存儲裝置、電子設(shè)備和數(shù)據(jù)存取方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法。所述存儲裝置包括：多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域；以及控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量。
【專利說明】存儲裝置、電子設(shè)備和數(shù)據(jù)存取方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲裝置領(lǐng)域，并且具體涉及一種具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法。
【背景技術(shù)】
[0002]最早期NAND閃存技術(shù)架構(gòu)是SLC (單層單元，Single-Level Cell)，其原理是在I個存儲器存儲單元(cell)中存放I比特(bit)的數(shù)據(jù)，直到MLC (多層單元，Mult1-LevelCelI)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進為I個存儲器存儲單元存放2比特數(shù)據(jù)。2009年TLC (三層單元，Trinary-Level Cell)架構(gòu)正式問世,代表I個存儲器存儲單元可存放3比特數(shù)據(jù),成本進一步大幅降低。SLC閃存具有讀寫速度快、壽命長的優(yōu)點，但是由于其缺點在于成本高、存儲容量小。相比之下，MLC或TLC閃存以相對較低的成本實現(xiàn)了更大的存儲容量。不過盡管MLC或TLC閃存有其自身的優(yōu)勢，但是也掩飾不了其缺點。I)讀寫效能較差，相比SLC閃存，MLC或TLC的讀寫效能要差，SLC閃存約可以反復(fù)讀寫10萬次左右，而MLC或TLC則大約只能讀寫I萬次左右，甚至有部分產(chǎn)品只能達到5000次左右；2)讀寫速度較慢，在相同條件下，MLC或TLC的讀寫速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大約只有2M左右；3)能耗較高，在相同使用條件下，MLC能耗比SLC高，要多15%左右的電流消耗。
[0003]目前，已經(jīng)提出在不同的應(yīng)用中采用不同的存儲單元來滿足存儲容量、讀寫性能、壽命以及成本的多方需求。有些方案提出以混合不同的單元來滿足要求，但由于沒有來自應(yīng)用的支持，這種混合結(jié)構(gòu)只能用在閃存產(chǎn)品內(nèi)部，以SLC作為緩沖，難以總體滿足產(chǎn)品的高容量和長壽命兩個方面。希望提供一種具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法，其根據(jù)預(yù)定策略，控制存儲裝置的存儲單元在不同工作模式之間轉(zhuǎn)換，從而在存儲性能和存儲容量之間實現(xiàn)優(yōu)化的平衡配置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于上述情況，本發(fā)明提供了一種具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法，其根據(jù)預(yù)定策略，控制存儲裝置的存儲單元在不同工作模式之間轉(zhuǎn)換，從而在存儲性能和存儲容量之間實現(xiàn)優(yōu)化的平衡配置。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種存儲裝置，包含于一電子設(shè)備中，所述存儲裝置包括:多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域；以及控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量。
[0006]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲I比特數(shù)據(jù)的單層單元，并且處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲2或3比特數(shù)據(jù)的多層單元或三層單元。[0007]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度比處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度更快。
[0008]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，所述存儲裝置還包括:第三存儲區(qū)域，由第三數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)或第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成，所述第三數(shù)目小于所述第一數(shù)目和所述第二數(shù)目。
[0009]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中當(dāng)接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令時，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
[0010]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
[0011]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，所述存儲裝置還包括:存取計數(shù)單元，用于計數(shù)在預(yù)定時段內(nèi)對于所述數(shù)據(jù)塊的存取次數(shù)，其中，所述控制單元根據(jù)所述存取次數(shù)，修改所述數(shù)據(jù)塊中的所述屬性信息。
[0012]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
[0013]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中當(dāng)所述存儲裝置的剩余存儲空間低于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0014]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元包括:將所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元中的一個存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域，將所述一個存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元，將復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)恢復(fù)回轉(zhuǎn)變后處于第二存儲狀態(tài)的所述一個存儲單元，此后重復(fù)直到所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0015]此外，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲裝置，其中所述控制單元求和對所述第二存儲區(qū)域計數(shù)的存取次數(shù)，并且當(dāng)求和的存取次數(shù)大于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘谝淮鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種數(shù)據(jù)存取方法，用于一種包含于一電子設(shè)備中的存儲裝置，所述存儲裝置包括多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域；以及控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量，所述數(shù)據(jù)存取方法包括:接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令；以及所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
[0017]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲I比特數(shù)據(jù)的單層單元，并且處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲2或3比特數(shù)據(jù)的多層單元或三層單元。
[0018]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度比處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度更快。
[0019]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述存儲裝置還包括第三存儲區(qū)域，由第三數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)或第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成，所述第三數(shù)目小于所述第一數(shù)目和所述第二數(shù)目。
[0020]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中包括:當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
[0021]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述存儲裝置還包括存取計數(shù)單元，用于計數(shù)在預(yù)定時段內(nèi)對于所述數(shù)據(jù)塊的存取次數(shù)，所述控制單元根據(jù)所述存取次數(shù)，修改所述數(shù)據(jù)塊中的所述屬性信息。
[0022]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中包括:當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
[0023]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，還包括:在確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中之后，所述控制單元確定所述存儲裝置的剩余存儲空間；當(dāng)所述存儲裝置的剩余存儲空間低于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0024]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元包括:將所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元中的一個存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域，將所述一個存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元，將復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)恢復(fù)回轉(zhuǎn)變后處于第二存儲狀態(tài)的所述一個存儲單元，此后重復(fù)直到所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0025]此外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的數(shù)據(jù)存取方法，還包括:在確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中之后，所述控制單元求和對所述第二存儲區(qū)域計數(shù)的存取次數(shù)；當(dāng)所述控制單元確定求和的存取次數(shù)大于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘谝淮鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，提供了一種電子設(shè)備，包括:中央處理單元；以及存儲裝置，其中，所述存儲裝置包括多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量；以及控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，當(dāng)接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令時，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
[0027]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的電子設(shè)備，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
[0028]此外，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的電子設(shè)備，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
[0029]根據(jù)本發(fā)明實施例的具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法，其根據(jù)預(yù)定策略，控制存儲裝置的存儲單元在不同工作模式之間轉(zhuǎn)換，從而在存儲性能和存儲容量之間實現(xiàn)優(yōu)化的平衡配置。
[0030]要理解的是，前面的一般描述和下面的詳細描述兩者都是示例性的，并且意圖在于提供要求保護的技術(shù)的進一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備的框圖；
[0032]圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲裝置的框圖；
[0033]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；
[0034]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；
[0035]圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；
[0036]圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；
[0037]圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；以及
[0038]圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖；
【具體實施方式】
[0039]下文中，將參照附圖描述多個實施例、應(yīng)用和修改。此外，下面描述的實施例是優(yōu)選的特定示例，并且設(shè)置了技術(shù)上優(yōu)選的各種限制，但是在以下描述中，本發(fā)明不限于這些實施例。
[0040]首先，將參照圖1描述根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備。所述電子設(shè)備優(yōu)選地例如是個人計算機、智能手機、個人數(shù)字助理、掌上電腦等。
[0041]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備的框圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備I具有中央處理單元10和存儲裝置20。在本發(fā)明的一個實施例中，存儲裝置20可以為由NAND閃存構(gòu)成的SSD硬盤，該存儲裝置20具有可動態(tài)改變的存儲容量。容易理解的是，圖1中為了簡化描述僅僅示出與本發(fā)明緊密相關(guān)的組件，根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備I當(dāng)然還可以包括其它組件，諸如顯示單元、輸入單元、通信單元等。
[0042]以下，將參照圖2進一步具體描述根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備I中的存儲裝置20。
[0043]圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲裝置的框圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲裝置20包括第一存儲區(qū)域110、第二存儲區(qū)域120、第三存儲區(qū)域130、控制單元200和存取計數(shù)單元300。
[0044]具體地，第一存儲區(qū)域110包括處于第一存儲狀態(tài)的多個存儲單元1、存儲單元
2、…存儲單元π。在本發(fā)明的一個實施例中，處于所述第一存儲狀態(tài)的m個存儲單元I到存儲單元m是用于存儲I比特數(shù)據(jù)的單層單元(SLC)，其利用正、負兩種電荷、一個浮動?xùn)糯鎯比特的信息，并且具有約10萬次擦寫壽命。
[0045]第二存儲區(qū)域120包括處于第二存儲狀態(tài)的多個存儲單元_、存儲單元μ、…存儲單元m+n。在本發(fā)明的一個實施例中，處于所述第二存儲狀態(tài)的η個存儲單元m+1到存儲單元m+n是用于存儲2比特數(shù)據(jù)的多層單元(MLC)或用于存儲3比特數(shù)據(jù)的三層單元(TLC)。多層單元(MLC)利用不同電位的電荷、一個浮動?xùn)糯鎯?比特的信息，并且具有約一萬次擦寫壽命。三層單元(TLC)利用不同電位的電荷、一個浮動?xùn)糯鎯?比特的信息，并且具有約500-1000次擦寫壽命。
[0046]由此可見，處于 第一存儲狀態(tài)的存儲單元比處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有更快的讀寫速度和更長的使用壽命，但是其存儲容量為后者的1/2或1/3。
[0047]此外，第三存儲區(qū)域130由處于第一存儲狀態(tài)或第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成。第三存儲區(qū)域130為存儲裝置20的過配區(qū)。稍后將參照圖8描述由第三存儲區(qū)域130參與的存儲裝置20的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，第一存儲區(qū)域110的數(shù)量m、第二存儲區(qū)域120的數(shù)量η、第三存儲區(qū)域130的數(shù)量k之間滿足k〈m〈n。
[0048]控制單元200用于控制多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。也就是說，通過使用控制單元200動態(tài)控制各個存儲單元在第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，從而實現(xiàn)存儲裝置20的優(yōu)化配置。稍后將參照圖3到圖8詳細描述控制單元200的控制操作。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，控制單元200可以控制所有存儲單元為處于第一存儲狀態(tài)的SLC，從而實現(xiàn)高速讀寫性能和最長的使用壽命。在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，控制單元200可以控制所有存儲單元為處于第二存儲狀態(tài)的MLC或TLC，從而實現(xiàn)最大的存儲容量。在本發(fā)明的又一個優(yōu)選實施例中，預(yù)先配置預(yù)定比例的存儲單元處于第一存儲狀態(tài)，該預(yù)定比例可以但不限于為15%-20%。同時，存儲裝置20報告給其所屬電子設(shè)備I的存儲容量可以仍然為全部存儲單元為TLC狀態(tài)下的存儲容量。
[0049]此外，存取計數(shù)單元300用于計數(shù)在預(yù)定時段內(nèi)對于特定數(shù)據(jù)塊的存取次數(shù)，以便控制單元200根據(jù)所述存取次數(shù)，修改數(shù)據(jù)塊的屬性信息，從而動態(tài)配置特定數(shù)據(jù)塊的存儲位置以及相應(yīng)存儲單元的狀態(tài)轉(zhuǎn)變。稍后將參照圖3和圖7描述由存取計數(shù)單元300參與的存儲裝置20的數(shù)據(jù)存取方法。
[0050]以上，參照圖1和圖2描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備和存儲裝置。以下，將參照圖3到圖8進一步描述用于根據(jù)本發(fā)明實施例的電子設(shè)備和存儲裝置的數(shù)據(jù)存取方法。
[0051]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0052]在步驟S301中，存儲裝置20接收來自電子設(shè)備I的數(shù)據(jù)存儲指令。此后，處理進到步驟S302。
[0053]在步驟S302中，控制單元200基于與數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域110或所述第二存儲區(qū)域120中。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，數(shù)據(jù)塊的屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的大小、數(shù)據(jù)塊的存取頻率等。數(shù)據(jù)塊的屬性信息可以由電子設(shè)備I的中央處理單元10或存儲裝置20的控制單元200修改。以下將參照圖4到圖7具體描述利用屬性信息的數(shù)據(jù)存取方法。
[0054]圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0055]在步驟S401中，存儲裝置20接收來自電子設(shè)備I的數(shù)據(jù)存儲指令。此后，處理進到步驟S402。
[0056]在步驟S402中，控制單元200基于與數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，判斷所述數(shù)據(jù)塊的存取頻率是否大于預(yù)定閾值頻率。
[0057]如果在步驟S402中獲得肯定結(jié)果，即所述數(shù)據(jù)塊的存取頻率大于預(yù)定閾值頻率，其指示該數(shù)據(jù)塊屬于頻繁讀寫的數(shù)據(jù)塊，則處理進到步驟S403。
[0058]在步驟S403中，控制單元200確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域110中。
[0059]相反地，如果在步驟S402中獲得否定結(jié)果，即所述數(shù)據(jù)塊的存取頻率小于等于預(yù)定閾值頻率，其指示該數(shù)據(jù)塊屬于非頻繁讀寫的數(shù)據(jù)塊，則處理進到步驟S404。
[0060]在步驟S404中，控制單元200確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域120中。
[0061]根據(jù)本發(fā)明第二實施例的數(shù)據(jù)存取方法，實現(xiàn)根據(jù)數(shù)據(jù)塊的存取頻率動態(tài)確定所述數(shù)據(jù)塊的存儲區(qū)域，使得需要頻繁讀寫的數(shù)據(jù)塊存儲在具有高速讀寫性能的所述第一存儲區(qū)域110中，而將不需要頻繁讀寫的數(shù)據(jù)塊存儲在具有相對低讀寫性能的所述第二存儲區(qū)域120，從而實現(xiàn)了存儲區(qū)域的優(yōu)化利用。
[0062]圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明第三實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0063]在步驟S501中，存儲裝置20接收來自電子設(shè)備I的數(shù)據(jù)存儲指令。此后，處理進到步驟S502。
[0064]在步驟S502中，控制單元200基于與數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，判斷所述數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)大小是否大于預(yù)定閾值大小。
[0065]如果在步驟S502中獲得肯定結(jié)果，即所述數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小，其指示該數(shù)據(jù)塊屬于大塊連續(xù)的較少修改的數(shù)據(jù)塊，則處理進到步驟S403。
[0066]在步驟S503中，控制單元200確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域120中。[0067]相反地，如果在步驟S502中獲得否定結(jié)果，即所述數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)大小小于等于預(yù)定閾值大小，其指示該數(shù)據(jù)塊屬于小塊的單次修改的數(shù)據(jù)塊，則處理進到步驟S504。
[0068]在步驟S504中，控制單元200確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域110中。
[0069]根據(jù)本發(fā)明第三實施例的數(shù)據(jù)存取方法，實現(xiàn)根據(jù)數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)大小動態(tài)確定所述數(shù)據(jù)塊的存儲區(qū)域，使得大塊連續(xù)的較少修改的數(shù)據(jù)塊存儲在具有相對低讀寫性能高速讀寫性能的所述第二存儲區(qū)域120中，而將小塊的單次修改的數(shù)據(jù)塊存儲在具有高速讀寫性能的所述第一存儲區(qū)域110，從而實現(xiàn)了存儲區(qū)域的優(yōu)化利用。
[0070]圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明第四實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0071]步驟S601和步驟S602分別與圖3所示的步驟S301和步驟S302相同，并且在此將省略其進一步的詳細描述。此后，處理進到步驟S603。
[0072]在步驟S603中，控制單元200判斷存儲裝置20的剩余存儲空間是否小于預(yù)定閾值。
[0073]如果在步驟S603中獲得肯定結(jié)果，即存儲裝置20的剩余存儲空間小于預(yù)定閾值，則處理進到步驟S604。
[0074]在步驟S604中，控制單元200控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。稍后將參照圖8具體描述存儲單元的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程。
[0075]相反地，如果在步驟S603中獲得否定結(jié)果，即存儲裝置20的剩余存儲空間不小于預(yù)定閾值，則數(shù)據(jù)存取方法結(jié)束。
[0076]根據(jù)本發(fā)明第四實施例的數(shù)據(jù)存取方法，實現(xiàn)根據(jù)存儲裝置20的剩余存儲空間動態(tài)控制存儲單元的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。在存儲空間低于閾值的情況下，將部分處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元，從而提供更多的存儲空間以滿足使用需求。
[0077]圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明第五實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0078]步驟S701和步驟S702分別與圖3所示的步驟S301和步驟S302相同，并且在此將省略其進一步的詳細描述。此后，處理進到步驟S703。
[0079]在步驟S703中，控制單元200求和存取計數(shù)單元300對所述第二存儲區(qū)域120計數(shù)的存取次數(shù)。此后，處理進到步驟S704。
[0080]在步驟S704中，控制單元200判斷求和的存取次數(shù)是否大于預(yù)定閾值。
[0081]如果在步驟S704中獲得肯定結(jié)果，即求和的存取次數(shù)大于預(yù)定閾值，則處理進到步驟S705。
[0082]在步驟S705中，控制單元200控制將預(yù)定比例的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘谝淮鎯顟B(tài)的存儲單元。稍后將參照圖8具體描述存儲單元的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程。
[0083]相反地，如果在步驟S704中獲得否定結(jié)果，即求和的存取次數(shù)不大于預(yù)定閾值，則數(shù)據(jù)存取方法結(jié)束。
[0084]根據(jù)本發(fā)明第五實施例的數(shù)據(jù)存取方法，實現(xiàn)根據(jù)存儲裝置20中處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元的存取次數(shù)，動態(tài)控制存儲單元的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。在接近處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元的使用壽命的情況下，將處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)換為處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元，從而大大延長存儲裝置20的使用壽命。
[0085]圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例的數(shù)據(jù)存取方法的流程圖。如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明第六實施例的數(shù)據(jù)存取方法包括以下步驟。
[0086]在步驟S801中，控制單元200將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元中的一個存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制到第三存儲區(qū)域130。此后，處理進到步驟S802。
[0087]在步驟S802中，控制單元200將該處于第一存儲狀態(tài)的一個存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。此后，處理進到步驟S803。
[0088]在步驟S803中，控制單元200將復(fù)制到第三存儲區(qū)域130的數(shù)據(jù)恢復(fù)回轉(zhuǎn)變后處于第二存儲狀態(tài)的所述一個存儲單元。此后，處理進到步驟S804。
[0089]在步驟S804中，控制單元200判斷預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元是否全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0090]如果在步驟S804中獲得肯定結(jié)果，則存儲裝置的狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程結(jié)束。
[0091]相反地，如果在步驟S804中獲得否定結(jié)果，則處理返回步驟S801中，重復(fù)上述轉(zhuǎn)換過程直到所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
[0092]根據(jù)本發(fā)明第 六實施例的數(shù)據(jù)存取方法，實現(xiàn)以邊轉(zhuǎn)換邊復(fù)制的機制將數(shù)據(jù)復(fù)制到轉(zhuǎn)換后的存儲單元中，從而使得可以根據(jù)需要動態(tài)轉(zhuǎn)換存儲裝置20中的每個存儲單元的狀態(tài)。
[0093]以上參照圖1到圖8描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有可變?nèi)萘康拇鎯ρb置、使用該存儲裝置的電子設(shè)備及其數(shù)據(jù)存取方法，其根據(jù)預(yù)定策略，控制存儲裝置的存儲單元在不同工作模式之間轉(zhuǎn)換，從而在存儲性能和存儲容量之間實現(xiàn)優(yōu)化的平衡配置。
[0094]需要說明的是，在本說明書中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0095]最后，還需要說明的是，上述一系列處理不僅包括以這里所述的順序按時間序列執(zhí)行的處理，而且包括并行或分別地、而不是按時間順序執(zhí)行的處理。
[0096]通過以上的實施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可借助軟件加必需的硬件平臺的方式來實現(xiàn)，當(dāng)然也可以全部通過硬件來實施?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案對【背景技術(shù)】做出貢獻的全部或者部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品可以存儲在存儲介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例或者實施例的某些部分所述的方法。
[0097]以上對本發(fā)明進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲裝置，包含于一電子設(shè)備中，所述存儲裝置包括: 多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域；以及 控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換， 其中，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲I比特數(shù)據(jù)的單層單元，并且處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲2或3比特數(shù)據(jù)的多層單元或三層單元。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲裝置，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度比處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度更快。
4.如權(quán)利要求1到3的任一所述的存儲裝置，所述存儲裝置還包括: 第三存儲區(qū)域，由第三數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)或第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成，所述第三數(shù)目小于所述第一數(shù)目和 所述第二數(shù)目。
5.如權(quán)利要求1到3的任一所述的存儲裝置，其中當(dāng)接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令時，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲裝置，所述存儲裝置還包括: 存取計數(shù)單元，用于計數(shù)在預(yù)定時段內(nèi)對于所述數(shù)據(jù)塊的存取次數(shù)， 其中，所述控制單元根據(jù)所述存取次數(shù)，修改所述數(shù)據(jù)塊中的所述屬性信息。
8.如權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
9.如權(quán)利要求4所述的存儲裝置，其中當(dāng)所述存儲裝置的剩余存儲空間低于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲裝置，其中所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元包括: 將所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元中的一個存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域，將所述一個存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元，將復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)恢復(fù)回轉(zhuǎn)變后處于第二存儲狀態(tài)的所述一個存儲單元，此后重復(fù)直到所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單兀。
11.如權(quán)利要求7所述的存儲裝置，其中所述控制單元求和對所述第二存儲區(qū)域計數(shù)的存取次數(shù)，并且當(dāng)求和的存取次數(shù)大于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘谝淮鎯顟B(tài)的存儲單元。
12.—種數(shù)據(jù)存取方法，用于一種包含于一電子設(shè)備中的存儲裝置，所述存儲裝置包括多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域；以及控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，其中，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量，所述數(shù)據(jù)存取方法包括: 接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令；以及 所述控制單 元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
13.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲I比特數(shù)據(jù)的單層單元，并且處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元是用于存儲2或3比特數(shù)據(jù)的多層單元或三層單元。
14.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度比處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元的讀寫速度更快。
15.如權(quán)利要求12到14的任一所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述存儲裝置還包括第三存儲區(qū)域，由第三數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)或第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成，所述第三數(shù)目小于所述第一數(shù)目和所述第二數(shù)目。
16.如權(quán)利要求12到14的任一所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中包括: 當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述存儲裝置還包括存取計數(shù)單元，用于計數(shù)在預(yù)定時段內(nèi)對于所述數(shù)據(jù)塊的存取次數(shù)，所述控制單元根據(jù)所述存取次數(shù)，修改所述數(shù)據(jù)塊中的所述屬性信息。
18.如權(quán)利要求12到14的任一所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中包括: 當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
19.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括: 在確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中之后，所述控制單元確定所述存儲裝置的剩余存儲空間；當(dāng)所述存儲裝置的剩余存儲空間低于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
20.如權(quán)利要求19所述的數(shù)據(jù)存取方法，其中所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元包括: 將所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元中的一個存儲單元內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域，將所述一個存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元，將復(fù)制到所述第三存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)恢復(fù)回轉(zhuǎn)變后處于第二存儲狀態(tài)的所述一個存儲單元，此后重復(fù)直到所述預(yù)定比例的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元全部轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘诙鎯顟B(tài)的存儲單元。
21.如權(quán)利要求17所述的數(shù)據(jù)存取方法，還包括: 在確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中之后，所述控制單元求和對所述第二存儲區(qū)域計數(shù)的存取次數(shù)； 當(dāng)所述控制單元確定求和的存取次數(shù)大于預(yù)定閾值時，所述控制單元控制將預(yù)定比例的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元轉(zhuǎn)變?yōu)樘幱诘谝淮鎯顟B(tài)的存儲單元。
22.—種電子設(shè)備,包括: 中央處理單元；以及 存儲裝置， 其中，所述存儲裝置包括 多個存儲單元，所述多個存儲單元中的每個處于第一存儲狀態(tài)和第二存儲狀態(tài)之一，第一數(shù)目的處于第一存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第一存儲區(qū)域，并且第二數(shù)目的處于第二存儲狀態(tài)的存儲單元構(gòu)成第二存儲區(qū)域，處于所述第一存儲狀態(tài)的存儲單元與處于所述第二存儲狀態(tài)的存儲單元具有不同的存儲容量；以及 控制單元，用于控制所述多個存儲單元中的每個在所述第一存儲狀態(tài)和所述第二存儲狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換， 其中，當(dāng)接收來自所述電子設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲指令時，所述控制單元基于與所述數(shù)據(jù)存儲指令對應(yīng)的數(shù)據(jù)塊中的屬性信息，確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域或所述第二存儲區(qū)域中。
23.如權(quán)利要求22所述的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)塊的存取頻率，當(dāng)所述存取頻率大于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第一存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)塊存儲在所述第二存儲區(qū)域。
24.如權(quán)利要求22所述的存儲裝置，其中所述屬性信息指示數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)大小，當(dāng)所述數(shù)據(jù)大小大于預(yù)定閾值大小時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第二存儲區(qū)域，當(dāng)所述存取頻率小于或等于預(yù)定閾值頻率時，所述控制單元確定將所述數(shù)據(jù)存儲在所述第一存儲區(qū)域。
【文檔編號】G06F13/16GK103914410SQ201310006299
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月8日
【發(fā)明者】李洪偉, 王竹強, 柴海新 申請人:聯(lián)想(北京)有限公司