有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法，該有機發(fā)光顯示器能夠實現(xiàn)薄膜形狀和柔性，并且基于改善的結構在觸摸焊盤中表現(xiàn)出優(yōu)秀的接觸特性，其中在所述觸摸焊盤部分中所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于在與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
【專利說明】有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器，并且更具體地，涉及一種有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法，所述有機發(fā)光顯示器能夠實現(xiàn)薄的薄膜形狀和柔性，并且基于改善的結構在觸摸焊盤中表現(xiàn)出優(yōu)秀的接觸特性。
【背景技術】
[0002]平板顯示器的示例包括液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光顯示器(OLED)、等離子體面板(PDP)、量子點面板(QDP)、場發(fā)射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)等等。這些顯示器包括通常作為基本部件實現(xiàn)圖像的平面顯示面板。這樣的平面顯示面板具有如下配置，在該配置中，一對透明絕緣基板結合(join)在一起，使得它們經由含有本質上發(fā)光或偏光的材料或在其間插入的其它光學材料的層而彼此面對。
[0003]根據(jù)最近大尺寸顯示器的趨勢，對于采取較小空間的平板顯示器的需求逐漸增力口。在這些平板顯示器中，有機發(fā)光顯示器技術正在快速發(fā)展。
[0004]有機發(fā)光顯示器不需要任何獨立的光源并且包括在每個像素中自發(fā)地發(fā)光的有機發(fā)光二極管，以實現(xiàn)顯示。有機發(fā)光顯示器作為下一代顯示器吸引了大量的注意，由于有機發(fā)光顯示器有利地不需要光源以及將光源與顯示面板相組裝的結構，因此具有減少厚度和重量的優(yōu)點。
[0005]當電荷被注入到形成在電子注入電極(陰極)和空穴注入電極(陽極)之間的有機薄膜中時，電子與空穴配對并且所配的對隨后衰減(decay)。此時，有機發(fā)光二極管發(fā)光。
[0006]同時，存在一種將觸摸屏合并到有機發(fā)光顯示器中的日益增加的需求，其中由手或單獨的輸入元件觸摸的位置被感測并且響應于所感測的位置傳輸信息。這樣的觸摸屏通過粘合到顯示器的外表面而被應用。
[0007]根據(jù)觸摸感測方法，觸摸屏可以是電阻感測型、電容感測型和紅外感測型的?？紤]到易于制造、感測力等等，電容型觸摸屏在小的型號中吸引了大量的注意。
[0008]下文中，將參照附圖描述現(xiàn)有技術的觸摸屏集成式有機發(fā)光顯示器。
[0009]圖1是例示現(xiàn)有技術的觸摸屏有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0010]如圖1所示，觸摸屏集成式有機發(fā)光顯示器包括:按照有機發(fā)光顯示面板1、觸摸屏2和覆蓋窗口 3的順序從底部開始層疊的有機發(fā)光顯示面板1、觸摸屏2和覆蓋窗口 3，并且包括布置在各個層之間的第一粘合層15和第二粘合層25。
[0011]這里，有機發(fā)光顯示面板I包括:基板；布置在基板上的具有矩陣形式的薄膜晶體管陣列；以及與薄膜晶體管陣列中的每個薄膜晶體管相連接的有機發(fā)光二極管，并且所述有機發(fā)光顯示面板I還包括覆蓋有機發(fā)光二極管的頂部的保護膜和偏光層。在該情況下，第一粘合層15與有機發(fā)光顯不面板I的偏光層相對應。
[0012]現(xiàn)有技術的觸摸屏集成式有機發(fā)光顯示器具有如下缺點。
[0013]第一，當有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏獨立地形成，并且隨后將觸摸屏附接到有機發(fā)光顯示面板時，有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏需要獨立的玻璃，因此導致增加的硬度和厚度，并且使得薄且柔性的有機發(fā)光顯示器的實現(xiàn)變得不可能。
[0014]第二，有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏具有不同的面板形狀，因此使得形成這些組件的工藝復雜并且因此減少產量和價格競爭力。
[0015]第三，如果觸摸屏被配置為單元內(in-cell)型的，則觸摸屏的焊盤部分面向內部，即，有機發(fā)光顯示面板的焊盤部分的一側。在該情況下，使用包括導電球的密封劑來進行接合工藝(bonding process)。此處,相對小的導電球可能由于與正常導電球之間在直徑上的差異而具有接觸缺陷。此外，導電球的壓縮水平根據(jù)在接合期間所施加的壓力而改變并且在接合期間因此可能出現(xiàn)接觸缺陷。

【發(fā)明內容】

[0016]因此，本發(fā)明針對一種有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術的限制或缺點所導致的一個或更多個問題。
[0017]本發(fā)明的一個目的在于提供一種有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法，該有機發(fā)光顯示器能夠實現(xiàn)薄膜形狀和柔性，并且基于所改進的結構而在觸摸焊盤中表現(xiàn)出優(yōu)秀的接觸特性。
[0018]本發(fā)明的額外優(yōu)點、目的和特征一部分將在以下說明書中進行闡述，并且一部分對于本領域普通技術人員來說在研讀以下內容后將變得顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實踐中獲知。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可以通過在本書面說明書及其權利要求書及附圖中具體指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
[0019]為了實現(xiàn)這些目的以及其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如此處具體實施并廣泛描述的，提供一種有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器包括:第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層和第二緩沖層具有有源區(qū)(active region)和死區(qū)(dead region)并且彼此面對；薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括在所述第一緩沖層的所述有源區(qū)上以矩陣形式限定的多個像素的每個像素中的薄膜晶體管；有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在每個像素處連接到每個薄膜晶體管；保護層，該保護層形成在所述第一緩沖層上，使得所述保護層覆蓋所述薄膜晶體管陣列和所述有機發(fā)光二極管；觸摸電極陣列，所述觸摸電極陣列形成在所述第二緩沖層的所述有源區(qū)上；觸摸焊盤部分，所述觸摸焊盤部分形成在所述第二緩沖層的所述死區(qū)的一部分上；粘合層，該粘合層分別接觸所述保護層和所述觸摸電極陣列；觸摸焊盤部分，該觸摸焊盤部分形成在所述第二緩沖層的死區(qū)的一部分上；虛設(dummy)焊盤部分，所述虛設焊盤部分在所述第一緩沖層的所述死區(qū)上面對所述觸摸焊盤部分；以及密封劑，所述密封劑包括所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的多個導電球，其中在所述觸摸焊盤部分中所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于在與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
[0020]此外，所述觸摸焊盤部分可以包括彼此間隔開的多個觸摸焊盤電極，所述虛設焊盤部分可以包括與所述觸摸焊盤電極相對應的多個虛設電極。
[0021]所述導電球可以被壓縮到所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的預定厚度。
[0022]所述相鄰部分的所述死區(qū)可以與所述密封劑間隔開預定距離。[0023]同時，所述觸摸焊盤電極可以具有層疊結構，所述層疊結構包括:金屬圖案；與所述金屬圖案交疊的透明電極圖案；以及布置在所述金屬圖案與所述透明電極圖案之間的至少一個層間絕緣膜。
[0024]這里，至少一個層間絕緣膜可以是有機膜。
[0025]此外，所述觸摸電極陣列可以包括:金屬橋，所述金屬橋與所述第二緩沖層上的所述金屬圖案形成在相同的層上；多個第一透明溝道電極，所述多個第一透明溝道電極電連接到所述金屬橋，同時在與所述透明電極圖案相同的層中與所述金屬橋交疊，所述第一透明溝道電極在第一方向上間隔開；以及第二透明溝道電極，所述第二透明溝道電極在與所述第一透明溝道電極相同的層中在橫跨所述金屬橋的同時在第二方向上形成。
[0026]此外，所述觸摸焊盤電極還可以包括公共透明電極圖案，所述公共透明電極圖案連接到所述透明電極圖案并且與所述透明電極圖案交疊。
[0027]在該情況下，所述有機發(fā)光顯示器還可以包括與所述公共透明電極圖案在相同的層中的公共透明電極，使得所述公共透明電極覆蓋所述第一透明溝道電極以及所述第二透明溝道電極。
[0028]此外，所述有機發(fā)光顯示器還可以包括第一層間絕緣膜，所述第一層間絕緣膜位于所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的層與所述金屬橋之間；以及第二層間絕緣膜，所述第二層間絕緣膜形成在所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的層與所述公共透明電極之間。
[0029]可以從所述相鄰部分的所述死區(qū)中移除至少一個層間絕緣膜。
[0030]此外，可以從除了與所述第二透明電極溝道交叉的所述金屬橋之外的區(qū)域和所述觸摸焊盤電極中移除所述第一層間絕緣膜。
[0031]同時，所述虛設電極可以包括層疊在所述第一緩沖層上的柵極絕緣薄膜、柵極電極層、中間絕緣膜以及源極金屬層。
[0032]此外，所述有機發(fā)光顯示器還可以包括分別形成在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的背面上的第一蝕刻停止膜和第二蝕刻停止膜。在該情況下，有機發(fā)光顯示器還可以包括形成在所述第一蝕刻停止膜的背面上的膜基板。
[0033]此外，所述有機發(fā)光顯示器還可以包括形成在所述第二蝕刻停止膜的背面上的覆
蓋玻璃。
[0034]同時，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層可以具有包括多個無機膜的層疊結構。
[0035]此外，所述膜基板可以是塑料絕緣膜。
[0036]此外，所述第一蝕刻停止膜和所述第二蝕刻停止膜可以包括聚酰亞胺或感光丙烯酸材料(photoacryl)。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括如下步驟:在第一基板上形成第一蝕刻停止膜和第一緩沖層，在所述第一緩沖層的有源區(qū)中形成薄膜晶體管陣列、有機發(fā)光二極管以及保護層，并且在所述第一緩沖層的死區(qū)上形成虛設焊盤部分，所述薄膜晶體管陣列包括以矩陣形式限定的多個像素的每一個中的薄膜晶體管，所述有機發(fā)光二極管在每個像素處連接到每個薄膜晶體管，所述保護層形成在所述第一緩沖層上使得該保護層覆蓋所述薄膜晶體管陣列和所述有機發(fā)光二極管；在第二基板上形成第二蝕刻停止膜和第二緩沖層，在所述第二緩沖層的所述有源區(qū)中形成觸摸電極陣列，在與所述虛設焊盤部分對應的區(qū)域中形成觸摸焊盤部分；以及將包括多個導電球的密封劑施加到所述觸摸焊盤部分或所述虛設焊盤部分；將粘合層附接到所述觸摸電極陣列或所述保護層并且執(zhí)行結合工藝，其中，在所述觸摸焊盤部分中所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于在與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
[0038]在所述結合工藝之后，所述導電球可以被壓縮到所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的預定厚度。
[0039]在所述結合工藝之后，所述觸摸焊盤部分的相鄰部分的所述死區(qū)可以與所述密封劑間隔開預定距離。
[0040]所述方法還可以包括如下步驟:移除所述第一基板和所述第二基板；以及將膜基板附接到所述第一蝕刻停止膜的暴露表面。
[0041]可以通過蝕刻或者激光照射所述第一基板和所述第二基板來執(zhí)行移除所述第一基板和所述第二基板的步驟。
[0042]要理解的是，本發(fā)明的前述概括描述和以下詳細描述二者都是示例性和說明性的，并且旨在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且被并入本申請且構成本申請的一部分，附圖例示了本發(fā)明的(多個)實施方式，并且同時與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0044]圖1是例示現(xiàn)有技術的觸摸屏集成式有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0045]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的平面圖。
[0046]圖3是沿著圖2的線1-1’截取的截面圖。
[0047]圖4是示出根據(jù)直徑的導電球的分布的曲線圖。
[0048]圖5是示出導電球接觸基板的比率的曲線圖。
[0049]圖6是示出當導電球具有不同的直徑時，在壓縮前后導電球接觸基板的比率的曲線圖。
[0050]圖7是例示圖2的焊盤和焊盤相鄰部分中的接合工藝的截面圖。
[0051]圖8是例示根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示器的焊盤、焊盤相鄰部分以及有源區(qū)的截面圖。
[0052]圖9是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示器的焊盤、焊盤相鄰部分以及有源區(qū)的截面圖。
[0053]圖10是例示根據(jù)第二實施方式的改進實施方式的圖2的區(qū)域“A”的平面圖。
[0054]圖1lA和圖1lB是分別例示了圖10的區(qū)域“B”的放大平面圖和截面圖。
[0055]圖12是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的區(qū)域“A”的平面圖。
[0056]圖13A和圖13B是分別例示了圖12的區(qū)域“C”的放大平面圖和截面圖。
【具體實施方式】
[0057]現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中例示了這些優(yōu)選實施方式的示例。在可能的情況下，將使用相同的附圖標記貫穿附圖以指代相同或相似的部件。
[0058]下文中，將參照附圖對有機發(fā)光顯示器及制造該有機發(fā)光顯示器的方法進行詳細描述。
[0059]根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器具有觸摸感測功能并且具有減少的厚度和增加的柔性。根據(jù)本發(fā)明，薄膜晶體管和有機發(fā)光陣列形成在第一基板上，而觸摸電極陣列形成在第二基板上。第一和第二基板結合在一起，隨后通過激光照射或蝕刻將堅硬且厚的第一和第二基板移除以減少厚度并增加柔性。在根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器中，觸摸電極陣列的焊盤部分面對有機發(fā)光陣列的焊盤部分，并且這些焊盤部分經由導電球彼此連接以允許將信號傳輸給觸摸電極陣列以及從觸摸電極陣列檢測信號。
[0060]下文中，將描述單元內有機發(fā)光顯示器，在該有機發(fā)光顯示器中，觸摸電極陣列設置在覆蓋玻璃(cover glass)內部。
[0061]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的平面圖。圖3是沿著圖2的線1-1’截取的截面圖。
[0062]如圖2和圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器包括有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230，所述有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230經由粘合層400而彼此結合。有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230具有不同的尺寸，并且分別形成在膜基板1000的內部和覆蓋玻璃3000的內部。
[0063]有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230不直接形成在薄膜基板1000或覆蓋玻璃3000上。相反地，這些陣列通過獨立地制備由玻璃制成的第一和第二基板(都未示出)，隨后經由布置在有機發(fā)光陣列150與觸摸電極陣列230之間的粘合層結合這些基板而形成。在保持第一和第二基板的同時執(zhí)行基板的結合。之后，通過激光照射或蝕刻將第一和第二基板移除以實現(xiàn)薄膜和柔性。在該情況下，如圖2所示，由玻璃材料形成的第一和第二基板被移除，并且膜基板1000和覆蓋玻璃3000分別粘合到暴露的陣列的底部，以便于保護這些陣列。
[0064]這里，膜粘合層1100、第一蝕刻停止層120、第一緩沖層130以及薄膜晶體管陣列140與有機發(fā)光陣列150按此順序形成在膜基板1000上。形成保護層160以覆蓋有機發(fā)光陣列150。第二蝕刻停止層210、第二蝕刻緩沖層220和觸摸電極陣列230布置在覆蓋玻璃3000上。這里，觸摸電極陣列230布置為面對有機發(fā)光陣列150。如例示的實施方式所示，保護層160直接接觸粘合層400的底面，并且觸摸電極陣列230直接接觸粘合層400的頂面。
[0065]在第一緩沖層130和第二緩沖層220的每一個中限定有源區(qū)和死區(qū)。觸摸電極陣列230、有機發(fā)光陣列150以及在除了焊盤部分之外的薄膜晶體管陣列140中存在的薄膜晶體管形成在有源區(qū)中。在死區(qū)的一部分中限定觸摸電極焊盤部分2350和薄膜晶體管陣列的焊盤部分。
[0066]在激光照射或蝕刻期間，除了由玻璃材料制成的第一和第二基板之外，第一蝕刻停止層120和第二蝕刻停止層210還用于防止對內部陣列的損害。
[0067]此外，可以通過順序地層疊相同類型的無機膜(諸如氧化物膜(SiO2)或者氮化物膜(SiNx))或者交替地層疊不同類型的無機薄膜來形成第一緩沖層130和第二緩沖層220。在將第二基板結合到第一基板之后，第一緩沖層130和第二緩沖層220用作阻擋層(barrier)，以防止?jié)駳饣蛲獠靠諝鉂B透到有機發(fā)光陣列150中。
[0068]此外，觸摸焊盤部分2350和觸摸電極陣列230 二者都形成在第二緩沖層220的同
一表面上。
[0069]當上基板和下基板經由粘合層400彼此結合時，觸摸焊盤部分2350經由密封劑450與薄膜晶體管陣列140的焊盤部分連接，所述密封劑450包括導電球455。除了保護層160的功能之外，粘合層400用于防止?jié)駳獾臐B透并且與覆蓋有機發(fā)光陣列150的保護層160直接接觸，因此防止外部空氣滲透到有機發(fā)光陣列150中并且更特定地防止?jié)駳獾臐B透。
[0070]這里，包括焊盤部分的薄膜晶體管陣列140具有從觸摸電極陣列230中凸起的側部。該配置的目的在于在凸起處設置IC500(未示出)，所述IC傳輸信號以同時驅動觸摸電極陣列與薄膜晶體管陣列以及有機發(fā)光陣列。盡管未示出，但是IC500通過形成在IC500上的線(未示出)和第一緩沖層130而連接到薄膜晶體管陣列的驅動焊盤和虛設焊盤。此外，IC500接合并連接到柔性印刷電路板(FPCB，未示出)并且可以通過設置在FPCB中的控制器(未示出)進行控制。虛設焊盤與在如下區(qū)域中組成選通線或數(shù)據(jù)線的金屬形成在同一層中，該區(qū)域與布置在有源區(qū)外的死區(qū)當中的觸摸焊盤部分相對應。
[0071]觸摸焊盤部分2350形成在第二緩沖層220上并且形成在與第一緩沖層130比第二緩沖層220更凸起的部分鄰近的側部的兩個邊緣處。此外，形成在一個邊緣處的觸摸焊盤部分2350被分割為多個焊盤電極，以使得能夠進行排列在觸摸電極陣列中的X軸方向上的第一電極的電壓施加和檢測，并且形成在另一個邊緣處的觸摸焊盤部分2350被分割為多個焊盤電極，以使得能夠進行排列在Y軸方向上的第二電極的電壓施加和檢測。
[0072]連接到觸摸焊盤部分2350的導電球455與形成在薄膜晶體管陣列140之外的虛設電極(未示出)電連接。
[0073]同時，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器包括:膜基板1000 ;第一蝕刻停止膜120和第一緩沖層130，按照第一蝕刻停止膜120和第一緩沖層130的順序形成在膜基板1000上；薄膜晶體管陣列140，該薄膜晶體管陣列140具有在第一緩沖層130上以矩陣形式限定的每個像素中的薄膜晶體管；有機發(fā)光陣列150，該有機發(fā)光陣列150與每個像素的薄膜晶體管相連接；保護層160，該保護層160覆蓋除了焊盤部分之外的薄膜晶體管陣列140和有機發(fā)光陣列150 ;觸摸電極陣列230，該觸摸電極陣列230經由插入在保護層160與觸摸電極陣列230之間的粘合層400而粘合到保護層；以及第二緩沖層220與第二蝕刻停止膜210，所述第二緩沖層220與第二蝕刻停止膜210按照第二緩沖層220與第二蝕刻停止膜210的順序形成在觸摸電極陣列230上，并且該有機發(fā)光顯示器包括布置在第二蝕刻停止膜210上的覆蓋玻璃3000。
[0074]此處，覆蓋玻璃3000可以通過該覆蓋玻璃3000與第二蝕刻停止膜210之間的粘合層而粘合到第二蝕刻停止薄膜210，或者可以通過機械方法或另外的方法而布置在第二蝕刻停止膜210上。覆蓋玻璃3000保護內部陣列不受由于用戶的直接觸摸所導致的損害。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示陣列通過省略玻璃基板能夠具有減少的厚度，該玻璃基板具有約0.7mm的厚度，該玻璃基板是顯示器內的組件當中最厚的，并且該玻璃基板會增加有機發(fā)光顯示器的總厚度。而且，有機發(fā)光顯示器能夠通過使用塑料絕緣膜作為膜基板1000來支撐薄膜晶體管陣列140、有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230，來實現(xiàn)可彎曲或柔性的顯示器。
[0076]另外，在膜基板上形成諸如薄膜晶體管陣列140、有機發(fā)光陣列150以及觸摸電極陣列230的陣列的過程中，膜基板可能由于施加到用于對所述陣列進行沉積或構圖的裝置的熱量而熱膨脹，因此使得正常處理變得不可能。為了防止該現(xiàn)象，陣列的形成通過如下步驟實現(xiàn):在形成薄膜晶體管陣列140以及形成觸摸電極陣列230之前，在玻璃基板上在薄膜晶體管陣列140和觸摸電極陣列230的下面分別形成蝕刻停止膜120和210以及緩沖層130和220，然后將玻璃基板加載在用于沉積或構圖的裝置中。
[0077]同時，薄膜晶體管陣列140包括多個選通線和多個數(shù)據(jù)線，所述多個選通線和多個數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個像素。薄膜晶體管形成在選通線和數(shù)據(jù)線之間的各個交叉點處。通過在形成選通線和數(shù)據(jù)線的過程中形成焊盤部分金屬來獲得薄膜晶體管陣列140的焊盤部分。
[0078]此外，有機發(fā)光陣列150包括:至少形成在像素中的第一電極；形成在與第一電極間隔開的上層中的第二電極；以及形成在第一與第二電極之間的有機發(fā)光層。這里，第一電極可以連接到薄膜晶體管的漏極。
[0079]另外，第一蝕刻停止薄膜120和第二蝕刻停止薄膜210例如可以由聚酰亞胺或者感光丙烯酸材料(photo-acryl)形成。
[0080]第一蝕刻停止膜120和第二蝕刻停止膜210具有約I μ m到約20 μ m的厚度。
[0081]此外，第一緩沖層130和第二緩沖層220用于防止氧氣或者濕氣滲透到設置在有機發(fā)光陣列中的有機膜中，并且用作阻擋層以防止從下部注入的外部空氣或者濕氣的滲透。
[0082]第一緩沖層130和第二緩沖層220包括多個無機膜。例如，可以通過連續(xù)地或者交替地層疊SiNx或者SiO2來形成無機膜。從實驗中可以看出，當兩個或更多個層被層疊為約5000A到約6500人的厚度作為第一緩沖層130和第二緩沖層220時，能夠防止外部空氣或濕氣的滲透。第一緩沖層130和第二緩沖層220的總厚度為Iym或更少，其不會增加觸摸屏集成式顯示設備的厚度。
[0083]觸摸電極陣列230包括:彼此交叉的第一透明溝道電極(未示出)和第二透明溝道電極(未示出)；以及用于將信號傳輸給第一和第二透明溝道電極的觸摸焊盤(設置在觸摸焊盤部分中)。在圖3中示出了包括虛設金屬的薄膜晶體管陣列并且以單層的形式示出了觸摸電極層，所述單層包括觸摸焊盤、以及第一和第二透明溝道電極，但是這些層根據(jù)相應的電極進行構圖。
[0084]這里，第一和第二透明溝道電極由透明電極形成，該觸摸焊盤包括:金屬焊盤層，所述金屬焊盤層具有高導電性和優(yōu)秀的遮光性(與金屬橋在相同層)；以及透明電極圖案，所述透明電極圖案與組成第一和第二透明溝道電極的透明電極在相同的層。此外，第一和第二透明溝道電極可以布置在相同層或者不同層中。例如，當?shù)谝缓偷诙该鳒系离姌O存在于相同層中時，在第一和第二透明溝道電極之間的交叉點處設置獨立的金屬橋，所述金屬橋接觸第一透明溝道電極或與其它層鄰近的第二透明溝道電極，以防止第一與第二透明溝道電極之間的短路。
[0085]在上述的單元內有機發(fā)光顯示器中，由于導電球455之間的直徑或在接合工藝中所施加的壓力的差異，經由導電球在薄膜晶體管陣列中形成的觸摸焊盤部分與虛設焊盤部分之間的接觸可能是困難或有缺陷的，從而非期望地增加電阻。
[0086]圖4是示出根據(jù)直徑的導電球的分布的曲線圖。
[0087]例如，如圖4所示，由于導電球形成期間的制造公差(tolerance)，平均直徑為7μπι的導電球(顆粒)，可以具有約6μπι到8μπι范圍內的直徑分布。
[0088]圖5是示出導電球接觸基板的比率的曲線圖。圖6是示出當導電球之間的直徑存在差異時，在壓縮前后導電球接觸基板的比率的曲線圖。
[0089]從圖6中能夠看出，導電球是彈性的并且導電球與基板之間的接觸面積因而根據(jù)所施加的壓力而變化。當所施加的壓力增加時，導電球與基板之間的接觸面積也會增加。
[0090]如圖6所示，特別地，當具有不同直徑的多個導電球55形成在基板10上時，如果沒有壓力施加到基板10或者與基板10相對布置的相對基板(counter substrate) 20時，則僅具有大直徑的導電球與相對基板20接觸。然而，當10%或者更大的壓縮力施加于基板10或者與基板10相對布置的相對基板20時，具有小直徑的導電球也與相對基板20相接觸。
[0091]這意味著由于導電球的直徑之間的差異，在接合工藝期間，需要預定壓力或者更大壓力，使得所有導電球與相對焊盤部分(opposite pad portion)相接觸。然而,在所施加的壓力的任意增加上存在限制，因為在接合期間所施加的壓力是預定的并且應該考慮有源區(qū)中的圖案穩(wěn)定性。
[0092]下文中，將描述如何通過本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的結構改變來避免接觸缺陷。
[0093]圖7是例示在圖2的焊盤和焊盤相鄰部分中的接合工藝的截面圖。圖7例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的包括有單元內型觸摸電極陣列的有機發(fā)光顯示器?？紤]到焊盤電極和焊盤電極相鄰部分，在與密封劑450相對應的區(qū)域中出現(xiàn)了位于上下部分之間的臺階。
[0094]圖7例示了接合工藝。由玻璃組件(glass component)制成的第一和第二基板100和300在第一蝕刻停止膜120和第二蝕刻停止膜210的后表面上分別保持未被移除。即，該接合工藝是在玻璃基板沒有被移除的情況下執(zhí)行的。在將觸摸焊盤電極接合到薄膜晶體管陣列的虛設電極之后，第一和第二基板100和300被移除。
[0095]至于基本的層疊順序，非晶半導體層110、第一蝕刻停止膜120、第一緩沖層130、第一薄膜晶體管層140以及有機發(fā)光設備陣列150依次地形成在第一基板100上。在附圖中，除了有源區(qū)之外，僅焊盤電極部分和焊盤電極相鄰部分存在并且有機發(fā)光設備陣列150被省略。
[0096]如圖7所不,觸摸焊盤電極2351a包括:與觸摸電極陣列230的金屬橋在同一工藝中形成的金屬圖案231a，以及與第一和第二透明溝道電極在同一工藝中形成的透明電極圖案233a和公共透明電極圖案235a。即，觸摸焊盤電極2351a是通過層疊在三個不同的工藝期間形成的金屬和至少一個透明電極圖案而形成的。
[0097]在該情況下，焊盤電極相鄰部分沒有設置電極并且包括位于有源區(qū)中的第二層間絕緣膜234。此外，該第二層間絕緣膜234是有機膜。
[0098]就此而言，金屬圖案231 a具有約1000A到約3 000A的厚度，并且透明電極圖案233a和公共透明電極圖案235a分別具有約300A到約800A以及約75A到約250A的相當小的厚度。具有包括三層的層疊結構的公共透明電極圖案2351a的厚度小于由有機膜234形成的第二層間絕緣膜234的厚度(2μπ^Ι』3μπι)。結果，在觸摸焊盤電極2351a的最外表面與密封劑450中存在的導電球455之間存在距離“b”。導電球455與觸摸焊盤電極2351a之間的這一距離可能使得焊盤電極2351a與虛設電極1400之間的電接觸變得不可能。
[0099]同時，虛設電極1400包括層疊在第一緩沖層130上的柵極絕緣膜141、柵極電極層142、中間絕緣膜143以及源極金屬層144。
[0100]將源極金屬層144從虛設電極1400的相鄰部分中移除，以暴露中間絕緣膜143。結果，在所暴露的中間絕緣膜143與密封劑450之間存在距離“a”。
[0101]然而，如圖7所示，由于前述焊盤電極2351a與密封劑450之間的距離“b”因第二層間絕緣膜234的厚度而大于距離“a”，因此可以通過施加預定壓力使導電球455與焊盤電極2351a間隔開，使得距離“a”為O。在該情況下，出現(xiàn)了接觸缺陷。
[0102]在本發(fā)明的測試中，作為移除源極金屬層144的結果，當?shù)诙娱g絕緣膜234具有約2.1 μ m的厚度時，金屬圖案23la、透明電極圖案233a以及公共透明電極圖案235a分別具有2000A、500A以及125A的厚度，距離“b”為約1.8 μ m，并且與焊盤電極相鄰部分相對應的薄膜晶體管陣列140與密封劑450之間的距離“a”是3000A。在該情況下，應當施加壓力使得導電球445被壓縮到1.5 μ m或更多的厚度并且因此接觸虛設電極1400和觸摸焊盤電極2351a。此外，考慮到多個導電球445之間的差異，應當施加壓力使得每個導電球被壓縮到1.5 μ m或更多的厚度。當壓力不足時，可能在圖7所示的結構中出現(xiàn)接觸缺陷。
[0103]就此而言，對在接合工藝期間所施加的壓力的量存在限制。因此，本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器改善了導電球、焊盤電極與虛設電極之間的電接觸，并且將詳細描述該配置。
[0104]在如下附圖中，組成觸摸電極陣列的各層不按照比例繪制并且示出為具有相似的厚度。通常，在組成陣列的層當中，層間絕緣膜具有約1.5μπι到約4μπι的最大厚度，并且
金屬層具有約2000人到約4CKX)人的厚度。透明電極層具有約300人到800人的厚度，并且公共透明電極層具有約75 A到250Α的厚度。即，這些層具有不同的厚度。然而，如圖所示，在焊盤電極、焊盤電極相鄰部分以及有源區(qū)中共同形成的多個層在多個區(qū)域之間沒有造成臺階并且各個層示出為具有類似的厚度。
[0105]圖8是例示根據(jù)照本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示器的焊盤、焊盤相鄰部分以及有源區(qū)的截面圖。
[0106]緊接著接合之后的狀態(tài)在圖8和圖9的截面圖中示出。布置在上部和下部中的第二基板300和第一基板100仍然保持未移除。
[0107]如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示器包括:第一緩沖層130和第二緩沖層220，所述第一緩沖層130和第二緩沖層220包括有源區(qū)和死區(qū)并且彼此面對；薄膜晶體管陣列140，所述薄膜晶體管陣列140包括在所述第一緩沖層130的有源區(qū)中以矩陣形式限定的多個像素的每一個中的薄膜晶體管；有機發(fā)光陣列150，所述有機發(fā)光陣列150包括與每個像素的薄膜晶體管相連接的有機發(fā)光二極管；保護層160，所述保護層160形成在第一緩沖層130上使得該保護層160覆蓋薄膜晶體管陣列140和有機發(fā)光陣列150 ;觸摸電極陣列230，所述觸摸電極陣列230形成在第二緩沖層220的有源區(qū)中；粘合層400，其頂部和底部分別接觸保護層160和觸摸電極陣列230 ;觸摸焊盤部分(在圖2中由“2350”表示)，所述觸摸焊盤部分形成在第二緩沖層220的死區(qū)的預定部分中；虛設焊盤部分，所述虛設焊盤部分形成在第一緩沖層130的死區(qū)中使得該虛設焊盤部分面對觸摸焊盤部分；以及密封劑450，所述密封劑450包括位于觸摸焊盤部分與虛設焊盤部分之間的多個導電球455。
[0108]此外，觸摸焊盤部分包括多個觸摸焊盤2351b，并且虛設焊盤部分包括與觸摸焊盤2351b相對應的多個虛設電極1400。
[0109]這里，焊盤部分中觸摸焊盤電極2351b的最上表面與虛設電極1400的最上表面之間的距離小于相鄰部分的最外表面與虛設電極1400的最上表面之間的距離。在附圖中，焊盤電極的所述距離是“a+c”，小于焊盤電極相鄰部分的所述距離。
[0110]在該情況下，第一距離“a”表示密封劑450和薄膜晶體管陣列140之間的距離。第一距離“a”是由于從薄膜晶體管陣列140的焊盤電極相鄰部分中移除源極金屬層144而形成的。第二距離“c”表示焊盤電極相鄰部分中的第二層間絕緣膜234與密封劑450之間的距離。
[0111]在第一實施方式中，還提供了與觸摸焊盤電極相對應的第一層間絕緣膜232，盡管包括在焊盤電極相鄰部分中與其鄰近的第二層間絕緣薄膜234比金屬層或透明電極層更厚。還在觸摸焊盤電極2351b中設置具有與第二層間絕緣膜234類似厚度的第一層間絕緣膜232。觸摸焊盤電極2351b因此形成為具有比相鄰部分更高的臺階。
[0112]S卩，觸摸焊盤部分包括彼此二維間隔開的多個觸摸焊盤電極2351b。除了金屬圖案23la、透明電極圖案233a以及公共透明電極圖案235a之外，每個觸摸焊盤電極2351b還包括沿著垂直方向插入在金屬圖案231a與透明電極圖案233a之間的第一層間絕緣膜232，以便于增加臺階的高度。在圖7中，僅一個第一層間絕緣膜232插入在電極層與透明電極圖案之間，但是本發(fā)明并不受限于此結構。即，還能夠設置兩個或更多個層間絕緣膜以最大化焊盤電極和焊盤電極相鄰部分之間的臺階。這里，包括在觸摸焊盤電極2351a中的層間絕緣膜可以在觸摸電極陣列230的形成期間形成，其是可以無需額外工藝形成的組件。
[0113]這里，僅僅示出了觸摸焊盤電極2351b的一部分。在金屬圖案231a與透明電極圖案233a之間的第一層間絕緣膜232的一部分中設置接觸孔，因此使得能夠進行電接觸。
[0114]同時，虛設電極1400具有這樣的配置，在該配置中，柵極絕緣膜141、柵極電極層142、中間絕緣膜143以及源極金屬層144按照該順序層疊在第一緩沖層130上。
[0115]由于觸摸焊盤相鄰部分具有比觸摸焊盤更大的距離“a+c”，因此即使在接合工藝期間施加低壓力，密封劑450中的導電球455也能連接到上和下觸摸焊盤2351b以及虛設電極1400，因此改善了接觸特性。結果，在接合工藝之后，導電球455被壓為觸摸焊盤部分與虛設焊盤部分之間的預定厚度。該結構導致接觸電阻的減少、改善了接觸特性并且因此改善了觸摸信號敏感性。
[0116]在該情況下，在觸摸焊盤部分相鄰部分的死區(qū)中在第二層間絕緣膜234與密封劑450之間存在第二距離“C”，并且在虛設電極相鄰部分中在中間絕緣膜143與密封劑450之間存在第一距離“a”。
[0117]同時，一個或更多個層間絕緣膜234和232優(yōu)選地是有機膜。該目的在于在電極層與觸摸電極陣列230中的透明電極圖案之間設置層間絕緣并且保證作為不同層的金屬層與透明電極圖案之間的預定厚度。
[0118]還可以在有源區(qū)中在薄膜晶體管陣列140的最外表面上設置平面層145。
[0119]此外，有源區(qū)的觸摸電極陣列230包括:金屬橋231，所述金屬橋231與第二緩沖層上的金屬焊盤層231a形成在同一層上；多個第一透明溝道電極(在圖10中由“2331”表示)，所述多個第一透明溝道電極電連接到金屬橋231，同時與金屬橋231交疊，并且在與透明電極圖案233a相同的層中在第一方向上彼此間隔開；以及透明金屬層233，所述透明金屬層233包括第二透明溝道電極2332，所述第二透明溝道電極2332橫跨(traverse)金屬橋并且在與第一透明溝道電極相同的層中在第二方向上形成。
[0120]在所示附圖中，公共透明電極235與組成第一和第二透明溝道電極的透明金屬層233和第二層間絕緣膜234交疊。如果需要的話，可以省略公共透明電極235。該公共透明電極235是浮置(float)狀態(tài)，該浮置狀態(tài)用于薄膜晶體管陣列或在觸摸電極陣列230上面對薄膜晶體管陣列的有機發(fā)光陣列的驅動信號的屏蔽效果。
[0121]在該情況下，觸摸焊盤部分的觸摸焊盤2351a還可以包括公共透明電極圖案235a，所述公共透明電極圖案235a與透明電極圖案233a交疊并且連接到該透明電極圖案233a。
[0122]這里，在觸摸焊盤部分相鄰部分的死區(qū)中，可以移除至少一個層間絕緣膜(附圖中，第一層間絕緣膜)。
[0123]同時，附圖標記“145”表示鈍化層145，其在有源區(qū)中形成在薄膜晶體管陣列140的最外表面上。
[0124]此外，有機發(fā)光陣列150包括陽極151、有機發(fā)光層152和陰極153。該配置為最小單元。可以在像素之間可以包括堤岸(bank)(未示出)以便于將有機發(fā)光層152隔離到像素單元中，并且可以增加或改變有機層以便于改善陽極151與陰極153之間的發(fā)光效率。
[0125]此外，還可以在第一緩沖層130和第二緩沖層220的底部上分別形成第一蝕刻停止膜120和第二蝕刻停止膜210。該第一蝕刻停止膜120和第二蝕刻停止膜210可以是聚酰亞胺或感光丙烯酸材料。
[0126]在該情況下，在接合工藝之后，還可以在第一蝕刻停止膜120的底部上形成膜基板(在圖2中由“1000”表示)。這里，膜基板1000可以由塑料絕緣膜形成，以實現(xiàn)薄化和柔性。
[0127]此外，在移除基板(玻璃)之后，還可以在第二蝕刻停止膜210上形成覆蓋玻璃(在圖2中由“3000”表示)。
[0128]同時，第一緩沖層130和第二緩沖層220可以具有包括多個無機膜的層疊結構。
[0129]此外，保護層160包括按無機膜161、有機膜162和無機膜163的順序層疊的無機膜161、有機膜162和無機膜163?；诎ń惶鎸盈B的有機膜和無機膜的結構,保護層160主要用于防止?jié)駳鉂B透進入有機發(fā)光陣列150中。
[0130]此外，附圖標記“205”和“110”分別表示用于保護陣列的氮化物層和非晶半導體層。在接合工藝之后，可以在移除玻璃期間將這些層與鄰近的基板一起移除。
[0131]下文中，將描述本發(fā)明的第二實施方式。
[0132]圖9是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示器的焊盤、焊盤相鄰部分以及有源區(qū)的截面圖。
[0133]與第一實施方式相比,根據(jù)第二實施方式的有機發(fā)光顯不器的特征在于:焊盤電極還包括位于透明電極圖案233a和與該透明電極圖案233a交疊的公共透明電極圖案235a之間的第二層間絕緣膜234。[0134]在該情況下，與焊盤電極相鄰部分相比，焊盤電極還包括金屬圖案231a、第二層間絕緣膜232、透明電極圖案233a和公共透明電極圖案235a。焊盤電極中的這些層的總厚度與第三距離“d”相對應并且因此高于焊盤電極相鄰部分。因此，與第一實施方式相比，在接合之后，第二實施方式在導電球455的觸摸焊盤電極2351a與虛設電極1400之間表現(xiàn)出優(yōu)秀的接觸特性。
[0135]此外，在有源區(qū)中省略了第一層間絕緣膜232并因此能夠減少有源區(qū)的最上表面的臺階。在該情況下，當覆蓋有機發(fā)光陣列150的保護層160通過包括粘合層400以及導電球455的密封劑450與虛設焊盤電極1400接觸時，具有更高臺階的觸摸焊盤電極2351a與其它區(qū)域相比可以容易地接觸密封劑450，并因此表現(xiàn)出改善的接觸特性。
[0136]無論第一層間絕緣膜232是否從有源區(qū)中移除，觸摸焊盤電極相鄰部分都具有比觸摸焊盤電極更低的臺階并且因此表現(xiàn)出改善的接觸特性。
[0137]當?shù)谝粚娱g絕緣膜232從有源區(qū)中移除時，設置有薄膜晶體管陣列140的第一金屬橋231直接接觸透明電極層233的第一透明溝道電極。在該情況下，為了防止第一金屬橋231與第一透明溝道電極之間的短路，除了布置在第一金屬橋231的兩側的第一透明溝道電極之間的接觸位置之外，在第一金屬橋231上設置第一層間絕緣膜232。
[0138]下文中，將描述第二實施方式的改進實施方式及其詳細描述。
[0139]圖10是例示根據(jù)第二實施方式的改進實施方式的圖2的區(qū)域“A”的平面圖。圖1lA和圖1lB是分別例示了圖10的區(qū)域“B”的放大平面圖和截面圖。
[0140]根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的改進實施方式例示了一種配置，在該配置中，在觸摸焊盤部分2350的相鄰部分中省略了第一層間絕緣膜232。即，第一層間絕緣膜232形成在有源區(qū)和觸摸焊盤部分2350中。
[0141]具體地，參照作為圖10的區(qū)域“B”的放大視圖的圖11A，示出了有源區(qū)的金屬橋231。也如圖1lB所示，第一透明溝道電極2331以島嶼形式彼此間隔開。第一透明溝道電極2331之間的第二透明溝道電極連接部分2332c在垂直方向上布置。第二透明溝道電極2332具有與其集成的菱形(diamond)形狀。
[0142]這里，第一透明溝道電極2331、第二透明溝道電極2332以及第二透明溝道電極連接部分2332c通過對布置在相同層中的透明電極層進行構圖來形成。第一透明溝道電極2331通過在第一層間絕緣膜232與金屬橋231之間插入的接觸孔232a而連接到金屬橋231。
[0143]此外，形成第二層間絕緣膜234，所述第二層間絕緣膜234覆蓋第一透明溝道電極2331、第二透明溝道電極連接部分2332c以及第二透明溝道電極2332。在第二層間絕緣膜234上形成公共透明電極2335，該公共透明電極2335具有與第一透明溝道電極2331以及彼此集成的第二透明溝道電極2332和第二透明電極連接部分2332c相比更大的寬度。
[0144]這里，當觸摸電極陣列和有機發(fā)光陣列使用粘合層400彼此結合在一起時，公共透明電極2335不連接到焊盤電極并且設置為浮置狀態(tài)，該浮置狀態(tài)用于設置在公共透明電極2335下面的有機發(fā)光陣列的驅動的屏蔽效果。如果需要的話，可以省略公共透明電極2335。
[0145]如圖10所示，附圖標記“231b”表示與金屬橋231 —起形成的布線(routing line)并且是用于傳輸每個線路的第一透明溝道電極2331與觸摸焊盤電極2351b之間的信號的線路。附圖標記“231c”還表示與金屬橋231和第二基板(在接合之后被移除)、每行的第二透明溝道電極2332和觸摸焊盤電極(2351b，基于圖2，設置于在基板的一側形成的觸摸焊盤部分中)形成在相同層中的線路。
[0146]圖12是例示根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的區(qū)域“A”的平面圖。圖13A和圖13B分別是圖12的區(qū)域“C”的放大平面圖和截面圖。
[0147]如圖12到圖13B所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式，將第一層間絕緣膜232從除了第二透明溝道電極連接部分2332c與金屬橋231交疊的區(qū)域之外的有源區(qū)中移除。在該情況下，接觸孔沒有設置在第一層間絕緣膜232中并且在金屬橋231的兩側處直接接觸第一透明溝道電極2331。
[0148]此外，僅僅在觸摸焊盤部分2350與金屬橋231交疊的區(qū)域中選擇性地形成第一層間絕緣膜2232。
[0149]因此，如圖13B所示，由于第一層間絕緣膜2332的選擇性省略，第一透明溝道電極2331的頂部(第二透明溝道電極2332的頂部具有較低的臺階)具有比金屬橋231的中央區(qū)域更低的臺階。
[0150]此外，將第一層間絕緣膜2232從有源區(qū)中省略，并且因此能夠降低有源區(qū)的最外表面的臺階。在該情況下，當覆蓋有機發(fā)光陣列150的保護層160通過包括粘合層400和導電球455的密封劑450而與虛設焊盤電極1400接觸時，具有相對高臺階的觸摸焊盤部分2350中的觸摸焊盤電極2351c與密封劑中的導電球455接觸并且因此能夠改善接觸特性。
[0151]下文中，參照圖2、圖3、圖8、圖10、圖1lA和圖11B，將描述本發(fā)明的用于制造有機發(fā)光顯不器的方法。
[0152]首先，在第一基板100上形成非晶半導體層110、第一蝕刻停止膜120和第一緩沖層130，在第一緩沖層130的有源區(qū)中形成薄膜晶體管陣列140、有機發(fā)光陣列150以及保護層160，該薄膜晶體管陣列140包括以矩陣形式限定的像素中的每一個中的薄膜晶體管，該有機發(fā)光陣列150包括與每個像素的薄膜晶體管相連接的有機發(fā)光二極管，該保護層160形成在第一緩沖層130上使得它覆蓋薄膜晶體管陣列140和有機發(fā)光陣列150。在第一緩沖層130的死區(qū)的一部分中形成包括彼此間隔開的多個虛設焊盤1400的虛設焊盤部分。
[0153]隨后，在第二基板300上形成氮化物膜205，第二蝕刻停止膜210和第二緩沖層220，在第二緩沖層220的有源區(qū)中形成觸摸電極陣列230，并且在與虛設焊盤部分相對應的區(qū)域中形成包括彼此間隔開的多個觸摸焊盤電極(2351b或2351c)的觸摸焊盤部分2350。在該過程中，該配置被設計為使得觸摸焊盤部分2350的最外表面與虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于相鄰部分的最外表面與虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
[0154]隨后，將包括導電球455的密封劑450施加到觸摸焊盤部分2350或虛設焊盤部分并且將粘合層400施加到觸摸電極陣列230或保護層160并且執(zhí)行結合工藝。在結合工藝期間中，觸摸焊盤部分2350的最外表面與焊盤電極部分的虛設焊盤部分之間的距離小于相鄰部分的最外表面與焊盤電極部分的虛設焊盤部分之間的距離，使得上下焊盤部分之間通過導電球充分連接。
[0155]在該情況下，在結合之后，導電球可以被壓至觸摸焊盤部分與虛設焊盤部分之間的預定厚度。[0156]此外，在結合工藝之后，觸摸焊盤部分相鄰部分的死區(qū)可以與密封劑間隔開預定距離。
[0157]此外，在結合工藝之后，該方法可以還包括移除第一基板100和第二基板300以及經由膜粘合層1100將膜基板1000粘合到第一蝕刻停止膜120的暴露表面上。
[0158]這里，可以通過蝕刻或者激光照射第一基板100和第二基板300將第一基板100和第二基板300移除。
[0159]下文中，表1到表4示出了圖7、圖8和圖9的配置以及第二實施方式的改進實施方式(圖10到圖1lB所示的配置)的導電球的壓力水平(pressing level)。
[0160]用于各個實施方式的導電球(AuB)的總數(shù)是不同的。用于各個實施方式的與導電球的總數(shù)相關的壓力水平的份額(share)是重要的。如圖3到圖5所示，根據(jù)壓力水平改善接觸特性。即，當導電球被壓縮的厚度增加時，改善了接觸特性。
[0161]在如下測試中，導電球的直徑是約50 μ m。
[0162]表1
[0163]
【權利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器包括: 第一緩沖層和第二緩沖層，所述第一緩沖層和第二緩沖層中的每一個均具有有源區(qū)和死區(qū)并且彼此面對； 薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括在所述第一緩沖層的所述有源區(qū)上以矩陣形式限定的多個像素中的每一個像素中的薄膜晶體管； 有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在每個像素處連接到每個薄膜晶體管； 觸摸電極陣列，所述觸摸電極陣列形成在所述第二緩沖層的所述有源區(qū)上； 觸摸焊盤部分，所述觸摸焊盤部分形成在所述第二緩沖層的所述死區(qū)的一部分上； 虛設焊盤部分，所述虛設焊盤部分在所述第一緩沖層的所述死區(qū)上面對所述觸摸焊盤部分；以及 密封劑，所述密封劑包括所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的多個導電球， 其中，所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述觸摸焊盤部分包括彼此間隔開的多個觸摸焊盤電極，以及 其中所述虛設焊盤部分包括與所述觸摸焊盤電極相對應的多個虛設電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述導電球被壓縮為所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的預定厚度。
4.根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述相鄰部分彼此相對并且所述相鄰部分中的至少一個與所述密封劑間隔開預定距離。
5.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述觸摸焊盤電極具有層疊結構，所述層疊結構包括:金屬圖案；與所述金屬圖案交疊的透明電極圖案；以及布置在所述金屬圖案與所述透明電極圖案之間的至少一個層間絕緣膜。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示器，其中至少一個層間絕緣薄膜是有機膜。
7.根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述觸摸電極陣列包括: 金屬橋，所述金屬橋與所述第二緩沖層上的所述金屬圖案形成在同一層上； 多個第一透明溝道電極，所述多個第一透明溝道電極電連接到所述金屬橋，同時在與所述透明電極圖案相同的層中與所述金屬橋交疊，所述第一透明溝道電極在第一方向上間隔開；以及 第二透明溝道電極，所述第二透明溝道電極在與所述第一透明溝道電極相同的層中橫跨所述金屬橋的同時在第二方向上形成。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述觸摸焊盤電極還包括公共透明電極圖案，所述公共透明電極圖案連接到所述透明電極圖案并且與所述透明電極圖案交疊。
9.根據(jù)權利要求8所述的有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器還包括與所述公共透明電極圖案在相同的層中的公共透明電極，使得所述公共透明電極覆蓋所述第一透明溝道電極以及所述第二透明溝道電極。
10.根據(jù)權利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器還包括第一層間絕緣膜，所述第一層間絕緣膜位于所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的層與所述金屬橋之間；以及 第二層間絕緣膜，所述第二層間絕緣膜形成在所述第一透明溝道電極和所述第二透明溝道電極的所述層與所述公共透明電極之間。
11.根據(jù)權利要求6所述的有機發(fā)光顯示器，其中從所述相鄰部分中的至少一個的所述死區(qū)中移除至少一個層間絕緣膜。
12.根據(jù)權利要求10所述的有機發(fā)光顯示器，其中從除了與所述第二透明溝道電極交叉的所述金屬橋之外的區(qū)域和所述觸摸焊盤電極中移除所述第一層間絕緣膜。
13.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示器，其中，所述虛設電極包括層疊在所述第一緩沖層上的柵極絕緣膜、柵極電極層、中間絕緣膜以及源極金屬層。
14.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器還包括分別形成在所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的背面上的第一蝕刻停止膜和第二蝕刻停止膜。
15.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器還包括形成在所述第一蝕刻停止膜的背面上的膜基板。
16.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，所述有機發(fā)光顯示器還包括形成在所述第二蝕刻停止膜的背面上的覆蓋玻璃。
17.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一緩沖層和所述第二緩沖層具有包括多個無機膜的層疊結構。
18.根據(jù)權利要求15所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述膜基板是塑料絕緣膜。
19.根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述第一蝕刻停止膜和所述第二蝕刻停止膜包括聚酰亞胺或感光丙烯酸材料。
20.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括如下步驟: 在第一基板上形成第一蝕刻停止膜和第一緩沖層，在所述第一緩沖層的有源區(qū)中形成薄膜晶體管陣列、有機發(fā)光二極管以及保護層，并且在所述第一緩沖層的死區(qū)上形成虛設焊盤部分，所述薄膜晶體管陣列包括以矩陣形式限定的多個像素的每一個中的薄膜晶體管，所述有機發(fā)光二極管在每個像素處連接到每個薄膜晶體管，所述保護層形成在所述第一緩沖層上使得該保護層覆蓋所述薄膜晶體管陣列和所述有機發(fā)光二極管； 在第二基板上形成第二蝕刻停止膜和第二緩沖層，在所述第二緩沖層的有源區(qū)中形成觸摸電極陣列，在與所述虛設焊盤部分對應的區(qū)域中形成觸摸焊盤部分；以及 將包括多個導電球的密封劑施加到所述觸摸焊盤部分或所述虛設焊盤部分； 將所述觸摸電極陣列結合到所述保護層， 其中，在所述觸摸焊盤部分中所述觸摸焊盤部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離小于在與所述觸摸焊盤部分鄰近的相鄰部分的最外表面與所述虛設焊盤部分的最外表面之間的距離。
21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其中，在所述結合之后，所述導電球被壓縮為所述觸摸焊盤部分與所述虛設焊盤部分之間的預定厚度。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中在所述結合之后，所述相鄰部分的所述死區(qū)與所述密封劑間隔開預定距離。
23.根據(jù)權利要求20所述的方法，所述方法還包括如下步驟: 移除所述第一基板和所述第二基板；以及將膜基板附接到所述第一蝕刻停止膜的暴露表面。
24.根據(jù)權利要求23所述的方法，其中通過蝕刻或者激光照射所述第一基板和所述第二基板來執(zhí)行移除所述第一基板和所述第二基板的步驟。
【文檔編號】G06F3/041GK103594483SQ201210599164
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年12月27日 優(yōu)先權日:2012年8月13日
【發(fā)明者】崔浩源, 金辰烈 申請人:樂金顯示有限公司