一種快速檢測NAND Flash內(nèi)存的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]NAND Flash內(nèi)存是現(xiàn)在市場上主要的非易失閃存技術(shù)之一。Inter公司在1988年首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)，徹底改變了原先有EPROM和EEPROM—統(tǒng)天下的局面。1989年東芝公司發(fā)表了NAND Flash內(nèi)存結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。NAND Flash內(nèi)存的結(jié)構(gòu)能提高極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，可以做到Gbit級(jí)別，并且寫入和擦除的速度也很快，同時(shí)也具有成本上的優(yōu)勢。
[0003]在轉(zhuǎn)產(chǎn)過程中進(jìn)行測試時(shí)，如果遍歷整個(gè)NANDFlash內(nèi)存存儲(chǔ)空間進(jìn)行檢測，則需要花費(fèi)大量時(shí)間。另外，在檢測時(shí)，NAND Flash內(nèi)存器件的寫入操作只能在空的或已經(jīng)擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。傳統(tǒng)的NANDFlash內(nèi)存檢測的方法是擦除NAND Flash內(nèi)存全部空間內(nèi)容，花費(fèi)了大量的時(shí)間。因此，提供一種能夠快速檢測NAND Flash內(nèi)存的方法，成為目前亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于上述問題，本申請(qǐng)記載了一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，所述方法包括步驟:
[0005]擦除NAND Flash內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊；
[0006]在所述存儲(chǔ)單元塊的一存儲(chǔ)單元頁中寫入測試數(shù)據(jù)；
[0007]讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)；
[0008]根據(jù)所述存儲(chǔ)單元頁中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷數(shù)據(jù)線是否正常；
[0009]若不正常，判定NAND Flash內(nèi)存異常;否則，判定NAND Flash內(nèi)存正常。
[0010]較佳的，在所述存儲(chǔ)單元頁的基地址O偏移處寫入所述測試數(shù)據(jù)。
[0011 ]較佳的，讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)時(shí)，依次讀取從所述基地址處開始的地址空間。
[0012]較佳的，根據(jù)所述存儲(chǔ)單元塊中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷所述數(shù)據(jù)線是否正常的過程包括步驟:
[0013]將原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行異或，判斷結(jié)果是否為O;
[0014]若結(jié)果為O，判定所述數(shù)據(jù)線正常;否則，判定所述數(shù)據(jù)線異常。
[0015]較佳的，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線正常時(shí)，判定地址線及相應(yīng)的控制信號(hào)線正常。
[0016]較佳的，寫入的所述測試數(shù)據(jù)為交替的Oxaa和0x55。
[0017]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:本發(fā)明提出的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，避免了傳統(tǒng)測試NAND Flash內(nèi)存時(shí)，遍歷整個(gè)NAND Flash內(nèi)存存儲(chǔ)空間進(jìn)行檢測，可以有效的減少測試時(shí)間，提高測試效率。
【附圖說明】
[0018]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。
[0019]圖1為本發(fā)明一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法的流程示意圖一；
[0020]圖2為本發(fā)明一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法的流程示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0022]如圖1所示，一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，包括步驟:
[0023]擦除NANDFlash內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊，并在該存儲(chǔ)單元塊的存儲(chǔ)單元頁中寫入測試數(shù)據(jù)；
[0024]讀回寫入的所述測試數(shù)據(jù)；
[0025]根據(jù)原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀回的測試數(shù)據(jù)判斷數(shù)據(jù)線或地址線是否正常；
[0026]若不正常，判定NAND Flash內(nèi)存異常;否則，判定NAND Flash內(nèi)存正常。
[0027]對(duì)于NANDFlash內(nèi)存，其存儲(chǔ)空間由若干存儲(chǔ)單元塊組成，每一個(gè)存儲(chǔ)單元塊又由若干存儲(chǔ)單元頁構(gòu)成。在實(shí)際應(yīng)用中，存儲(chǔ)單元塊是最小的擦除單元，但是存儲(chǔ)單元頁是最小的寫入單元。以三星公司的一款型號(hào)為K9F4G08U0D-SCB0的NAND Flash內(nèi)存為例，該NAND Flash內(nèi)存的容量為4G bit，一片K9F4G08U0D-SCB0由4096個(gè)存儲(chǔ)單元塊組成，一個(gè)塊包括64個(gè)存儲(chǔ)單元頁，每個(gè)存儲(chǔ)單元頁包括(2K+64)Byte。
[0028]在對(duì)內(nèi)存進(jìn)行檢測時(shí)，任何NAND Flash內(nèi)存的寫入操作之前，都必須先進(jìn)行擦除操作。由于存儲(chǔ)單元塊是最小的擦除單元，因此在本實(shí)施例中，首先擦除內(nèi)存的任意一個(gè)存儲(chǔ)單元塊，然后再向該存儲(chǔ)單元塊的某存儲(chǔ)單元頁中寫入測試數(shù)據(jù)。最后，讀回該測試數(shù)據(jù)。在測試數(shù)據(jù)線或地址線是否正常時(shí)，需要對(duì)比原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀回的測試數(shù)據(jù)。若兩者相同，則證明數(shù)據(jù)線正常，同時(shí)可以說明地址線以及相關(guān)的控制信號(hào)線也是正常的。
[0029]其中，如圖2所示，在所述存儲(chǔ)單元頁的基地址O偏移處寫入所述測試數(shù)據(jù)，且讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)時(shí)，依次讀取從所述基地址處開始的地址空間。
[0030]根據(jù)所述存儲(chǔ)單元塊中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷所述數(shù)據(jù)線是否正常的過程包括步驟:
[0031]將原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行異或，判斷結(jié)果是否為O;
[0032]若結(jié)果為O，判定所述數(shù)據(jù)線正常;否則，判定所述數(shù)據(jù)線異常。
[0033]具體來說，寫入的測試數(shù)據(jù)的構(gòu)造可以如下所示:
[0034]Test_Data={Oxaa，0x55，Oxaa，0x55，Oxaa，0x55，Oxaa，0x55}
[0035]通常情況下，數(shù)據(jù)線不正常主要由兩種情況引起:數(shù)據(jù)線短路或數(shù)據(jù)線開路。為了測試數(shù)據(jù)線是否有短路或開路，可以向測試的基地址O偏移處寫入測試數(shù)據(jù)。依次讀取從基地址處開始的地址空間，然后將寫入的測試數(shù)據(jù)和讀出的測試數(shù)據(jù)相異或，如果結(jié)果不為0，則說明地址線/數(shù)據(jù)線存在異常。如果結(jié)果為0，則說明讀取的測試數(shù)據(jù)與寫入的測試數(shù)據(jù)相同，則說明數(shù)據(jù)線正常，同時(shí)可以間接證明地址線以及相關(guān)的控制信號(hào)線也是正常的。
[0036]在本實(shí)施例中，提出的快速檢測NAND Flash內(nèi)存的方法，通過擦除NAND Flash內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊，再寫入一存儲(chǔ)單元頁的數(shù)據(jù)，然后讀出該存儲(chǔ)單元頁的數(shù)據(jù)，并與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行異或，來判斷NAND Flash內(nèi)存是否異常。值得指出的是，寫入的測試數(shù)據(jù)可以是交替的Oxaa和0x55。通過該方法，避免了傳統(tǒng)測試NAND Flash內(nèi)存時(shí)，遍歷整個(gè)NAND Flash內(nèi)存存儲(chǔ)空間進(jìn)行檢測，可以有效的減少測試時(shí)間，提高測試效率。
[0037]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，所述方法包括步驟: 擦除NAND Flash內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊； 在所述存儲(chǔ)單元塊的一存儲(chǔ)單元頁中寫入測試數(shù)據(jù)； 讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)； 根據(jù)所述存儲(chǔ)單元頁中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷數(shù)據(jù)線是否正常； 若不正常，判定NAND Flash內(nèi)存異常;否則，判定NAND Flash內(nèi)存正常。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，在所述存儲(chǔ)單元頁的基地址O偏移處寫入所述測試數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)時(shí)，依次讀取從所述基地址處開始的地址空間。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，根據(jù)所述存儲(chǔ)單元塊中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷所述數(shù)據(jù)線是否正常的過程包括步驟: 將原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行異或，判斷結(jié)果是否為O; 若結(jié)果為O，判定所述數(shù)據(jù)線正常;否則，判定所述數(shù)據(jù)線異常。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線正常時(shí)，判定地址線及相應(yīng)的控制信號(hào)線正常。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速檢測NANDFlash內(nèi)存的方法，其特征在于，寫入的所述測試數(shù)據(jù)為交替的Oxaa和0x55。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種快速檢測NAND？Flash內(nèi)存的方法，所述方法包括步驟：擦除NAND？Flash內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊；在所述存儲(chǔ)單元塊的一存儲(chǔ)單元頁中寫入測試數(shù)據(jù)；讀取寫入的所述測試數(shù)據(jù)；根據(jù)所述存儲(chǔ)單元頁中原始寫入的測試數(shù)據(jù)和讀取的測試數(shù)據(jù)判斷數(shù)據(jù)線是否正常；若不正常，判定NAND？Flash內(nèi)存異常；否則，判定NAND？Flash內(nèi)存正常。本發(fā)明提出的快速檢測NAND？Flash內(nèi)存的方法，避免了傳統(tǒng)測試NAND？Flash內(nèi)存時(shí)，遍歷整個(gè)NAND？Flash內(nèi)存存儲(chǔ)空間進(jìn)行檢測，可以有效的減少測試時(shí)間，提高測試效率。
【IPC分類】G06F11/10, G06F11/14
【公開號(hào)】CN105511981
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510829274
【發(fā)明人】王振
【申請(qǐng)人】上海斐訊數(shù)據(jù)通信技術(shù)有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年11月24日