7. 如權利要求5或6所述的輸入裝置，其中， 在所述基板上形成有具有圓形部分的信號線，所述運算單元根據所述結果的變化來判斷在所述絕緣片上進行了的操作。
8. —種使用輸入裝置的輸入方法，所述輸入裝置包括基板，在表面上形成有信號線；以及絕緣片，與所述基板的所述表面相對設置，在與所述基板相對的面的 相反側的面上表示了指示多個操作位置的信息； 所述輸入方法的特征在于，包括信號輸出步驟，信號發(fā)生單元向所述信號線輸出信號； 反射波檢測步驟，反射波檢測單元檢測在所述信號輸出步驟中所述信號發(fā)生單元輸出的信號的反射波；以及運算步驟，運算單元根據在所述反射波檢測步驟中所述反射波檢測單元檢測出的反射波來判斷進行了操作的操作位置。
9. 一種輸入裝置，包括在預先確定的預定位置分配了鍵的絕緣部件；按照通過與所述絕緣部件的鍵分配位置相對應的位置的方式布線，并 在與所述絕緣部件相對的一側具有一端被端接的信號線的基板；以及在從所述信號線的另一端側提供了信號的狀態(tài)下，如果所述絕緣部件 的鍵分配位置被進行了操作，則根據由于阻抗不匹配而在所述信號線中產 生的反射波的測量結果來判斷被進行了操作的鍵的單元。
10. 如權利要求9所述的輸入裝置，其中，所述信號線包括與設置在所述絕緣部件上的圓盤狀的鍵操作部相對應 地布線成環(huán)狀的部分，所述輸入裝置包括以下單元在從所述信號線的另一端側提供了信號的狀態(tài)下，如果操作者用手指操作了所述絕緣部件的所述圓盤狀的鍵操作 部，則根據在所述信號線中與所述手指的移動相對應地產生的反射波來判 斷所述操作者的手指的移動。
11. 如權利要求9所述的輸入裝置，其中，所述絕緣部件與所述相反側的面上的、指示操作位置的信息的表示位 置相對應地在與所述基板相對的面上具有凹部，所述信號線在所述基板上按照通過與所述絕緣部件的所述凹部相對應 的位置的方式布線。
12. 如權利要求9所述的輸入裝置，其中， 所述絕緣部件由設置在所述基板表面上的膜構成。
13. 如權利要求9所述的輸入裝置，其中，所述信號線在所述基板上的、通過所述絕緣部件的所述鍵分配位置的 附近的部分具有彎曲部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止發(fā)生接觸不良并實現了薄型化的輸入裝置。在基板(6)的表面上形成有通過用戶進行操作的位置的附近的共面線路(5)。在共面線路(5)的一端設置末端電阻(4)，在另一端設置微機模塊(3)。微機模塊(3)的信號發(fā)生器(16)向共面線路(5)輸出信號。如果用戶進行了鍵操作，則共面線路(5)的阻抗發(fā)生變化并產生反射波。信號檢波器(18)對反射波進行檢波并向運算器(19)輸出表示反射波所包含的信號的強度的接收信號強度信息。運算器(19)根據接收信號強度信息和信號發(fā)生器(16)輸出的信號的強度來判斷進行了操作的鍵并確定被輸入的指示。
文檔編號G06F3/023GK101395560SQ20078000725
公開日2009年3月25日 申請日期2007年3月26日 優(yōu)先權日2006年3月29日
發(fā)明者山崎修司 申請人:日本電氣株式會社