專利名稱：Ic封裝的引線框架和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利申請(qǐng)通常涉及集成電路(IC)封裝技術(shù)，且特別但不是作為限制涉及IC封裝的引線框架及其制造方法。^M,IC封裝是涉及IC設(shè)備的制造的最終階段之一。在IC封裝期間，一個(gè)或多個(gè)IC芯片被安裝在封裝襯底上、連接到電觸頭、并接著涂有包括電絕緣體例如環(huán)氧樹脂或硅樹脂模塑化合物的封裝材料。所產(chǎn)生的IC封裝可接著被安裝到印刷電路板(PCB)上和/或連接到其它電部件。常常，IC封裝可包括電觸頭而不是外部引線，其中電觸頭由封裝材料覆蓋在頂部上，并在IC封裝的底部上被暴露，所以它們可連接到位于IC封裝之下的電部件。常常，使用金屬引線框架來形成IC封裝的部分可能比使用層壓板或帶材料更成本有效，因?yàn)槔缈墒褂酶杀居行У牟牧?，例如銅、鎳或其它金屬或金屬合金，且這樣的材料的使用可允許使用更成本有效的制造工藝，例如壓印或蝕刻，而不是多步驟層壓工藝。概述在本申請(qǐng)中公開的各種實(shí)施方案設(shè)想用在具有高密度觸頭的集成電路(IC)封裝中的部分蝕刻和選擇性地電鍍的引線框架及制造方法。本發(fā)明的上面概述并不用來表示本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方案或每個(gè)方面。附圖簡述當(dāng)結(jié)合附圖理解時(shí)，通過參考下面的詳細(xì)描述可獲得對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施方案的更徹底的理解。圖IA-E示出在制造過程的不同階段的無引線IC封裝的實(shí)施方案的方面；圖2A-B是金屬引線框架的實(shí)施方案的兩個(gè)視圖，該金屬引線框架具有在其頂表面上形成的多個(gè)金屬跡線；圖3A-B是引線框架的實(shí)施方案的頂視圖和底視圖，該引線框架具有兩行鍵合區(qū)和多行接觸區(qū)；圖4A-B示出部分蝕刻和選擇性地電鍍的引線框架的實(shí)施方案的不同方面；圖5示出部分蝕刻的引線框架的示例性實(shí)施方案，該引線框架具有將鍵合區(qū)耦合到接觸區(qū)的多個(gè)金屬跡線；圖6A-C示出用在無引線的IC封裝中的部分蝕刻的引線框架的各種實(shí)施方案的頂視圖；圖7是用于制造部分蝕刻的引線框架的過程的實(shí)施方案的流程圖；以及
圖8示出在形成多個(gè)部分蝕刻的引線框架中使用的引線框架條的實(shí)施方案。示例性實(shí)施方案的詳細(xì)描述現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明的各種實(shí)施方案。然而，本發(fā)明可以體現(xiàn)在很多不同的形式中，且不應(yīng)被解釋為限于本文闡述的實(shí)施方案；更確切地，提供了實(shí)施方案，使得本公開將是徹底和完全的且將本公開的范圍充分傳達(dá)到本領(lǐng)域的技術(shù)人員?，F(xiàn)在參考

圖1A-E，示出了在制造過程的不同階段的IC封裝的實(shí)施方案的橫截面?zhèn)纫晥D。為了描述的目的，關(guān)于單個(gè)IC封裝描述了制造過程，但如將在下文更詳細(xì)地描述的，制造過程的步驟可適用于布置在引線框架條上的多個(gè)設(shè)備區(qū)的一些或全部。現(xiàn)在參考圖1A，該過程以未蝕刻的引線框100例如具有通常平坦的頂表面和底表面的金屬條開始。 制造商常常可接收對(duì)IC封裝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，例如待安裝到引線框架的IC芯片的尺寸和待布置在引線框架的頂表面上的鍵合區(qū)的數(shù)量。該設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)還可包括待布置在引線框架的底表面上的接觸區(qū)的尺寸和位置。接觸區(qū)之間的距離或間距可取決于IC封裝將安裝到的電子部件例如PCB的最低要求。在圖IB中，引線框架100被部分蝕刻在頂表面上以產(chǎn)生限定其上的金屬跡線122的凹槽126。在所示實(shí)施方案中，金屬鍍層被添加到布置在金屬跡線122 的頂表面上的鍵合區(qū)118和布置在金屬跡線122的底表面上的接觸區(qū)106。鍵合區(qū)118和接觸區(qū)106的金屬鍍層可通過將可粘接或可焊接的材料例如電鍍或包層金屬如銀(Ag)、金 (Au)、銅(Cu)或其它可粘接的材料涂敷到金屬跡線122來形成。在各種實(shí)施方案中，引線框架100的頂表面的蝕刻可在第一地點(diǎn)例如制造廠完成，而其余步驟可在例如制造廠的不同區(qū)域或不同的制造廠完成。在這樣的實(shí)施方案中，通過部分蝕刻引線框架100，金屬跡線 122比如果引線框架100被自始至終蝕刻穿更穩(wěn)定，且更不可能移動(dòng)。在圖IC中，IC芯片104使用粘合材料例如環(huán)氧樹脂固定到引線框架100。在IC芯片安裝到引線框架100之后，IC芯片可例如經(jīng)由引線鍵合114電耦合到布置在管芯附接區(qū)的外部的鍵合區(qū)。在圖ID中，封裝化合物108(被示為陰影區(qū))被涂敷以封裝IC芯片104 和引線鍵合114。此外，還在凹槽1 ——包括布置在IC芯片104下面的那些凹槽1 —— 中填充封裝化合物108。在圖IE中，引線框架100的底表面被回蝕。在各種實(shí)施方案中，底表面的回蝕可包括相應(yīng)于在引線框架100的頂表面中形成的凹槽的引線框架100的蝕刻部分108a，以完全蝕刻穿引線框架100，從而使金屬跡線122彼此電絕緣，使得引線框架100 的其余部分經(jīng)由金屬跡線122將鍵合區(qū)118電耦合到接觸區(qū)106。在一些實(shí)施方案中，回蝕可包括暴露封裝化合物108的部分的底表面。在各種實(shí)施方案中，回蝕可包括一些金屬跡線122的蝕刻部分12加。如可在所示實(shí)施方案中看到的，鍵合區(qū)118布置成橫向遠(yuǎn)離接觸區(qū)106，使得沒有垂直于引線框架100的頂表面的線與鍵合區(qū)和接觸區(qū)相交。在各種實(shí)施方案中，金屬跡線122可配置成提供電路徑，或從鍵合區(qū)118布線到布置在IC芯片104之下的橫向遠(yuǎn)距離地布置的接觸區(qū)106。在一些實(shí)施方案中，保護(hù)性涂層1 可被添加到金屬跡線122的底表面的一部分。在一些實(shí)施方案中，保護(hù)性涂層1 可被添加到引線框架 100的各種下表面以及封裝化合物108?，F(xiàn)在參考圖2A-B，示出了部分蝕刻的引線框架200的實(shí)施方案的不同方面。圖2A 是部分蝕刻的引線框架200的在IC芯片安裝到其上之前的頂視圖。圖2B是相應(yīng)于圖2A 的細(xì)部A的引線框架200的一部分的橫截面?zhèn)纫晥D。引線框架200被示為具有多個(gè)凹槽 226(被示為非陰影部分)，其以預(yù)定的圖案被蝕刻到其頂表面中以限定多個(gè)金屬跡線222的上部分(被示為陰影部分)。在所示實(shí)施方案中，每個(gè)金屬跡線222具有布置在其一端處的鍵合區(qū)218和布置在其相對(duì)端處的接觸區(qū)206。雖然在所示實(shí)施方案中只有頂表面被蝕刻，但為了描述的目的，接觸區(qū)206將布置在引線框架200的底表面上的位置被示為非陰影正方形。在圖2B中，圖2A的細(xì)部A的橫截面?zhèn)纫晥D顯示在凹槽2 被蝕刻到其頂表面中以限定金屬跡線222的上部分之后的引線框架200?，F(xiàn)在參考圖3A-B，示出了用在IC封裝制造過程中的部分蝕刻的引線框架300的實(shí)施方案的頂視圖和底視圖。在圖3A中，為了描述的目的，示出了 IC芯片304的略圖。在該實(shí)施方案中，外行的鍵合區(qū)318 (被示為實(shí)線正方形)正好布置在相應(yīng)的接觸區(qū)306 (被示為虛線正方形)之上。此外，內(nèi)行的鍵合區(qū)318被示為布置成橫向遠(yuǎn)離相應(yīng)的接觸區(qū)306 并經(jīng)由金屬跡線322電耦合到其。現(xiàn)在參考圖:3B，可看到引線框架300的底視圖。在所示實(shí)施方案中，在引線框架 300的底表面上接觸區(qū)306可被布置的位置被示為實(shí)線正方形。在一些實(shí)施方案中，金屬鍍層可在蝕刻之前涂敷到接觸區(qū)306。為了描述的目的，金屬跡線322被示為陰影部分。在一些實(shí)施方案中，接觸區(qū)306彼此間隔開至少一段最小距離，例如PCB設(shè)計(jì)規(guī)范所需的最小距離。在所示實(shí)施方案中，在引線框架300的周界周圍的每個(gè)鍵合區(qū)318(被示為虛線正方形)正好布置在相應(yīng)的接觸區(qū)306之上，因此這樣的鍵合區(qū)318也必須彼此間隔開至少該最小距離。然而，因?yàn)榻饘氽E線322將內(nèi)行的鍵合區(qū)318電耦合到橫向遠(yuǎn)離地布置的相應(yīng)接觸區(qū)306，鍵合區(qū)318可分隔開小于PCB設(shè)計(jì)規(guī)范所需的最小距離，同時(shí)仍然允許接觸區(qū) 306彼此間隔開至少該最小距離?，F(xiàn)在參考圖4A，示出了部分蝕刻和選擇性地電鍍的引線框架400的實(shí)施方案的頂視圖。為了描述的目的，IC芯片404可被安裝的輪廓被示為虛線。在該實(shí)施方案中，通過蝕刻掉引線框架400的頂表面的部分以限定其上布置有鍵合區(qū)418的金屬跡線422的上部分來形成凹槽426。在該實(shí)施方案中，接觸區(qū)406布置在引線框架400的底表面上的位置被示為虛線圓。如將在下文更詳細(xì)描述的，外行的所有鍵合區(qū)418正好布置在相應(yīng)的接觸區(qū) 406之上，而內(nèi)行的至少一些鍵合區(qū)并不正好布置在相應(yīng)的接觸區(qū)406之上，允許內(nèi)行的鍵合區(qū)418 —起較靠近得間隔開?，F(xiàn)在參考圖4B，示出了來自圖4A的細(xì)部A和細(xì)部B的頂視圖和側(cè)視圖。在細(xì)部 A中，凹槽似6被蝕刻到引線框架400的頂表面中以限定金屬跡線422的上部分，金屬跡線 422將引線框架400的頂表面上的鍵合區(qū)418耦合到接觸區(qū)406將布置在引線框架400的底表面上的位置。此外，引線框架400的頂表面和底表面選擇性地電鍍有例如金屬鍍層。如可在所示實(shí)施方案中看到的，鍵合區(qū)418和接觸區(qū)406具有實(shí)質(zhì)上相同的寬度。因?yàn)殒I合區(qū)418正好布置在接觸區(qū)406之上，鍵合區(qū)418的間距必須等于接觸區(qū)406的間距，這由IC 封裝將安裝到的PCB的最低要求指示?，F(xiàn)在參考細(xì)部B，提供了示出插在兩個(gè)鍵合區(qū)418之間的、下面正好有接觸區(qū)406 的鍵合區(qū)418的頂視圖和側(cè)視圖。在所示實(shí)施方案中，鍵合區(qū)418布置在引線框架400的頂表面上并被示為矩形，且接觸區(qū)406將布置在引線框架400的底表面上的位置被示為圓。 在細(xì)部B中所示的實(shí)施方案中，鍵合區(qū)418的寬度相對(duì)于細(xì)部A中所示的鍵合區(qū)具有增加的寬度。因?yàn)榻佑|區(qū)(未示出)之一布置成從中間鍵合區(qū)418正下方橫向遠(yuǎn)離，所有鍵合區(qū)418的寬度可小于接觸區(qū)406的寬度，因而允許鍵合區(qū)418比接觸區(qū)406更靠近得布置在一起?，F(xiàn)在參考圖5，示出了引線框架500的實(shí)施方案的頂視圖，引線框架500具有在引線框架500的周界周圍的外行鍵合區(qū)518和具有布置在IC芯片504將被安裝的區(qū)域下面的接觸區(qū)506的內(nèi)行鍵合區(qū)518。在該實(shí)施方案中，內(nèi)行鍵合區(qū)518被布置的金屬跡線522 的端部具有大于將鍵合區(qū)518耦合到相應(yīng)的接觸區(qū)506的金屬跡線522的其余部分。例如， 在各種實(shí)施方案中，金屬跡線522可具有大約5. 5密耳的間距和大約1. 5密耳的寬度，并彼此間隔開大約4密耳。在各種實(shí)施方案中，鍵合區(qū)518可具有大約5. 5密耳的間距和大約 2. 5密耳的寬度，并彼此間隔開大約3密耳。在各種實(shí)施方案中，接觸區(qū)506的最小間距將由IC封裝將安裝到的PCB的要求確定。在各種實(shí)施方案中，接觸區(qū)506可具有大約6密耳的直徑和15. 7密耳的間距、7. 9密耳的直徑和19. 7密耳的間距、或9. 8密耳的直徑和25. 6 密耳的間距?，F(xiàn)在參考圖6A-6C，示出了部分蝕刻的引線框架600的各種實(shí)施方案的頂視圖。在圖6A中，引線框架600的實(shí)施方案顯示有在其頂表面上部分地限定的管芯附接墊 (DAP) 602，IC芯片604的至少一部分可安裝到該頂表面上。在所示實(shí)施方案中，IC芯片604 將被安裝的區(qū)域(管芯附接區(qū))包括DAP 602和金屬跡線622的部分。在各種實(shí)施方案中， DAP 622除了其它事情以外還可提供增加的熱量消散和/或?qū)C芯片604的結(jié)構(gòu)支撐。在圖6B所示的實(shí)施方案中，金屬跡線62 電耦合到DAP 602，例如以提供對(duì)IC芯片604的電接地。在一些實(shí)施方案中，一個(gè)或多個(gè)通道可在DAP 602中形成，以便于封裝材料流到以其它方式隔離或難以到達(dá)的地方?，F(xiàn)在參考圖6C，示出了可用在IC封裝中的部分蝕刻的引線框架600的頂視圖。在所示實(shí)施方案中，示出了 IC芯片604可被安裝的位置。如可看到的，在該實(shí)施方案中的IC 芯片604小于圖6A和6B的IC芯片604，說明金屬跡線的利用允許接觸區(qū)的至少一部分布置成遠(yuǎn)離相應(yīng)的鍵合區(qū)，從而增加IC芯片和引線框架的尺寸的給定組合可用的I/O連接的數(shù)量。如可從所示實(shí)施方案中看到的，使用引線框架600上的金屬跡線來將接觸區(qū)布置成遠(yuǎn)離鍵合區(qū)可配置成提供多行鍵合區(qū)和多行接觸區(qū)。在各種實(shí)施方案中，三行或更多行鍵合區(qū)可被部分蝕刻到引線框架中，且相應(yīng)于五個(gè)或更多個(gè)接觸區(qū)的金屬鍍層可布置在引線框架的底表面上。例如，5X5mm引線框架可配置成提供多于100個(gè)的I/O連接。如可在所示實(shí)施方案中看到的，各種實(shí)施方案可利用向外布線和向內(nèi)布線的組合?，F(xiàn)在參考圖7，示出了 IC封裝制造過程700的實(shí)施方案的流程圖。當(dāng)對(duì)部分蝕刻的引線框架的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)被提供給制造商時(shí)，該過程在步驟702開始。在各種實(shí)施方案中，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的至少一部分可通過客戶命令被接收和/或由制造商發(fā)展。設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)可包括關(guān)于最終IC封裝的信息和/或可僅包括關(guān)于部分蝕刻的引線框架的信息。例如，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)可包括期望引線框架的長度、寬度和高度、待安裝到引線框架上的IC芯片的尺寸、鍵合區(qū)的數(shù)量、 鍵合區(qū)的位置、接觸區(qū)的數(shù)量、接觸區(qū)的位置和/或其它設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。在步驟704，第一位置設(shè)置有未蝕刻的金屬條，例如銅的金屬條。在步驟706，金屬條使用任何數(shù)量的蝕刻過程被部分蝕刻在頂表面上，以產(chǎn)生限定金屬跡線的上部分的凹槽的圖案，鍵合區(qū)布置在金屬跡線上。凹槽的圖案可相應(yīng)于將鍵合區(qū)耦合到接觸區(qū)的位置所需的金屬跡線，如可在設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)中提供的。在一些實(shí)施方案中，蝕刻可以是半蝕刻，使得在引線框架中形成的凹槽穿過其在半途延伸。例如，在4密耳引線框架中，半蝕刻將為2密耳蝕刻。在各種實(shí)施方案中，引線框架可穿過其大于或小于半途被蝕刻。例如，在一些實(shí)施方案中，部分蝕刻可以到大約3 密耳+/-0. 5密耳的深度。在部分蝕刻頂表面之后，可通過電鍍鍵合區(qū)和/或接觸區(qū)將被布置的位置來選擇性地電鍍引線框架的頂表面和底表面的一個(gè)或兩個(gè)。鍵合區(qū)的金屬鍍層可通過將可粘接的材料涂敷到金屬跡線來形成。在各種實(shí)施方案中，表面粘附性增強(qiáng)處理(AE 處理)例如粗糙化和/或清潔表面以增加粘附性可跟隨在金屬電鍍之后。在步驟708，部分蝕刻的引線框架可從第一地點(diǎn)運(yùn)送到第二地點(diǎn)。在各種實(shí)施方案中，部分蝕刻的引線框架在運(yùn)送期間為金屬跡線提供穩(wěn)定性。例如，在一些實(shí)施方案中，第一地點(diǎn)可以是適合于蝕刻引線框架的頂表面的制造廠的一部分，而第二地點(diǎn)可以是適合于完成IC封裝過程的制造廠的相同或不同的部分。在一些實(shí)施方案中，第一地點(diǎn)可以是第一制造廠，而第二地點(diǎn)可以是第二制造廠。在一些實(shí)施方案中，第一地點(diǎn)可以是第一制造廠， 而第二地點(diǎn)可以是客戶的地點(diǎn)或其它地點(diǎn)。在步驟710，IC芯片安裝到部分蝕刻的引線框架上。接著，IC芯片在步驟712被引線鍵合到部分蝕刻的引線框架，后面是在步驟714的 IC芯片的封裝。該過程以在步驟716的金屬條的底表面的回蝕結(jié)束?，F(xiàn)在參考圖8，示出了例如可用在IC封裝制造過程中的類型的金屬條800。金屬條 800包括布置在其上的多個(gè)設(shè)備區(qū)域801。在一些實(shí)施方案中，金屬條800可以是銅或其它金屬或金屬合金，并可具有5密耳、大于5密耳或小于5密耳的厚度。在各種實(shí)施方案中， 設(shè)備區(qū)域801可在尺寸上變化，且在金屬條800上的設(shè)備區(qū)域801的數(shù)量也可變化。例如， 在一些實(shí)施方案中，在金屬條800上的設(shè)備區(qū)域801的數(shù)量可以是從小于100到大于1000 的任何數(shù)量。在IC制造過程期間，一個(gè)或多個(gè)IC芯片可連接到每個(gè)設(shè)備區(qū)域801并封裝在封裝化合物內(nèi)。在各種實(shí)施方案中，IC芯片可以經(jīng)由引線鍵合電耦合到設(shè)備區(qū)域801或在倒裝配置中直接電耦合到其。IC制造過程還可包括將設(shè)備區(qū)域801彼此分開，以形成可配置成安裝到外部設(shè)備例如PCB的多個(gè)IC封裝。當(dāng)IC封裝安裝到PCB上時(shí)，IC芯片可經(jīng)由布置在IC封裝的底表面上的接觸區(qū)電耦合到PCB。雖然在附圖中示出并在前述詳細(xì)描述中描述了本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的各種實(shí)施方案，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施方案，而是能夠有很多重新配置、修改和替換， 而不偏離如本文闡述的本發(fā)明的精神。
權(quán)利要求
1.一種制造集成電路(IC)封裝的引線框架的方法，所述方法包括接收對(duì)用在IC封裝中的部分圖案化的引線框架的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，所述設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)包括待布置在所述引線框架的頂表面上的鍵合區(qū)的第一數(shù)量以及待布置在所述引線框架的底表面上的接觸區(qū)的第二數(shù)量；在第一位置提供具有頂表面和通常平坦的底表面的金屬條；在所述第一位置蝕刻所述金屬條的所述頂表面以限定等于來自客戶命令的鍵合區(qū)的數(shù)量的多個(gè)鍵合區(qū)，并限定多個(gè)金屬跡線的上部分，每個(gè)金屬跡線從所述金屬條的所述頂表面延伸到所述底表面，并將所述多個(gè)鍵合區(qū)中的一個(gè)鍵合區(qū)耦合到布置在所述金屬條的所述底表面上的、接觸區(qū)將被限定的區(qū)域；其中至少一個(gè)金屬跡線將所述多個(gè)鍵合區(qū)中的一個(gè)鍵合區(qū)耦合到從所述鍵合區(qū)之下橫向遠(yuǎn)離地布置的接觸區(qū)；將所述金屬條從所述第一位置運(yùn)送到第二位置；以及其中所述通常平坦的底表面在所述金屬條的運(yùn)送期間提供對(duì)與其整體地形成的所述金屬跡線的支撐。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一位置是在第一制造設(shè)施處，而所述第二位置是在所述第一制造設(shè)施的不同區(qū)域、第二制造設(shè)施、發(fā)送所述設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的客戶的位置中的一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括在所述第二位置將IC芯片安裝到所述金屬條的所述頂表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述IC芯片安裝到至少一個(gè)金屬跡線，所述至少一個(gè)金屬跡線將布置在所述IC芯片之下的接觸區(qū)耦合到布置在所述IC芯片的周界的鍵合區(qū)。
5.一種制造集成電路(IC)封裝的引線框架的方法，所述方法包括接收對(duì)用在IC封裝中的部分圖案化的引線框架的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，所述設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)包括待布置在所述引線框架的頂表面上的多個(gè)鍵合區(qū)的位置的第一圖案以及待布置在所述引線框架的底表面上的多個(gè)接觸區(qū)的位置的第一圖案；提供具有頂表面和通常平坦的底表面的金屬條；蝕刻所述金屬條的所述頂表面以限定在所述第一圖案的位置處的所述多個(gè)鍵合區(qū)并限定多個(gè)金屬跡線的上部分，所述多個(gè)金屬跡線將所述金屬條的所述頂表面上的所述多個(gè)鍵合區(qū)的所述第一圖案的位置耦合到所述金屬條的所述底表面上的所述多個(gè)接觸區(qū)的所述第二圖案的位置；以及其中所述多個(gè)金屬跡線的至少一個(gè)電耦合從接觸區(qū)橫向布置的鍵合區(qū)，使得沒有垂直于所述金屬條的所述頂表面的線與所述鍵合區(qū)和經(jīng)由所述金屬跡線電耦合到其的所述接觸區(qū)相交。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包括在第一位置執(zhí)行所述金屬條的所述頂表面的蝕刻；以及將所蝕刻的金屬條運(yùn)送到第二位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中接收所述設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)是結(jié)合客戶命令的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包括在所述第二位置將IC芯片安裝到所述金屬條的所述頂表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，包括將金屬鍍層涂敷到所述鍵合區(qū)和在所述金屬條的所述底表面上的所述多個(gè)接觸區(qū)的所述第二圖案的位置。
10.一種制造集成電路(IC)封裝的引線框架的方法，所述方法包括 在第一位置執(zhí)行第一引線框架制造過程，所述第一制造過程包括 提供具有頂表面和通常平坦的底表面的金屬條；將圖案蝕刻到所述金屬條的所述頂表面中以限定多個(gè)金屬跡線的上部分，每個(gè)金屬跡線從所述金屬條的所述頂表面延伸到所述底表面，并具有布置在其頂表面上的鍵合區(qū)和布置在其底表面上的接觸區(qū)；以及將金屬鍍層涂敷到每個(gè)鍵合區(qū)以形成適合于運(yùn)送的引線框架子組件； 將所述引線框架子組件從所述第一位置運(yùn)送到第二位置；以及在所述第二位置執(zhí)行第二制造過程，所述第二制造過程包括 將IC芯片安裝到所述金屬條的所述頂表面； 將所述IC芯片電耦合到所述多個(gè)鍵合區(qū)； 將所述IC芯片封裝在封裝化合物中；以及蝕刻所述引線框架的所述底表面以使所述金屬跡線彼此電隔離，使得所述多個(gè)金屬跡線的至少一個(gè)電耦合從接觸區(qū)橫向布置的鍵合區(qū)，其中沒有垂直于所述金屬條的所述頂表面的線與所述鍵合區(qū)和經(jīng)由所述金屬跡線電耦合到其的所述接觸區(qū)相交。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一制造過程至少部分地根據(jù)所述IC封裝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)來執(zhí)行。
12.—種集成電路(IC)封裝的引線框架，包括 金屬條，其具有頂表面和底表面；所述金屬條具有蝕刻到其頂表面中的圖案化凹槽，所述圖案化凹槽在深度上被限制， 并部分地延伸而通到所述底表面，所述圖案化凹槽限定從所述金屬條的所述上表面延伸到所述下表面的多個(gè)金屬跡線的上部分；所述多個(gè)金屬跡線包括布置在所述金屬條的所述頂表面上的鍵合區(qū)和布置在所述金屬條的所述底表面上的接觸區(qū)，所述金屬跡線將所述鍵合區(qū)電耦合到所述接觸區(qū)；所述鍵合區(qū)和所述接觸區(qū)具有涂敷到其的金屬鍍層，使得當(dāng)布置在所述多個(gè)金屬跡線之間的所述金屬條的部分被蝕刻掉時(shí)，將所述鍵合區(qū)耦合到所述接觸區(qū)的所述多個(gè)金屬跡線彼此電隔離；以及其中所述多個(gè)金屬跡線的至少一個(gè)電耦合從接觸區(qū)橫向布置的鍵合區(qū)，使得沒有垂直于所述金屬條的所述頂表面的線與所述鍵合區(qū)和經(jīng)由所述金屬跡線電耦合到所述鍵合區(qū)的所述接觸區(qū)相交。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線框架，其中被蝕刻到所述頂表面中的所述圖案化凹槽在半途穿過所述金屬條延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線框架，其中所述多個(gè)金屬跡線具有小于1.5密耳的寬度和小于5. 5密耳的間距。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線框架，其中至少一個(gè)鍵合區(qū)耦合到接觸區(qū)，所述接觸區(qū)的寬度大于耦合到其的所述鍵合區(qū)的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線框架，其中多個(gè)所述鍵合區(qū)具有小于耦合到其的所述接觸區(qū)的間距。
17.—種制造集成電路(IC)封裝的引線框架的方法，所述方法包括提供具有頂表面和通常平坦的底表面的金屬條；將圖案蝕刻到所述金屬條的所述頂表面中以限定多個(gè)金屬跡線的上部分，每個(gè)金屬跡線從所述金屬條的所述頂表面延伸到所述底表面，并具有布置在其頂表面上的鍵合區(qū)和布置在其底表面上的接觸區(qū)；以及將金屬鍍層涂敷到每個(gè)鍵合區(qū)和每個(gè)接觸區(qū)；其中，當(dāng)布置在所述多個(gè)金屬跡線之間的所述金屬條的其余部分被蝕刻掉時(shí)，所述多個(gè)金屬跡線彼此電隔離；以及其中所述多個(gè)金屬跡線的至少一個(gè)電耦合從接觸區(qū)橫向布置的鍵合區(qū)，使得沒有垂直于所述金屬條的所述頂表面的線與所述鍵合區(qū)和經(jīng)由所述金屬跡線電耦合到所述鍵合區(qū)的所述接觸區(qū)相交。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包括在第一位置執(zhí)行所述金屬條的所述頂表面的蝕刻；以及將所蝕刻的金屬條運(yùn)送到第二位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述圖案至少部分地根據(jù)所述IC封裝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)被蝕刻到所述金屬條的所述頂表面中。
全文摘要
用在集成電路(IC)封裝中的引線框架包括在第一側(cè)上部分蝕刻的金屬條。在一些實(shí)施方案中，引線框架可選擇性地被電鍍?cè)诘谝粋?cè)上和/或第二側(cè)上。引線框架可配置成使IC芯片安裝在其上，并使多個(gè)電觸頭電耦合到引線框架和IC芯片。
文檔編號(hào)G06K7/00GK102395981SQ201080015742
公開日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者李同樂 申請(qǐng)人:凱信公司