觸控面板及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸控面板及其制備方法，該觸控面板包括：一基板；一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域和非導(dǎo)接區(qū)域；一第一保護(hù)層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護(hù)層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；一第二保護(hù)層，設(shè)置于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層具有一開孔，該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護(hù)層上，且該導(dǎo)接線通過(guò)該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。采用本發(fā)明的觸控面板，本避免單一保護(hù)過(guò)厚時(shí)蝕刻液無(wú)法滲透，以及過(guò)薄時(shí)納米銀絲層易被氧化和在基板上附著力差的問題，而且在采用不完全蝕刻的工藝時(shí)，可避免僅有第一保護(hù)層時(shí)，在保護(hù)層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層可能存在的短路問題。
【專利說(shuō)明】觸控面板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控面板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的觸控面板的感測(cè)電極材料較多的采用氧化銦錫(ITO)。近來(lái)由于銦礦的來(lái)源取得不易以及銦元素的日漸枯竭，使用不同的透明電極來(lái)取代氧化銦錫(ITO)成為一個(gè)熱門的課題。其中使用納米銀絲SNW(Silver Nano-Wire)取代ITO為目前一種可行性的方案。然而，相較于ITO，SNW較易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附著力低，后續(xù)加工會(huì)存在良率問題。因此，如圖1所示，在基板100形成納米銀絲層110之后，會(huì)再涂布另外一層保護(hù)層120覆蓋納米銀絲層110，保護(hù)層120可隔絕部分空氣，進(jìn)而提高納米銀絲層110的抗氧化能力。分散于基板100上的納米銀絲層110自身具有一定疏密度，保護(hù)層120可通過(guò)納米銀絲層110自身的間隙與基板100接觸，進(jìn)而可通過(guò)保護(hù)層120與基板110較佳的附著力來(lái)提高納米銀絲層120在基板110上的附著力。
[0003]然而，保護(hù)層太厚或太薄，均存在設(shè)計(jì)上的缺陷:
[0004]如果保護(hù)層過(guò)厚:
[0005]在納米銀絲層形成電極圖形時(shí)，蝕刻工藝中蝕刻液較難滲透保護(hù)層對(duì)SNW進(jìn)行蝕刻。
[0006]如果保護(hù)層太薄:
[0007]納米銀絲層的抗氧化能力下降，而且保護(hù)層與基板的接合效果亦將減弱，進(jìn)而導(dǎo)致納米銀絲層在基板上的附著力下降，因此會(huì)影響制造后產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的所要解決的技術(shù)問題在于提供一種觸控面板及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中單一保護(hù)層太厚和太薄存在的問題。
[0009]本發(fā)明提供一種觸控面板，該觸控面板包括:一基板；一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域和非導(dǎo)接區(qū)域；一第一保護(hù)層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護(hù)層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；一第二保護(hù)層，設(shè)置于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層具有一開孔，該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護(hù)層上，且該導(dǎo)接線通過(guò)該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。
[0010]其中，該第一保護(hù)層的厚度為50nm至500nm。
[0011]其中，該第二保護(hù)層的厚度為0.2μηι至5μηι。
[0012]其中，該第一保護(hù)層的材料為可透視的絕緣材料。
[0013]其中，該第二保護(hù)層的材料為可透視的絕緣材料。
[0014]其中，該導(dǎo)接線采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫(ΙΤ0)，或上述各材料的組
八
口 ο[0015]其中，該導(dǎo)接孔不貫穿該第一保護(hù)層。
[0016]其中，該納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。
[0017]其中，該納米銀絲電極層包含多個(gè)沿第一方向排列的第一電極塊，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線，以及多個(gè)沿第二方向排列的第二電極塊，且各第二電極塊分別設(shè)置于第一連接線兩側(cè)，且各第二電極塊上的第一保護(hù)層420和第二保護(hù)層分別形成有導(dǎo)接孔和與導(dǎo)接孔對(duì)應(yīng)的開孔；所述第二保護(hù)層上設(shè)置有多條第二連接線，各第二連接線通過(guò)設(shè)置于第二電極塊上的導(dǎo)接孔和開孔，電性連接相鄰的第二電極塊。
[0018]其中，所述第二連接線的材料采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫(ΙΤ0)，或上述各材料之組合。
[0019]本發(fā)明同時(shí)提供一種觸控面板的制備方法，包括:步驟1:提供一基板；步驟2:于該基板上形成納米銀絲層；步驟3:于該納米銀絲層上形成一第一保護(hù)層；步驟4:對(duì)該納米銀絲層進(jìn)行處理形成納米銀絲電極層，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域和非導(dǎo)接區(qū)域；步驟5:于該第一保護(hù)層上形成一具有一開孔的第二保護(hù)層，且該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；步驟6:于該開孔對(duì)應(yīng)處的第一保護(hù)層形成一導(dǎo)接孔；步驟7:于該第二保護(hù)層上形成導(dǎo)接線，且該導(dǎo)接線通過(guò)該開孔和該導(dǎo)接孔電性連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。
[0020]其中，該第一保護(hù)層的厚度為50nm至500nm。
[0021]其中，該第二保護(hù)層的厚度為0.2μπι至5μπι。
[0022]其中，形成該具有一開孔的第二保護(hù)層采用印刷涂布的工藝或微影蝕刻的工藝。
[0023]其中，該第一保護(hù)層上形成該導(dǎo)接孔采用電漿蝕刻的工藝。
[0024]其中，該步驟6可采用完全蝕刻的工藝或不完全蝕刻的工藝。
[0025]本發(fā)明通過(guò)在第一保護(hù)層上設(shè)置第二保護(hù)層，第一保護(hù)層可以減薄，蝕刻工藝中蝕刻液容易滲透保護(hù)層對(duì)納米銀絲層進(jìn)行蝕刻。同時(shí)，之后形成的導(dǎo)接線易于與下方的納米銀絲電極層連接。第二保護(hù)層提高了納米銀絲電極層在基板上的抗氧化能力以及附著力。另外，當(dāng)采用不完全蝕刻的工藝時(shí)，由于第一保護(hù)層上額外設(shè)置了第二保護(hù)層，則保護(hù)層整體不至很薄，可避免僅有第一保護(hù)層時(shí)，在保護(hù)層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層時(shí)可能存在的短路問題。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為現(xiàn)有技術(shù)納米銀絲層上一層保護(hù)層的示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明觸控面板制備方法的工藝步驟圖；
[0028]圖3a至圖3g為對(duì)應(yīng)于圖2工藝步驟圖各步驟的觸控面板示意圖；
[0029]圖4為完全蝕刻與不完全蝕刻工藝的示意圖；
[0030]圖5a為本發(fā)明一觸控面板的示意圖，圖5b為沿圖5aA_A’方向的剖面圖；
[0031]圖6a為本發(fā)明一納米銀絲電極層的示意圖，圖6b為采用圖6a納米銀絲電極層的觸控面板的剖面圖；
[0032]其中，附圖標(biāo)記:
[0033]100、200、300、400 基板
[0034]110、210a納米銀絲層
[0035]210b、310b、410b納米銀絲電極層[0036]120、220、320、420 第一保護(hù)層
[0037]230、330、430、第二保護(hù)層
[0038]240、340、440 開孔
[0039]250、350、450 導(dǎo)接孔
[0040]260、360、460 導(dǎo)接線
[0041]411、第一電極塊412、第一連接線
[0042]413、第二電極塊470、第二連接線
[0043]Ml、導(dǎo)接區(qū)域M2、非導(dǎo)接區(qū)域
【具體實(shí)施方式】
[0044]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。以下文中的方位“上”及“下”僅是用來(lái)表示各元件相對(duì)的位置關(guān)系，并不用以限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0045]請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明觸控面板的制備方法的工藝步驟圖，本發(fā)明觸控面板的制備方法包括:
[0046]步驟1:提供一基板；請(qǐng)參照?qǐng)D3a，提供一基板200，基板200采用可透視的材料，可以是玻璃基板或者聚對(duì)苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate, PET)基板?；?00的表面可為平面或者曲面。
[0047]步驟2:于該基板上形成納米銀絲層；請(qǐng)參照?qǐng)D3b，于基板200上形成一整層的納米銀絲層210a。形成納米銀絲層210a可采用沉積、濺射等工藝。
[0048]步驟3:于該納米銀絲層上形成一第一保護(hù)層；請(qǐng)參照?qǐng)D3c，于納米銀絲層210a上形成第一保護(hù)層220。第一保護(hù)層的厚度為50nm至500nm，在此厚度范圍內(nèi)，蝕刻液可滲透保護(hù)層對(duì)納米銀絲層進(jìn)行蝕刻。第一保護(hù)層220采用可透視的絕緣材料，如二氧化硅。
[0049]步驟4:對(duì)該納米銀絲層進(jìn)行處理形成納米銀絲電極層。請(qǐng)同時(shí)參考圖3d和圖4，納米銀絲層210a進(jìn)行處理，形成納米銀絲電極層210b。在一實(shí)施例中，納米銀絲電極層210b可為圖4中的條狀電極結(jié)構(gòu)。納米銀絲電極層210b亦可采用其它電極結(jié)構(gòu)。如圖4所示，在一實(shí)施例中，對(duì)納米銀絲層210a可采用完全蝕刻的工藝A。在另一實(shí)施例中，對(duì)納米銀絲層210a可采用不完全蝕刻的工藝B，即在蝕刻過(guò)程中，可不蝕刻掉非電極結(jié)構(gòu)區(qū)域的所有納米銀絲，僅將該區(qū)域蝕刻成與電極結(jié)構(gòu)區(qū)域電性隔離的區(qū)域。相較于完全蝕刻的工藝A，采用非完全蝕刻的工藝B，經(jīng)蝕刻后，蝕刻區(qū)的電極與非蝕刻區(qū)的電極色差較小，SP產(chǎn)品結(jié)構(gòu)會(huì)有較好的外觀效果。納米銀絲電極層210b上需與外界導(dǎo)接以傳遞電信號(hào)的區(qū)域?yàn)閷?dǎo)接區(qū)域Ml。
[0050]步驟5:于該第一保護(hù)層上形成一具有一開孔的第二保護(hù)層，該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域；請(qǐng)參考圖3e，在第一保護(hù)層220上形成一第二保護(hù)層230，其中第二保護(hù)層230對(duì)應(yīng)于導(dǎo)接區(qū)域Ml具有一開孔240。形成具開孔的第二保護(hù)層230可采用印刷涂布的工藝或微影蝕刻的工藝。該第二保護(hù)層230采用可透視的絕緣材料，如二氧化硅、環(huán)氧樹脂、壓克力聚合物等，或前述各材料之組合。第二保護(hù)層230的厚度為0.2 μ m至5 μ m。
[0051]步驟6:于該開孔對(duì)應(yīng)處的第一保護(hù)層形成一導(dǎo)接孔。請(qǐng)參考圖3f，對(duì)第一保護(hù)層220進(jìn)行處理，形成一導(dǎo)接孔250，該導(dǎo)接孔250對(duì)應(yīng)于開孔240的位置。在第一保護(hù)層220上形成該導(dǎo)接孔250可采用電漿蝕刻的工藝。
[0052]步驟7:形成導(dǎo)接線連接該導(dǎo)接區(qū)域的電極。請(qǐng)參考圖3g，形成一導(dǎo)接線260，該導(dǎo)接線260通過(guò)開孔240和導(dǎo)接孔250電性連接導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b。
[0053]需說(shuō)明的是，導(dǎo)接孔250可不貫穿第一保護(hù)層220，即第一保護(hù)層220減薄至可導(dǎo)通導(dǎo)接線260與導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b即可。導(dǎo)接線260可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。
[0054]如圖3g所示，采用本發(fā)明的制備方法，形成的觸控面板，包括:一基板200 ;—納米銀絲電極層210b，設(shè)置于該基板200上，該納米銀絲電極層210b上需與外界導(dǎo)接一傳遞電信號(hào)的區(qū)域?yàn)閷?dǎo)接區(qū)域Ml ;—第一保護(hù)層220，設(shè)置于該納米銀電極層210b上，且該第一保護(hù)層220具有一導(dǎo)接孔250，對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域Ml ;—第二保護(hù)層230，設(shè)置于該第一保護(hù)層220上，且該第二保護(hù)層具有一開孔240，該開孔240對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接孔250的位置；以及一導(dǎo)接線260，設(shè)置于該第二保護(hù)層上，且該導(dǎo)接線260通過(guò)該開孔240及該導(dǎo)接孔250電性連接該導(dǎo)接區(qū)域Ml的納米銀絲電極層210b。在本實(shí)施例中，納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。
[0055]其中，該基板200采用可透視的材料，如玻璃基板或者聚對(duì)苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate, PET)?；?00的表面可為平面或者曲面。
[0056]其中，該第一保護(hù)層220的厚度為50nm至500nm。
[0057]其中，該第二保護(hù)層230的厚度為0.2 μ m (微米)至5 μ m。
[0058]其中，該第一保護(hù)層220的材料為可透視的絕緣材料，如二氧化硅。
[0059]其中，該第二保護(hù)層230的材料為可透視的絕緣材料，如二氧化硅或環(huán)氧樹脂、壓克力聚合物等。
[0060]其中，該第一保護(hù)層220或第二保護(hù)層230的厚度可依不同的材料進(jìn)行選擇。
[0061]其中，導(dǎo)接線260可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。
[0062]如圖5a和圖5b所示，圖5a繪示了本發(fā)明觸控面板的一實(shí)施例，圖5b為沿圖5aA-A’方向的剖面圖。在本實(shí)施例中，納米銀絲電極層310b包含多條條狀的電極結(jié)構(gòu)，且各條狀電極兩側(cè)都連接有導(dǎo)接線360，導(dǎo)接線360會(huì)聚一接合區(qū)S。會(huì)聚至接合區(qū)S的導(dǎo)接線360另一端通過(guò)接合一軟性電路板連接至一控制器上(圖未示)，并借由該控制器處理由導(dǎo)接線所傳遞的感測(cè)信號(hào)。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)接線360可僅接至條狀電極的一側(cè)。在另一實(shí)施例中，接合區(qū)S的數(shù)目可為多個(gè)，即可依具體的納米銀絲電極層310b作調(diào)整。在各條狀電極兩側(cè)都連接有導(dǎo)接線360，當(dāng)觸控面板的尺寸較大時(shí)，兩側(cè)的導(dǎo)接線360通過(guò)在軟性電路板連接形成一封閉回路，可降低感測(cè)信號(hào)因受阻值影響而產(chǎn)生信號(hào)之衰減，以提升觸控面板的感測(cè)靈敏度。本實(shí)施例觸控面板的其它特性與前述實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0063]如圖6a和圖6b所示，圖6a繪示了本發(fā)明另一納米銀絲電極層的圖示，圖6b為對(duì)應(yīng)于該納米銀絲電極層B — B’方向的觸控面板的剖面圖。如圖6a所示，納米銀絲電極層410b包含多個(gè)沿第一方向排列的第一電極塊411，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線412，以及多個(gè)沿第二方向排列的第二電極塊413，且各第二電極塊413分別設(shè)置于第一連接線412兩側(cè)。較佳者，第一方向與第二方向垂直。如圖6b所示，采用納米銀絲電極層410b的觸控面板，與前一實(shí)施例的不同點(diǎn)在于，各第二電極塊413上的第一保護(hù)層420和第二保護(hù)層430分別形成有導(dǎo)接孔450和對(duì)應(yīng)于導(dǎo)接孔450的開孔440。本實(shí)施例的觸控面板第二保護(hù)層430上，除了設(shè)置有導(dǎo)接線460，更設(shè)置有多條第二連接線470，各第二連接線470通過(guò)設(shè)置于各第二電極塊413上的導(dǎo)接孔450和開孔440，電性連接相鄰的第二電極塊413。第二連接線470可采用銀、鋁、銅等金屬材料，或鑰鋁鑰等合金材料、或氧化銦錫(ITO)等可透視的導(dǎo)電材料、或上述各材料之組合。在一實(shí)施例中，導(dǎo)接線460與第二連接線470采用相同的材料，兩者可在同一步驟中形成。本實(shí)施例的觸控面板其它特性與前述實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0064]本發(fā)明的效果:
[0065]I)本發(fā)明通過(guò)在第一保護(hù)層上設(shè)置第二保護(hù)層，第一保護(hù)層可以減薄，蝕刻工藝中蝕刻液容易滲透保護(hù)層對(duì)納米銀絲層進(jìn)行蝕刻。同時(shí)，之后形成的導(dǎo)接線易于與下方的納米銀絲電極層連接。
[0066]2)本發(fā)明于第一保護(hù)層上再設(shè)置第二保護(hù)層，起到了保護(hù)效果，提高了納米銀絲層在基板上的附著力及抗氧化能力。
[0067]3)當(dāng)采用不完全蝕刻的工藝時(shí)，由于第一保護(hù)層上額外設(shè)置了第二保護(hù)層，則保護(hù)層整體不至很薄，可避免僅有第一保護(hù)層時(shí)，在保護(hù)層周邊形成導(dǎo)接線連接納米銀絲電極層可能存在的短路問題。
[0068]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控面板，其特征在于，包括: 一基板； 一納米銀絲電極層，設(shè)置于該基板上，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域； 一第一保護(hù)層，設(shè)置于該納米銀絲電極層上，且該第一保護(hù)層具有一導(dǎo)接孔，該導(dǎo)接孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域； 一第二保護(hù)層，設(shè)置于該第一保護(hù)層上，且該第二保護(hù)層具有一開孔，該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接孔的位置；以及 一導(dǎo)接線，設(shè)置于該第二保護(hù)層上，且該導(dǎo)接線通過(guò)該開孔及該導(dǎo)接孔連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第一保護(hù)層的厚度為50nm至500nmo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電觸控面板，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度為0.2μπι至5 μ m0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第一保護(hù)層的材料為可透視的絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該第二保護(hù)層的材料為可透視的絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)接線采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫(ITO)，或上述各`材料的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該導(dǎo)接孔不貫穿該第一保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該納米銀絲電極層包含多條條狀的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于，該納米銀絲電極層包含多個(gè)沿第一方向排列的第一電極塊，多條電性連接相鄰第一電極塊的第一連接線，以及多個(gè)沿第二方向排列的第二電極塊，且各第二電極塊分別設(shè)置于第一連接線兩側(cè)，且各第二電極塊上的第一保護(hù)層420和第二保護(hù)層分別形成有導(dǎo)接孔和與導(dǎo)接孔對(duì)應(yīng)的開孔；所述第二保護(hù)層上設(shè)置有多條第二連接線，各第二連接線通過(guò)設(shè)置于第二電極塊上的導(dǎo)接孔和開孔，電性連接相鄰的第二電極塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控面板，其特征在于，所述第二連接線的材料采用銀、鋁、銅、鑰鋁鑰合金、氧化銦錫(ITO)，或上述各材料之組合。
11.一種觸控面板的制備方法,其特征在于,包括: 步驟1:提供一基板； 步驟2:于該基板上形成納米銀絲層； 步驟3:于該納米銀絲層上形成一第一保護(hù)層； 步驟4:對(duì)該納米銀絲層進(jìn)行處理形成納米銀絲電極層，該納米銀絲電極層包括導(dǎo)接區(qū)域； 步驟5:于該第一保護(hù)層上形成一具有一開孔的第二保護(hù)層，且該開孔對(duì)應(yīng)于該導(dǎo)接區(qū)域； 步驟6:于該開孔對(duì)應(yīng)處的第一保護(hù)層形成一導(dǎo)接孔；步驟7:于該第二保護(hù)層上形成導(dǎo)接線，且該導(dǎo)接線通過(guò)該開孔和該導(dǎo)接孔電性連接該導(dǎo)接區(qū)域的納米銀絲電極層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，該第一保護(hù)層的厚度為 50nm 至 500nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度為 0.2ym 至 5ym。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，形成該具有一開孔的第二保護(hù)層采用印刷涂布的工藝或微影蝕刻的工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，該第一保護(hù)層上形成該導(dǎo)接孔采用電漿蝕刻的工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的觸控面板的制備方法，其特征在于，該步驟6可采用完全蝕刻的工藝或不完全蝕刻的工藝。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK103777793SQ201210393725
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月17日
【發(fā)明者】劉振宇, 龔立偉, 林熙乾 申請(qǐng)人:宸鴻光電科技股份有限公司