本發(fā)明屬于微機(jī)電元件封裝，尤其涉及微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

1、在傳統(tǒng)的微機(jī)電元件封裝過(guò)程中，通常采用金屬線鍵合技術(shù)，隨后進(jìn)行封裝填充，并最終通過(guò)研磨工藝完成封裝。然而，這一工藝存在一些明顯的缺陷。金屬線鍵合技術(shù)中使用的金屬線非常細(xì)，這使得它在封裝填充過(guò)程中極易發(fā)生變形和偏移。這種變形不僅影響了微機(jī)電元件的對(duì)位精度，而且大大降低了最終產(chǎn)品的質(zhì)量與生產(chǎn)良率。此外，金屬線鍵合技術(shù)還可能導(dǎo)致封裝后的元件在電性能和熱性能方面存在不足，限制了元件的應(yīng)用范圍和性能表現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)上述情況，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提出了一種新的微機(jī)電元件封裝方法。該方法不僅能夠提高封裝的精度和質(zhì)量，還能夠縮短生產(chǎn)周期，降低生產(chǎn)成本，同時(shí)提高封裝的電熱效率和元件的可靠性。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用了如下技術(shù)方案：本發(fā)明提供了微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝方法，包括如下步驟：

3、s1、蝕刻：采用深反應(yīng)離子刻蝕或濕法化學(xué)蝕刻對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，在基板上蝕刻出對(duì)位鍵；

4、s2、密封；將蝕刻后的基板上安裝密封圈；

5、s3、合并；將基板上的對(duì)位鍵與硅晶圓上相應(yīng)的對(duì)位鍵連接；

6、s4、研磨：通過(guò)研磨減薄基板厚度；

7、s5、切割：對(duì)研磨后的基板進(jìn)行切割，露出電性接點(diǎn)；

8、s6、鈍化：在硅晶圓表面設(shè)置一層pi鈍化層；

9、s7、焊前處理：在晶圓的電性接點(diǎn)上連接銅柱凸塊，然后通過(guò)物理氣相沉積在銅柱凸塊上沉積ti/cu，然后涂覆光刻膠，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、電鍍cu/ni/snag、濕法蝕刻；

10、s8、回流焊：經(jīng)回流焊得到封裝產(chǎn)品。

11、進(jìn)一步地，所述濕法化學(xué)蝕刻采用的試劑為koh或tmah中的一種。

12、進(jìn)一步地，所述基板為玻璃或硅基板。

13、進(jìn)一步地，所述的微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)所述封裝方法封裝得到。

14、本發(fā)明的有益效果是：

15、(1)本發(fā)明避免了傳統(tǒng)封裝中金屬線鍵合因灌膠導(dǎo)致的線材外形變形，從而衍生出的多種問(wèn)題，顯著提高了成本和產(chǎn)品質(zhì)量的良率。

16、(2)本發(fā)明的封裝方法具有生產(chǎn)周期短、封裝輕薄短小、輸入輸出(i/o)數(shù)量多、電熱效率好的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝方法，其特征在于：包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝方法，其特征在于：所述濕法化學(xué)蝕刻采用的試劑為koh或tmah。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝方法，其特征在于：所述基板為玻璃或硅基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：通過(guò)所述封裝方法封裝得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了微機(jī)電元件的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)及方法，屬于微機(jī)電元件封裝技術(shù)領(lǐng)域。所述封裝方法包括如下步驟：S1、蝕刻；S2、密封；S3、合并；S4、研磨；S5、切割；S6、鈍化；S7、焊前處理；S8、回流焊。本發(fā)明避免了傳統(tǒng)封裝中金屬線鍵合因灌膠導(dǎo)致的線材外形變形，從而衍生出的多種問(wèn)題，顯著提高了成本和產(chǎn)品質(zhì)量的良率。本發(fā)明的封裝方法具有生產(chǎn)周期短、封裝輕薄短小、輸入輸出(I/O)數(shù)量多、電熱效率好的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：趙偉,郭劍云
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月新半導(dǎo)體（昆山）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/2