電容觸摸屏及用于制作觸摸屏的策略性幾何形狀隔離圖案化方法
【專利摘要】使用一種被稱為策略性幾何形狀隔離（SGI）的新圖案化技術(shù)，以使用激光燒蝕使導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)圖案化。除了ITO薄膜之外，也可使用SGI以使服從用激光或其它定向的能量束燒蝕的任何其它導(dǎo)電薄膜圖案化。代替于燒蝕ITO的較大區(qū)域以形成MIPC中的下伏層可通過其投影電容場的ITO空隙，SGI圖案化技術(shù)涉及將原本被燒蝕的區(qū)域保留在適當(dāng)位置，但將其電隔離?？捎脽g路徑的單個通過來完成這些區(qū)域的電隔離。在使用中，所述電隔離區(qū)域以類似于所述ITO空隙/燒蝕區(qū)域的方式運(yùn)轉(zhuǎn)，從而允許下伏電容場通過其進(jìn)行投影。由所述電隔離區(qū)域提供的用于組合層的耦合增強(qiáng)了所述下伏層的所述電容場。
【專利說明】電容觸摸屏及用于制作觸摸屏的策略性幾何形狀隔離圖案化方法
[0001]相關(guān)串請案
[0002]本申請案是申請?zhí)枮?00980147743.9、發(fā)明名稱為“電容觸摸屏及用于制作觸摸屏的策略性幾何形狀隔離圖案化方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明大體上涉及電容觸摸屏，且更明確地說，用于制作電容觸摸屏的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]觸摸屏為可感測手指或其它被動對象(例如，觸筆)的觸摸位置的顯示器。觸摸屏很常見，且用于從現(xiàn)金出納機(jī)到自動出納機(jī)到手持式裝置范圍內(nèi)的應(yīng)用。使用若干技術(shù)用于觸摸屏，包含電阻性觸摸屏面板、表面聲波技術(shù)、應(yīng)變計式配置、光學(xué)成像、分散信號技術(shù)、聲音脈沖識別以及電容觸摸屏面板。
[0005]電容觸摸屏使用在許多應(yīng)用中，包含Apple? iPhone。電容觸摸屏的面板通常涂有存儲電荷的材料，因此能夠?qū)⑦B續(xù)的電流傳導(dǎo)穿過傳感器。用于電容觸摸屏的一種常見結(jié)構(gòu)為涂有例如氧化銦錫(ITO)等導(dǎo)電材料的塑料薄膜。傳感器在水平軸和垂直軸兩者上展現(xiàn)存儲電荷的精確受控的場，從而獲得電容。因為從技術(shù)上說人體也是具有存儲電荷的電裝置，所以其也展現(xiàn)電容。因此，在觸摸面板時，少量的電荷被吸引到面板上的觸摸點(diǎn)，從而引起電容層上的電荷減少。所述面板還包括位于角落處的測量電容層上的電荷的電路?？蓽y量電荷的相對改變，且接著可將信息發(fā)送到用于處理的控制器以確定觸摸的精確位置。
[0006]通常稱作ITO薄膜的涂覆ITO的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜廣泛用于制造電容觸摸屏中。這些薄膜也用于制造從簡單的電加熱器到高度復(fù)雜的平面屏彩色顯示器的范圍內(nèi)的電子組件。ITO導(dǎo)電，且PET或PET介電。類似于由銅導(dǎo)體和作為載體的玻璃纖維電介質(zhì)組成的典型印刷電路板，ITO充當(dāng)導(dǎo)體，且PET或PEN薄膜充當(dāng)用于ITO的載體和絕緣體。然而，不同于銅，ITO是透明的，從而使得其理想使用于例如觸摸屏等應(yīng)用中。
[0007]ITO通常以連續(xù)輥的形式進(jìn)行生產(chǎn)，且被切割成一定尺寸以滿足最終應(yīng)用的要求。類似于印刷電路板，這些薄膜有時要求額外處理，在此期間通過移除ITO涂層而將圖案蝕刻到薄膜上。此工藝允許形成類似于印刷電路板的電路。在工業(yè)中使用若干種不同的工藝以蝕刻薄膜中的ΙΤ0。這些工藝中的一者為激光燒蝕。
[0008]激光燒蝕是一種通過將激光束轟擊到ITO薄膜上來將ITO從ITO薄膜中移除的工藝。如在現(xiàn)有技術(shù)圖1中所描繪，通過將激光束轟擊到ITO薄膜上來將ITO從ITO薄膜中移除。ITO薄膜上的ITO在激光束接觸ITO的地方吸收激光能量，從而燒蝕自己。此舉有效地允許在ITO上形成圖案，使得薄膜上具有ITO的區(qū)域?qū)щ?，且不具有ITO的那些區(qū)域介電。此舉有效地使得形成電路的基本構(gòu)建塊，其中ITO區(qū)域?qū)щ娗覠g區(qū)域介電。通常在激光燒蝕期間使用脈沖激光，但如果激光的強(qiáng)度足夠高，那么也可使用連續(xù)波激光束。
[0009]如在現(xiàn)有技術(shù)圖2中所描繪，可使用激光燒蝕來移除ITO的較大區(qū)域以形成較大的ITO燒蝕區(qū)。然而，此種技術(shù)耗時、低效且昂貴，因為激光的多次鄰近的通過對燒蝕整個區(qū)域是必要的。例如，如果激光束寬度為30 μ m，那么將需要333次鄰近的通過以燒蝕具有IOmm寬度的區(qū)。
[0010]用在燒蝕工藝中的激光束的特征和物理性質(zhì)通常將燒蝕路徑(激光束的寬度)限制為不大于100 μ m。因此，為了獲得要求ITO燒蝕的較大區(qū)域(例如，IOOmm2的區(qū)域)的圖案，必須燒蝕多條鄰近的線。這是一種非常耗時且低效的工藝，因為要每次在一條線上來回重復(fù)地引導(dǎo)激光以燒蝕大于燒蝕路徑的區(qū)域。在用于制造在ITO薄膜上具有要求蝕刻/燒蝕ITO的較大區(qū)域的圖案的電容觸摸屏?xí)r，此工藝變得尤其低效且經(jīng)濟(jì)上不可行。因此，例如化學(xué)蝕刻等其它工藝通常用于要求移除ITO的較大區(qū)域的圖案。然而，化學(xué)蝕刻的缺點(diǎn)是其要求使用且處置有毒和危險的化學(xué)藥品、廣泛的工藝裝備和設(shè)施、以及在用于待生產(chǎn)的每一不同圖案的工藝設(shè)計和裝置中大量投資時間和努力。因此，大體上僅對于給定圖案的大量生產(chǎn)而言是經(jīng)濟(jì)上和實際上可行的。
[0011 ] 經(jīng)常使用其中若干個ITO薄膜堆疊在一起的多層配置來制作電容觸摸屏。這種類型的電容觸摸屏構(gòu)造被稱為多層交叉投影的電容觸摸屏(MIPC)。在第2004/0119701A1號的美國專利申請公開案中揭示此類現(xiàn)有技術(shù)MIPC結(jié)構(gòu)的實例，所述公開案特此以引用的方式完全并入本文中。在MIPC結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜的個體單獨(dú)層并入有當(dāng)裝配在一起時交叉的圖案。所述交叉使得下伏層通過在上方層中的較大ITO空隙來投影電容場。由于先前認(rèn)為需要較大的ITO空隙來使其起作用，且由于上文所描述的在較大區(qū)域上方使用激光燒蝕的缺點(diǎn)，所以通常已使用化學(xué)蝕刻工藝而不使用激光燒蝕來制作MIPC。這已導(dǎo)致MIPC僅用于可有效且經(jīng)濟(jì)地使用化學(xué)工藝的大量產(chǎn)品。
[0012]通常由圖案化ITO或其它導(dǎo)電薄膜的多個個體層形成MIPC觸摸屏，如在現(xiàn)有技術(shù)圖3a、圖3b和圖4中所描繪。由ITO薄膜或其它類似的導(dǎo)電薄膜材料形成個體層結(jié)構(gòu)20、22。通過在除了圖案24區(qū)域的全部區(qū)中移除ITO而在層結(jié)構(gòu)20的表面上形成電連接墊26的第一圖案24。在燒蝕區(qū)28中，暴露了下伏聚合物材料29，大體上為PET或PEN。類似地，通過在除了圖案30區(qū)域的全部區(qū)中移除ITO而在層結(jié)構(gòu)22的表面上形成電連接墊32的第二圖案30。再次在燒蝕區(qū)34中，暴露了下伏聚合物材料35，大體上為PET或PEN。一般來說，通過使用掩?；蚱渌祟惤Y(jié)構(gòu)的化學(xué)方法來在這些現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)中執(zhí)行燒蝕ITO材料，以界定圖案24、30。
[0013]如在圖4和圖5中所描繪，接著堆疊層結(jié)構(gòu)20、22以形成MIPC結(jié)構(gòu)36。層結(jié)構(gòu)22定位在層結(jié)構(gòu)20的下方，其中圖案30的墊32與上覆圖案24的墊26之間的燒蝕區(qū)28對齊。接著，可覆蓋透明聚合物材料的頂部層38，以便呈現(xiàn)觸摸表面40。在使用中，通過層結(jié)構(gòu)20的聚合物材料29向上“投影”墊32的電容。
[0014]除了與燒蝕ITO的較大區(qū)域以形成燒蝕區(qū)28、34相關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)之外，存在與這些現(xiàn)有技術(shù)方法和結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的至少兩個其它缺點(diǎn)。第一，下伏墊32位于比墊26離觸摸表面40更大的距離處，且必須通過聚合物材料29進(jìn)行投影。這導(dǎo)致層結(jié)構(gòu)22大體上具有小于層結(jié)構(gòu)20的靈敏度，從而要求控制器電路中的適當(dāng)補(bǔ)償以保證準(zhǔn)確性。而且，ITO材料不發(fā)射入射在其上的100%的光。因此，圖案區(qū)域24、30將發(fā)射通過比燒蝕區(qū)域28、34少的光。在堆疊層結(jié)構(gòu)20、22時，電連接圖案24中的墊26的橋區(qū)域42和電連接圖案32中的墊30的橋區(qū)域44覆蓋在完成的MIPC結(jié)構(gòu)36中的點(diǎn)46處。如果圖案24、30的ITO材料足夠厚，那么這些點(diǎn)46可為肉眼可見的，從而在完成的觸摸屏上呈現(xiàn)不需要的點(diǎn)圖案。因此，在現(xiàn)有技術(shù)MIPC觸摸屏中，大體上將ITO材料制作得足夠薄以避開此效應(yīng)。但，隨著ITO層制作得越薄，圖案24、30的電阻增加，從而減少靈敏度。
[0015]工業(yè)中，存在對克服現(xiàn)有技術(shù)方法的缺點(diǎn)的制作MIPC及其它電容觸摸屏的方法的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明的實施例解決了工業(yè)的需要，且克服了用于生產(chǎn)電容觸摸屏(且尤其是MIPC)的現(xiàn)有技術(shù)方法的缺點(diǎn)。根據(jù)實施例，使用一種下文稱為策略性幾何形狀隔離(SGI)的新圖案化技術(shù)，以使用激光燒蝕使導(dǎo)電薄膜結(jié)構(gòu)圖案化。除了 ITO薄膜之外，也可使用SGI以使服從用激光或其它定向的能量束燒蝕的任何其它導(dǎo)電薄膜圖案化。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的實施例，代替于燒蝕ITO的較大區(qū)域以形成MIPC中的下伏層可通過其投影電容場的ITO空隙，SGI圖案化技術(shù)涉及將原本被燒蝕的區(qū)域保留在適當(dāng)位置，但將其電隔離?？捎脽g路徑的單個通過來完成這些區(qū)域的電隔離。在使用中，電隔離區(qū)域以類似于ITO空隙/燒蝕區(qū)域的方式來運(yùn)轉(zhuǎn)，從而允許下伏電容場通過其進(jìn)行投影。此外，由電隔離區(qū)域提供的用于組合層的耦合實際上增強(qiáng)了下伏層的電容場。這顯著改進(jìn)了 MIPC的性能。
[0018]因此，在實施例中，一種多層交叉投影的電容觸摸屏包含:實質(zhì)上透明的第一層，其包括呈現(xiàn)一對相對表面的介電薄膜，其中薄膜的相對表面中的至少一者涂有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料界定多個電互連區(qū)和與電互連區(qū)鄰近且交替散布的多個電隔離區(qū)；以及實質(zhì)上透明的第二層，其包括呈現(xiàn)一對相對表面的介電薄膜，其中薄膜的相對表面中的至少一者涂有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料界定多個電互連區(qū)和與電互連區(qū)鄰近且交替散布的多個電隔離區(qū)，第二層疊加在第一層上，使得用第二層的電隔離區(qū)覆蓋第一層的電互連區(qū)中的每一者，且用第二層的電互連區(qū)覆蓋第一層的電隔離區(qū)中的每一者。
[0019]在實施例中，第一層的導(dǎo)電材料及第二層的導(dǎo)電材料實質(zhì)上可為氧化銦錫。第一層的介電薄膜及第二層的介電薄膜實質(zhì)上可為聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯。
[0020]在進(jìn)一步的實施例中，層的電互連區(qū)可與同一層的電隔離區(qū)分離100 μ m或更少。在其它實施例中，層的電互連區(qū)可與同一層的電隔離區(qū)分離30 μ m或更少。在一些實施例中，第一層的電隔離區(qū)及第二層的電隔離區(qū)的形狀實質(zhì)上為正方形。
[0021]在進(jìn)一步的實施例中，一種制作多層交叉投影的電容觸摸屏的方法包含:通過使用定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定多個電互連區(qū)和與電互連區(qū)鄰近且交替散布的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第一實質(zhì)上透明的屏幕層；以及通過使用定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定多個電互連區(qū)和與電互連區(qū)鄰近且交替散布的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第二實質(zhì)上透明的屏幕層。所述方法可進(jìn)一步包含在第一層上疊加第二層，使得用第二層的電隔離區(qū)覆蓋第一層的電互連區(qū)中的每一者，且用第二層的電互連區(qū)覆蓋第一層的電隔離區(qū)中的每一者。
[0022]在本發(fā)明的實施例中，定向的能量束燒蝕裝置為激光器。在其它實施例中，定向的能量束燒蝕裝置可為電子束產(chǎn)生器或微波束產(chǎn)生器。
[0023]在一些實施例中，用定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成在第一層的導(dǎo)電材料中界定多個電互連區(qū)和多個電隔離區(qū)的步驟。在一些實施例中，用定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成在第二層的導(dǎo)電材料中界定多個電互連區(qū)和多個電隔離區(qū)的步驟。
[0024]在其它實施例中，電容觸摸屏包含至少一個實質(zhì)上透明的層，其包括呈現(xiàn)一對相對表面的介電薄膜，其中薄膜的相對表面中的至少一者涂有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料界定多個電互連區(qū)和與電互連區(qū)鄰近且交替散布的多個電隔離區(qū)。導(dǎo)電材料實質(zhì)上可為氧化銦錫。介電薄膜實質(zhì)上可為聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯。在一些實施例中，電互連區(qū)可與電隔離區(qū)分離ΙΟΟμπι或更少。在其它實施例中，電互連區(qū)可與電隔離區(qū)分離30 μ m或更少。在進(jìn)一步的實施例中，電隔離區(qū)的形狀實質(zhì)上可為正方形。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]結(jié)合附圖，考慮對本發(fā)明的各種實施例的下述詳細(xì)描述可更完全地理解本發(fā)明，在附圖中:
[0026]圖1描繪用于蝕刻ITO薄膜的激光燒蝕的現(xiàn)有技術(shù)工藝；
[0027]圖2描繪用于在ITO薄膜上蝕刻多條鄰近線的激光燒蝕的現(xiàn)有技術(shù)使用；
[0028]圖3a描繪根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)工藝蝕刻以形成在MIPC觸摸屏中使用的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的ITO薄膜的區(qū)段；
[0029]圖3b結(jié)合圖3a的區(qū)段描繪根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)工藝蝕刻以形成在MIPC觸摸屏中使用的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的ITO薄膜的區(qū)段；
[0030]圖4描繪在MIPC觸摸屏中在一起成層的圖3a和3b的區(qū)段；
[0031]圖5為在圖4的截面5-5處截得的橫截面圖；
[0032]圖6為根據(jù)本發(fā)明的實施例的MIPC觸摸屏的片段部分的俯視圖；
[0033]圖7為展示用于在完成的中間階段中的策略性幾何形狀隔離方法的燒蝕路徑的涂有ITO的薄膜區(qū)段的片段圖；
[0034]圖8為展示在完成的稍后的中間階段處的燒蝕路徑的圖7的涂有ITO的薄膜區(qū)段的片段圖；
[0035]圖9為展示在完成處的燒蝕路徑的圖7的涂有ITO的薄膜區(qū)段的片段圖；
[0036]圖10為根據(jù)本發(fā)明的實施例燒蝕的ITO薄膜區(qū)段的俯視圖，描繪了與電互連區(qū)鄰近且交替散布的電隔離區(qū)；
[0037]圖11為在圖10的截面11-11處截得的橫截面圖；
[0038]圖12為根據(jù)本發(fā)明的實施例的MIPC觸摸屏結(jié)構(gòu)的片段俯視圖；以及
[0039]圖13為在圖12的截面13-13處截得的橫截面圖。
[0040]雖然本發(fā)明服從各種修改和替代形式，但是已在圖中通過實例的方式展示且將詳細(xì)描述本發(fā)明的細(xì)節(jié)。然而，應(yīng)了解，意圖不是將本發(fā)明限于所描述的特定實施例。相反，意圖是涵蓋屬于本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的全部修改、均等物和替代方案。
【具體實施方式】[0041]在對本發(fā)明的下述詳細(xì)描述中，陳述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的全面理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，可在不具有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實踐本發(fā)明。在其它例子中，并未詳細(xì)描述已知的方法、程序和組件，以免不必要地混淆本發(fā)明的方面。
[0042]本發(fā)明是針對電容觸摸屏及用于制作電容觸摸屏的方法。本文所描述的用于制造MIPC的技術(shù)可被稱為策略性幾何形狀隔離(SGI)。代替燒蝕ITO的較大區(qū)域，根據(jù)本發(fā)明的實施例的SGI圖案化技術(shù)涉及在ITO薄膜上界定電隔離區(qū)。
[0043]如在圖7到圖11中所描繪，通過使用定向的能量束燒蝕裝置(例如，激光)在箭頭方向上燒蝕單個路徑以形成由電隔離導(dǎo)電區(qū)54分離的鄰近電互連導(dǎo)電區(qū)52而由ITO薄膜48形成層結(jié)構(gòu)47。有利的是，可在單個通過中執(zhí)行燒蝕，且燒蝕路徑大體上僅需與能量束本身一樣寬。接著，可以類似的形式由ITO薄膜形成一個或一個以上其它層結(jié)構(gòu)56。這些層結(jié)構(gòu)56中的每一者具有由電隔離導(dǎo)電區(qū)60分離的鄰近電連接導(dǎo)電區(qū)58。如在圖6、圖12和圖13中所描繪，接著將層結(jié)構(gòu)47覆蓋在層結(jié)構(gòu)56上，以形成MIPC結(jié)構(gòu)62。區(qū)52的墊64在層結(jié)構(gòu)56的電隔離導(dǎo)電區(qū)60的上方對齊，而區(qū)58的墊66在層結(jié)構(gòu)47的電隔離導(dǎo)電區(qū)54的下方對齊。
[0044]用SGI圖案化技術(shù)形成的MIPC結(jié)構(gòu)62具有超過現(xiàn)有技術(shù)MIPC結(jié)構(gòu)的若干個重要的優(yōu)點(diǎn)。一個優(yōu)點(diǎn)是，在使用中，下伏層結(jié)構(gòu)56的墊66與上覆電隔離導(dǎo)電區(qū)54電容性耦合，從而有效地將墊66的電容效應(yīng)向上“延伸”到觸摸表面68。從而，層結(jié)構(gòu)47和56的靈敏度比在現(xiàn)有技術(shù)MIPC結(jié)構(gòu)中更均勻地匹配，從而完全排除或消除在觸摸屏控制器中的補(bǔ)償?shù)男枰?，且改進(jìn)觸摸屏的整體靈敏度和性能。
[0045]MIPC結(jié)構(gòu)62的另一優(yōu)點(diǎn)在于以下事實:僅在非常窄的激光燒蝕路徑50中對ITO材料進(jìn)行燒蝕。路徑50通常僅為激光燒蝕束的寬度，且通常為肉眼不可見的。優(yōu)選的是，在一些實施例中，燒蝕路徑的寬度為100 μ m或更少，且在一些實施例中，可為30 μ m或更少。結(jié)果，由于不存在肉眼可見的燒蝕區(qū)，所以通過層結(jié)構(gòu)47和56的所有部分的光透射幾乎是均質(zhì)的。在堆疊層結(jié)構(gòu)47、56時，電連接區(qū)52中的墊64的橋區(qū)域70和電連接區(qū)58中的墊66的橋區(qū)域72覆蓋在完成的MIPC結(jié)構(gòu)62中的點(diǎn)74處，如在圖12中所描繪。但，因為層47、56的光透射是均質(zhì)的，所以點(diǎn)74大體上為肉眼不可見的，而與區(qū)52、58中的ITO厚度無關(guān)。因此，ITO材料可比在現(xiàn)有技術(shù)MIPC觸摸屏中厚，而無需損害外觀，且從而改進(jìn)觸摸屏靈敏度和性能。
[0046]除了這些優(yōu)點(diǎn)之外，根據(jù)本發(fā)明的實施例的SGI圖案化方法通過使用激光燒蝕使得能夠進(jìn)行制造成本有效的電容觸摸屏組件?？稍谌绗F(xiàn)有技術(shù)方法所要的較大區(qū)域的燒蝕必須的小部分時間中執(zhí)行SGI圖案化的單個通過燒蝕。此外，使用定向的能量束燒蝕技術(shù)使得避開了其它現(xiàn)有技術(shù)方法(例如，化學(xué)蝕刻)的費(fèi)用和困難。
[0047]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明中將了解，本發(fā)明的許多變化是可預(yù)期的，且在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，除了 ITO薄膜之外，可使用SGI技術(shù)對任何其它導(dǎo)電薄膜材料進(jìn)行圖案化，包含(例如)其上具有不同導(dǎo)電材料的薄膜(例如，碳納米管)。應(yīng)理解，可使用經(jīng)受能量束燒蝕的任何材料。還應(yīng)理解，本發(fā)明不限于特定的幾何形狀或物理結(jié)構(gòu)。例如，可用本方法形成交替導(dǎo)電圖案和電隔離導(dǎo)電區(qū)域的任何圖案，無論是通過燒蝕連續(xù)的單個路徑還是多個連續(xù)路徑來完成。而且，盡管本文中描繪具有兩層的MIPC結(jié)構(gòu)，但根據(jù)本發(fā)明的實施例，任何數(shù)目的具有交叉結(jié)構(gòu)的層可組合形成MIPC結(jié)構(gòu)。另外，盡管在上文所描述的實施例涉及使用激光能量的燒蝕，但應(yīng)理解，可適合于燒蝕的其它定向的能量束包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)，包含(例如但不限于)電子束或微波束。
[0048]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明后可了解對本發(fā)明的各種修改。例如，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，針對本發(fā)明的不同實施例的所描述的各種特征可在本發(fā)明的精神內(nèi)單獨(dú)或以不同組合形式與其它特征適當(dāng)組合、解除組合和重新組合。同樣地，上文所描述的各種特征應(yīng)全部視為實例實施例，而不是對本發(fā)明的范圍或精神的限制。因此，上文并不預(yù)期限制本發(fā)明的范圍。
[0049]出于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案的目的，除非在技術(shù)方案中陳述具體的術(shù)語“用于……的裝置”或“用于……的步驟``”，否則明顯希望不實行35U.S.C第六段112節(jié)的條款。
【權(quán)利要求】
1.一種制作多層交叉投影的電容觸摸屏的方法，其包括: 通過使用定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定由所述導(dǎo)電材料形成的多個電互連區(qū)和與所述電互連區(qū)鄰近且交替散布的由所述導(dǎo)電材料形成的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第一實質(zhì)上透明的屏幕層； 通過使用所述定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定由所述導(dǎo)電材料形成的多個電互連區(qū)和與所述電互連區(qū)鄰近且交替散布的由所述導(dǎo)電材料形成的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第二實質(zhì)上透明的屏幕層；以及 在所述第一層上疊加所述第二層，使得用所述第二層的電隔離區(qū)覆蓋所述第一層的所述電互連區(qū)中的每一者，且用所述第二層的電互連區(qū)覆蓋所述第一層的所述電隔離區(qū)中的每一者。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述定向的能量束燒蝕裝置為激光器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中用所述定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成所述在所述第一層的所述導(dǎo)電材料中界定所述多個電互連區(qū)和所述多個電隔離區(qū)的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中用所述定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成所述在所述第二層的所述導(dǎo)電材料中界定所述多個電互連區(qū)和所述多個電隔離區(qū)的步驟。
5.—種電容觸摸屏,其包括: 至少一個實質(zhì)上透明的層，其包括呈現(xiàn)一對相對表面的介電薄膜，其中所述薄膜的所述相對表面中的至少一者涂有導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料界定多個電互連區(qū)和與所述電互連區(qū)鄰近且交替散布的由所述導(dǎo)電材料形成的多個電隔離區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其中所述導(dǎo)電材料實質(zhì)上包括氧化銦錫。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其中所述介電薄膜實質(zhì)上包括聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其中所述電互連區(qū)與所述電隔離區(qū)分離100μ m或更少。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其中所述電互連區(qū)與所述電隔離區(qū)分離30μ m或更少。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸摸屏，其中所述電隔離區(qū)的形狀實質(zhì)上為正方形。
11.一種制作多層交叉投影的電容觸摸屏的方法，其包括: 通過使用定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定由所述導(dǎo)電材料形成的多個電互連區(qū)和與所述多個電互連區(qū)鄰近且交替散布的由所述導(dǎo)電材料形成的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第一實質(zhì)上透明的屏幕層，其中每個電互連區(qū)由多個直接連接的電連接墊構(gòu)成； 通過使用所述定向的能量束燒蝕裝置在涂在介電材料上的導(dǎo)電材料中界定由所述導(dǎo)電材料形成的多個電互連區(qū)和與所述多個電互連區(qū)鄰近且交替散布的由所述導(dǎo)電材料形成的多個電隔離區(qū)，來生產(chǎn)第二實質(zhì)上透明的屏幕層，其中每個電互連區(qū)由多個直接連接的電連接墊構(gòu)成；以及 在所述第一層上疊加所述第二層，使得用所述第二層的相應(yīng)電隔離區(qū)覆蓋所述第一層的所述電互連區(qū)的多個直接連接的電連接墊中的每一者，且用所述第二層的多個直接連接的電連接墊中相應(yīng)一個電連接墊覆蓋所述第一層的所述電隔離區(qū)中的每一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述定向的能量束燒蝕裝置為激光器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中用所述定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成所述在所述第一層的所述導(dǎo)電材料中界定所述多個電互連區(qū)和所述多個電隔離區(qū)的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中用所述定向的能量束燒蝕裝置的一個連續(xù)通過來完成所述在所述第二層的所述導(dǎo)電材料中界定所述多個電互連區(qū)和所述多個電隔離區(qū)的步驟。`
【文檔編號】G06F3/044GK103699279SQ201310617862
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2008年11月6日
【發(fā)明者】巴哈爾·瓦迪亞 申請人:Uico公司