專利名稱：非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及管理其電源的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及管理其電源的方法。
背景技術(shù)：
至少一個(gè)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，并且更具體地，涉及非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及管理其電源的方法。對(duì)支持大容量的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的需求已經(jīng)越來越多。非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)是一種利用非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。閃速存儲(chǔ)器裝置是一種通常用在便攜式電子設(shè)備中的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)。閃速存儲(chǔ)器與硬盤一樣是非易失的，并且具有很快的存取速度和低功耗，因此廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)或移動(dòng)系統(tǒng)中。閃速轉(zhuǎn)換層(FTL)是用于管理閃速存儲(chǔ)器的軟件。FTL接收來自文件系統(tǒng)的邏輯地址，并將邏輯地址轉(zhuǎn)換成物理地址。所述邏輯地址是在文件系統(tǒng)中可識(shí)別的地址，所述物理地址是在閃速存儲(chǔ)器中可識(shí)別的地址。FTL引用地址映射表來管理地址映射。地址映射表存儲(chǔ)邏輯地址和與邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址。地址映射表的大小可以隨映射單元而變化。頁映射方法、塊映射方法和混合映射方法均是常見的映射方法。在頁映射方法中，映射以頁為單元來執(zhí)行。在塊映射方法中，映射以塊為單元來執(zhí)行。在混合映射方法中，頁映射方法和塊映射方法兩者均被使用。通常，單一的塊包括幾十或幾百頁。因此，在頁映射方法中映射表的大小是塊映射方法中映射表大小的幾十或幾百倍。換句話說，在頁映射方法中的地址映射表使用了比在塊映射方法中的地址映射表更多的存儲(chǔ)器。通常在易失性的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)中驅(qū)動(dòng)地址映射表。當(dāng)?shù)刂酚成浔肀患虞d到并用于靜態(tài)RAM(SRAM)時(shí)，因?yàn)镾RAM的尺寸很小，通常使用塊映射方法。當(dāng)?shù)刂酚成浔肀患虞d到并用于大容量動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)時(shí)，通常使用頁映射方法。使用DRAM使待機(jī)電流和工作電流增大，導(dǎo)致了非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和包括非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的電子系統(tǒng)(例如便攜式電子系統(tǒng))的功耗增大。

發(fā)明內(nèi)容
至少一些實(shí)施例提供了降低使用高電流消耗的易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的功耗的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，和管理其電源的方法。至少一些實(shí)施例還提供了通過管理在不同類型的易失性存儲(chǔ)器中的地址映射表來降低功耗的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，和管理其電源的方法。
根據(jù)至少一些實(shí)施例，提供了一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括非易失性存儲(chǔ)器， 配置為存儲(chǔ)包括與針對(duì)非易失性存儲(chǔ)器中的代碼區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表和與針對(duì)非易失性存儲(chǔ)器中的通用(GP)區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表的第一映射表，所述GP區(qū)域配置為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序中的至少一個(gè)；和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器和從非易失性存儲(chǔ)器加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器。第二易失性存儲(chǔ)器配置為獨(dú)立于控制器接收電壓。另一個(gè)實(shí)施例公開了一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括第一易失性存儲(chǔ)器；第二易失性存儲(chǔ)器；非易失性存儲(chǔ)器，配置為存儲(chǔ)包括非易失性存儲(chǔ)器中的代碼區(qū)域的地址信息的第一映射表和包括非易失性存儲(chǔ)器中的通用(GP)區(qū)域的地址信息的第二映射表，所述GP區(qū)域配置為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序中的至少一個(gè)；和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器和從非易失性存儲(chǔ)器加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器。第二易失性存儲(chǔ)器配置為獨(dú)立于控制器接收電壓。第二存儲(chǔ)器的加電可相對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的加電有延時(shí)。當(dāng)不必訪問非易失性存儲(chǔ)器中的GP區(qū)域時(shí)，第二存儲(chǔ)器可以斷電。非易失性存儲(chǔ)器可以劃分為配置為存儲(chǔ)引導(dǎo)(boot)代碼的代碼區(qū)域、GP區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第一映射表的第一映射表區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第二映射表的第二映射表區(qū)域和配置為存儲(chǔ)映射管理器信息的映射管理器區(qū)域，所述映射管理器信息包括第一映射表的地址信息和第二映射表的地址信息?？刂破髋渲脼閽呙璺且资源鎯?chǔ)器中的映射管理器區(qū)域，提取第一映射表的地址信息，根據(jù)第一映射表的地址信息加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，使用第一映射表從代碼區(qū)域讀取引導(dǎo)代碼，和發(fā)送引導(dǎo)代碼。控制器配置為如果控制器處理對(duì)于GP區(qū)域的訪問，則在非易失性存儲(chǔ)器接收能量之后，提供能量給第二易失性存儲(chǔ)器?？刂破髋渲脼樵谔峁┠芰拷o第二易失性存儲(chǔ)器之后，掃描非易失性存儲(chǔ)器中的映射管理器信息，提取第二映射表的地址信息，并且根據(jù)第二映射表的地址信息加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器?？刂破髋渲脼樵诩虞d第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器之后，從第一易失性存儲(chǔ)器發(fā)送第一映射表到第二易失性存儲(chǔ)器，將第一映射表存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中，并且在將第一映射表存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中之后使第一易失性存儲(chǔ)器斷電?？刂破髋渲脼榘l(fā)送存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，備份存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器，并且在空閑時(shí)間期間使第二易失性存儲(chǔ)器斷電。控制器配置為當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器斷電時(shí)，如果控制器至少一段時(shí)間內(nèi)未接收到命令， 則確定空閑時(shí)間。根據(jù)至少其它的實(shí)施例，提供了一種在包括非易失性存儲(chǔ)器和控制非易失性存儲(chǔ)器的控制器的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理電源的方法。所述方法包括存儲(chǔ)第一映射表，所述第一映射表包括與針對(duì)代碼區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表；存儲(chǔ)第二映射表，所述第二映射表包括與針對(duì)非易失性存儲(chǔ)器中的通用GP區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表；使非易失性存儲(chǔ)器和控制器加電；在加電時(shí)從非易失性存儲(chǔ)器中加載第一映射表到第一存儲(chǔ)器；從非易失性存儲(chǔ)器中加載第二映射表到第二存儲(chǔ)器，和基于加載使第二存儲(chǔ)器斷電。至少另一個(gè)實(shí)施例公開了一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括配置為接收第一電壓的第一存儲(chǔ)器、配置為存儲(chǔ)映射表的非易失性存儲(chǔ)器和配置為從非易失性存儲(chǔ)器中加載映射表到第一存儲(chǔ)器和獨(dú)立于第一電壓控制第一存儲(chǔ)器的操作的控制器。


參考附圖，通過詳細(xì)描述其中的實(shí)施例，上述和其它的特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見的，其中圖1是根據(jù)至少一些實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意性框圖；圖2A是描述圖1中所示的非易失性存儲(chǔ)器裝置的示例結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2B是描述根據(jù)至少一些實(shí)施例的圖1中的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的元件的電源的框圖；圖3是描述根據(jù)至少一些實(shí)施例的圖1中所示的非易失性存儲(chǔ)器裝置的一種劃分的圖；圖4A是根據(jù)至少一些實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖4B是說明圖4A中所示的方法的示例圖；圖5A是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖5B是說明圖5A中所示的方法的示例圖；圖6是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖7是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖8是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖9是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖10是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖11是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖12是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖13A到圖13F是分別描述主機(jī)的命令或存儲(chǔ)器系統(tǒng)的響應(yīng)的示意圖；圖14是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖15A和15B是分別描述處于原始休眠模式和半休眠模式的電源狀態(tài)的表；圖15C是根據(jù)至少一些實(shí)施例使能存儲(chǔ)器系統(tǒng)進(jìn)入原始休眠模式的主機(jī)命令的格式示意圖；圖16是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖；圖17是描述主引導(dǎo)記錄(MBR)的結(jié)構(gòu)的示意圖；和圖18和圖19是根據(jù)至少一些實(shí)施例的裝備了存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電子系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參考描述實(shí)施例的附圖，對(duì)實(shí)施例進(jìn)行更充分的描述。然而，實(shí)施例可能表現(xiàn)為很多種不同的形式，并且不應(yīng)解釋為限于本文中提出的實(shí)施例。相反，提供實(shí)施例， 從而使本公開文件是詳細(xì)的和完整的，并且完整地將實(shí)施例的范疇傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，出于清楚起見，圖層和區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸被夸大了。從始至終，相同的數(shù)字指示相同的元件。應(yīng)理解的是，當(dāng)一個(gè)元件表述為“連接”或“耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，它可以直接連接或耦合到另外的元件或存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件表述為“直接連接”或“直接耦合”到另一個(gè)元件時(shí)，不存在中間元件。如本文中使用的，詞語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任意和所有的組合，并且可以簡寫為“/”。應(yīng)理解的是，盡管詞語“第一”、“第二”等在本文中用來描述不同的元件，但這些元件不應(yīng)受限于這些詞語。這些詞語只是用作區(qū)分一個(gè)元件和另外一個(gè)元件。例如，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，第一信號(hào)可以稱作第二信號(hào)，并且同樣的，第二信號(hào)可以稱作第
一信號(hào)。本文中使用的術(shù)語只是出于描述特定的實(shí)施例的目的，并且不應(yīng)理解為限制實(shí)施例。如本文中所使用的，不特別指明“一個(gè)”時(shí)，應(yīng)理解為包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中另外明確指出了相反情況。進(jìn)一步應(yīng)理解的是，詞語“包括”當(dāng)用在本說明書中時(shí)，指陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一個(gè)或更多其他特征、區(qū)域、 整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。除非另外定義，本文中使用的所有詞語(包括技術(shù)和科學(xué)詞語)具有與實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的同樣的意思。進(jìn)一步應(yīng)理解的是，例如在通常使用的詞典中定義的詞語，應(yīng)解釋為具有與相關(guān)技術(shù)和/或本申請(qǐng)的上下文中相一致的意思，并且不應(yīng)理想化或過于形式化地理解，除非本文中清楚的進(jìn)行了定義。圖1是根據(jù)至少一些實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的示意性框圖。存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以包括控制器100和非易失性存儲(chǔ)器裝置200。存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以與主機(jī)155通信。存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以是固態(tài)硬盤(SSD)、插入式多媒體卡(eMMC)或安全數(shù)字(SD) 卡。應(yīng)理解的是，實(shí)施例不受此限制。非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以是閃速存儲(chǔ)器裝置，但實(shí)施例不受此限制。例如，非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以是相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)裝置、磁阻RAM(MRAM)裝置、電阻式RAM(ReRAM)裝置或鐵電RAMO^eRAM)裝置。當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器裝置200是閃速存儲(chǔ)器裝置時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以是浮柵NAND閃速存儲(chǔ)器裝置或基于NAND的電荷俘獲閃存(CTF)閃速存儲(chǔ)器裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以包括兩維或三維布置的存儲(chǔ)器單元晶體管?？刂破?00控制存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的整體操作，并且控制主機(jī)155和非易失性存儲(chǔ)器裝置200之間的整體數(shù)據(jù)交換。例如，控制器100在主機(jī)155的請(qǐng)求下通過控制非易失性存儲(chǔ)器裝置200來寫或讀數(shù)據(jù)?？刂破?00也控制一系列必要的內(nèi)部操作(例如性能調(diào)整、合并和損耗均衡)以有效管理非易失性存儲(chǔ)器裝置200或非易失性存儲(chǔ)器裝置200的特征。非易失性存儲(chǔ)器裝置200是以非易失性形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，并且可以存儲(chǔ)操作系統(tǒng)(OS)、各種程序和各種數(shù)據(jù)。控制器100的結(jié)構(gòu)將詳細(xì)描述?？刂破?00可以包括主機(jī)接口(I/F) 110、第一存儲(chǔ)器130(例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM))、存儲(chǔ)器I/F 140、中央處理器單元(CPU) 150和總線160。當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器120(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)) 圖示在控制器100之外時(shí)，應(yīng)理解的是，存儲(chǔ)器120可以是控制器100的一部分。主機(jī)I/F 110包括與主機(jī)155通信的接口協(xié)議。用于與主機(jī)155通信的接口協(xié)議可以是快速外圍組件互連(PCI-E)協(xié)議、高級(jí)附加裝置(ATA)協(xié)議、串行ATA(SATA)協(xié)議、 并行ATA (PATA)協(xié)議或串行連接小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(串行連接SCSI =SAS)協(xié)議。然而， 主機(jī)155和存儲(chǔ)器系統(tǒng)10之間的接口協(xié)議并不受限于上述示例。例如，接口協(xié)議可以是通用串行總線(USB)協(xié)議、多媒體卡(MMC)協(xié)議、增強(qiáng)的小型磁盤接口(ESDI)協(xié)議或電子集成驅(qū)動(dòng)器(IDE)協(xié)議。第一存儲(chǔ)器130是易失性存儲(chǔ)器，可以是SRAM，但實(shí)施例不受此限制。第二存儲(chǔ)器 120也是易失性存儲(chǔ)器，可以是DRAM，但實(shí)施例不受此限制。第二存儲(chǔ)器120和第一存儲(chǔ)器130以易失性形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和/或程序。第一存儲(chǔ)器130和第二存儲(chǔ)器120分別加載并驅(qū)動(dòng)第一和第二映射表，這將在下文中描述。存儲(chǔ)器 I/F 140連接非易失性存儲(chǔ)器裝置200。CPU 150執(zhí)行整體控制操作以向非易失性存儲(chǔ)器裝置200中寫入數(shù)據(jù)和/或從其中讀取數(shù)據(jù)。盡管未示出，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10也可以包括其他元件，例如只讀存儲(chǔ)器(ROM)，其存儲(chǔ)當(dāng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)10加電時(shí)執(zhí)行的代碼數(shù)據(jù)，和糾錯(cuò)碼(ECC)引擎，其對(duì)將要存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器裝置200中的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼和對(duì)從非易失性存儲(chǔ)器裝置200中讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行解碼。盡管在圖1中第一存儲(chǔ)器130包括在控制器100內(nèi)，在其他實(shí)施例中第一存儲(chǔ)器 130可以位于控制器100之外。圖2A是描述圖1中所示的非易失性存儲(chǔ)器裝置200的結(jié)構(gòu)的示意圖。參考圖2A， 非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器元件。圖2A描述了具有四通道和三組(bank) 的硬件結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器裝置200，但實(shí)施例不限于圖2A。在圖2A中圖示的存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中，控制器100和非易失性存儲(chǔ)器裝置200通過四個(gè)通道A、B、C和D連接，并且閃速存儲(chǔ)器元件CAO至CAl、CBO至CB2、CCO至CC2或CDO 至⑶2分別連接到通道A、B、C和D。顯而易見，通道的數(shù)量和列的數(shù)量可以改變。圖2B是根據(jù)至少一些實(shí)施例描述存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的元件的電源的框圖。參考圖 2B，主機(jī)155中的電源管理集成電路(PMIC) 20提供不同電壓的電源給存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的控制器100、第二存儲(chǔ)器120和非易失性存儲(chǔ)器裝置200。例如，PMIC 20提供控制器核心電壓Vee和控制器外圍電壓Vaj給控制器100，提供DRAM核心電壓VDe和DRAM外圍電壓Vdq 給第二存儲(chǔ)器120，并提供非易失性存儲(chǔ)器核心電壓VN。和非易失性外圍電壓Vnq給非易失性存儲(chǔ)器裝置200。如上所描述的，根據(jù)實(shí)施例，電源可以獨(dú)立提供給存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的元件，并且每一個(gè)元件的電源可以獨(dú)立控制。當(dāng)主機(jī)155使到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的元件之一(例如第二存儲(chǔ)器120)斷電時(shí)，該斷電可以稱為物理斷電或硬斷電。另外，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以內(nèi)部使第一存儲(chǔ)器130和第二存儲(chǔ)器120中的至少一個(gè)斷電。該斷電可以稱為軟斷電。圖3是根據(jù)至少一些實(shí)施例描述圖1中所示的非易失性存儲(chǔ)器裝置200的劃分的框圖。此劃分將非易失性存儲(chǔ)器裝置200的整個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)域分為至少兩個(gè)區(qū)域。參考圖3， 非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以劃分為映射管理器區(qū)域210、第一映射表區(qū)域220、第二映射表區(qū)域230、引導(dǎo)代碼區(qū)域240和通用(GP)區(qū)域250和沈0。這種劃分可以是邏輯的或物理的劃分。
如圖3中所圖示，非易失性存儲(chǔ)器裝置200可以包括多個(gè)NAND存儲(chǔ)器元件NAND#1 和NAND#2。NAND存儲(chǔ)器元件NAND#1可劃分為映射管理器區(qū)域210、第一映射表區(qū)域220、 第二映射表區(qū)域230、引導(dǎo)代碼區(qū)域240和GP區(qū)域250。NAND存儲(chǔ)器元件NAND#2可以整個(gè)分配給GP區(qū)域沈0。映射管理器區(qū)域210存儲(chǔ)映射管理器信息，包括第一映射表211的地址信息和第二映射表212的地址信息。第一映射表區(qū)域220存儲(chǔ)與針對(duì)引導(dǎo)代碼區(qū)域240 的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的地址映射列表。第二映射表區(qū)域230存儲(chǔ)與針對(duì)GP區(qū)域250的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的地址映射列表。引導(dǎo)代碼區(qū)域240存儲(chǔ)用于安裝了存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電子系統(tǒng)(例如便攜式電子設(shè)備)的操作的基礎(chǔ)引導(dǎo)代碼或OS。GP區(qū)域250存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序。圖4A是根據(jù)至少一些實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法流程圖。圖4B是說明圖4A中圖示的方法的框圖。參考圖4A和4B，當(dāng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)10在操作SllO中加電后，在操作S120中，控制器 110掃描非易失性存儲(chǔ)器裝置200的映射管理器區(qū)域210，以檢查將要加載到第一存儲(chǔ)器 130中的第一映射表的物理地址。隨后，在操作S130中，控制器100加載與所述物理地址相對(duì)應(yīng)的第一映射表到第一存儲(chǔ)器130中。在操作S140中，控制器100參考加載到第一存儲(chǔ)器130中的第一映射表從引導(dǎo)代碼區(qū)域240中讀取引導(dǎo)代碼。在操作S150中，已讀取的引導(dǎo)代碼通過主機(jī)I/F 110發(fā)送至主機(jī)155。主機(jī)155利用引導(dǎo)代碼執(zhí)行引導(dǎo)。如上所描述，當(dāng)讀取引導(dǎo)代碼且執(zhí)行引導(dǎo)時(shí)，到第二存儲(chǔ)器120的電源可以中斷。 因此，即使當(dāng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)10加電時(shí)，第二存儲(chǔ)器120在引導(dǎo)期間是斷電的。引導(dǎo)完成之后， 可為第二存儲(chǔ)器120供電。因此，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10延遲了對(duì)第二存儲(chǔ)器120的供電，從而使電源在加電瞬間之后提供，從而降低了功耗。圖5A是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖5B 是說明圖5A中圖示的方法的框圖。參考圖5A和5B，在操作S210中，控制器100確定是否從主機(jī)155中接收到對(duì)于 GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求。在操作S220中，當(dāng)確定接收到對(duì)于GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求時(shí)，控制器100為第二存儲(chǔ)器120供電。當(dāng)有數(shù)據(jù)要寫入到GP區(qū)域250或需要從GP區(qū)域250中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，生成對(duì)于GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求。在操作S230中，當(dāng)確定接收到對(duì)于GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求時(shí)，控制器100也掃描非易失性存儲(chǔ)器裝置200的映射管理器區(qū)域210，以檢查將要加載到第二存儲(chǔ)器120的第二映射表的物理地址。隨后，在操作S240中，控制器100加載存儲(chǔ)在所述物理地址處的第二映射表到第二存儲(chǔ)器120。在操作S250中，控制器100可參考加載到第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表，從GP 區(qū)域250中讀取數(shù)據(jù)文件或應(yīng)用程序。在操作S260中，已經(jīng)讀取的數(shù)據(jù)經(jīng)過主機(jī)I/F 110 發(fā)送至主機(jī)155。如上所描述，當(dāng)有對(duì)于GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求時(shí)，為第二存儲(chǔ)器120供電。換句話說，當(dāng)控制器100加電時(shí)，第二存儲(chǔ)器120并未同時(shí)加電，但對(duì)第二存儲(chǔ)器120的供電延遲至接收到對(duì)于GP區(qū)域250的訪問請(qǐng)求為止。因此，降低了功耗。
圖6是根據(jù)至少其他實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖6的方法可以在圖5A中所示的方法之后執(zhí)行。參考圖6，在操作S310中，當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器120激活時(shí)，也就是說，當(dāng)為第二存儲(chǔ)器 120供電時(shí)，控制器100發(fā)送加載到第一存儲(chǔ)器130中的第一映射表到第二存儲(chǔ)器120，并在操作S320中，在第二存儲(chǔ)器120中存儲(chǔ)第一映射表，并在操作S330中，使第一存儲(chǔ)器130 斷電。如上所描述，在第二存儲(chǔ)器120加電后，在第一存儲(chǔ)器130中驅(qū)動(dòng)的第一映射表在第二存儲(chǔ)器120中被存儲(chǔ)并驅(qū)動(dòng)，從而使第一存儲(chǔ)器130可斷電。圖7是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖7中所示的方法可在圖6中所示的方法之后執(zhí)行。參考圖7，在操作S410中，當(dāng)出現(xiàn)空閑時(shí)間時(shí)，控制器100發(fā)送存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器 120中的第一映射表到第一存儲(chǔ)器130，并在操作S420中，在第一存儲(chǔ)器130中存儲(chǔ)第一映射表，并在操作S430中，將存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表備份至非易失性存儲(chǔ)器裝置200中。在操作S440中，控制器100也更新映射管理器區(qū)域210，然后在操作S450中， 使第二存儲(chǔ)器120斷電。雖然未在圖7中圖示，控制器100也可以使參考第二存儲(chǔ)器120 中的第二映射表而被管理的非易失性存儲(chǔ)器斷電。例如，當(dāng)存在多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片時(shí)，整片分配為GP區(qū)域的非易失性存儲(chǔ)器芯片可以在第二存儲(chǔ)器120斷電時(shí)斷電。如此使非易失性存儲(chǔ)器斷電將在下文中詳細(xì)描述。如上所描述，當(dāng)出現(xiàn)空閑時(shí)間時(shí)，第二存儲(chǔ)器120斷電，從而降低了功耗。在第二存儲(chǔ)器120斷電之前，執(zhí)行了一系列操作以備份并更新第一和第二映射表和映射管理器?？臻e時(shí)間的出現(xiàn)可以由控制器100或主機(jī)155確定。例如，當(dāng)在至少一段預(yù)定的時(shí)間期間(例如1秒或5秒)內(nèi)未接收到來自主機(jī)155的命令時(shí)，控制器100可利用計(jì)時(shí)器確定空閑時(shí)間的出現(xiàn)?？蛇x地，主機(jī)155可利用命令請(qǐng)求使第二存儲(chǔ)器120斷電。圖8是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。參考圖 8，當(dāng)主機(jī)155在至少一段預(yù)定的時(shí)間期間內(nèi)不需要訪問非易失性存儲(chǔ)器裝置200時(shí)，第二存儲(chǔ)器120可以通過下列步驟斷電。雖然未圖示，參考第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表來管理的非易失性存儲(chǔ)器也可以斷電。在操作S510中，主機(jī)155發(fā)送flush命令到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。所述flush命令可以是在第二存儲(chǔ)器120斷電之前為備份第二存儲(chǔ)器120的數(shù)據(jù)而定義的主機(jī)命令。在操作 S520中，在接收到flush命令后，控制器100發(fā)送存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器120中的第一映射表到第一存儲(chǔ)器130并將其存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器130中，并且在操作S530中，備份存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器裝置200中。另外，在操作S540中，控制器 100更新映射管理器區(qū)域210。隨后，在操作S550中，控制器100發(fā)送指示第二存儲(chǔ)器120 的數(shù)據(jù)備份已經(jīng)完成的備份完成響應(yīng)到主機(jī)155。在操作S560中，主機(jī)155發(fā)送斷電命令到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。在操作S570中，響應(yīng)斷電命令，控制器100使第二存儲(chǔ)器120斷電。因此，當(dāng)主機(jī)物理上為第二存儲(chǔ)器120供電時(shí)，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10從內(nèi)部使第二存儲(chǔ)器120斷電。 如圖13C所示，斷電命令可以包括指示斷電命令的標(biāo)識(shí)符和DRAM加電/關(guān)閉字段。當(dāng)DRAM 加電/關(guān)閉字段設(shè)置為“0”時(shí)，斷電命令指示斷電。當(dāng)DRAM加電/關(guān)閉字段設(shè)置為“1”時(shí)， 斷電命令指示加電。雖然未圖示，在使第二存儲(chǔ)器120斷電之后，控制器100可發(fā)送斷電完成響應(yīng)到主機(jī)。如圖1 所示，斷電完成響應(yīng)可以包括指示響應(yīng)的標(biāo)識(shí)符和DRAM加電/斷電就緒字段。 當(dāng)DRAM加電/斷電就緒字段設(shè)置為“0”時(shí)，斷電完成響應(yīng)指示斷電。當(dāng)DRAM加電/斷電就緒字段設(shè)置為“1”時(shí)，斷電完成響應(yīng)指示加電。圖9是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖9中圖示的方法類似于圖8中類似的方法，因此，這里只描述它們之間的區(qū)別以避免重復(fù)。在圖8中圖示的方法中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10響應(yīng)來自主機(jī)155的斷電命令在內(nèi)部使第二存儲(chǔ)器120斷電；而在圖9中圖示的方法中，主機(jī)155切斷到到第二存儲(chǔ)器120的輸電線。圖10是根據(jù)至少其它的實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖 10中圖示的方法類似于圖8中類似的方法，因此，這里只描述它們之間的區(qū)別以避免重復(fù)。 在圖8中圖示的方法中，主機(jī)155利用兩種命令，即flush命令和斷電命令，以備份第二存儲(chǔ)器120的數(shù)據(jù)和使第二存儲(chǔ)器120斷電；而在圖10中圖示的方法中，主機(jī)155利用單一命令，即待機(jī)命令，以備份第二存儲(chǔ)器120的數(shù)據(jù)和使第二存儲(chǔ)器120斷電。如圖13A所圖示，待機(jī)命令包括指示待機(jī)命令的標(biāo)識(shí)符和DRAM加電/斷電字段。詳細(xì)地，在操作S515中，主機(jī)155發(fā)送待機(jī)命令到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。在操作S520 中，在接收到待機(jī)命令后，控制器100發(fā)送存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器120中的第一映射表到第一存儲(chǔ)器130，并將其存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)器130中，并在操作S530中，備份第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器裝置200中。另外，在操作S540中，控制器100更新映射管理器區(qū)域210，然后在操作S572中，使第二存儲(chǔ)器120斷電。因此，當(dāng)主機(jī)物理上為第二存儲(chǔ)器120供電時(shí)，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以從內(nèi)部使第二存儲(chǔ)器120斷電。在操作S580中，使第二存儲(chǔ)器120斷電之后，控制器100發(fā)送斷電完成響應(yīng)到主機(jī)155。圖11是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。參考圖11，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器裝置200包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器元件時(shí)，主機(jī)155發(fā)送NAND區(qū) (zone)檢查命令到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10以檢查存儲(chǔ)了引導(dǎo)代碼的非易失性存儲(chǔ)器區(qū)。本文中，區(qū)可以是彼此共享電源的至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器元件。例如，彼此共享通道的非易失性存儲(chǔ)器元件可以形成一個(gè)單一區(qū)。在接收到NAND區(qū)檢查命令后，控制器100利用區(qū)狀態(tài)響應(yīng)將存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼的非易失性存儲(chǔ)器區(qū)通知主機(jī)155。然后，主機(jī)155使區(qū)內(nèi)除了存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼的區(qū)之外的非易失性存儲(chǔ)器元件斷電。 NAND區(qū)檢查命令和區(qū)狀態(tài)響應(yīng)分別在圖13D和13E中作為示例圖示。當(dāng)之前描述的實(shí)施例用來降低存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的第二存儲(chǔ)器120的功耗時(shí)，圖11 中圖示的方法用來降低存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的非易失性存儲(chǔ)器裝置200的功耗。當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器120斷電時(shí)，使用圖11中圖示的方法。圖12是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。參考圖 12，在第二存儲(chǔ)器120的電源被中斷的待機(jī)狀態(tài)中，主機(jī)155利用命令恢復(fù)第二存儲(chǔ)器120 的電源。在操作S810中，當(dāng)主機(jī)155接收到執(zhí)行如網(wǎng)頁瀏覽器(例如SWAP)或MP3播放器 (例如Multimedia)之類的程序的請(qǐng)求時(shí)，主機(jī)155發(fā)送DRAM喚醒命令到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。如圖13F所圖示，DRAM喚醒命令可以包括指示DRAM喚醒命令的標(biāo)識(shí)符和請(qǐng)求邏輯地址。在操作S830中，響應(yīng)DRAM喚醒命令，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可以對(duì)與請(qǐng)求邏輯地址相對(duì)應(yīng)的映射表給予優(yōu)先權(quán)，并首先加載映射表到第二存儲(chǔ)器120中。如上所描述，主機(jī)155喚醒DRAM，即第二存儲(chǔ)器120，并指定最先載入的映射表，從而當(dāng)?shù)诙鎯?chǔ)器120的電源恢復(fù)時(shí)，防止了映射表加載的延時(shí)。圖14是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)10的電源的方法的流程圖。圖15A 和15B是分別描述原始休眠模式和半休眠模式的電源狀態(tài)的示意圖。圖15C是根據(jù)至少一些實(shí)施例使能存儲(chǔ)器系統(tǒng)10進(jìn)入原始休眠模式的主機(jī)命令的格式示意圖。主機(jī)155可以發(fā)送如圖15C中所示的命令CMD5到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10，以使能存儲(chǔ)器系統(tǒng)10進(jìn)入原始休眠模式。命令CMD5可由32比特[31:0]組成。低位15比特[14:0]可設(shè)置為“0”，并且第16低位比特[15]可用來指示休眠或喚醒狀態(tài)。例如，當(dāng)?shù)?6低位比特 [15]設(shè)置為“1”時(shí)，命令CMD5可用作休眠命令。當(dāng)?shù)?6低位比特[15]設(shè)置為“0”時(shí)，命令CMD5可用作喚醒命令。為了使存儲(chǔ)器系統(tǒng)10能進(jìn)入原始休眠模式，主機(jī)155發(fā)送第16低位比特[15]設(shè)置為“1”的命令CMD5到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。然后，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10響應(yīng)命令CMD5進(jìn)入原始休眠模式。在原始休眠模式，包括在存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的控制器100、第二存儲(chǔ)器(即DRAM 120) 和第一和第二 NAND存儲(chǔ)器元件(例如第一和第二 NAND存儲(chǔ)器芯片)NAND#1和NAND#2等的電源關(guān)閉，如圖15A所圖示。另外，主機(jī)155可以改變并發(fā)送如圖15C所描述的命令CMD5到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10，以使存儲(chǔ)器系統(tǒng)10進(jìn)入半休眠模式。用于半休眠模式的命令CMD5由32比特[31:0]組成。 低14比特[13:0]可設(shè)置為“0”，且第15低位比特[14]可用來指示休眠或喚醒狀態(tài)。例如，當(dāng)?shù)?5低位比特[14]設(shè)置為“1”時(shí)，命令CMD5可用作半休眠命令。當(dāng)?shù)?6低位比特 [15]設(shè)置為“0”時(shí)，命令CMD5可用作喚醒命令。為了使存儲(chǔ)器系統(tǒng)10能進(jìn)入半休眠模式，主機(jī)155可以發(fā)送第15低位比特[14] 設(shè)置為“1”的命令CMD5到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。然后，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10響應(yīng)命令CMD5進(jìn)入半休眠模式。在半休眠模式，包括在存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的控制器100和第一 NAND存儲(chǔ)器元件(例如第一 NAND存儲(chǔ)器芯片)NAND#1的電源處于開啟狀態(tài)，而包括在存儲(chǔ)器系統(tǒng)10中的第二存儲(chǔ)器(即DRAM 120)和第二 NAND存儲(chǔ)器元件(例如第二 NAND存儲(chǔ)器芯片)NAND#2的電源關(guān)閉，如圖15B所圖示。圖14描述了利用用于半休眠模式的命令CMD5使存儲(chǔ)器系統(tǒng)10能進(jìn)入半休眠模式的方法。參考圖14，在操作S1010中，主機(jī)155發(fā)送用于半休眠模式的命令CMD5到存儲(chǔ)器系統(tǒng)10。然后，在操作S1020中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10響應(yīng)用于半休眠模式的命令CMD5在內(nèi)部產(chǎn)生flush命令，并且在操作S1030中，備份第二存儲(chǔ)器120的數(shù)據(jù)。接下來，在操作S1040 中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10在內(nèi)部產(chǎn)生深度斷電(DPD)命令，并且在操作S1050中使第二存儲(chǔ)器120 斷電。最后，在操作S1060中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)10使參考第二存儲(chǔ)器120中的第二映射表管理的非易失性存儲(chǔ)器元件(例如第二 NAND存儲(chǔ)器芯片)斷電。如上所描述，第二存儲(chǔ)器120和非易失性存儲(chǔ)器區(qū)域利用主機(jī)命令斷電，從而降低了功耗。
圖16是根據(jù)至少其它實(shí)施例管理存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源的方法的流程圖。參考圖16， 在操作S910中，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器裝置200的存儲(chǔ)器區(qū)被劃分為多個(gè)區(qū)域(例如，映射管理器區(qū)域、第一映射表區(qū)域、第二映射表區(qū)域、引導(dǎo)代碼區(qū)域和GP區(qū)域)時(shí)，在操作S920中產(chǎn)生主引導(dǎo)記錄(MBR)。圖17是描述MBR的結(jié)構(gòu)的示意圖。參考圖17，MBR 600是存儲(chǔ)在第0個(gè)邏輯扇區(qū)的信息，且包括分區(qū)信息。例如，MBR 600可以包括第一分區(qū)信息“分區(qū)1”到第四分區(qū)信息 “分區(qū)4”。分區(qū)信息610可以是16字節(jié)的數(shù)據(jù)。詳細(xì)地，每一個(gè)分區(qū)信息610包括引導(dǎo)標(biāo)志、類型碼、邏輯塊地址(LBA)開始和扇
區(qū)數(shù)量?；仡^參考圖16，在操作S930中，控制器100根據(jù)MBR 600產(chǎn)生映射管理器。換句話說，由于MBR 600包括第一映射表區(qū)域的分區(qū)信息610和第二映射表區(qū)域的分區(qū)信息， 可從MBR 600中提取第一映射表的地址信息和第二映射表的地址信息，并且產(chǎn)生映射管理器。在操作S940中，映射管理器存儲(chǔ)在映射管理器區(qū)域中。可在存儲(chǔ)器系統(tǒng)10投入市場之前預(yù)先存儲(chǔ)、或利用MBR 600產(chǎn)生映射管理器。例如，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器裝置200的存儲(chǔ)器區(qū)在投入市場之后被用戶分區(qū)時(shí)，映射管理器可根據(jù)MBR 600產(chǎn)生并存儲(chǔ)在映射管理器區(qū)域。圖18和圖19是根據(jù)至少一些實(shí)施例的裝備了存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電子系統(tǒng)的框圖。 參考圖18，電子系統(tǒng)900可以包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)10、電源910、中央處理單元(CPU)920、RAM 930、用戶接口 940和電連接這些元件的系統(tǒng)總線950。CPU 920控制電子系統(tǒng)900的整體操作。RAM 930存儲(chǔ)電子系統(tǒng)900的操作所需的信息。用戶接口 940提供電子系統(tǒng)900和用戶之間的接口。電源910為內(nèi)部組元如CPU 920、RAM 930、用戶接口 940和存儲(chǔ)器系統(tǒng)10提供電能。CPU 920可以相當(dāng)于主機(jī)155，且存儲(chǔ)器系統(tǒng)10可響應(yīng)來自主機(jī)155的命令存儲(chǔ)或讀取數(shù)據(jù)。如圖19中所圖示的電子系統(tǒng)900’具有與圖18中所圖示的電子系統(tǒng)900的相似的配置，因此這里只描述它們之間的區(qū)別，以避免重復(fù)描述。與圖18中所圖示的電子系統(tǒng)相比較，圖19中所圖示的電子系統(tǒng)900’進(jìn)一步包括 RAID控制器卡960。RAID控制器卡960連接在主機(jī)155和多個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)10_1到10_k之間，以遵從主機(jī)155來控制多個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)10-1到10-k。圖18和19中所圖示的電子系統(tǒng)900和900’可以是計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助手(PDA)、 移動(dòng)電話(蜂窩電話)、智能電話、MP3播放器、便攜式多媒體播放器(PMP)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)或移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)，但不局限于上述所列出的產(chǎn)品。實(shí)施例也可以表現(xiàn)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)包括所有類型的存儲(chǔ)可由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是ROM、RAM、CD-ROM、磁帶、軟盤、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等。另外，當(dāng)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以分布在網(wǎng)絡(luò)化的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中時(shí)，計(jì)算機(jī)可讀代碼可以以分布式方式存儲(chǔ)和執(zhí)行。用于實(shí)現(xiàn)實(shí)施例功能程序、代碼和代碼段可以很輕易的由技術(shù)領(lǐng)域的程序員完成。根據(jù)至少一些實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的地址映射表被分成兩種類型的映射表，即經(jīng)常使用的代碼區(qū)域的映射表和用戶數(shù)據(jù)區(qū)域的映射表。代碼區(qū)域的映射表在第一存儲(chǔ)器(例如SRAM)中驅(qū)動(dòng)，且用戶數(shù)據(jù)區(qū)域的映射表在第二存儲(chǔ)器(例如DRAM)中驅(qū)動(dòng)。 當(dāng)不訪問用戶數(shù)據(jù)區(qū)域時(shí)，第二存儲(chǔ)器，即DRAM被斷電，從而降低了待機(jī)電流。當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)用在移動(dòng)電話中時(shí)，在由OS提供的簡單操作如通話或短信中不使用第二存儲(chǔ)器，即DRAM，從而也降低了工作電流。因此，降低了非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)和包括其的電子系統(tǒng)的功耗。雖然參考其實(shí)施例具體示出和描述了示例實(shí)施例，應(yīng)被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的是，在不脫離權(quán)利要求所定義的精神和范圍的情況下，可作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括第一易失性存儲(chǔ)器；第二易失性存儲(chǔ)器；非易失性存儲(chǔ)器，配置為存儲(chǔ)包括非易失性存儲(chǔ)器中的代碼區(qū)域的地址信息的第一映射表和包括非易失性存儲(chǔ)器中的通用GP區(qū)域的地址信息的第二映射表，所述GP區(qū)域配置為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序中的至少一個(gè)，和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器和從非易失性存儲(chǔ)器加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器，所述第二易失性存儲(chǔ)器配置為獨(dú)立于控制器接收電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為處理訪問請(qǐng)求，和在控制器未接收到對(duì)于GP區(qū)域的訪問請(qǐng)求時(shí)使第二易失性存儲(chǔ)器斷電。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中非易失性存儲(chǔ)器被劃分為配置為存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼的代碼區(qū)域、GP區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第一映射表的第一映射表區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第二映射表的第二映射表區(qū)域和配置為存儲(chǔ)映射管理器信息的映射管理器區(qū)域，所述映射管理器信息包括第一映射表的地址信息和第二映射表的地址信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為掃描非易失性存儲(chǔ)器中的映射管理器區(qū)域，提取第一映射表的地址信息，根據(jù)第一映射表的地址信息加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，使用第一映射表從代碼區(qū)域讀取引導(dǎo)代碼，和發(fā)送引導(dǎo)代碼。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為如果控制器處理對(duì)于GP區(qū)域的訪問請(qǐng)求，則在非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)接受供電之后，為第二易失性存儲(chǔ)器供 H1^ ο
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為在為第二易失性存儲(chǔ)器供電之后，掃描非易失性存儲(chǔ)器中的映射管理器信息，提取第二映射表的地址信息， 并且根據(jù)第二映射表的地址信息加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為在加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器之后，從第一易失性存儲(chǔ)器發(fā)送第一映射表到第二易失性存儲(chǔ)器， 將第一映射表存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中，并且在將第一映射表存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中之后使第一易失性存儲(chǔ)器斷電。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為在空閑時(shí)間期間， 發(fā)送存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，備份存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器，并且使第二易失性存儲(chǔ)器斷電。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為如果控制器在至少一段時(shí)間內(nèi)未接收到命令，則確定空閑時(shí)間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為如果控制器接收到flush命令，則發(fā)送存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，備份存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器，并且發(fā)送備份完成響應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為如果控制器接收到flush命令，則發(fā)送存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，備份存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器，然后發(fā)送備份完成響應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為接收待機(jī)命令， 并且控制器配置為響應(yīng)待機(jī)命令備份存儲(chǔ)在第二易失性存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器，使第二易失性存儲(chǔ)器斷電，并發(fā)送斷電完成響應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中非易失性存儲(chǔ)器包括至少兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)器元件；以及控制器配置為使第二易失性存儲(chǔ)器斷電，并且如果第二易失性存儲(chǔ)器斷電，則使在所述至少兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)器元件之中分配給GP區(qū)域的非易失性存儲(chǔ)器元件斷電。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為接收第二易失性存儲(chǔ)器喚醒命令，并響應(yīng)于第二易失性存儲(chǔ)器喚醒命令恢復(fù)為第二易失性存儲(chǔ)器供電。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中第二存儲(chǔ)器喚醒命令包括命令標(biāo)識(shí)符和邏輯地址，和控制器配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載與邏輯地址相對(duì)應(yīng)的第一映射表列表到第二易失性存儲(chǔ)器，第一映射表列表在第二映射表中的映射表列表之中。
16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中如果非易失性存儲(chǔ)器被分區(qū)，則產(chǎn)生主引導(dǎo)記錄MBR;并且根據(jù)MBR產(chǎn)生映射管理器并且將映射管理器存儲(chǔ)在映射管理器區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中將MBR存儲(chǔ)在邏輯塊地址為 “0”的扇區(qū)，并且MBR包括非易失性存儲(chǔ)器的分區(qū)信息。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中第一易失性存儲(chǔ)器是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM，并且第二易失性存儲(chǔ)器是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM。
19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中非易失性存儲(chǔ)器配置為存儲(chǔ)第一和第二映射表的地址信息，第一映射表的地址信息包括第一映射表的開始地址和結(jié)束地址，和第二映射表的地址信息包括第二映射表的開始地址和結(jié)束地址。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中代碼區(qū)域和GP區(qū)域的地址信息均包括邏輯地址列表和與邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址。
21.—種在包括非易失性存儲(chǔ)器和控制非易失性存儲(chǔ)器的控制器的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)中管理電源的方法，所述方法包括存儲(chǔ)第一映射表，所述第一映射表包括與針對(duì)代碼區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表；存儲(chǔ)第二映射表，所述第二映射表包括與針對(duì)非易失性存儲(chǔ)器中的通用GP區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表；使非易失性存儲(chǔ)器和控制器加電；在加電時(shí)從非易失性存儲(chǔ)器中加載第一映射表到第一存儲(chǔ)器；從非易失性存儲(chǔ)器中加載第二映射表到第二存儲(chǔ)器，和基于加載使第二存儲(chǔ)器斷電。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中非易失性存儲(chǔ)器被劃分為配置為存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼的代碼區(qū)域、GP區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第一映射表的第一映射表區(qū)域、配置為存儲(chǔ)第二映射表的第二映射表區(qū)域和配置為存儲(chǔ)映射管理器信息的映射管理器區(qū)域，所述映射管理器信息包括第一映射表的地址信息和第二映射表的地址信息。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中在加電時(shí)從非易失性存儲(chǔ)器中加載第一映射表到第一存儲(chǔ)器包括掃描映射管理器區(qū)域，并且提取第一映射表的地址信息， 根據(jù)第一映射表的地址信息加載第一映射表到第一存儲(chǔ)器， 利用第一映射表從代碼區(qū)域讀取引導(dǎo)代碼，以及發(fā)送引導(dǎo)代碼。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括如果控制器接收到對(duì)于GP區(qū)域的訪問請(qǐng)求，則為第二存儲(chǔ)器供電，所述供電基于加H1^ ο
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的方法，進(jìn)一步包括在為第二存儲(chǔ)器供電后，由控制器掃描非易失性存儲(chǔ)器中的映射管理器信息，由控制器提取第二映射表的地址信息，并且根據(jù)第二映射表的地址信息由控制器加載第二映射表到第二存儲(chǔ)器。
26.根據(jù)權(quán)利要求M所述的方法，進(jìn)一步包括在空閑時(shí)間內(nèi)，由控制器備份存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)器中的第二映射表到非易失性存儲(chǔ)器中，和由控制器基于備份使第二存儲(chǔ)器斷電。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，進(jìn)一步包括如果控制器在至少一段時(shí)間內(nèi)未接收到命令，則由控制器確定空閑時(shí)間。
28.一種有形的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，配置為指示存儲(chǔ)器系統(tǒng)執(zhí)行權(quán)利要求21所述的方法。
29.一種用于移動(dòng)設(shè)備的多媒體卡，包括非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括 第一易失性存儲(chǔ)器； 第二易失性存儲(chǔ)器；非易失性存儲(chǔ)器，配置為存儲(chǔ)包括非易失性存儲(chǔ)器中的代碼區(qū)域的地址信息的第一映射表和包括非易失性存儲(chǔ)器中的通用GP區(qū)域的地址信息的第二映射表，GP區(qū)域配置為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序中的至少一個(gè)，和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載第一映射表到第一易失性存儲(chǔ)器，和從非易失性存儲(chǔ)器加載第二映射表到第二易失性存儲(chǔ)器，所述第二易失性存儲(chǔ)器配置為獨(dú)立于控制器接收電壓。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中第一存儲(chǔ)器是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM，并且第二存儲(chǔ)器是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM。
31.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括 第一存儲(chǔ)器，配置為接收第一電壓；非易失性存儲(chǔ)器，配置為存儲(chǔ)映射表；和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器中加載映射表到第一存儲(chǔ)器，和獨(dú)立于第一電壓控制第一存儲(chǔ)器的操作。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中控制器配置為在第一電壓大于零時(shí)使第一存儲(chǔ)器斷電。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中映射表包括非易失性存儲(chǔ)器中的通用區(qū)域GP的地址信息，所述GP區(qū)域配置為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序中的至少一個(gè)。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中第一存儲(chǔ)器是易失性存儲(chǔ)器。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中第一存儲(chǔ)器是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM。
全文摘要
提供了一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)和一種管理其電源的方法。非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器，配置為存儲(chǔ)包括與針對(duì)代碼區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表和與針對(duì)通用(GP)區(qū)域的邏輯地址相對(duì)應(yīng)的物理地址和邏輯地址的列表的第一映射表；和控制器，配置為從非易失性存儲(chǔ)器加載第一映射表到第一存儲(chǔ)器和從非易失性存儲(chǔ)器加載第二映射表到第二存儲(chǔ)器。第二存儲(chǔ)器的加電相對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的加電有延時(shí)，并且在條件滿足時(shí)使第一或第二存儲(chǔ)器斷電，從而降低非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功耗。
文檔編號(hào)G06F12/02GK102436419SQ201110303359
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者孫漢求, 崔永準(zhǔn), 朱宰賢, 鄭曉真 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社