專利名稱：一種flash存儲器的擦寫方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲介質(zhì)，更具體地說，涉及一種FLASH存儲器的擦寫方法。
技術(shù)背景
FLASH存儲器是一種在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種可擦除、非 易失性存儲元件，具有速度塊、價格便宜的特點，得到了越來越多的應(yīng)用。FLASH和EEPROM 都能斷電保存數(shù)據(jù)，F(xiàn)LASH的數(shù)據(jù)擦除是以固定的區(qū)塊為單位進行擦除的，區(qū)塊大小一般為 256KB到20MB，而EEPROM則可以按單個字節(jié)進行擦寫。因此，F(xiàn)LASH的更新的速度比EEPROM 要快，F(xiàn)LASH和EEPROM都有擦寫次數(shù)的限制，但FLASH的擦寫次數(shù)卻只有EEPROM的1/10 左右(在制作工藝等相當(dāng)?shù)那闆r下)，如果頻繁地擦寫FLASH存儲器的固定區(qū)域，就會使該 區(qū)域在較短的時間達到使用壽命，從而降低FLASH存儲器的使用壽命，所以在FLASH中保 存頻繁操作的數(shù)據(jù)時一般都采用寫入多次擦除一次的方法，有效彌補了 FLASH擦寫次數(shù)比 EEPROM少的缺點。同等大小，F(xiàn)LASH的存儲容量比EEPROM大，單個字的寫入FLASH比EEPROM 快。FLASH常用來存儲程序和不發(fā)生改變的數(shù)據(jù)，EEPROM常用來存儲用戶設(shè)置以及會發(fā)生 改變的數(shù)據(jù)，一般情況下，F(xiàn)LASH和EEPROM同時存在，在PCB上占用的空間多、線路設(shè)計相對 復(fù)雜、成本高，因此，并不是對所有的需要保存程序代碼和用戶設(shè)置數(shù)據(jù)的情況都最優(yōu)化。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種對需要保存 程序代碼和用戶設(shè)置數(shù)據(jù)最優(yōu)化的FLASH存儲器擦寫方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種FLASH存儲器擦寫方法， 包括，
Al.取FLASH存儲器相同容量的分塊NfdSSB^O ^ i < N,；
Bi.把&等分成11個，編號分別為、，其中，0彡1<隊0彡]_<11，、用來存儲 一數(shù)據(jù)幀，所述數(shù)據(jù)幀包含8倍字節(jié)數(shù)；
Cl. Bi的最后一個數(shù)據(jù)幀所在的為Bi的當(dāng)前塊，記為cu，N個Cu的j各不相 同；
Dl.判斷Cij的j是否等于M-I，若是，則轉(zhuǎn)El;若否則轉(zhuǎn)Fl;
El. Bi執(zhí)行擦除，Cij為biQ，轉(zhuǎn)步驟Gl ；
FLcij為bi(J+1);
Gl.往Cij內(nèi)寫入數(shù)據(jù)幀；
Hl.判斷是否結(jié)束，若否，則轉(zhuǎn)步驟Dl。
在本發(fā)明所述的FLASH存儲器擦寫方法中，所述N為2，分別為B” Bp
在本發(fā)明所述的FLASH存儲器擦寫方法中，所述M為8。
在本發(fā)明所述的FLASH存儲器擦寫方法中，在步驟Cl中，Btl的當(dāng)前塊為1 ，B1的 當(dāng)前塊為b
實施本發(fā)明的FLASH存儲器擦寫方法，具有以下有益效果
1、用FLASH的N塊來存儲數(shù)據(jù)，一是為了防止意外情況下數(shù)據(jù)丟失。例如在擦寫 FLASH時突然斷電，其余各塊的數(shù)據(jù)必然是保存完好，因此不會造成數(shù)據(jù)丟失；二是為了保 證數(shù)據(jù)的完整性，如果在擦寫EEPROM過程中遇到突然斷電，由于EEPROM是按單個字節(jié)擦寫 的，因此不能將所有要改變的數(shù)據(jù)改變，于是失去了數(shù)據(jù)的完整性，而用本發(fā)明的方法，在 擦寫過程中突然斷電就不會破壞數(shù)據(jù)的完整性；
2、數(shù)據(jù)寫入Bi (0彡i < N)時是錯開寫入，因此Bi (0彡i < N)寫滿的時刻并不一 致，擦除操作也是錯開進行的，這樣避免了 BiO) < i < N)的擦除在同一次寫入中進行而影 響速度；
3、此方法保留了 FLASH存儲器的單個字節(jié)寫入方法，因此速度要比EEPROM的單個 字節(jié)寫入快；
基于上述優(yōu)點，在線路設(shè)計時，可以去掉線路中的EEPR0M，既節(jié)省了 PCB的空間， 又節(jié)省了成本，優(yōu)化了所有需要同時保存程序代碼和用戶設(shè)置數(shù)據(jù)的情況。


下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中
圖1是本發(fā)明FLASH存儲器的擦寫方法的流程圖2A是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中數(shù)據(jù)幀被寫入前的FLASH存儲器的示意 圖2B是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第1個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖2C是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第7個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖2D是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第8個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖2E是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第9個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，在本發(fā)明的FLASH存儲器的擦寫方法中，該方法包括以下步驟
S101.取FLASH存儲器相同容量的分塊N個，記為BiOXi <N)，之所以取相等容 量的塊，是因為在下面步驟中錯開寫入數(shù)據(jù)幀時，保證Bi (0 ^ i <N)永遠不會同時寫滿；
S102.把&等分成1個，編號分別為、(0彡1<隊0彡」<10，、用來存儲一 數(shù)據(jù)幀，所述數(shù)據(jù)幀包含8倍字節(jié)數(shù)；
S103. Bi的最后一個數(shù)據(jù)幀所在的為Bi的當(dāng)前塊，記為Cij，N個Cij的j各不相 同；
S104.判斷Cij的j是否等于M-I，若是，則轉(zhuǎn)步驟S105 ；若否則轉(zhuǎn)步驟S106 ；
S105. Bi執(zhí)行擦除，Cij為bi(1，然后轉(zhuǎn)步驟S107 ；
S106.Cij*bi(j+1)；
S107.往Cij內(nèi)寫入數(shù)據(jù)幀；
S108.判斷是否結(jié)束，若是，則結(jié)束FLASH存儲器的操作；若否，則轉(zhuǎn)步驟S104。
圖2A至圖2E是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法實施例一的示意圖。
圖2A是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中數(shù)據(jù)幀被寫入前的FLASH存儲器的示意 圖，取FLASH存儲器的相等容量的分塊2塊，分別為B。B1，設(shè)容量為64Kbyte，Bi等分成8 塊，記為、(0彡i < 2，0彡j < 8)，每個存儲一個數(shù)據(jù)幀，每個數(shù)據(jù)幀為8KBye。
圖2B是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第1個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖，當(dāng)?shù)谝粋€數(shù)據(jù)幀D1 (大小8Kbyte)到來時，在FLASH存儲器中進行第一次寫入， 將D1寫在b00和bn，即B0, B1錯開寫入。
圖2C是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第7個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖，當(dāng)數(shù)據(jù)幀D^2《k彡7)到來時，寫入、、1^+1)中(1彡k彡6)。
圖2D是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第8個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖，當(dāng)數(shù)據(jù)幀D8到來時，開始進行寫入，對于Btl，直接寫入bOT，對于B1，此時判斷b17已 經(jīng)寫入了 D7,即B1已經(jīng)寫滿，因此將B1擦除，再把D8寫入b1Q。
圖2E是本發(fā)明FLASH存儲器擦寫方法中第9個數(shù)據(jù)幀被寫入后的FLASH存儲器 的示意圖，當(dāng)數(shù)據(jù)幀D9到來時，開始進行寫入，對于B1，直接寫入bn，對于Btl，此時判斷‘已 經(jīng)寫入了 D8,即Btl已經(jīng)寫滿，因此將Btl擦除，再把D9寫入b。。。
綜合圖2A至圖2E，當(dāng)一個新的數(shù)據(jù)幀到來時，同時寫入Bc^B1，Bi寫滿時再進行擦 除操作，而且數(shù)據(jù)幀在被寫入B。B1時是錯開的，即Bp B1是不同時被寫滿的，因此B。B1的 擦除時刻也不一致，這樣，就可以防止意外情況下數(shù)據(jù)丟失，而且保證了數(shù)據(jù)的完整性。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種FLASH存儲器擦寫方法，其特征在于，Al.取FLASH存儲器相同容量的分塊N個，記為Bi, 0 ^ i <N； Bi.把&等分成M個，編號分別為，其中，0彡i <N，0< j <M，用來存儲一數(shù) 據(jù)幀，所述數(shù)據(jù)幀包含8倍字節(jié)數(shù)；Cl. Bi的最后一個數(shù)據(jù)幀所在的為Bi的當(dāng)前塊，記為cu，N個的j各不相同；Dl.判斷Cij的j是否等于M-I，若是，則轉(zhuǎn)El ；若否則轉(zhuǎn)Fl ；El. Bi執(zhí)行擦除，Cij為biQ，轉(zhuǎn)步驟Gl ；Fl. Cij 為 bi(J+1)；Gl.往Cij內(nèi)寫入數(shù)據(jù)幀；Hl.判斷是否結(jié)束，若否，則轉(zhuǎn)步驟D1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FLASH存儲器擦寫方法，其特征在于，所述N為2，分別為BpB1 ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FLASH存儲器擦寫方法，其特征在于，所述M為8。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FLASH存儲器擦寫方法，其特征在于，在步驟Cl中，B0的當(dāng) 前塊為b0J，B1的當(dāng)前塊為b1((J+1)%iS或131((」+7)%0。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種FLASH存儲器的擦寫方法，該方法包括A1.取FLASH存儲器相同容量的分塊N個，記為Bi(0≤i＜N)；B1.把Bi等分成M個，編號分別為bij(0≤i＜N，0≤j＜M)，bij用來存儲一數(shù)據(jù)幀；C1.Bi的最后一個數(shù)據(jù)幀所在的bij為Bi的當(dāng)前塊，記為cij，N個cij的j各不相同；D1.判斷cij的j是否等于M-1，若是，則轉(zhuǎn)E1；若否則轉(zhuǎn)F1；E1.Bi執(zhí)行擦除，cij為bi0，轉(zhuǎn)步驟G1；F1.cij為bi(j+1)；G1.往cij內(nèi)寫入數(shù)據(jù)幀；H1.判斷是否結(jié)束，若否，則轉(zhuǎn)步驟D1。實施本發(fā)明的技術(shù)方案，優(yōu)化了所有需要同時保存程序代碼和用戶設(shè)置數(shù)據(jù)的情況。
文檔編號G06F12/06GK102033813SQ20091019028
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月24日
發(fā)明者鄭巧紅, 陳恒, 饒麗光 申請人:深圳市九洲電器有限公司