數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露快閃存儲(chǔ)器所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法。一快閃存儲(chǔ)器的實(shí)體空間包括多個(gè)區(qū)塊。一控制器用于管理該多個(gè)區(qū)塊，使該多個(gè)區(qū)塊部分推入閑置隊(duì)列以待配置作系統(tǒng)區(qū)塊或作數(shù)據(jù)區(qū)塊。該控制器更于該閑置隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限、且該閑置隊(duì)列存在抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)的區(qū)塊時(shí)，進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。
【專利說明】數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及快閃存儲(chǔ)器控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，特別有關(guān)于快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory)的平均抹寫(wear leveling)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置常以快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory)為儲(chǔ)存媒體。以與非門型的快閃存儲(chǔ)器(即NAND FLASH)為例，常用作存儲(chǔ)卡(memory card)、通用序列總線閃存裝置(USB flash device)、固態(tài)硬盤(SSD)…等產(chǎn)品。另外有一種應(yīng)用是采多芯片封裝、將NANDFLASH芯片與控制芯片包成一顆芯片一稱為嵌入式快閃存儲(chǔ)器模塊(eMMC)。
[0003]快閃存儲(chǔ)器的實(shí)體空間通常包括多個(gè)區(qū)塊(blocks)。一區(qū)塊需要完整抹除(erase)后方能被重新配置。然而，一區(qū)塊的可抹除次數(shù)有限，抹除過多次的區(qū)塊會(huì)損壞。為了延長快閃存儲(chǔ)器的壽命，平均抹寫(wear leveling)為本【技術(shù)領(lǐng)域】一項(xiàng)重要課題，目的是使不同區(qū)塊的抹除次數(shù)差異不過大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明揭露一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及一種快閃存儲(chǔ)器控制方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包括一控制器以及一快閃存儲(chǔ)器。該快閃存儲(chǔ)器的實(shí)體空間包括多個(gè)區(qū)塊。該控制器用于管理這些區(qū)塊，使這些區(qū)塊部分推入閑置隊(duì)列以待配置作系統(tǒng)區(qū)塊或作數(shù)據(jù)區(qū)塊。該控制器更于該閑置隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限、且該閑置隊(duì)列存在抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)的區(qū)塊時(shí)，進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一快閃存儲(chǔ)器控制方法包括以下步驟:管理一快閃存儲(chǔ)器的多個(gè)區(qū)塊，使這些區(qū)塊部分推入閑置隊(duì)列以待配置作系統(tǒng)區(qū)塊或作數(shù)據(jù)區(qū)塊；并且，于該閑置隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限、且該閑置隊(duì)列存在抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)的區(qū)塊時(shí)，進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。
[0007]下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖示，詳細(xì)說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1以方塊圖圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置；且
[0009]圖2為流程圖，描述根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一快閃存儲(chǔ)器控制方法。
[0010]【符號(hào)說明】
[0011]102?數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置；
[0012]104?快閃存儲(chǔ)器；
[0013]106?控制器；
[0014]108?閑置隊(duì)列；
[0015]110?系統(tǒng)區(qū)塊；
[0016]112?數(shù)據(jù)區(qū)塊；
[0017]114?凍結(jié)隊(duì)列；
[0018]116?自由區(qū)塊；
[0019]118?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；
[0020]120?閑置隊(duì)列管理信息；
[0021]122?凍結(jié)隊(duì)列管理信息；
[0022]124 ?主機(jī)；
[0023]BLK ?區(qū)塊；
[0024]Free_BIk_Erase_Cnt?自由區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)；
[0025]Power_CycIe_FIag?反復(fù)斷電/上電操作標(biāo)志；
[0026]Spare_Blk_Cnt?閑置區(qū)塊數(shù)量；
[0027]Spare_Blk_Erase_Cnt?閑置區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)；
[0028]S202-S216 ?步驟。

【具體實(shí)施方式】
[0029]以下敘述列舉本發(fā)明的多種實(shí)施例。以下敘述介紹本發(fā)明的基本概念，且并非意圖限制本
【發(fā)明內(nèi)容】
。實(shí)際發(fā)明范圍應(yīng)依照權(quán)利要求界定之。
[0030]圖1以方塊圖圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置102。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置102包括一快閃存儲(chǔ)器(FLASH memory) 104以及一控制器106。快閃存儲(chǔ)器104的實(shí)體空間包括多個(gè)區(qū)塊(blocks，皆以BLK標(biāo)號(hào))?？刂破?06用于管理這些區(qū)塊BLK。在該控制器106操作下，這些區(qū)塊部分推入一閑置隊(duì)列(spare queue) 108，以待配置作系統(tǒng)區(qū)塊(system blocks) 110儲(chǔ)存系統(tǒng)信息、或待配置作數(shù)據(jù)區(qū)塊(data blocks) 112作數(shù)據(jù)儲(chǔ)存(data storage)。此外，該控制器106更包括使這些區(qū)塊中抹除計(jì)數(shù)(erase count)高于一過熱高標(biāo)(以下標(biāo)示為0verUsed_H)者推入一凍結(jié)隊(duì)列(jail queue) 114凍結(jié)不用。該控制器106將特別監(jiān)控該閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量以及該閑置隊(duì)列108各區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)。當(dāng)該閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限(以下標(biāo)示為Clean_TH)、且該閑置隊(duì)列108存在抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)(以下標(biāo)示為OverUsecLL)的區(qū)塊時(shí)，即代表閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量不足、且閑置隊(duì)列108內(nèi)存有已被頻繁使用的區(qū)塊。此時(shí)，控制器106將進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。在一種實(shí)施方式中，控制器106可更根據(jù)該凍結(jié)隊(duì)列114內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量(例如，是否到達(dá)一設(shè)定值)或/以及使用者的操作狀況(例如，是否有重新上電的反復(fù)操作)決定是否于清潔該快閃存儲(chǔ)器104的空間時(shí)(即作空間釋出，又稱Garbage Collect1n)更考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)，使該快閃存儲(chǔ)器104的抹寫平均。
[0031]根據(jù)所揭露技術(shù)，閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)極為不足、急迫需要作空間清理的狀況也會(huì)考量抹寫平均問題。
[0032]在該閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于該清潔需求界限Clean_TH、且該閑置隊(duì)列108有區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)高于該過熱低標(biāo)0verUsed_L的狀況下,一種實(shí)施方式是令該控制器106于該凍結(jié)隊(duì)列114滿載、或/且使用者以反復(fù)斷電/上電方式(英文稱此操作為PowerCycle)操作該快閃存儲(chǔ)器104時(shí),使該快閃存儲(chǔ)器104的空間清潔(Garbage Collect1n)考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)。
[0033]詳細(xì)討論之，滿載的凍結(jié)隊(duì)列114代表凍結(jié)隊(duì)列114外儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)相對而言為冷數(shù)據(jù)。由于冷數(shù)據(jù)區(qū)塊的無效頁數(shù)少，空間不易被釋出，因此，抹除計(jì)數(shù)低的區(qū)塊不太有機(jī)會(huì)被釋出再利用。至于以上所述的Power Cycle操作，常見于智慧型手機(jī)操作上。在智慧型手機(jī)應(yīng)用中，快閃存儲(chǔ)器104可能已鋪寫大量數(shù)據(jù)，多數(shù)的區(qū)塊已配置為數(shù)據(jù)區(qū)塊112，僅余少量的區(qū)塊得以應(yīng)用。由于智慧型手機(jī)使用者常有隨意瀏覽網(wǎng)頁即關(guān)閉屏幕休眠之類的反復(fù)操作，有限的可應(yīng)用區(qū)塊會(huì)反復(fù)抹寫來應(yīng)付網(wǎng)頁瀏覽、與斷電/上電系統(tǒng)信息紀(jì)錄…等需求(即對應(yīng)Power Cycle操作)。如此一來,這些區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)會(huì)暴沖。整理之,上述“凍結(jié)隊(duì)列114滿載」或/以及「使用者反復(fù)斷電/上電方式操作”相當(dāng)不利于整體快閃存儲(chǔ)器104的抹寫平均。然而，依照本案所揭露的技術(shù)，抹寫平均需求不會(huì)因?yàn)榭扉W存儲(chǔ)器104迫切的空間清潔需求(S卩，閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于該清潔需求界限Clean_TH)而被忽視。根據(jù)本案技術(shù)，當(dāng)抹寫平均以及空間清潔需求同時(shí)發(fā)生時(shí)，控制器106對快閃存儲(chǔ)器104的空間清潔是考量有區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)，即在作空間清潔時(shí)一并作抹寫平均。快閃存儲(chǔ)器104的壽命因而顯著延長。
[0034]在一種實(shí)施方式，控制器106于考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)作該快閃存儲(chǔ)器104的空間清潔時(shí)，是令該閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)最高的區(qū)塊作數(shù)據(jù)收集區(qū)塊。如此一來，過常使用的區(qū)塊可被配置來儲(chǔ)存冷數(shù)據(jù)，不再遭頻繁抹寫。在其他實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)收集區(qū)塊可為該閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)次高的區(qū)塊。
[0035]在一種實(shí)施方式，控制器106于考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)作該快閃存儲(chǔ)器104的空間清潔時(shí)，是對上述數(shù)據(jù)區(qū)塊中抹除計(jì)數(shù)較低(例如，可為最低、或是包括最低與次低、或是自最低與次低中擇一…等)、或更同時(shí)無效頁數(shù)量較多的數(shù)據(jù)區(qū)塊作清潔。如此一來，不常使用的區(qū)塊可被釋出再利用。
[0036]在一種實(shí)施方式，控制器106面臨需配置新區(qū)塊的寫入需求時(shí)所配置的區(qū)塊(不同于空間清潔的數(shù)據(jù)收集區(qū)塊配置)是該閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)最低的區(qū)塊。如此一來，不常使用的區(qū)塊有機(jī)會(huì)被使用。事實(shí)上，所選擇的寫入?yún)^(qū)塊可為該閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)較低的區(qū)塊(例如，可為最低、或是包括最低與次低、或是自最低與次低中擇一…等)。
[0037]更有一種實(shí)施方式是令該控制器106于考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)作該快閃存儲(chǔ)器104的空間清潔后，更重整該閑置隊(duì)列108，使空白區(qū)塊(包括是原閑置隊(duì)列108中的區(qū)塊與這些自由區(qū)塊116)中具有較低抹除計(jì)數(shù)者隊(duì)列于該閑置隊(duì)列108中。該閑置隊(duì)列108重整后，控制器106面臨需配置新區(qū)塊的寫入需求時(shí)所配置的區(qū)塊是該閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)較低(甚至最低)的區(qū)塊。相較于未作閑置隊(duì)列108重整的技術(shù)，所述閑置隊(duì)列108重整方式將使得自由區(qū)塊116中抹除計(jì)數(shù)低的區(qū)塊也有被使用的機(jī)會(huì)。
[0038]另外有一種實(shí)施方式是在檢查凍結(jié)隊(duì)列114與使用者狀況時(shí)更檢查閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)量是否小于該清潔需求界限Clean_TH至少一預(yù)設(shè)量、且大于一報(bào)廢標(biāo)準(zhǔn)。若閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)量小于該清潔需求界限Clean_TH至少一預(yù)設(shè)量、且大于一報(bào)廢標(biāo)準(zhǔn)，方允許在作空間清潔時(shí)考量區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)。
[0039]以圖1所示的實(shí)施方式為例，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置102更設(shè)置一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器118，動(dòng)態(tài)紀(jì)錄一閑置隊(duì)列管理信息120(紀(jì)錄了該閑置隊(duì)列108內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量Spare_Blk_Cnt，且更紀(jì)錄了閑置區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)Spare_Blk_EraSe_Cnt以反應(yīng)閑置隊(duì)列108是否存在抹除計(jì)數(shù)高于該過熱低標(biāo)OverUsecLL的熱區(qū)塊)、一凍結(jié)隊(duì)列管理信息122 (如，標(biāo)示該凍結(jié)隊(duì)列114滿載與否)、一反復(fù)斷電/上電標(biāo)志Power_Cycle_Flag、以及一自由區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)Free_Blk_Erase_Cnt0控制器106可基于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器118所動(dòng)態(tài)紀(jì)錄的內(nèi)容120、或甚至122、Power_Cycle_Flag決定是否以考量抹除計(jì)數(shù)的方式對快閃存儲(chǔ)器104作空間清潔。此外，控制器106可基于閑置區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)Spare_Blk_EraSe_Cnt以及自由區(qū)塊抹除計(jì)數(shù)Free_Blk_Erase_Cnt的內(nèi)容重整該閑置隊(duì)列108，使其中隊(duì)列有較低抹除計(jì)數(shù)的空白區(qū)塊。
[0040]此外，如圖1所示，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置102可連結(jié)一主機(jī)124由該主機(jī)124控制。本案所揭露的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置可實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)卡(memory card)、通用序列總線閃存裝置(USB flashdevice)、固態(tài)硬盤(SSD)…等產(chǎn)品。另外有一種實(shí)施方式是采多芯片封裝、將NAND FLASH芯片與控制芯片包成一顆芯片一稱為嵌入式快閃存儲(chǔ)器模塊(eMMC)，可安裝于行動(dòng)裝置如智慧型手機(jī)上，作其儲(chǔ)存媒體。
[0041]圖2為流程圖，描述根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一快閃存儲(chǔ)器控制方法，可由控制器106實(shí)行，以下搭配圖1編號(hào)說明之。
[0042]步驟S202與步驟S204是對閑置隊(duì)列108作監(jiān)控。當(dāng)閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)量Spare_Blk_Cnt低于一清潔需求界限Clean_TH、但閑置隊(duì)列108尚未有區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)OverUsecLL時(shí)，對該快閃存儲(chǔ)器104作一般空間清潔(步驟S206)。所謂一般空間清潔可不考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)，單純是將無效頁多的多個(gè)區(qū)塊的數(shù)據(jù)集中至一閑置區(qū)塊，以釋放多個(gè)區(qū)塊的空間。倘若閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)量Spare_Blk_Cnt低于該清潔需求界限Clean_TH、且閑置隊(duì)列108有區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)高于該過熱低標(biāo)OverUsecLL，則對該快閃存儲(chǔ)器更進(jìn)行步驟S208的判斷，辨別凍結(jié)隊(duì)列114是否滿載、且/或辨識(shí)所述的反復(fù)斷電/上電標(biāo)志Power_Cycle_Flag是否為真；或者,另有實(shí)施方式在步驟S208更判斷閑置隊(duì)列108的區(qū)塊數(shù)量Spare_Blk_Cnt是否小于該清潔需求界限Clean_TH至少一預(yù)設(shè)量、且大于一報(bào)廢標(biāo)準(zhǔn)。若步驟S208判斷為真，則進(jìn)行步驟S210，于清潔該快閃存儲(chǔ)器108的空間時(shí)考量區(qū)塊的抹除計(jì)數(shù)，使該快閃存儲(chǔ)器104的抹寫平均。
[0043]步驟S212是設(shè)計(jì)于步驟S210之后，用于重整閑置隊(duì)列108，使空白區(qū)塊中具有較低抹除計(jì)數(shù)者隊(duì)列于該閑置隊(duì)列108中。步驟S214將監(jiān)控是否有需配置新區(qū)塊的寫入需求發(fā)生(不同于空間清潔的數(shù)據(jù)收集區(qū)塊配置)。若有配置新區(qū)塊作寫入的需求，則進(jìn)行步驟S216，將閑置隊(duì)列108中抹除計(jì)數(shù)較低(甚至最低)的區(qū)塊配置來寫入數(shù)據(jù)。步驟S216的區(qū)塊配置后，流程可回到步驟S202、S204繼續(xù)對閑置隊(duì)列108作監(jiān)控。所述閑置隊(duì)列108重整步驟S212也可更設(shè)計(jì)在步驟S206的一般空間清潔之后。或者，部分實(shí)施方式是略去該步驟S212。
[0044]上述實(shí)施方式所述的控制器106可包括運(yùn)算單元與唯讀處理器(ROM)。以上所揭露的各技術(shù)步驟可佐以程序化方式呈固件實(shí)現(xiàn)；相關(guān)程序碼是載于唯讀存儲(chǔ)器中，由運(yùn)算單元執(zhí)行的。此外，其他采用同樣概念控制一快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)都屬于本案所欲保護(hù)的范圍。本案更涉及快閃存儲(chǔ)器的控制方法，不限定以特定架構(gòu)的控制器實(shí)現(xiàn)。
[0045]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項(xiàng)技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，包括: 一快閃存儲(chǔ)器，其實(shí)體空間包括多個(gè)區(qū)塊；以及 一控制器，管理該快閃存儲(chǔ)器的該多個(gè)區(qū)塊及一閑置隊(duì)列， 其特征在于，該控制器更于該閑置隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限，且該閑置隊(duì)列存在一抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)的區(qū)塊時(shí)，進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器又包含，使一抹除計(jì)數(shù)高于一過熱高標(biāo)的區(qū)塊凍結(jié)不用。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器更管理一凍結(jié)隊(duì)列，且在該凍結(jié)隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊個(gè)數(shù)到達(dá)一設(shè)定值時(shí)，進(jìn)行該考量抹寫平均的空間清潔。
4.如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器于該快閃存儲(chǔ)器重新上電時(shí)，進(jìn)行該考量抹寫平均的空間清潔。
5.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器作該考量抹寫平均的空間清潔時(shí)以閑置隊(duì)列內(nèi)一抹除計(jì)數(shù)最高的區(qū)塊作數(shù)據(jù)收集區(qū)塊。
6.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器作該考量抹寫平均的空間清潔時(shí)以閑置隊(duì)列內(nèi)一抹除計(jì)數(shù)次高的區(qū)塊作數(shù)據(jù)收集區(qū)塊。
7.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器作該考量抹寫平均的空間清潔時(shí)清潔一抹除計(jì)數(shù)較低的數(shù)據(jù)區(qū)塊。
8.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該控制器作該考量抹寫平均的空間清潔時(shí)清潔一抹除計(jì)數(shù)較低且無效頁數(shù)量較多的數(shù)據(jù)區(qū)塊。
9.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該考量抹寫平均的空間清潔后，該控制器以該閑置隊(duì)列中抹除計(jì)數(shù)最低的區(qū)塊作為寫入?yún)^(qū)塊。
10.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于: 該考量抹寫平均的空間清潔后，該控制器以該閑置隊(duì)列中抹除計(jì)數(shù)較低的區(qū)塊作為寫入?yún)^(qū)塊。
11.一種快閃存儲(chǔ)器控制方法，包括: 建立一閑置隊(duì)列；并且 當(dāng)該閑置隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊數(shù)量低于一清潔需求界限，且該閑置隊(duì)列存在抹除計(jì)數(shù)高于一過熱低標(biāo)的區(qū)塊時(shí)，進(jìn)行一考量抹寫平均的空間清潔。
12.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于，更包括: 使抹除計(jì)數(shù)高于一過熱高標(biāo)的區(qū)塊凍結(jié)不用。
13.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于，更包括建立一凍結(jié)隊(duì)列，且于該凍結(jié)隊(duì)列內(nèi)的區(qū)塊個(gè)數(shù)到達(dá)一設(shè)定值時(shí)，進(jìn)行該考量抹寫平均的空間清潔。
14.如權(quán)利要求13所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于: 于該快閃存儲(chǔ)器重新上電時(shí)，進(jìn)行該考量抹寫平均的空間清潔。
15.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該考量抹寫平均的空間清潔，以閑置隊(duì)列內(nèi)一抹除計(jì)數(shù)最高的區(qū)塊作數(shù)據(jù)收集區(qū)塊。
16.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該考量抹寫平均的空間清潔，以閑置隊(duì)列內(nèi)一抹除計(jì)數(shù)次高的區(qū)塊作數(shù)據(jù)收集區(qū)塊。
17.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該考量抹寫平均的空間清潔，是清潔一抹除計(jì)數(shù)較低的數(shù)據(jù)區(qū)塊。
18.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該考量抹寫平均的空間清潔，是清潔一抹除計(jì)數(shù)較低且無效頁數(shù)量較多的數(shù)據(jù)區(qū)塊。
19.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該抹寫平均的空間清潔后，是以該閑置隊(duì)列中抹除計(jì)數(shù)最低的區(qū)塊作為寫入?yún)^(qū)塊。
20.如權(quán)利要求11所述的快閃存儲(chǔ)器控制方法，其特征在于:該抹寫平均的空間清潔后，是以該閑置隊(duì)列中抹除計(jì)數(shù)較低的區(qū)塊作為寫入?yún)^(qū)塊。
【文檔編號(hào)】G06F12/02GK104424112SQ201310478390
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年10月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】朱柏嘉, 林彥宏 申請人:慧榮科技股份有限公司