一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)散熱技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法。
【背景技術(shù)】
[0002]計(jì)算機(jī)的CPU及其他部件高速運(yùn)轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生熱量，散熱其實(shí)就是一個(gè)熱傳遞的過程，目的是將CPU及其他部件產(chǎn)生的熱量帶到其它介質(zhì)上，將CPU及其他部件溫度控制在一個(gè)穩(wěn)定范圍之內(nèi)。根據(jù)我們生活的環(huán)境，CPU及其他部件的熱量最終是要發(fā)散到空氣當(dāng)中，這個(gè)過程就是電腦散熱。
[0003]而在這之間的熱傳遞過程，就是散熱器所要扮演的角色了。
[0004]所有的散熱器都以熱傳導(dǎo)、熱對流為主要方式進(jìn)行散熱。根據(jù)熱傳導(dǎo)、熱對流手段的不同，可以將散熱器產(chǎn)品分為主動與被動兩種方式。主動的含義是，有與發(fā)熱體無關(guān)的能源參與進(jìn)行強(qiáng)制散熱，比如風(fēng)扇、液冷中的水栗，相變制冷中的壓縮機(jī)，這些散熱手段的普遍特點(diǎn)是效率高，但同時(shí)也需要其它能源的輔助。與之相反，被動的意思就好理解了，就是僅依靠發(fā)熱體或散熱片的自行發(fā)散來進(jìn)行降溫。
[0005]應(yīng)用在高溫環(huán)境中的板卡模塊，隨著板卡功耗的不斷增加，其散熱成為一個(gè)技術(shù)難題。特別是當(dāng)板卡的top面和bottom面均有高功耗器件時(shí)，散熱問題更加嚴(yán)峻，常規(guī)的冷板中嵌入熱管的方式難以解決其散熱問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法。
[0007]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，所述方法通過在高熱流密度模塊的主散熱面采用高效率的液冷進(jìn)行散熱，迅速將熱量帶走;次散熱面采用在二維平面上具有超強(qiáng)傳熱性能的均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勾性，避免局部熱量的集聚。
[0008]所述高熱流密度模塊的結(jié)構(gòu):電路板安裝在冷板和均溫板之間，高熱流密度模塊的左右兩側(cè)設(shè)置有楔形鎖緊機(jī)構(gòu)，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中，均溫板與機(jī)箱壁緊密貼合，熱量實(shí)現(xiàn)由發(fā)熱元件—均溫板—機(jī)箱壁的轉(zhuǎn)移，解決次散熱面的散熱。
[0009]所述均溫板在高功耗芯片的相對位置設(shè)置有凸臺，實(shí)現(xiàn)芯片與均溫板的貼合。
[0010]所述冷板上設(shè)計(jì)有S形流道和液冷接頭，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中時(shí)，高熱流密度模塊上的液冷接頭與機(jī)箱連接，實(shí)現(xiàn)主散熱面的散熱。
[0011]所述高熱流密度模塊前側(cè)有起拔器，可以利用起拔器將高熱流密度模塊從機(jī)箱中取出。
[0012]本發(fā)明的有益效果為:
本發(fā)明方法通過在主散熱面采用高效率的液冷進(jìn)行散熱，迅速將熱量帶走;次散熱面采用在二維平面上具有超強(qiáng)傳熱性能的均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勻性，避免局部熱量的集聚。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明高熱流密度模塊結(jié)構(gòu)分解示意圖；
圖2為本發(fā)明高熱流密度模塊安裝時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖標(biāo)記說明:1.冷板，2.均溫板，3.電路板，4.楔形鎖緊機(jī)構(gòu)，5.起拔器，6.液冷接頭，
7.芯片，8.凸臺，9.機(jī)箱壁。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面參照附圖所示，通過【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)一步說明:
實(shí)施例1:
一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，所述方法通過在高熱流密度模塊的主散熱面采用高效率的液冷進(jìn)行散熱，迅速將熱量帶走;次散熱面采用在二維平面上具有超強(qiáng)傳熱性能的均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勾性，避免局部熱量的集聚。
[0015]實(shí)施例2:
如圖1、2所示，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例所述高熱流密度模塊的結(jié)構(gòu):電路板3安裝在冷板I和均溫板2之間，高熱流密度模塊的左右兩側(cè)設(shè)置有楔形鎖緊機(jī)構(gòu)4，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)4將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中，均溫板2與機(jī)箱壁9緊密貼合，熱量實(shí)現(xiàn)由發(fā)熱元件—均溫板2—機(jī)箱壁9的轉(zhuǎn)移，解決次散熱面的散熱。
[0016]實(shí)施例3:
在實(shí)施例2的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例所述均溫板2在高功耗芯片7的相對位置設(shè)置有凸臺8，實(shí)現(xiàn)芯片7與均溫板2的貼合。
[0017]實(shí)施例4:
在實(shí)施例2或3的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例所述冷板I上設(shè)計(jì)有S形流道和液冷接頭6，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)4將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中時(shí)，高熱流密度模塊上的液冷接頭6與機(jī)箱連接，實(shí)現(xiàn)主散熱面的散熱。
[0018]實(shí)施例5:
在實(shí)施例2或3的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例所述高熱流密度模塊前側(cè)有起拔器5，可以利用起拔器5將高熱流密度模塊從機(jī)箱中取出。
[0019]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，其特征在于:所述方法通過在高熱流密度模塊的主散熱面采用液冷進(jìn)行散熱;次散熱面采用均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勻性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，其特征在于，所述高熱流密度模塊的結(jié)構(gòu):電路板(3)安裝在冷板(I)和均溫板(2)之間，高熱流密度模塊的左右兩側(cè)設(shè)置有楔形鎖緊機(jī)構(gòu)(4)，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)(4)將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中，均溫板(2)與機(jī)箱壁(9)緊密貼合，熱量實(shí)現(xiàn)由發(fā)熱元件—均溫板(2)4機(jī)箱壁(9)的轉(zhuǎn)移。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，其特征在于:所述均溫板(2)在高功耗芯片(7)的相對位置設(shè)置有凸臺(8)，實(shí)現(xiàn)芯片(7)與均溫板(2)的貼合。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，其特征在于:所述冷板(I)上設(shè)計(jì)有S形流道和液冷接頭(6)，利用楔形鎖緊機(jī)構(gòu)(4)將高熱流密度模塊安裝到機(jī)箱中時(shí)，高熱流密度模塊上的液冷接頭(6)與機(jī)箱連接。5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，其特征在于:所述高熱流密度模塊前側(cè)有起拔器(5)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種結(jié)合均溫板和液冷的高熱流密度模塊散熱方法，所述方法通過在高熱流密度模塊的主散熱面采用液冷進(jìn)行散熱；次散熱面采用均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勻性，避免局部熱量的集聚。本發(fā)明方法通過在主散熱面采用高效率的液冷進(jìn)行散熱，迅速將熱量帶走；次散熱面采用在二維平面上具有超強(qiáng)傳熱性能的均溫板進(jìn)行散熱，實(shí)現(xiàn)熱源的二維熱擴(kuò)展，達(dá)到整個(gè)二維面上的溫度均勻性，避免局部熱量的集聚。
【IPC分類】G06F1/20
【公開號】CN105511577
【申請?zhí)枴緾N201510893195
【發(fā)明人】李圣路, 龔振興
【申請人】山東超越數(shù)控電子有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月8日