專利名稱：寫入或讀出數(shù)據(jù)用的設備及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及存儲信息的媒體。
迄今，半導體存儲器備有冗余電路。該冗余電路具有利用備用存儲單元代替有缺陷的存儲單元的功能。因此，即使存儲器的一部分有缺陷，也能防止出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯誤。
可是，備用存儲單元數(shù)(列或行)受成本和補救效率方面的限制。因此，如果有缺陷的存儲單元數(shù)超過備用存儲單元數(shù)(列或行)時，該超過的部分就不能補救了。
迄今，硬盤含有缺陷單元時，便避開含有該缺陷單元的扇區(qū)而記錄信息。因此，硬盤的存儲容量實際上是減少了。
這樣，在現(xiàn)有的半導體存儲器中，存在的缺點是當有缺陷的存儲單元數(shù)超過備用存儲單元數(shù)(列或行)時，該超過部分不能補救。另一個缺點是在硬盤中避開含有缺陷單元的扇區(qū)記錄信息，因此硬盤的存儲容量實際上減少了。
本發(fā)明就是為了解決上述缺點而研究成功的，其目的是在RAM、ROM等半導體存儲器中，即使不補救有缺陷的存儲單元，也能將數(shù)據(jù)錯誤產(chǎn)生的影響抑制在最小限度，在HD(硬盤)、FD(軟盤)、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、MT(磁帶)等記錄媒體中，即使有有缺陷的扇區(qū)，也能將數(shù)據(jù)錯誤產(chǎn)生的影響抑制在最小限度。
為了達到上述目的，本發(fā)明的存儲設備是寫入由具有各不相同的權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，它備有有多個區(qū)域的存儲裝置；在上述多個區(qū)域中，當預定寫入上述多個位中的第1位的第1區(qū)域中有缺陷部分時，將上述多個位重新排列的第1重新排列裝置；以及控制上述第1重新排列裝置的控制裝置，以便將具有比第1位的權重小的權重的第2位寫入第1區(qū)域，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域。
本發(fā)明的存儲設備是寫入由具有各不相同的權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，它備有多個區(qū)域而各區(qū)域由多個部分構成的存儲裝置；給出指定存儲上述多個位的上述多個區(qū)域中的部分的地址的尋址裝置；上述多個區(qū)域中預定寫入上述多個位中的第1位的第1區(qū)域中有缺陷部分、而且上述地址指定上述缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制第1重新排列裝置的控制裝置，以便將其權重比第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域的上述缺陷部分，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域中的部分。
本發(fā)明的存儲設備還備有重新排列從存儲裝置讀出的多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，以便使從存儲裝置讀出的第1及第2位回到正確的位置。
上述第2位可以是LSB(最低有效位)。
當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域中有缺陷時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域中有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置便控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域的缺陷部分，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
第1及第2重新排列裝置例如由多個選擇器構成。第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位寫入第1區(qū)域。
控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部。控制裝置還有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
控制裝置有存儲有關指定缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部、以及存儲第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將第2位存入第1區(qū)域的缺陷部分。
存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤，CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
本發(fā)明的存儲設備是寫入由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，它備有多個區(qū)域的存儲裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中由互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制該第1重新排列裝置的控制裝置，以便將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域。
本發(fā)明的存儲設備是寫入由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，它備有有多個區(qū)域而各區(qū)域由多個部分構成的存儲裝置；給出指定存儲上述多個位的上述多個區(qū)域的部分的地址的尋址裝置；上述多個區(qū)域中預定寫入上述多個位中由互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制第1重新排列裝置的控制裝置，以便將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
本發(fā)明的存儲設備還備有重新排列從存儲裝置讀出的多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位群回到正確的位置。
第2位群可以是包含LSB的位群。
當上述多個區(qū)域中預定寫入由上述多個位中互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制的第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域，而將第3位群寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分，而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域的缺陷部分，而將第3位群寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
第1及第2重新排列裝置例如由多個選擇器構成。第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2群寫入第1區(qū)域。
控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部。控制裝置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
控制裝置有存儲有關指定缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部，以及存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部，控制裝置控制第1重新排列裝置，以便當由尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，將第2位群存入上述缺陷部分。
存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器，硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
本發(fā)明的設備是將由具有各不相同的權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，它備有當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分時，將上述多個位重新排列的第1重新排列裝置；以及控制第1重新排列裝置的控制裝置，以便將其權重比第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域。
本發(fā)明的設備是將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，它備有給出指定存儲上述多個位的多個區(qū)域的部分的地址的尋址裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制第1重新排列裝置的控制裝置，以便將其權重比第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
本發(fā)明的設備還備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位回到正確的位置。
上述第2位可以是LSB。
當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域的缺陷部分，而將第3位寫入第2位以外的其它區(qū)域的部分。
第1及第2重新排列裝置例如由多個選擇器構成。第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制移位寄存器，將第2位寫入第1區(qū)域。
控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部?？刂蒲b置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
控制裝置有存儲有關指定缺陷部分的錯誤地址的信息存儲部、以及存儲第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將上述第2位存入第1區(qū)域的缺陷部分。
存儲裝置的上述多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
本發(fā)明的設備是將由具有各不相同的權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，它備有當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分時重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制該第1重新排列裝置的控制裝置，以便將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域。
本發(fā)明的設備是將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，它備有給出指定存儲多個位的多個區(qū)域的部分地址的尋址裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及控制第1重新排列裝置的控制裝置，以便將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域部分。
本發(fā)明的設備還備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位群回到正確的位置。
上述第2位群可以是包含LSB的位群。
當上述多個區(qū)域中預定寫入由上述多位相互連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域存在缺陷部分時，上述控制裝置控制上述第1重新排列裝置，將由其權重比構成上述第3位群的各位的權重小的相互連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入上述第2區(qū)域，將上述第3位群寫入上述第2區(qū)域以外的另一區(qū)域。
當上述多個區(qū)域中預定寫入由上述多個位的相互連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域存在缺陷部分、并且上述地址指定上述缺欠部分時，上述控制裝置控制上述第1重新排列裝置，將由其權重比構成上述第3位群的各位的權重小的相互連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入上述第2區(qū)域的上述缺陷部分，將上述第3位群寫入上述第2區(qū)域以外的另一區(qū)域的部分。
上述第1及第2重新排列裝置，例如由多個選擇器構成。上述第1重新排列裝置具有輸入上述多位的移位寄存器，上述控制裝置控制上述移位寄存器將上述第2位群寫入上述第1區(qū)域。
上述控制裝置具有存儲著與上述第1區(qū)域有關的信息的存儲部。上述控制裝置具有存儲著與上述第1及第2區(qū)域有關的信息的存儲部。
上述控制裝置具有存儲著與指定上述缺欠部分的錯誤地址有關的信息的存儲部，和存儲著與上述第1區(qū)域有關的信息的存儲部；在由上述尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，控制裝置控制上述第1重新排列裝置使上述第2位群存儲在上述缺欠部分。
上述存儲裝置的上述多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變政寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
本發(fā)明的方法是將由具有各不相同的權重的多位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域，并且，從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出上述數(shù)據(jù)的方法，當上述多個區(qū)域中預定寫入上述多位中的第1位的第1區(qū)域存在缺陷部分時，重新排列上述多位，將其權重比上述第1位的權重小的第2位寫入上述第1區(qū)域，將上述第1位寫入上述第1區(qū)域以外的另一區(qū)域，重新排列從上述存儲裝置讀出的上述多位，使上述第1及第2位返回正確位置。
在上述第1區(qū)域最好寫入LSB。
本發(fā)明的方法是將由具有各不相同的權重的多位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域，并且，從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出上述數(shù)據(jù)的方法，具由以下一連串步驟構成，提供指定存儲上述多位的上述多個區(qū)域的部分的地址，在上述多個區(qū)域中，預定寫入上述多個位中的第1位的第1區(qū)域存在缺陷、并且上述地址指定上述缺欠部分的情況下，重新排列上述多位，將具有比上述第1位的權重小的權重的第2位寫入上述第1區(qū)域的上述缺欠部分，將上述第1位寫入上述第1區(qū)域以外的另一區(qū)域的部分，重新排列從上述存儲裝置讀出的上述多位，使上述第1及第2位返回到正確位置。
上述第1區(qū)域的上述缺陷部分最好寫入LSB。
本發(fā)明的方法是將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域、且從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出上述數(shù)據(jù)的方法，該方法由下列步驟構成，即當上述多個區(qū)域中預定寫入由上述多個位中互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷時，重新排列上述多個位，將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的2個以上的位構成的第2位群寫入上述第1區(qū)域，而將上述第1位群寫入上述第1區(qū)域以外的區(qū)域，重新排列從上述存儲裝置讀出的上述多個位，使上述第1及第2位群回到正確位置。
上述第2位群最好包含LSB。
本發(fā)明的方法是將由具有各不相同的權重的多位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域，并且，從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出上述數(shù)據(jù)的方法，由以下一連串步驟構成，提供指定存儲上述多位的上述多個區(qū)域的部分的地址，在上述多個區(qū)域中，預定寫入由上述多位中相互連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域存在缺欠，并且上述地址指定上述缺欠部分時，使上述多位重新排列，將由具有比構成上述第1位群的各位的權重小的權重的2個以上的位構成的第2位群寫入上述第1區(qū)域的缺欠部分，將上述第1位群寫入上述第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分，重新排列從上述存儲裝置讀出的上述多位，使上述第1及第2位群返回到正確位置。
上述第2位群最好包含LSB。
本發(fā)明的裝置是一種當具有各不相同的權重的多位中，至少第1位存儲在存儲裝置的缺陷部分以外的部分，而具有比上述第1位的權重小的權重的第2位存儲在上述存儲裝置的上述缺陷部分時，從上述存儲裝置讀出上述多位用的裝置，它備有從上述存儲裝置讀出上述多位的手段，和重新排列上述多個位，使上述第1及第2位返回正確位置的裝置。
本發(fā)明的裝置是一種當具有各不相同的權重的多位中，至少第1位存儲在存儲裝置的缺陷部分以外的部分，而具有比上述第1位的權重小的權重的第2位存儲在上述存儲裝置的上述缺陷部分時從上述存儲裝置讀出上述多位用的裝置，它備有從上述存儲裝置讀出上述多位的裝置，和重新排列上述多個位，使上述第1及第2位返回到正確位置。
本發(fā)明的方法是一種當具有各不相同的權重的多位中，至少第1位存儲在存儲裝置的缺欠部分以外的部分，而具有比上述第1位的權重小的權重的第2位存儲在上述存儲裝置的上述缺欠部分時從上述存儲裝置讀出上述多位用的方法，由以下步驟構成，從上述存儲裝置讀出上述多位，重新排列上述多個位，使上述第1及第2位返回到正確位置。
本發(fā)明的方法是一種當具有各不相同的權重的多位中，由連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群存儲在存儲裝置的缺欠部分以外的部分，且由具有比構成上述第1位群的各位的權重小的權重的連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群存儲在上述存儲裝置的上述缺欠部分時從上述存儲裝置讀出上述多位用的方法，由從上述存儲裝置讀出上述多位，重新排列上述多個位，使構成上述第1及第2位群的各位返回到正確位置這一連串步驟構成。
如果采用具有上述結構的裝置及方法，即使RAM、可以改寫的ROM等半導體存儲器、以及硬盤、軟盤、CD-RAM，SD-RAM、光磁盤、相變改寫型磁盤、磁帶等記錄媒體的一部分存在缺陷，也可以由重新排列電路，重新排列多位數(shù)據(jù)(圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等)的各位，以便將LSB(最低有效位)存儲在缺陷部分。
因而，存儲在存儲部的缺陷部分上的數(shù)據(jù)與原來的數(shù)據(jù)不同，但是，存儲在缺陷部分上的數(shù)據(jù)和原來的數(shù)據(jù)的偏差可以被抑制在最小限度。另外，此程度的偏差，由于人的視覺或聽覺感覺不到，所以，在圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)的再生等中不產(chǎn)生影響。
另外，因為不需要補救有缺陷部分的存儲單元或回避有缺陷部分的扇區(qū)的電路，因而電路規(guī)模可以縮小。
這樣，本發(fā)明在存儲涉及人的視覺或聽覺的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)的情況下，不需補救或回避缺陷部分，通過進行數(shù)據(jù)的重新排列，就可以將由存儲單元或扇區(qū)的缺陷引起的影響抑制在最小限度。


圖1是本發(fā)明的存儲裝置的示意圖。
圖2是本發(fā)明第1實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖3是圖2中的重新排列電路12的結構圖。
圖4是圖2中的重新排列電路13的結構圖。
圖5是本發(fā)明的第1實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖6是圖3及圖4中的選擇器的結構圖。
圖7是本發(fā)明第2實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖8是圖7中的重新排列電路的結構圖。
圖9是圖7中的重新排列控制信號發(fā)生電路18的結構圖。
圖10是圖9中的譯碼器21的電路圖。
圖11是本發(fā)明的第3實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖12是本發(fā)明的第4實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖13是重新排列電路上使用移位寄存器的例圖。
圖14是表示圖13中的移位寄存器的動作的圖。
圖15是本發(fā)明第5實施形態(tài)的存儲裝置的方框圖。
圖16是表示本發(fā)明中的數(shù)據(jù)偏差的圖。
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的讀出·寫入裝置以及使用它的存儲裝置，和讀出·寫入方法。
圖1表示本發(fā)明的存儲裝置的基本結構。
11是存儲部。存儲部11由例如叫作ROM和RAM的半導體存儲器、HS(硬盤)、FD(軟盤)、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、MT(磁帶)等的記錄媒體構成。
12及13是重新排列電路。重新排列電路12具有將表示對每個位具有不同加權的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位重新排列后存儲在存儲部11中的功能。重新排列電路13具有將表示從存儲部11讀出的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位重新排列并輸出的功能。
14是控制電路?？刂齐娐?4，將重新排列控制信號CR給與重新排列電路12、13，控制重新排列電路12、13中的各位的重新排列。
本發(fā)明的讀出·寫入裝置，由重新排列電路12、13及控制電路1 4構成，本發(fā)明的存儲裝置由在本發(fā)明的讀出·寫入裝置上加上存儲部11構成。
在半導體存儲器的情況下，例如，重新排列電路12、13及控制電路14，與形成存儲部(半導體存儲器)11的半導體芯片分開形成在一個或一個以上的半導體芯片上。但是，也可以在1個半導體芯片上形成存儲部11、重新排列電路12、13及控制電路14。
在HD、FD、CD-RAM、SD-RAM、MO、PD、MT等記錄媒體的情況下，例如，重新排列電路12、13及控制電路14形成于該記錄媒體的驅(qū)動裝置內(nèi)。這種情況下，重新排列電路12、13及控制電路14形成在1個或1個以上的半導體芯片上。
一般，在音頻和視頻等的作用于人的視覺或聽覺器官的機器中，即使圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的1位或多位出錯，此錯往往不被人的視覺或聽覺所察覺。即，有關這種涉及人的視覺或聽覺的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等，可以說也允許某種程度的錯誤。
本發(fā)明在存儲這種涉及人的視覺或聽覺的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的存儲器電路中，并不補救具有缺陷的存儲單元、也不回避具有缺陷的扇區(qū)，而是通過進行數(shù)據(jù)的重新排列，就能將由存儲單元或扇區(qū)的缺陷引起的影響抑制在最小限度。
總之，當RAM、ROM、FD和HD等的存儲部11的一部分存在缺陷時，例如，重新排列電路12將表示圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位重新排列，使LSB(最低有效位)存儲在缺陷區(qū)域上。
于是，當原來預定寫入LSB區(qū)域有缺陷時，不需要重新排列各位，而當預定寫入LSB以外的位，例如MSB(最高有效位)的區(qū)域存在缺陷時，重新排列各位，使LSB存儲在此缺陷區(qū)域上。
圖2是表示本發(fā)明的第1實施形態(tài)的存儲裝置的圖。
此存儲裝置涉及半導體存儲器(RAM)。例如在數(shù)字音頻中，音樂數(shù)據(jù)用16位表示，但以下，為了說明簡單，說明有關4位的情況。
首先，說明有關此存儲裝置的結構。
RAM11a具有由呈矩陣狀形成的多個存儲單元構成的存儲部。而將存儲部的外圍電路省略。
RAM11a的存儲部例如在行方向上4等分，構成區(qū)域A～D。重新排列電路12將表示每位加權不同的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位重新排列后給與RAM11a。另外，重新排列電路13正確地重新排列表示從RAM11a讀出的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位。
控制電路14具備存儲部(例如，ROM)15?？刂齐娐?4根據(jù)存儲在存儲部15的數(shù)據(jù)，將重新排列控制信號CR給與重新排列電路12、13，控制在重新排列電路12、13中的各位的重新排列。
圖3是表示圖2中的重新排列電路12的一例圖。圖4是表示圖2中的重新排列電路13的一例圖。
重新排列電路12由4個選擇器S0～S3構成，重新排列電路13由4個選擇器S0’～S3’構成。
在重新排列電路12的各選擇器S3～S0中，輸入表示重新排列控制信號CR以及圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的4位數(shù)據(jù)X3～X0。各選擇器S3～S0如表1所示，根據(jù)重新排列控制信號CR選擇規(guī)定的1位數(shù)據(jù)，并輸出該選擇出的1位數(shù)據(jù)。
在重新排列電路13的各選擇器S3’～S0’中，輸入表示重新排列控制信號CR以及存儲部的4位輸出數(shù)據(jù)X3～X0。各選擇器S3’～S0’如表2所示，根據(jù)重新排列控制信號CR選擇規(guī)定的1位的數(shù)據(jù)，并輸出該選擇出的1位數(shù)據(jù)。
表1
表2
以下，說明本存儲裝置的動作。
首先，在制造時和系統(tǒng)起動時，對RAM11a進行數(shù)據(jù)的寫入及讀出試驗，檢查在RAM11a上是否存在不能記錄圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)或記錄錯了的有缺陷的存儲單元。
另外，當在RAM11a上存在有缺陷的存儲單元時，確認此有缺陷的存儲單元在RAM11a的哪個區(qū)域。有關存儲單元的缺陷的數(shù)據(jù)被存儲在控制電路14的存儲部15。
控制電路14根據(jù)圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的存儲時間及存儲部15的信息，將重新排列控制信號CR送給重新排列電路12。此重新排列控制信號CR，例如用4位表示，確定圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的各位的配置。
重新排列電路12的各選擇器S3～S0，如表1所示，收到此控制信號CR后，便選擇并輸出表示圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的4位中的規(guī)定的1位。
這時，當有缺陷的存儲單元存在于存儲MSB等高位(具有大的權重的位)的區(qū)域時，控制電路14向重新排列電路12輸送控制信號CR，使LSB等低位(具有小的權重的位)存儲在該區(qū)域。
例如，當在RAM11a的區(qū)域A存在有缺陷的存儲單元時，控制電路14將1，0，0，0作為控制信號CR送給重新排列電路12的各選擇器S3～S0。其結果，選擇器S3選擇位X0，選擇器S2選擇X2，選擇器S1選擇位X1，選擇器S0選擇位X3。
從而，圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的4位從X3(MSB)、X2、X1、X0(LSB)被重新排列成X0(LSB)、X2、X1、X3(MSB)。就是說，位X0被寫入?yún)^(qū)域A的存儲單元。
當RAM11a的區(qū)域A存在有缺陷的存儲單元時，控制電路14將1、0、0、0作為控制信號CR送給重新排列電路13的各選擇器S3’～S0’。其結果是選擇器S3’選擇位X3，選擇器S2選擇位X2，選擇器S1選擇位X1，選擇器S0選擇位X0。
因而，從RAM11a輸出的圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的4位從X0(LSB)，X2，X1，X3(MSB)被重新排列為X3(MSB)，X2，X1，X0(LSB)。
控制信號CR也表示有缺陷的區(qū)域的錯誤模式。即，0，0，0，0的情況是表示沒有缺陷，1，0，0，0的情況是表示在區(qū)域A有缺陷，0，1，0，0的情況是表示在區(qū)域B有缺陷，0，0，1，0的情況是表示在區(qū)域C有缺陷，0，0，0，1的情況是表示在區(qū)域D有缺陷。
圖5是表示在RAM11a的4個區(qū)域中1個以上的區(qū)域有缺陷的情況。
這種情況下有關存儲單元的缺陷的數(shù)據(jù)也被存儲在控制電路14的存儲部15。并且，當RAM11a的4個區(qū)域中的1個以上的區(qū)域有缺陷時，如表3所示，重新排列電路12用控制信號CR(錯誤模式E3～E0)控制，如表4所示，重新排列電路13用控制信號CR(錯誤模式E3～E0)控制。
表3
表4
例如，當RAM11a的區(qū)域A及區(qū)域B分別存在有缺陷的存儲單元時，控制電路14將1，1，0，0作為控制信號CR送給重新排列電路12的各選擇器S3～S0。其結果，選擇器S3選擇位X0，選擇器S2位選擇位X1，選擇器S1選擇位X2，選擇器S0選擇位X3。
因而，圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的4位被從X3(MSB)，X2，X1，X0(LSB)重新排列成X0(LSB)、X1，X2，X3(MSB)。就是說，位0被寫入?yún)^(qū)域A的存儲單元，位X1被寫入?yún)^(qū)域B的存儲單元。另外，當RAM11a的區(qū)域A及區(qū)域B分別存在有缺陷的存儲單元時，控制電路14將1，1，0，0作為控制信號CR送給重新排列電路13的各選擇器S3’～S0’。其結果，選擇器S3’選擇位X3，選擇器S2選擇位X2，選擇器S1選擇位X1，選擇器S0選擇位X0。
因而，從RAM11a輸出的圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的4位被從X0(LSB)，X1，X2，X3(MSB)重新排列成X3(MSB)、X2，X1，X0(LSB)。
圖6是表示圖3中的選擇器S3～S0的電路結構的一例圖。
此選擇器的電路結構只在RAM11a的4個區(qū)域A～D中的1個區(qū)域有缺陷的情況下使用。
CI1～CI10是同步脈沖倒相器，N0R是或非門，E3～E1表示錯誤模式。
在上述第1實施形態(tài)中，當1個區(qū)域即使存在1個有缺陷的存儲單元時，在此區(qū)域也要存儲權重小的位，例如LSB。
即，當在區(qū)域A中選擇了有缺陷的存儲單元的情況下，在區(qū)域A的存儲單元中存儲具有比該權重小的權重的位，例如LSB，以取代預定存儲在區(qū)域A的位(MSB)。
因而，即使不補救有缺陷的存儲單元，也可以將由數(shù)據(jù)的錯誤引起的影響抑制在最小限度。
但是，在上述第1實施形態(tài)中，即使在區(qū)域A中選擇了正常的存儲單元的情況下，也代替預定存儲在區(qū)域A的位(MSB)，而存儲具有比該位權重小的權重的位，例如LSB。
是否重新排列位數(shù)據(jù)的存儲裝置。
圖7是表示本發(fā)明的第2實施形態(tài)的存儲裝置的圖。
此半導體裝置涉及半導體存儲器(RAM)。例如，在數(shù)字音頻的情況下，音頻數(shù)據(jù)用16位表示，以下為了說明簡單，說明有關8位的情況。
首先，說明有關此存儲裝置的結構。
RAM11a具有由按矩陣狀形成的多個存儲單元構成的存儲部。
RAM11a的存儲部例如在行方向上被8等分，形成區(qū)域A～H。重新排列電路12將表示每位有不同權重的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位重新排列后，送給RAM11a。另外，重新排列電路13重新排列從RAM11a讀出的表示圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位。
控制電路14具備存儲部(例如，ROM)15a，15b。存儲部15a存儲用來選擇不良的存儲單元存在的行的錯誤地址。另外，存儲部15b存儲在由錯誤地址選擇的1行中的8個區(qū)域A～H中存在不良的存儲單元的區(qū)域(錯誤模式)。
控制電路14具備錯誤模式選擇信號生成電路16、選擇器17、以及重新排列控制信號生成電路18。
錯誤模式選擇信號生成電路16接收地址a及存儲部15a的輸出信號(錯誤地址)，且當?shù)刂穉和錯誤地址一致時，輸出錯誤模式選擇信號。
選擇器17根據(jù)錯誤模式選擇信號的種類，選擇并輸出存儲部15b的輸出信號(錯誤模式)。排列選擇控制信號生成電路18根據(jù)從選擇器17輸出的錯誤模式，將3位的重新排列控制信號CR送給重新排列控制電路12，13。
地址譯碼器接收地址信號a，選擇RAM11a的n(n是自然數(shù))行中的1行。
圖8是表示圖7中的重新排列電路12的一例圖。
重新排列電路12由8個選擇器S7～S0構成。重新排列控制信號(Am，Bm，Cm，(m是0～77)CR)及表示圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的8位數(shù)據(jù)X7～X0被輸入重新排列電路12的各選擇器S7～S0中。如表5所示，各選擇器S7～S0根據(jù)排列控制信號(Am，Bm，Cm)CR選擇規(guī)定的1位數(shù)據(jù)，輸出該選擇出的1位數(shù)據(jù)。
表5
圖9表示圖7中的排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18的電路結構的一例。圖10是表示圖9中的譯碼器21的一例圖。
此排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路的結構被用于只在RAM11的8個區(qū)域A～H中的1個區(qū)域中有缺陷的情況。
e7～e0是從存儲部15b輸出的錯誤模式。錯誤模式e7～e0通過閂鎖電路20，由譯碼器21譯碼。閂鎖電路20由閂鎖脈沖p控制，譯碼器21輸出排列轉(zhuǎn)換控制信號(Am，Bm，Cm)CR。
I0～I7是倒相器，N1～N11是“與非”門，A1～A3是“與”門，當不良的存儲單元與用規(guī)定的地址選擇的行連接時(e7～e0的至少1個是“1”)時，1N0-ERR變?yōu)椤?”電平。
下面，說明該存儲裝置的動作。
首先，在制造時和系統(tǒng)起動時，進行RAM11a的數(shù)據(jù)寫入及讀出試驗，檢查RAM11a中是否存在不能記錄圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的或記錄錯了的有缺陷的存儲單元。
另外，當在RAM11a中存在有缺陷的存儲單元時，確認有缺陷的存儲單元的地址，和此存儲單元存在的區(qū)域。
并且，將與有缺陷的存儲單元的地址有關的數(shù)據(jù)存入控制電路14的存儲部15a，將與有缺陷的存儲單元存在的區(qū)域有關的數(shù)據(jù)存入控制電路14的存儲部15b。
在存儲圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)時，若給出地址a和數(shù)據(jù)X7～X0，則地址a被輸入地址譯碼器19及錯誤模式選擇信號生成電路16。
地址譯碼器19譯出地址a，選擇RAM11a的1行。錯誤模式選擇信號生成電路16比較地址a和存儲部15a的錯誤地址，在兩者一致時發(fā)生錯誤模式選擇信號。
首先，說明地址a與錯誤地址不一致的情況。這種情況下，因為不輸出錯誤模式選擇信號，選擇器17選擇表示不存在不良的存儲單元的錯誤模式Ce7，～e0全部為“0”)，將此錯誤模式送給排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18。
排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18譯出此錯誤模式，如表5所示，向排列轉(zhuǎn)換電路12，13傳送規(guī)定的排列轉(zhuǎn)換控制信號(Am，Bm，Cm)。
排列轉(zhuǎn)換電路12并不排列轉(zhuǎn)換8位的數(shù)據(jù)X7～X0，而是將8位數(shù)據(jù)X7～X0原樣傳送給RAM11。數(shù)據(jù)X7～X0被存儲在由地址a選擇的1行的各存儲單元。
下面，說明地址a和錯誤地址一致的情況。這種情況下，因為輸出錯誤模式選擇信號，所以選擇器17選擇表示存在不良的存儲單元的錯誤模式Ce7，～e0中的1個是“0”)，向排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18傳送此錯誤模式。
排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18譯出此錯誤模式，如表5所示，向排列轉(zhuǎn)換電路12，13傳送規(guī)定的排列轉(zhuǎn)換控制信號(Am，Bm，Cm)CR。當有缺陷的存儲單元存在于存儲MSB等加權多的位的區(qū)域時，為了將LSB存儲在該區(qū)域排列轉(zhuǎn)換電路12排列轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)X7～X0。
例如，當在RAM11a的區(qū)域A存在有缺陷的存儲單元的情況下，由于錯誤模式中僅e7為“1”，因而排列轉(zhuǎn)換電路12為了將LSB存儲在區(qū)域A，將MSB存儲在區(qū)域H，而將表示圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的8位從X7(MSB)，X6，～X1，X0(LSB)重新排列成X0(LSB)，X6，～X1，X7(MSB)。總之，位X0被寫入?yún)^(qū)域A的存儲單元。
另外，排列轉(zhuǎn)換電路13將從RAM11a輸出的8位數(shù)據(jù)X0(LSB)，X6，～X1，X7(MSB)重新排列成X7(MSB)，X6，～X1，X0(LSB)。就是說，排列轉(zhuǎn)換電路12將圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的順序復原后輸出。
在上述第2實施形態(tài)中，說明了只在RAM11a的8個區(qū)域中的1個區(qū)域存在不良的存儲單元的情況，但是，本發(fā)明也適合于在RAM11a的8個區(qū)域中的1個以上的區(qū)域存在不良的存儲單元的情況。
這種情況下，在不良的存儲單元存在的1個以上的區(qū)域中，存儲比預定在此1個以上的區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)的各位的權重具有更小權重的位。
也可以這樣構成，例如，常常將LSB及最靠近LSB側的位存儲在存在1個以上不良的存儲單元的區(qū)域中。
因此，即使不補救有缺陷的存儲單元，也可以將由數(shù)據(jù)的錯誤引起的影響抑制在最小限度。
在上述的第1及第2的實施形態(tài)中，用1位單位進行數(shù)據(jù)的排列轉(zhuǎn)換。但是，由于實際的音樂數(shù)據(jù)和圖像數(shù)據(jù)是16位，因而若用1位單位進行數(shù)據(jù)的排列轉(zhuǎn)換，則排列轉(zhuǎn)換電路12、13和控制電路14的結構變得復雜，并且電路規(guī)模增大。
因此，在以下的第3及第4實施形態(tài)中提供一種將RAM11a分成多個塊，例如，用多位單位排列轉(zhuǎn)換16位數(shù)據(jù)的存儲裝置。
圖11是表示本發(fā)明的第3實施形態(tài)的存儲裝置的圖。
該存儲裝置涉及半導體存儲器(RAM)。在本實施例中，說明在RAM中寫入數(shù)字音頻中的16位的音樂數(shù)據(jù)的情況。
首先，說明本存儲裝置的結構。
RAM11a具有由呈矩陣狀形成的多個存儲單元構成的存儲部。
RAM11a的存儲部，例如在行方向上被4等分，構成區(qū)域A～D。排列轉(zhuǎn)換電路12，排列轉(zhuǎn)換表示每位有不同加權的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位，并送給RAM11a。另外，排列轉(zhuǎn)換電路13，排列轉(zhuǎn)換從RAM11a讀出的表示圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的的各位。
控制電路14具備存儲部(例如，R0M)15?？刂齐娐?4根據(jù)在存儲部15中存儲的數(shù)據(jù)，向排列轉(zhuǎn)換電路12、13傳送排列轉(zhuǎn)換控制信號CR，控制在排列轉(zhuǎn)換電路12、13中的各位的排列轉(zhuǎn)換。
下面，說明有關此存儲裝置的動作。
首先，在制造時和系統(tǒng)起動時，進行RAM11a的數(shù)據(jù)寫入以及讀出試驗，檢查在RAM11a中是否存在不能記錄圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)或記錄錯了的有缺陷的存儲單元。
另外，當在RAM11a上存在有缺陷的存儲單元的情況下，確認有此缺陷的存儲單元存在于RAM11a的哪個區(qū)域。與存儲單元的缺陷有關的數(shù)據(jù)被存儲在控制電路14的存儲部15中。
存儲圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)時，控制電路14根據(jù)存儲部15的信息，向排列轉(zhuǎn)換電路12傳送排列轉(zhuǎn)換控制信號CR。此排列轉(zhuǎn)換控制信號CR，決定圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的的各位的配置。
即，當存在有缺陷的存儲單元存在于存儲MSB側的加權多的位的區(qū)域的情況下，控制電路14向排列轉(zhuǎn)換電路12傳送在該區(qū)域存儲LSB側的位的控制信號CR。
例如，當在RAM11a的區(qū)域A存在有缺陷的存儲單元的情況下，控制電路14控制排列轉(zhuǎn)換電路12，使位X3～X0存儲于區(qū)域A，使位X11～X8存儲于區(qū)域B，使位X7～X4存儲于區(qū)域C，使位X15～X12存儲于區(qū)域D。
因而，圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的16位從X15(MSB)～X0(LSB)排列轉(zhuǎn)換成X3～X0，X11～X8，X7～X4，X15～X12?？傊?，LSB側的位X3～X0被寫入?yún)^(qū)域A的存儲單元。
另外，當RAM11a的區(qū)域A存在有缺陷的存儲單元時，排列轉(zhuǎn)換電路13，根據(jù)來自控制電路14的控制信號CR，將從RAM11a讀出的位X3～X0，X11～X8，X7～X4，X15～X12排列轉(zhuǎn)換成X15(MSB)～X0(LSB)。
在上述第3實施形態(tài)中，說明了僅在RAM11a的4個區(qū)域中的1個區(qū)域存在缺陷部分的情況，但是，本發(fā)明也可以適用于在RAM11a的4個區(qū)域中的1個以上的區(qū)域存在缺陷部分的情況。
這種情況下，在有缺陷部分的1個以上的區(qū)域中，存儲具有比預定在此1個以上的區(qū)域存儲的各位的權重小的權重的位。
例如，也可以如此構成，即，在有缺陷的1個以上的區(qū)域中，通常存儲LSB及最靠近LSB側的位。
因此，即使不補救有缺陷的存儲單元，也可以將由數(shù)據(jù)的錯誤引起的影響抑制在最小限度。
圖12是表示本發(fā)明的第4實施形態(tài)的存儲裝置的圖。
此存儲裝置涉及半導體存儲器(RAM)。在本實施例中，說明在RAM中寫入數(shù)字音頻中的16位的音樂數(shù)據(jù)的情況。
首先，說明此存儲裝置的結構。
RAM11a具有由呈矩陣狀形成的多個存儲單元構成的存儲部。
RAM11a的存儲部例如在行方向上被4等分，構成區(qū)域A～D。排列轉(zhuǎn)換電路12，排列轉(zhuǎn)換表示每位有不同加權的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位，并傳送給RAM11a。另外，排列轉(zhuǎn)換電路13，排列轉(zhuǎn)換表示從RAM11a讀出的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位。
控制電路14具備存儲部(例如，ROM)15a、15b。存儲部15a存儲用來選擇不良的存儲單元存在的行的錯誤地址。另外，存儲部15b存儲由錯誤地址選擇出的1行中的4個區(qū)域A～D中存在不良存儲單元的區(qū)域(錯誤模式)。
控制電路14，具備錯誤模式選擇信號生成電路16、選擇器17及排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18。
錯誤模式選擇信號生成電路16接收地址a及存儲部15a的輸出信號(錯誤模式)，當?shù)刂穉和錯誤地址一致時，輸出錯誤模式選擇信號。
選擇器17根據(jù)錯誤模式選擇信號的種類選擇存儲部15b的輸出信號(錯誤模式)并輸出。排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18根據(jù)從選擇器17輸出的錯誤模式，向排列轉(zhuǎn)換控制電路12、13傳送排列轉(zhuǎn)換控制信號CR。
地址譯碼器接收地址a，選擇RAM11a的n(n為自然數(shù))行中的1行。
以下，說明有關此存儲裝置的動作。
首先，在制造時和系統(tǒng)起動時，進行RAM11a的數(shù)據(jù)寫入及讀出試驗，檢查在RAM11a中是否存在不能記錄圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)的，或記錄錯了的有缺陷的存儲單元。
當在RAM11a中存在有缺陷的存儲單元的情況下，確認有缺陷的存儲單元的地址，和該存儲單元存在的區(qū)域。并且，在控制電路14的存儲部15a中存儲與有缺陷的存儲單元的地址有關的數(shù)據(jù)，在控制電路14的存儲部15b中存儲與有缺陷的存儲單元存在的區(qū)域有關的數(shù)據(jù)。
存儲圖像數(shù)據(jù)或音樂數(shù)據(jù)時，若給出地址a和數(shù)據(jù)X15～X0，則地址a被輸入地址譯碼器19及錯誤模式選擇信號生成電路16。
地址譯碼器19譯出地址a，選擇RAM11a的1行。錯誤模式選擇信號生成電路16比較地址a和存儲部15a的錯誤地址，在兩者一致時發(fā)生錯誤模式選擇信號。
首先，說明地址a和錯誤地址不一致的情況。這種情況下，由于不輸出錯誤模式選擇信號，因而，選擇器17選擇表示不存在不良的存儲單元的錯誤模式，將此錯誤模式傳送給排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18。
排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18，譯出此錯誤模式，將規(guī)定的排列轉(zhuǎn)換控制信號CR傳送給排列轉(zhuǎn)換控制電路12、13。
排列轉(zhuǎn)換電路12并不排列轉(zhuǎn)換16位的數(shù)據(jù)X15～X0，而將數(shù)據(jù)X15～X0原封不動地傳送給RAM11a。數(shù)據(jù)X15～X0被存儲在由地址a選擇的1行的各存儲單元中。
以下，說明地址a和錯誤地址一致的情況。這種情況下，由于輸出錯誤模式選擇信號，選擇器17選擇表示存在不良的存儲單元的錯誤模式，將此錯誤模式傳送給排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18。
排列轉(zhuǎn)換控制信號生成電路18，譯出此錯誤模式，將規(guī)定的排列轉(zhuǎn)換控制信號CR傳給排列轉(zhuǎn)換電路12、13。當存在有缺陷的存儲單元存在于存儲MSB側加權多的位的區(qū)域時，為了在該區(qū)域存儲LSB側的位，重新排列電路12排列轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)X15～X0。
在上述第4實施形態(tài)中，說明了僅在RAM11a的4個區(qū)域中的1個區(qū)域存在不良存儲單元的情況，但是，本發(fā)明也適用于在RAM11a的4個區(qū)域中的1個以上的區(qū)域中存在不良的存儲單元的情況。
本發(fā)明除了半導體存儲器外，也可以適用于存儲具有各不相同的權重的多位數(shù)據(jù)的、并且具有由地址指定存儲數(shù)據(jù)的部分的結構的記錄媒體，例如叫做硬盤和MO(光磁盤)的存儲媒體。
圖15是表示本發(fā)明第5實施例的存儲裝置的圖。
此存儲裝置涉及HD(硬盤)、FD(軟盤)、CD-RAM，SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)以及MT(磁帶)的驅(qū)動裝置。
在本實施形態(tài)中，說明在存儲部(HD、FD、CD-RAM、SD-RAM、MO、PD、MT等)中寫入在數(shù)字音頻中的16位的音樂數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)的情況。
首先，說明此存儲裝置的結構。
當存儲部11的規(guī)定的存儲區(qū)域存在缺陷部分時，排列轉(zhuǎn)換電路12排列轉(zhuǎn)換寫入數(shù)據(jù)X15～X0。寫入數(shù)據(jù)X15～X0具有互不相同的權重，由相互連續(xù)的16位構成。
從排列轉(zhuǎn)換電路12輸出的寫入數(shù)據(jù)，經(jīng)由奇偶附加部24輸入到調(diào)制部25。
在調(diào)制部25中，例如，對寫入數(shù)據(jù)進行EFM調(diào)制。經(jīng)EFM調(diào)制后的寫入數(shù)據(jù)，被寫入存儲部11的規(guī)定的存儲區(qū)域。
這時，在預定將規(guī)定的位寫入存儲器11的規(guī)定的存儲區(qū)域的情況下，當該規(guī)定的存儲區(qū)域存在缺陷部分時，在該規(guī)定的存儲區(qū)域?qū)懭刖哂斜纫?guī)定的位的權重小的權重的位(最適合的是LSB)。
另外，從存儲部11讀出的讀出數(shù)據(jù)被輸入解調(diào)部26。在解調(diào)部26中例如對讀出數(shù)據(jù)進行EFM解調(diào)。經(jīng)EFM解調(diào)后的讀出數(shù)據(jù)在修正處理部27中進行修正處理。
修正處理部27的輸出數(shù)據(jù)被輸入到排列轉(zhuǎn)換電路13。排列轉(zhuǎn)換電路13，分別排列轉(zhuǎn)換相互連續(xù)的16位，以使從存儲部11讀出的讀出數(shù)據(jù)配置在正確的位置。
排列轉(zhuǎn)換電路12、13的動作由控制電路14控制。
控制電路14接收地址a，當該地址指定存儲部11的缺陷部分時，排列轉(zhuǎn)換寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)。
存儲部11的缺陷部分通過預檢查特定，可以使與此缺陷部分有關的信息存儲在控制電路14內(nèi)的存儲部。
另外，在本實施形態(tài)的存儲裝置中也可以設置檢測存儲部11的缺陷部分的檢測電路，根據(jù)與具有該檢測電路的存儲部11的缺陷部分有關的信息，排列轉(zhuǎn)換寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)。
在上述的第1～第5實施形態(tài)中，排列轉(zhuǎn)換電路12、13可以由選擇器和移位寄存器等構成。
圖13表示將移位寄存器用于排列轉(zhuǎn)換電路的情況。另外，圖14表示圖13中的移位寄存器22、23的動作。
這種情況下，控制電路向移位寄存器22傳送時鐘信號CK1，向移位寄存器23傳送時鐘信號CK2。移位寄存器22、23對應于時鐘信號的數(shù)排列轉(zhuǎn)換輸入數(shù)據(jù)(例如8位X7～X0)。
即，當在RAM11a中存在不良的存儲單元時，移位寄存器22總是排列轉(zhuǎn)換輸入數(shù)據(jù)，以使LSBXO存儲于不良的存儲單元。另外，移位寄存器23將從RAM11a輸出的數(shù)據(jù)排列轉(zhuǎn)換成正確的順序后作為輸出數(shù)據(jù)輸出。
另外，在上述第1～第5實施形態(tài)中，與錯誤地址和存在不良的存儲單元的區(qū)域有關的數(shù)據(jù)被存儲在控制電路的存儲部中，但是，也可以改變成從外部(在與形成排列轉(zhuǎn)換電路及控制電路的半導體芯片不同的另一半導體芯片上形成的半導體存儲器)供給。
如上所述，如果采用本發(fā)明的讀出·寫入裝置及使用它的存儲裝置、以及讀出·寫入方法，可以得到如下效果。
在將與人的視覺或聽覺有關的圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等寫入存儲部的情況下，通過進行數(shù)據(jù)的排列轉(zhuǎn)換，就可以將由存儲單元或扇區(qū)的缺陷引起的影響抑制在最小限度。
即，當RAM、ROM、FD和HD等的存儲部的一部分有缺陷時，由排列轉(zhuǎn)換電路排列轉(zhuǎn)換表示圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)等的各位，以使LSB(最低位)或LSB一側的位存儲在缺陷區(qū)域因而，如圖16所示，存儲在缺陷部分的數(shù)據(jù)與原本的數(shù)據(jù)不同，但存儲在缺陷部分的數(shù)據(jù)和原本的數(shù)據(jù)的偏差可被抑制在最小限度。
另外，此程度的偏差，由于人的視覺或聽覺不能察覺，因此，在重放圖像數(shù)據(jù)和音樂數(shù)據(jù)的等情況下不會感覺到。
另外，由于不需要補救有缺陷的存儲單元或回避有缺陷的扇區(qū)用的電路，因而可以使電路規(guī)模減小。
權利要求
1.一種寫入由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，其特征在于備有有多個區(qū)域的存儲裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分時重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將其權重比上述第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的上述第1及第2位回到正確的位置。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的存儲設備，其特征在于上述第2位是LSB。
4.根據(jù)權利要求1所述的存儲設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其特征在于上述第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
6.根據(jù)權利要求2所述的存儲設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位寫入第1區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求1所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部。
8.根據(jù)權利要求4所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的存儲設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)，以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
10.一種寫入由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，其特征在于備有有多個區(qū)域而各區(qū)域由多個部分構成的存儲裝置；給出指定存儲多個位的多個區(qū)域的部分的地址的尋址裝置；當多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將其權重比第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
11.根據(jù)權利要求10所述的存儲設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的上述第1及第2位回到正確的位置。
12.根據(jù)權利要求10或11所述的存儲設備，其特征在于上述第2位是LSB。
13.根據(jù)權利要求10所述的存儲設備，其特征在于當多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分，而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域的缺陷部分，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
14.根據(jù)權利要求11所述的存儲設備，其特征在于上述第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
15.根據(jù)權利要求11所述的存儲設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將上述第2位寫入第1區(qū)域。
16.根據(jù)權利要求10所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關指定上述缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部、以及存儲著第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將上述第2位存入第1區(qū)域的缺陷部分。
17.根據(jù)權利要求10或11所述的存儲設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
18.一種寫入由具有各不相同權重的各個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，其特征在于它備有有多個區(qū)域存儲裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域、而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
19.根據(jù)權利要求18所述的存儲設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位群回到正確的位置。
20.根據(jù)權利要求18或19所述的存儲設備，其特征在于上述第2位群包含LSB。
21.根據(jù)權利要求18所述的存儲設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入由多位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域，而將第3位群寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
22.根據(jù)權利要求19所述的存儲設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
23.根據(jù)權利要求19所述的存儲設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位群寫入第1區(qū)域。
24.根據(jù)權利要求18所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息存儲部。
25.根據(jù)權利要求21所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
26.根據(jù)權利要求18或19所述的存儲設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
27.一種寫入由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)用的存儲設備，其特征在于備有有多個區(qū)域而各區(qū)域由多個位的多個存儲裝置；給出指定存儲多個部分構成的區(qū)域的部分的地址的尋址裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
28.根據(jù)權利要求27所述的存儲設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的上述第1及第2位群回到正確的位置。
29.根據(jù)權利要求27或28所述的存儲設備，其特征在于上述第2位群包含LSB。
30.根據(jù)權利要求27所述的存儲設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域的缺陷部分，而將第3位群寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
31.根據(jù)權利要求28所述的存儲設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
32.根據(jù)權利要求28所述的存儲設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位群寫入第1區(qū)域。
33.根據(jù)權利要求27所述的存儲設備，其特征在于控制裝置有存儲有關指定缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部，以及存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將第2位群存入上述缺陷部分。
34.根據(jù)權利要求27或28所述的存儲設備，其特征在于存儲裝置的多個存儲區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
35.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，其特征在于它備有當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將其權重第1位的權重小的第2位寫入上述第1區(qū)域、而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
36.根據(jù)權利要求35所述的設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位回到正確位置。
37.根據(jù)權利要求35或36所述的設備，其特征在于上述第2位是LSB。
38.根據(jù)權利要求35所述的設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域，而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
39.根據(jù)權利要求36所述的設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
40.根據(jù)權利要求36所述的設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位寫入第1區(qū)域。
41.根據(jù)權利要求35所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部。
42.根據(jù)權利要求38所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
43.根據(jù)權利要求35或36所述的設備，其特征在于存儲裝置的多個存儲區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
44.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，其特征在于備有給出指定存儲多個位的多個區(qū)域部分的地址的尋址裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分，而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將其權重比第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域的缺陷部分、而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分而控制第1重排列裝置的控制裝置。
45.根據(jù)權利要求44所述的設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位回到正確位置。
46.根據(jù)權利要求44或45所述的設備，其特征在于上述第2位是LSB。
47.根據(jù)權利要求44所述的設備，其特征為當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第3位的第2區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將其權重比第3位的權重小的第4位寫入第2區(qū)域的缺陷部分、而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分。
48.根據(jù)權利要求45所述的設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
49.根據(jù)權利要求45所述的設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位寫入第1區(qū)域。
50.根據(jù)權利要求44所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關指定上述缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部、以及存儲第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將第2位存入第1區(qū)域的缺陷部分。
51.根據(jù)權利要求44或45所述的設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
52.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，其特征在于備有當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域、而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
53.根據(jù)權利要求52所述的設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位群回到正確位置。
54.根據(jù)權利要求52或53所述的設備，其特征在于上述第2位包含LSB。
55.根據(jù)權利要求52所述的設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域，而將第3位群寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域。
56.根據(jù)權利要求53所述的設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
57.根據(jù)權利要求53所述的設備，其特征在于第1重新排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位群寫入第1區(qū)域。
58.根據(jù)權利要求52所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部。
59.根據(jù)權利要求55所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關第1及第2區(qū)域的信息的存儲部。
60.根據(jù)權利要求52或53所述的設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
61.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域用的設備，其特征在于備有給出指定存儲多個位的多個區(qū)域的部分的地址的尋址裝置；當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分、而且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位的第1重新排列裝置；以及為了將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群寫入第1區(qū)域的缺陷部分、而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分而控制第1重新排列裝置的控制裝置。
62.根據(jù)權利要求61所述的設備，其特征在于備有重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位的第2重新排列裝置，控制裝置控制該第2重新排列裝置，使從存儲裝置讀出的第1及第2位群回到正確位置。
63.根據(jù)權利要求61或62所述的設備，其特征在于上述第2位群包含LSB。
64.根據(jù)權利要求61所述的設備，其特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中互相連續(xù)的2個以上的位構成的第3位群的第2區(qū)域有缺陷部分、且上述地址指定上述缺陷部分時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將由其權重比構成第3位群的各位的權重小的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第4位群寫入第2區(qū)域的缺陷部分、而將第3位寫入第2區(qū)域以外的其它區(qū)域部分。
65.根據(jù)權利要求62所述的設備，其特征在于第1及第2重新排列裝置由多個選擇器構成。
66.根據(jù)權利要求62所述的設備，其特征在于第1重排列裝置有輸入多個位的移位寄存器，控制裝置控制該移位寄存器，將第2位群寫入第1區(qū)域。
67.根據(jù)權利要求61所述的設備，其特征在于控制裝置有存儲有關指定上述缺陷部分的錯誤地址的信息的存儲部、以及存儲有關第1區(qū)域的信息的存儲部，當由尋址裝置指定的地址和上述錯誤地址一致時，控制裝置控制第1重新排列裝置，將第2位群存入上述缺陷部分。
68.根據(jù)權利要求61或62所述的設備，其特征在于存儲裝置的多個區(qū)域是半導體存儲器、硬盤、軟盤、CD-RAM、SD-RAM、MO(光磁盤)、PD(相變改寫型磁盤)、以及MT(磁帶)的存儲區(qū)域。
69.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域、而且將上述數(shù)據(jù)從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出用的方法，該方法的特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入多個位中的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位，將其權重比上述第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的區(qū)域；重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位，使第1及第2位回到正確位置。
70.根據(jù)權利要求69所述的方法，其特征在于LSB被寫入上述第1區(qū)域。
71.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域、而且將上述數(shù)據(jù)從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出用的方法，該方法的特征在于供給指定存儲上述多個位的多個區(qū)域的部分的地址，當上述多個區(qū)域中預定寫入上述多個位的第1位的第1區(qū)域有缺陷部分、且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位，將其權重比上述第1位的權重小的第2位寫入第1區(qū)域的缺陷部分，而將第1位寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分；重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位，使上述第1及第2位回到正確位置。
72.根據(jù)權利要求71所述的方法，其特征在于LSB被寫入上述第1區(qū)域的缺陷部分。
73.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域、且將上述數(shù)據(jù)從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出用的方法，該方法的特征在于當上述多個區(qū)域中預定寫入由多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分時，重新排列上述多個位，將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的2個以上的位構成的第2位群寫入上述第1區(qū)域，而將第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域；重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位，使第1及第2位群回到正確位置。
74.根據(jù)權利要求73所述的方法，其特征在于上述第2位群包含LSB。
75.一種將由具有各不相同權重的多個位構成的數(shù)據(jù)寫入存儲裝置的多個區(qū)域、且將上述數(shù)據(jù)從上述存儲裝置的多個區(qū)域讀出用的方法，該方法的特征在于供給指定存儲上述多個位的上述多個區(qū)域的部分的地址、當上述多個區(qū)域中預定寫入由上述多個位中的互相連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群的第1區(qū)域有缺陷部分、且上述地址指定該缺陷部分時，重新排列上述多個位，將由其權重比構成第1位群的各位的權重小的2個以上的位構成的第2位群寫入上述第1區(qū)域的缺陷部分，而將上述第1位群寫入第1區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分；重新排列從存儲裝置讀出的上述多個位，使第1及第2位群回到正確位置。
76.根據(jù)權利要求75所述的方法，其特征在于上述第2位群包含LSB。
77.一種當具有各不相同權重的多個位中至少第1位被存入存儲裝置的缺陷部分以外的部分，其權重比第1位的權重小的第2位被存入上述存儲裝置的缺陷部分時，從上述存儲裝置讀出上述多個位用的設備，該設備的特征在于備有從存儲裝置讀出上述多個位的裝置、以及重新排列上述多個位，使上述第1及第2位回到正確的位置的裝置。
78.一種當具有各不相同的權重的多個位中由連續(xù)的2上以上的位構成的第1位群被存入存儲裝置的缺陷部分以外的部分，由其權重比構成上述第1位群的各位的權重小的連續(xù)2個以上的位構成的第2位群被存入上述存儲裝置的缺陷部分時，從上述存儲裝置讀出上述多個位用的設備，該設備的特征在于具有從上述存儲裝置讀出上述多個位的裝置，以及重新排列上述多個位，使構成上述第1及第2位群的各位回到正確的位置的裝置。
79.一種當具有各不相同權重的多個位中至少第1位被存入存儲裝置的缺陷部分以外的部分，其權重比上述第1位的權重小的第2位被存入上述存儲裝置的缺陷部分時，從上述存儲裝置讀出上述多個位用的方法，該方法的特征在于從上述存儲裝置讀出上述多個位，重新排列上述多個位，使上述第1及第2位回到正確位置。
80.一種當具有各不相同權重的多個位中由連續(xù)的2個以上的位構成的第1位群被存入存儲裝置的缺陷部分以外的部分，由其權重比構成上述第1位群的各位的權重小的連續(xù)的2個以上的位構成的第2位群被存入上述存儲裝置的缺陷部分時，從上述存儲裝置讀出上述多個位用的方法，該方法的特征在于從上述存儲裝置讀出上述多個位，重新排列上述多個位，使構成上述第1及第2位群的各位回到正確位置。
全文摘要
本發(fā)明不補救存儲部分的缺陷，將由數(shù)據(jù)的錯誤引起的影響限制在最小。具有互不相同權重的多位X3～X0被輸入排列轉(zhuǎn)換電路12。在RAM11a有缺陷部分時，排列轉(zhuǎn)換電路12排列轉(zhuǎn)換多位X3～X0，以使權重最小的位(LSB)寫入該缺陷部分。排列轉(zhuǎn)換電路13，再次排列轉(zhuǎn)換多位X3～X0，以使從RAM11a，讀出的多位X3～X0呈正確的順序?？刂齐娐?4根據(jù)與存儲在存儲部15的缺陷部分有關的信息，控制排列轉(zhuǎn)換電路12、13的動作。
文檔編號G06F3/06GK1145522SQ9610416
公開日1997年3月19日 申請日期1996年3月29日 優(yōu)先權日1995年3月29日
發(fā)明者西川明成 申請人:株式會社東芝