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      小目標defect檢測方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品與流程

      文檔序號:40377135發(fā)布日期:2024-12-20 11:59閱讀:11來源:國知局
      小目標defect檢測方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品與流程

      本申請涉及半導(dǎo)體缺陷檢測領(lǐng)域,尤其涉及一種小目標defect檢測方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。


      背景技術(shù):

      1、光刻掩膜版在集成電路制造和微細加工中起著至關(guān)重要的作用。掩膜版是一種高精度的掩膜,用于將電路圖案轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓上。制作光刻掩膜版的流程復(fù)雜且精密,通常包括以下步驟:基板準備、涂覆光刻膠、曝光、顯影、蝕刻、去除光刻膠、檢測與修復(fù)、清洗與包裝等。光刻掩膜版在經(jīng)過這些復(fù)雜的工序中,會產(chǎn)生各種各樣的缺陷(defect)。

      2、目前在上述加工工序中,對于這些缺陷的檢測,通常采用人工肉眼判斷和傳統(tǒng)計算機視覺檢測的方法。人工肉眼判斷容易疲勞且效率低下,而傳統(tǒng)的計算機視覺檢測方法對光刻掩膜版上的缺陷檢測效果不佳,尤其是對于小尺度的缺陷,檢測精度較差。傳統(tǒng)的計算機視覺方法主要依賴于預(yù)定義的規(guī)則和閾值,如邊緣檢測、形態(tài)學(xué)操作等。這些算法在處理簡單、規(guī)則的圖案時效果較好,但在處理復(fù)雜、不規(guī)則的圖案以及微小或非典型的缺陷時,檢測精度明顯不足,容易出現(xiàn)漏檢或誤檢。

      3、隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展,對光刻掩膜版缺陷檢測的精度和效率提出了更高的要求。傳統(tǒng)方法已經(jīng)難以滿足這些要求,因此亟需一種新的檢測方法來提高缺陷檢測的精度和效率。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本申請的一個目的是提供一種小目標defect檢測方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品,至少用以解決光刻掩膜版小目標缺陷檢測效果差的問題。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本申請的一些實施例提供了以下幾個方面:

      3、第一方面,本申請的一些實施例還提供了一種小目標defect檢測方法。方法包括收集帶有defect的圖片數(shù)據(jù)集;對所述圖片數(shù)據(jù)集的defect進行粗粒度和細粒度分類,并標注出defect的類別和位置信息;基于所述圖片數(shù)據(jù)集,對訓(xùn)練圖片按照預(yù)定尺寸進行切分;將所述訓(xùn)練圖片切割成多張訓(xùn)練子圖;構(gòu)建深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型,通過所述訓(xùn)練子圖對所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型進行訓(xùn)練;對待檢測圖片按照預(yù)定尺寸進行切分,將所述待檢測圖片切割成多張待檢測子圖;通過訓(xùn)練后的所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型對所述待檢測子圖進行檢測,將檢測結(jié)果拼接映射回所述待檢測圖片。

      4、第二方面,本申請的一些實施例還提供了一種電子設(shè)備,所述電子設(shè)備包括:一個或多個處理器;以及存儲有計算機程序指令的存儲器,所述計算機程序指令在被執(zhí)行時使所述處理器執(zhí)行如上所述方法的步驟。

      5、第三方面,本申請的一些實施例還提供了一種計算機可讀介質(zhì),其上存儲有計算機程序指令,所述計算機程序指令可被處理器執(zhí)行以實現(xiàn)如上所述的方法。

      6、第四方面,本申請的一些實施例還提供了一種計算機程序產(chǎn)品,包括計算機程序/指令,該計算機程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上所述方法的步驟。

      7、與相關(guān)技術(shù)相比,本申請實施例提供的方案中,采用基于切圖拼圖的數(shù)據(jù)處理方法、優(yōu)化的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型訓(xùn)練以及持續(xù)的模型迭代優(yōu)化,顯著提升了光刻掩膜版缺陷檢測的精度和效率,尤其是對小目標缺陷的檢測效果。此方法不僅提高了檢測的準確率和魯棒性,減少了人工干預(yù),還提高了光罩廠工序的整體效率,顯著降低了生產(chǎn)成本。



      技術(shù)特征:

      1.一種小目標defect檢測方法,其特征在于,所述方法包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對所述圖片數(shù)據(jù)集的defect進行粗粒度和細粒度分類包括:

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述標注出defect的類別和位置信息包括:

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過所述訓(xùn)練子圖對所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型進行訓(xùn)練包括:

      5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法,其特征在于,所述將檢測結(jié)果拼接映射回所述待檢測圖片包括:

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

      7.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:

      8.一種計算機可讀介質(zhì),其上存儲有計算機程序/指令,其特征在于,所述計算機程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任意一項所述方法的步驟。

      9.一種計算機程序產(chǎn)品,包括計算機程序/指令,其特征在于,該計算機程序/指令被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任意一項所述方法的步驟。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請實施例涉及半導(dǎo)體缺陷檢測領(lǐng)域,公開了一種小目標defect檢測方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。收集帶有defect的圖片數(shù)據(jù)集;對所述圖片數(shù)據(jù)集的defect進行粗粒度和細粒度分類;基于所述圖片數(shù)據(jù)集,對訓(xùn)練圖片按照預(yù)定尺寸進行切分;將所述訓(xùn)練圖片切割成多張訓(xùn)練子圖;構(gòu)建深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型,通過所述訓(xùn)練子圖對所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型進行訓(xùn)練;通過訓(xùn)練后的所述深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)目標檢測模型對所述待檢測子圖進行檢測,將檢測結(jié)果拼接映射回所述待檢測圖片。可以至少用以解決光刻掩膜版小目標缺陷檢測效果差的問題。

      技術(shù)研發(fā)人員:宋慶強,蔣越,趙京雷
      受保護的技術(shù)使用者:上海朋熙半導(dǎo)體有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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