超薄導電膜電容觸摸屏的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種超薄導電膜電容觸摸屏，包括從下往上依次層疊設置的一PET基層、一ITO導電層、一絕緣層、一金屬層與一保護層；所述ITO導電層與PET基層的厚度之和小于或等于0.2mm；所述ITO導電層在橫向與縱向上分別設置有數(shù)量若干的導電群組；所述ITO導電層、絕緣層及金屬層上分別蝕刻有若干的凹槽；該金屬層的邊緣與所述ITO導電層相接觸，金屬層中間位置與所述ITO導電層之間隔設置；所述絕緣層固定在金屬層與ITO導電層之間的間隔內(nèi)。本實用新型的觸摸屏大幅度降低了產(chǎn)品的厚度和生產(chǎn)成本。
【專利說明】超薄導電膜電容觸摸屏

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及觸摸屏【技術領域】，具體涉及一種超薄導電膜電容觸摸屏。

【背景技術】
[0002] 目前電容式觸摸屏（電容式觸控面板)仍舊以兩層ITO (Indium Tin Oxides，一種 納米銦錫金屬氧化物）膜為主，兩層ΙΤ0膜的成本占據(jù)了整個觸控面板成本的20%以上，且 ΙΤ0膜因為原材料的緊缺性、技術的壟斷性和產(chǎn)能不足等原因，價格下調(diào)空間比較有限。另 夕卜，從未來電容式觸控面板發(fā)展的幾個方向來看，輕薄化是觸控面板業(yè)未來發(fā)展的一個重 要方向，隨著觸控面板尺寸越來越大，消費者對輕薄化的訴求會越強烈。因此現(xiàn)有的電容式 觸摸屏制作成本較高，且難以滿足消費者的需求。 實用新型內(nèi)容
[0003] 針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種結構合理、制作成本低的 超薄導電膜電容觸摸屏。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案：
[0005] -種超薄導電膜電容觸摸屏，包括從下往上依次層疊設置的一 PET基層、一 ΙΤ0導 電層、一絕緣層、一金屬層與一保護層；所述ΙΤ0導電層與PET基層的厚度之和小于或等于 0. 2mm ;所述ΙΤ0導電層在橫向與縱向上分別設置有數(shù)量若干的導電群組；所述ΙΤ0導電 層、絕緣層及金屬層上分別蝕刻有若干的凹槽；該金屬層的邊緣與所述ΙΤ0導電層相接觸， 金屬層中間位置與所述ΙΤ0導電層之間隔設置；所述絕緣層固定在金屬層與ΙΤ0導電層之 間的間隔內(nèi)。
[0006] 優(yōu)選地，所述ΙΤ0導電層與PET基層的厚度之和為0. 1-0. 2mm。
[0007] 優(yōu)選地，所述PET基層與ΙΤ0導電層之間設置有一層厚度為100-180埃左右的SI02 墊層。
[0008] 優(yōu)選地，所述絕緣層由SINX或SI02制成。
[0009] 優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度為1500-3500埃。
[0010] 優(yōu)選地，所述絕緣層與Ι--導電層上的凹槽對應的位置朝向該ΙΤ0導電層方向凸 設有一外凸絕緣凸塊；該絕緣層上的凹槽僅貫穿絕緣層的上表面，且位于該絕緣凸塊的正 上方。
[0011] 優(yōu)選地，所述金屬層由AG、AL、⑶或M0ALM0制成。
[0012] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為2500-3500埃；該金屬層上與所述絕緣層的凹槽對 齊的位置分別凸設有金屬凸塊；該金屬凸塊鑲嵌在絕緣層的凹槽內(nèi)；該金屬層上的凹槽與 金屬凸塊對齊。
[0013] 優(yōu)選地，所述保護層是采用0C材料制成。
[0014] 優(yōu)選地，所述保護層的厚度為1. 6-1. 8um。
[0015] 本實用新型的有益效果：
[0016] 本實用新型的超薄導電膜電容觸摸屏僅適用了一層厚度小于或等02mm的ΙΤ0導 電層，且所述ΙΤ0導電層在橫向與縱向上分別設置有數(shù)量若干的導電群組及該金屬層的邊 緣與所述ΙΤ0導電層相接觸，金屬層中間位置與所述ΙΤ0導電層之間隔設置，使得金屬層 為搭橋式位于ΙΤ0導電層上方，從而使得ΙΤ0導電層與PET基層的厚度之和小于或等與于 0. 2mm的ΙΤ0導電層也能較好的實現(xiàn)各種操作。所以本實用新型的觸摸屏大幅度降低了產(chǎn) 品的厚度和生產(chǎn)成本。
[0017] 另外僅使用一層厚度小于0. 2mm的ΙΤ0導電層來替代原來兩層ΙΤ0導電層、兩層 光學膠（0CA)和一層玻璃蓋板；所述本實用新型的電容式觸控面板，較好的順應了觸控面 板業(yè)未來發(fā)展的這一重要方向，且該產(chǎn)品在大尺寸產(chǎn)品全貼合（Full Lamination)領域具 有非常明顯的優(yōu)勢。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1為本實用新型的實施例中超薄導電膜電容觸摸屏的縱截面圖。
[0019] 圖中：1、PET基層；2、IT0導電層；3、絕緣層；31、絕緣塊；4、金屬層；41、金屬凸塊； 5、保護層。

【具體實施方式】
[0020] 下面，結合附圖以及【具體實施方式】，對本實用新型做進一步描述：
[0021] 參照圖1，本實施例所述的一種超薄導電膜電容觸摸屏，包括從下往上依次層疊設 置的一 PET基層1 (polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯）、一 ΙΤ0導電層 2、一絕緣層3、一金屬層4與一保護層5。所述ΙΤ0導電層2與PET基層1的厚度之和小于 或等于0. 2mm。優(yōu)選地，該ΙΤ0導電層2與PET基層1的厚度之和為0. 1-0. 2mm。結合參照 圖2,所述ΙΤ0導電層2在橫向與縱向上分別設置有數(shù)量若干的導電群組（圖未示)。所述導 電群組以使得在僅需一層ΙΤ0導電層2即可實現(xiàn)傳統(tǒng)的兩層ΙΤ0導電層2通過一層光學膠 (0CA)貼合后所能實現(xiàn)的功能。所述ΙΤ0導電層2、絕緣層3及金屬層4上分別蝕刻有若干 的凹槽（圖未標)。所述ΙΤ0導電層1上的所有凹槽可以組成預定形狀的圖案。本實施例中 所述的導電群組可為已有技術，因此不予贅述。
[0022] 所述PET基層1的厚度小于0. 2mm。所述PET基層1與ΙΤ0導電層2之間還可以 鍍有一層厚度為100-180埃左右的SI02 (二氧化硅）墊層（圖未示)。所述ΙΤ0導電層2包 括一 ΙΤ0本體層（圖未標）及印刷在該ΙΤ0本體層上的感應電極（圖未標)。
[0023] 所述絕緣層3可以由SINX (氮化硅）或SI02制成，其厚度可為1500-3500埃。所 述絕緣層3上與ΙΤ0導電層2的凹槽相對應的位置朝向該ΙΤ0導電層2方向凸設有一外凸 絕緣凸塊31。該絕緣層3上的凹槽僅貫穿絕緣層3的上表面，且位于該絕緣凸塊31的正上 方。
[0024] 所述金屬層4由AG(銀）、AL(鋁）、⑶（銅）或M0ALM0 (鑰鋁鑰）制成。該金屬層 4的厚度可為2500-3500埃。該金屬層4的邊緣與所述ΙΤ0導電層2相接觸，金屬層4中間 位置與所述ΙΤ0導電層2之間隔設置。所述絕緣層3固定在金屬層4與ΙΤ0導電層2之間 的間隔內(nèi)。使得該金屬層4為一搭橋狀位于ΙΤ0導電層2的上方；且絕緣層3位于該搭橋 內(nèi)。通過將金屬層4搭橋式的設置在一層ΙΤ0導電層2上實現(xiàn)了傳統(tǒng)的具有兩層ΙΤ0導電 層2貼合后所能實現(xiàn)的功能。該金屬層4上與所述絕緣層3的凹槽對齊的位置分別凸設有 金屬凸塊41。該金屬凸塊41鑲嵌在絕緣層3的凹槽內(nèi)。該金屬層4上的凹槽與金屬凸塊 41對齊。
[0025] 所述保護層5是采用0C (有機光阻：由有機溶劑、樹脂、感光劑等組成)材料制成， 其厚度為1. 6-1. 8um。
[0026] 本實用新型的超薄導電膜電容觸摸屏，僅使用一層厚度小于0. 2mm的ΙΤ0導電層 2來實現(xiàn)了與傳統(tǒng)兩層ΙΤ0導電層2、兩層光學膠（0CA)和一層玻璃蓋板組成的電容式觸控 面板相同的效果，從而大幅度降低了產(chǎn)品的厚度和生產(chǎn)成本，且該產(chǎn)品在大尺寸產(chǎn)品全貼 合（Full Lamination)領域具有非常明顯的優(yōu)勢。
[0027] 對本領域的技術人員來說，可根據(jù)以上描述的技術方案以及構思，做出其它各種 相應的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應該屬于本實用新型權利要求的保護 范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1. 超薄導電膜電容觸摸屏，包括從下往上依次層疊設置的一 PET基層、一 ITO導電層、 一絕緣層、一金屬層與一保護層；其特征在于：所述ΙΤ0導電層與PET基層的厚度之和小于 或等于0. 2mm ;所述IT0導電層在橫向與縱向上分別設置有數(shù)量若干的導電群組；所述IT0 導電層、絕緣層及金屬層上分別蝕刻有若干的凹槽；該金屬層的邊緣與所述IT0導電層相 接觸，金屬層中間位置與所述IT0導電層之間隔設置；所述絕緣層固定在金屬層與IT0導電 層之間的間隔內(nèi)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述IT0導電層與PET 基層的厚度之和為0. 1-0. 2mm。
3. 根據(jù)權利要求2所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述PET基層與ITO導 電層之間設置有一層厚度為100-180埃的SI02墊層。
4. 根據(jù)權利要求1所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣層由SINX或 SI02制成。
5. 根據(jù)權利要求4所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣層的厚度為 1500-3500 埃。
6. 根據(jù)權利要求5所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣層上與IT0 導電層的凹槽相對應的位置朝向該IT0導電層方向凸設有一外凸絕緣凸塊；該絕緣層上的 凹槽僅貫穿絕緣層的上表面，且位于該絕緣凸塊的正上方。
7. 根據(jù)權利要求1所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述金屬層由AG、AL、 CU或M0ALM0制成。
8. 根據(jù)權利要求7所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述金屬層的厚度為 2500-3500埃；該金屬層上與所述絕緣層的凹槽對齊的位置分別凸設有金屬凸塊；該金屬 凸塊鑲嵌在絕緣層的凹槽內(nèi)；該金屬層上的凹槽與金屬凸塊對齊。
9. 根據(jù)權利要求1所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述保護層是采用0C 材料制成。
10. 根據(jù)權利要求9所述的超薄導電膜電容觸摸屏，其特征在于：所述保護層的厚度為 L 6_L 8um〇
【文檔編號】G06F3/044GK203849716SQ201420172585
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權日:2014年4月10日
【發(fā)明者】毛肖林 申請人:深圳市深越光電技術有限公司