一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括：多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和多條柵極線(xiàn)絕緣交叉限定多個(gè)第一和第二像素單元；與數(shù)據(jù)線(xiàn)平行設(shè)置的多條觸控走線(xiàn)；第一像素單元中設(shè)置有第一薄膜晶體管和第一像素電極，第二像素單元中設(shè)置有第二薄膜晶體管和第二像素電極；觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)、第一和第二薄膜晶體管的第一第二極同層設(shè)置；靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一和第二薄膜晶體管位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的同一側(cè)且靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)的觸控走線(xiàn)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)；第一薄膜晶體管的第二極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的第一像素電極電連接，第二薄膜晶體管的第二極與位于同一個(gè)第二像素單元的第二像素電極電連接。本發(fā)明在簡(jiǎn)化制程的同時(shí)實(shí)現(xiàn)Zig?zag結(jié)構(gòu)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板及包括該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控顯示面板在生活中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。
[0003]—方面，觸控技術(shù)為目前顯示領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，根據(jù)觸控電極在顯示屏中的位置，觸控顯示面板可以分為In-cell、0n-cell以及外掛式等。其中，In-cell技術(shù)具有高匹配性、較好的防水特性、較高的報(bào)點(diǎn)率、較佳的懸浮特性以及較低的成本等一系列優(yōu)勢(shì)，成為時(shí)下觸控顯示面板發(fā)展的主流之一。
[0004]在In-cell觸控顯示面板中，通常需要在陣列基板側(cè)制作觸控電極及連接觸控電極的觸控走線(xiàn)，為了減少制程，會(huì)將觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的俯視示意圖，如圖1所示，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)11和多條柵極線(xiàn)12，以及由多條數(shù)據(jù)線(xiàn)11和多條柵極線(xiàn)12絕緣交叉限定的多個(gè)像素單元100，其中，每個(gè)像素單元100包括薄膜晶體管101和與其電連接的像素電極(圖1未示出)，還包括與數(shù)據(jù)線(xiàn)11平行設(shè)置的多條觸控走線(xiàn)13。在圖1中，觸控走線(xiàn)13和數(shù)據(jù)線(xiàn)11以及薄膜晶體管101的第一極、第二極設(shè)置在同一層，以減少制程。
[0005]另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)中，采用Zig-zag(之字形)結(jié)構(gòu)的陣列基板能夠以列反轉(zhuǎn)的方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果，從而在顯示時(shí)可以降低功耗。
[0006]然而，在圖1中，所有薄膜晶體管101均與其左側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)11電連接，如果要實(shí)現(xiàn)Zig-zag結(jié)構(gòu)，需要奇數(shù)行或者偶數(shù)行的薄膜晶體管101與其右側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)11電連接，但是在薄膜晶體管101和與其右側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)11之間設(shè)置有觸控走線(xiàn)13，觸控走線(xiàn)13與薄膜晶體管101的第一極和第二極設(shè)置在同一層，觸控走線(xiàn)13擋住了薄膜晶體管101的溝道部分，因此，奇數(shù)行或者偶數(shù)行的薄膜晶體管101無(wú)法與其右側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)11直接進(jìn)行電連接，從而觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的陣列基板難以實(shí)現(xiàn)Zig-zag結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板及包括該顯示面板的顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的陣列基板難以實(shí)現(xiàn)Z i g-zag結(jié)構(gòu)的技術(shù)問(wèn)題。
[0008]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和多條柵極線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述柵極線(xiàn)絕緣交叉限定多個(gè)第一像素單元和多個(gè)第二像素單元;與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行設(shè)置的多條觸控走線(xiàn)；所述第一像素單元中設(shè)置有第一薄膜晶體管和第一像素電極，所述第二像素單元中設(shè)置有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管包括柵極、第一極、第二極和有源層，其中，所述觸控走線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述第一極、所述第二極同層設(shè)置;靠近同一條所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的同一側(cè)且靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)的觸控走線(xiàn)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)；所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的第一極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)直接電連接，所述第一薄膜晶體管的第二極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的第二極與位于同一個(gè)第二像素單元的第二像素電極電連接。
[0009]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述第一方面提供的陣列基板，還包括與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板。
[0010]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述第二方面提供的顯示面板。
[0011]本發(fā)明提供的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的第一極和第二極同層制備時(shí)，由于靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的同一側(cè)，靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)的觸控走線(xiàn)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè);對(duì)于第一薄膜晶體管，其第一極和第二極分別與有源層交疊，第一極和第二極之間形成第一薄膜晶體管的溝道，其第一極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)直接電連接，而其第二極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的第一像素電極電連接，那么觸控走線(xiàn)就不會(huì)與第一薄膜晶體管的有源層發(fā)生交疊，即觸控走線(xiàn)不會(huì)擋住第一薄膜晶體管的溝道部分，不會(huì)對(duì)第一像素單元的正常顯示產(chǎn)生影響;對(duì)于第二薄膜晶體管，其第一極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)直接電連接，其第二極與位于同一個(gè)第二像素單元的第二像素電極電連接;則當(dāng)給同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)提供數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，在柵極線(xiàn)控制下，該數(shù)據(jù)線(xiàn)通過(guò)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)同一側(cè)的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管向位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)不同側(cè)的第一像素電極和第二像素電極實(shí)施充放電，以達(dá)到顯示功能，從而能夠在觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的同時(shí)實(shí)現(xiàn)Zig-zag結(jié)構(gòu)，既能夠減少制程，也能夠以列反轉(zhuǎn)的方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果，降低功耗。
【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的陣列基板的俯視示意圖；
[0014]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的Zig-zag結(jié)構(gòu)的陣列基板的俯視示意圖；
[0015]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；
[0016]圖4A是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的一種剖視示意圖；
[0017]圖4B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的一種剖視示意圖；
[0018]圖4C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的一種剖視示意圖；
[0019]圖5是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的另一種剖視示意圖；
[0020]圖6A是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的又一種剖視示意圖；
[0021]圖6B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的又一種剖視示意圖；
[0022]圖6C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的又一種剖視示意圖；
[0023]圖7A是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的又一種剖視示意圖；
[0024]圖7B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的又一種剖視示意圖；
[0025]圖7C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的又一種剖視示意圖；
[0026]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的俯視示意圖；
[0027]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示面板的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029]首先，為了本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解本發(fā)明的技術(shù)，下面先介紹一下現(xiàn)有技術(shù)中Z i g-zag結(jié)構(gòu)的陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0030]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的Zig-zag結(jié)構(gòu)的陣列基板的俯視示意圖。如圖2所示，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)21和多條柵極線(xiàn)22，以及由多條數(shù)據(jù)線(xiàn)21和多條柵極線(xiàn)22絕緣交叉限定的多個(gè)像素單元200，其中，每個(gè)像素單元200包括薄膜晶體管201和與其電連接的像素電極(圖2未示出)；且奇數(shù)行的薄膜晶體管201與其左側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)21電連接，偶數(shù)行的薄膜晶體管201與其右側(cè)相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)21電連接，上述薄膜晶體管201與數(shù)據(jù)線(xiàn)21的電連接方式即實(shí)現(xiàn)了 Zig-zag結(jié)構(gòu)。
[0031]在圖2中，“+”號(hào)表示數(shù)據(jù)信號(hào)的極性為正，“一”號(hào)表示數(shù)據(jù)信號(hào)的極性為負(fù)，其中，數(shù)據(jù)信號(hào)的極性由數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓與公共電壓的電壓差決定，當(dāng)該電壓差大于O時(shí)，極性為正，反之極性為負(fù)。通過(guò)圖中每條數(shù)據(jù)線(xiàn)21所加的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性以及每個(gè)像素電極所得到的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性可知，圖2所示的Zig-zag結(jié)構(gòu)的陣列基板能夠以列反轉(zhuǎn)的方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板能夠在觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的同時(shí)實(shí)現(xiàn)與圖2類(lèi)似的Zig-zag結(jié)構(gòu)。
[0033]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位詞是以附圖所示的角度來(lái)進(jìn)行描述的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限制。此外，在上下文中，還需要理解的是，當(dāng)提到一個(gè)元件被形成在另一元件“上”或“下”時(shí)，其不僅能夠直接形成在另一元件“上”或者“下”，其也可以通過(guò)中間元件間接形成在另一元件“上”或者“下”。
[0034]參考圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖。圖3示出的陣列基板，包括:多條數(shù)據(jù)線(xiàn)31和多條柵極線(xiàn)32，多條數(shù)據(jù)線(xiàn)31和多條柵極線(xiàn)32絕緣交叉限定多個(gè)第一像素單元300a和多個(gè)第二像素單元300b;與數(shù)據(jù)線(xiàn)31平行設(shè)置的多條觸控走線(xiàn)33;第一像素單元300a中設(shè)置有第一薄膜晶體管301a和第一像素電極(圖3未示出)，第二像素單元300b中設(shè)置有第二薄膜晶體管301b和第二像素電極(圖3未示出)，第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管301b包括柵極(對(duì)應(yīng)于圖3中第一薄膜晶體管的柵極321a和第二薄膜晶體管301b的柵極321b)、第一極(對(duì)應(yīng)于圖3中第一薄膜晶體管301a的第一極311a和第二薄膜晶體管301b的第一極311b)、第二極(對(duì)應(yīng)于圖3中第一薄膜晶體管301a的第二極312a和第二薄膜晶體管301b的第二極312b)和有源層(對(duì)應(yīng)于圖3中第一薄膜晶體管301a的有源層34a和第二薄膜晶體管301b的有源層34b)，其中觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31、第一極(311a和311b)、第二極(312a和312b)同層設(shè)置；靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31的第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管301b位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的同一側(cè)且靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的觸控走線(xiàn)33位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)；第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管301b的第一極(311a和311b)與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31直接電連接，第一薄膜晶體管301a的第二極312a與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極電連接，第二薄膜晶體管300b的第二極312b與位于同一個(gè)第二像素單元300b的第二像素電極電連接。
[0035]圖3示出的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)相比，當(dāng)觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31、第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管301b的第一極(311a和311b)和第二極(312a和312b)同層制備時(shí)，由于靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31的第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管302b位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的同一側(cè)，靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的觸控走線(xiàn)33位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)；對(duì)于第一薄膜晶體管301a，其第一極311a和第二極312a分別與有源層34a交疊，第一極311a和第二極312a之間形成第一薄膜晶體管301a的溝道，其第一極311a與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31直接電連接，而其第二極312a與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極電連接，那么觸控走線(xiàn)33就不會(huì)與第一薄膜晶體管301a的有源層34a發(fā)生交疊，即觸控走線(xiàn)33不會(huì)擋住第一薄膜晶體管301a的溝道部分，不會(huì)對(duì)第一像素單元300a的正常顯示產(chǎn)生影響；對(duì)于第二薄膜晶體管301b，其第一極31 Ib與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31直接電連接，其第二極312b與位于同一個(gè)第二像素單元300b的第二像素電極312b電連接;則當(dāng)給同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31提供數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，在柵極線(xiàn)32控制下，該數(shù)據(jù)線(xiàn)31通過(guò)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31同一側(cè)的第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管302b向位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31不同側(cè)的第一像素電極301a和第二像素電極301b實(shí)施充放電，以達(dá)到顯示功能，從而能夠在觸控走線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)同層制備的同時(shí)實(shí)現(xiàn)Zig-zag結(jié)構(gòu)，既能夠減少制程，也能夠以列反轉(zhuǎn)的方式實(shí)現(xiàn)圖2所示的點(diǎn)反轉(zhuǎn)的效果，降低功耗。
[0036]可以理解的是，圖3示出的陣列基板中，靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31的第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管302b位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的右側(cè)，靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的觸控走線(xiàn)33位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的左側(cè)，但該左右位置關(guān)系不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限制，也可以是靠近同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31的第一薄膜晶體管301a和第二薄膜晶體管302b位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的左側(cè)，靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的觸控走線(xiàn)33位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)31的右側(cè)，此處不再贅述。
[0037]圖3示出的陣列基板中，多個(gè)第一像素單元300a可以依次排列構(gòu)成第一像素單元行，多個(gè)第二像素單元300b可以依次排列構(gòu)成第二像素單元行，可選地，第一像素單元行和第二像素單元行可以交替設(shè)置。具體地，在圖3中，第一行的像素單元均為第一像素單元300a，第二行的像素單元均為第二像素單元300b，即第一行的像素單元構(gòu)成第一像素單元行，第二行的像素單元構(gòu)成第二像素單元行。圖3僅示意性地給出了一個(gè)第一像素單元行和一個(gè)第二像素單元行，而在陣列基板中所有像素單元的排布，可以通過(guò)交替設(shè)置上述第一像素單元行和第二像素單元行來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0038]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施例中，圖3示出的陣列基板中，多個(gè)第一像素單元300a可以依次排列構(gòu)成第一像素單元行，多個(gè)第二像素單元300b可以依次排列構(gòu)成第二像素單元行，第一像素單元行和第二像素單元行并不限定為隔行交替設(shè)置，可以是每?jī)尚械谝幌袼貑卧泻兔績(jī)尚械诙袼貑卧薪惶嬖O(shè)置、每一行第一像素單元行和每?jī)尚械诙袼貑卧薪惶嬖O(shè)置、每?jī)尚械谝幌袼貑卧泻兔恳恍械诙袼貑卧薪惶嬖O(shè)置等任意可行的實(shí)施方式。
[0039]參考圖4A-4C，圖4A是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的一種剖視示意圖，圖4B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的一種剖視示意圖，圖4C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的一種剖視示意圖。結(jié)合圖3和圖4A-4C，該陣列基板還包括襯底基板303、柵極絕緣層304、第一絕緣層305、平坦層306和公共電極層307;柵極(321a和321b)設(shè)置在襯底基板303上，柵極絕緣層304設(shè)置在柵極(321a和321b)上，有源層(34a和34b)設(shè)置在柵極絕緣層304上，第一極(311a和311b)和第二極(312a和312b)設(shè)置在有緣層(34a和34b)上，第一絕緣層305覆蓋在第一極(311a和311b)和第二極(312a和312b)上，平坦層306設(shè)置在第一絕緣層305上，公共電極層307與第一像素電極302a和第二像素電極302b相互絕緣。
[0040]進(jìn)一步地，圖4A-4C示出的陣列基板，第一像素電極302a和第二像素電極302b與公共電極層307位于平坦層306之上，該陣列基板還包括位于第一像素電極302a和第二像素電極302b與公共電極層307之間的第二絕緣層308，第一像素電極302a和第二像素電極302b位于平坦層306和第二絕緣層308之間。其中，如圖4C所示，第二像素電極302b通過(guò)第一過(guò)孔351與位于同一個(gè)第二像素單元300b的第二薄膜晶體管301b的第二極312b電連接。該陣列基板的公共電極層位于頂端，是top-com對(duì)應(yīng)的一種陣列基板。
[0041 ]繼續(xù)參考圖3，本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管301a的第二極312a通過(guò)第一金屬襯墊36與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極(圖3未示出)電連接，觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31在第一金屬襯墊36上的正投影與第一金屬襯墊36部分交疊，第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層設(shè)置。由于通過(guò)第一金屬襯墊36將第一薄膜晶體管301a的第二極312a與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極電連接，且第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層設(shè)置，在制作該陣列基板時(shí)，可以在形成柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)的同時(shí)形成第一金屬襯墊36，不需要增加額外的掩膜工藝，降低成本。
[0042]具體地，結(jié)合圖3和圖4A-4B，第一薄膜晶體管301a的第二極312a通過(guò)第二過(guò)孔352與第一金屬襯墊36電連接;靠近該第一薄膜晶體管301a的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極302a通過(guò)第三過(guò)孔353與第一金屬襯墊36電連接。第一金屬襯墊36的兩端分別位于同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31兩側(cè)相鄰的兩個(gè)第一像素單元300a中，觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31在第一金屬襯墊36上的正投影與第一金屬襯墊36部分交疊，第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層但絕緣設(shè)置。
[0043]參考圖5，圖5是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的另一種剖視示意圖。如圖5所示，該陣列基板也是top-com對(duì)應(yīng)的一種陣列基板，與圖4A示出的陣列基板相同的部分此處不再贅述，不同之處在于，在本實(shí)施例中，該陣列基板還包括位于靠近第一薄膜晶體管301a的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極302a和第一金屬襯墊36之間的第二金屬襯墊37，第二金屬襯墊37與數(shù)據(jù)線(xiàn)31同層設(shè)置，第二金屬襯墊37通過(guò)第四過(guò)孔354與第一金屬襯墊36電連接，第一像素電極302a通過(guò)第五過(guò)孔355與第二金屬襯墊37電連接。
[0044]需要說(shuō)明的是，圖5所示的實(shí)施例中，該陣列基板沿BB’方向和CC’方向的剖視示意圖與圖4B和圖4C相同，此處不再贅述。
[0045]圖5示出的陣列基板，第二金屬襯墊37通過(guò)第四過(guò)孔354與第一金屬襯墊36電連接，第一像素電極302a通過(guò)第五過(guò)孔355與第二金屬襯墊37電連接，從而實(shí)現(xiàn)了第一像素電極302a和第一金屬襯墊36間接電連接。這樣增加第二金屬襯墊37并設(shè)置兩個(gè)過(guò)孔，每個(gè)過(guò)孔的深度較淺，因此工藝制程實(shí)現(xiàn)比較簡(jiǎn)單;第二金屬襯墊37與數(shù)據(jù)線(xiàn)31同層設(shè)置，可由同一道掩膜工藝形成，并且第四過(guò)孔354與第二過(guò)孔352可由同一道掩膜工藝形成，第五過(guò)孔355與第一過(guò)孔351(參考圖4C)可由同一道掩膜工藝形成，因此不需要增加額外的掩膜工藝，降低成本;另外還可以?xún)?yōu)化第一像素電極302a與第一金屬襯墊36之間的接觸電阻。
[0046]參考圖6A-6C，圖6A是圖3示出的陣列基板沿AA ’方向的又一種剖視示意圖，圖6B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的又一種剖視示意圖，圖6C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的又一種剖視示意圖。結(jié)合圖3和圖6A-6C，與4A-4C示出的陣列基板的剖視圖相同的部分此處不再贅述，不同之處在于，在本實(shí)施例中，第一像素電極302a和第二像素電極302b與公共電極層307位于平坦層306之上，陣列基板還包括位于第一像素電極302a和第二像素電極302b與公共電極層307之間的第二絕緣層308，公共電極層307位于平坦層306和第二絕緣層308之間。其中，如圖6C所示，第二像素電極302b通過(guò)第一過(guò)孔351與位于同一個(gè)第二像素單元300b的第二薄膜晶體管301b的第二極312b電連接。該陣列基板的公共電極層位于中間，像素電極位于頂端，是mid-com對(duì)應(yīng)的一種陣列基板。
[0047]結(jié)合圖3和圖6A-6B，在本實(shí)施例中，第一薄膜晶體管301a的第二極312a通過(guò)第二過(guò)孔352與第一金屬襯墊36電連接;靠近該第一薄膜晶體管301a的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單兀300a的第一像素電極302通過(guò)第三過(guò)孔353與第一金屬襯墊36電連接。第一金屬襯墊36的兩端分別位于同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31兩側(cè)相鄰的兩個(gè)第一像素單元300a之間，觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31在第一金屬襯墊36上的正投影與第一金屬襯墊36部分交疊，第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層但絕緣設(shè)置。由于第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層設(shè)置，在制作該陣列基板時(shí)，可以在形成柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)的同時(shí)形成第一金屬襯墊36，不需要增加額外的掩膜工藝，降低成本。
[0048]可以理解的是，與圖5示出的陣列基板的剖視圖類(lèi)似，也可以在圖6A示出的陣列基板的剖視圖的基礎(chǔ)上，在位于靠近第一薄膜晶體管301a的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極302a和第一金屬襯墊36之間設(shè)置第二金屬襯墊，第二金屬襯墊與數(shù)據(jù)線(xiàn)31同層設(shè)置，并通過(guò)設(shè)置第四過(guò)孔和第五過(guò)孔使得第一像素電極302a和第一金屬襯墊36間接電連接，以降低制作成本和難度、優(yōu)化接觸電阻，此處不再贅述。
[0049]參考圖7A-7C，圖7A是圖3示出的陣列基板沿AA’方向的又一種剖視示意圖，圖7B是圖3示出的陣列基板沿BB’方向的又一種剖視示意圖，圖7C是圖3示出的陣列基板沿CC’方向的又一種剖視示意圖。結(jié)合圖3和圖7A-7C，與4A-4C示出的陣列基板的剖視圖相同的部分此處不再贅述，不同之處在于，在本實(shí)施例中，第一像素電極302a和第二像素電極302b位于柵極絕緣層304和第一絕緣層305之間；第一薄膜晶體管301a的第二極312a通過(guò)第六過(guò)孔356與第一金屬襯墊36電連接，靠近該第一薄膜晶體管301a的數(shù)據(jù)線(xiàn)31的另一側(cè)的第一像素單元300a的第一像素電極302a通過(guò)第七過(guò)孔357與第一金屬襯墊36電連接；第二像素電極302b與位于同一個(gè)第二像素單元300b的第二薄膜晶體管301b的第二極312b直接層疊電連接;公共電極層307位于平坦層306之上。該陣列基板的公共電極層位于頂端，是top-com對(duì)應(yīng)的另一種陣列基板，其第二像素電極302b不需要通過(guò)打孔與第二薄膜晶體301b的第二極312b電連接，節(jié)省了一步打孔制程，降低了制作成本。
[0050]結(jié)合圖3和圖7A-7B，在本實(shí)施例中，第一金屬襯墊36的兩端分別位于同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)31兩側(cè)相鄰的兩個(gè)第一像素單元300a之間，觸控走線(xiàn)33和數(shù)據(jù)線(xiàn)31在第一金屬襯墊36上的正投影與第一金屬襯墊36部分交疊，第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層但絕緣設(shè)置。由于第一金屬襯墊36與柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)同層設(shè)置，在制作該陣列基板時(shí)，可以在形成柵極線(xiàn)32和柵極(321a和321b)的同時(shí)形成第一金屬襯墊36，并且第六過(guò)孔356與第七過(guò)孔357可由同一道掩膜工藝形成，不需要增加額外的掩膜工藝，降低成本。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述任一實(shí)施例提供的陣列基板，還包括與該陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板具有本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的有益效果，可以參考上述實(shí)施例提供的陣列基板，在此不做贅述。
[0052]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的一種俯視示意圖(示例性地示出部分膜層)。如圖8所示，該顯示面板的公共電極層307可以包括相互獨(dú)立的呈陣列排布的多個(gè)塊狀公共電極3071，每個(gè)塊狀公共電極3071連接一條或多條觸控走線(xiàn)33(圖8中示例性地示出一條)；塊狀公共電極3071在觸控階段復(fù)用作觸控電極。其中，每個(gè)塊狀公共電極3071與對(duì)應(yīng)的觸控走線(xiàn)33可以通過(guò)過(guò)孔358實(shí)現(xiàn)電連接。在觸控階段，多個(gè)觸控電極(即塊狀公共電極3071)可以通過(guò)自電容進(jìn)行觸控檢測(cè)。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)塊狀公共電極3071的具體形狀不做限定，可以是矩形、風(fēng)車(chē)形或者任意不規(guī)則圖形。
[0053]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的另一種俯視示意圖(示例性地示出部分膜層)。如圖9所示，該顯示面板的公共電極層307可以包括相互獨(dú)立的多個(gè)條狀公共電極3071，多個(gè)條狀公共電極3071沿第一方向001延伸，沿第二方向002依次并列排布，第一方向001和第二方向002交叉，每個(gè)條狀公共電極3071連接一條或多條觸控走線(xiàn)33(圖9中示例性地示出一條)；條狀公共電極3071在觸控階段復(fù)用作第一觸控電極。其中，每個(gè)條狀公共電極3071與對(duì)應(yīng)的觸控走線(xiàn)33可以通過(guò)過(guò)孔358實(shí)現(xiàn)電連接。該顯示面板還包括多個(gè)條狀第二觸控電極3091，第二觸控電極3091依次并列排布，第二觸控電極3091的延伸方向與第一方向001相交?？蛇x地，第二觸控電極3091可以設(shè)置在對(duì)向基板上。在觸控階段，第一觸控電極3071和第二觸控電極3091可以通過(guò)互電容進(jìn)行觸控檢測(cè)。具體地，可以將第一觸控電極3 O 71作為觸控驅(qū)動(dòng)電極，接收觸控驅(qū)動(dòng)電路提供的觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)；可以將第二觸控電極3091作為觸控檢測(cè)電極，提供觸控檢測(cè)信號(hào)。
[0054]需要說(shuō)明的是，以上實(shí)施例提供的顯示面板，其中所述顯示面板的液晶驅(qū)動(dòng)方式可以為面內(nèi)轉(zhuǎn)換(IPS，In Plane Swi tching)方式，也可以為邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(FFS，F(xiàn)ringeFiled Switching)方式。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括以上任意一個(gè)實(shí)施例所述的顯示面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置具有本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板的有益效果，可以參考上述實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板，在此不做贅述。該顯示裝置可以是手機(jī)、臺(tái)式電腦、筆記本、平板電腦、電子紙等任意具有顯示功能的設(shè)備。
[0056]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板、顯示面板和顯示裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括: 多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和多條柵極線(xiàn)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述柵極線(xiàn)絕緣交叉限定多個(gè)第一像素單元和多個(gè)第二像素單元； 與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行設(shè)置的多條觸控走線(xiàn)； 所述第一像素單元中設(shè)置有第一薄膜晶體管和第一像素電極，所述第二像素單元中設(shè)置有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管包括柵極、第一極、第二極和有源層，其中，所述觸控走線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述第一極、所述第二極同層設(shè)置； 靠近同一條所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的同一側(cè)且靠近該數(shù)據(jù)線(xiàn)的觸控走線(xiàn)位于該數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)； 所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的第一極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)直接電連接，所述第一薄膜晶體管的第二極與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的第二極與位于同一個(gè)第二像素單元的第二像素電極電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，多個(gè)所述第一像素單元依次排列構(gòu)成第一像素單元行，多個(gè)所述第二像素單元依次排列構(gòu)成第二像素單元行，所述第一像素單元行和第二像素單元行交替設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的第二極通過(guò)第一金屬襯墊與靠近其的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的第一像素電極電連接，所述觸控走線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)在所述第一金屬襯墊上的正投影與所述第一金屬襯墊部分交疊，所述第一金屬襯墊與所述柵極線(xiàn)和所述柵極同層設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括襯底基板、柵極絕緣層、第一絕緣層、平坦層和公共電極層； 所述柵極設(shè)置在所述襯底基板上，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述柵極上，所述有源層設(shè)置在所述柵極絕緣層上，所述第一極和第二極設(shè)置在所述有源層上，所述第一絕緣層覆蓋在所述第一極和第二極上，所述平坦層設(shè)置在所述第一絕緣層上，所述公共電極層與所述第一像素電極和所述第二像素電極相互絕緣。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極和所述第二像素電極與所述公共電極層位于所述平坦層之上； 所述陣列基板還包括位于所述第一像素電極和所述第二像素電極與所述公共電極層之間的第二絕緣層； 所述第一像素電極和所述第二像素電極位于所述平坦層和所述第二絕緣層之間； 或者所述公共電極層位于所述平坦層和所述第二絕緣層之間； 所述第二像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與位于同一個(gè)第二像素單元的所述第二薄膜晶體管的第二極電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的第二極通過(guò)第二過(guò)孔與所述第一金屬襯墊電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，靠近所述第一薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的所述第一像素電極通過(guò)第三過(guò)孔與所述第一金屬襯墊電連接。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于靠近所述第一薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的所述第一像素電極和所述第一金屬襯墊之間的第二金屬襯墊，所述第二金屬襯墊與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置，所述第二金屬襯墊通過(guò)第四過(guò)孔與所述第一金屬襯墊電連接，所述第一像素電極通過(guò)第五過(guò)孔與所述第二金屬襯墊電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極和所述第二像素電極位于所述柵極絕緣層和所述第一絕緣層之間； 所述第一薄膜晶體管的第二極通過(guò)第六過(guò)孔與所述第一金屬襯墊電連接，靠近所述第一薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)的另一側(cè)的第一像素單元的所述第一像素電極通過(guò)第七過(guò)孔與所述第一金屬襯墊電連接； 所述第二像素電極與位于同一個(gè)第二像素單元的所述第二薄膜晶體管的第二極直接層疊電連接； 所述公共電極層位于所述平坦層之上。10.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板，還包括與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的對(duì)向基板。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述公共電極層包括相互獨(dú)立的呈陣列排布的多個(gè)塊狀公共電極，每個(gè)所述塊狀公共電極連接一條或多條所述觸控走線(xiàn)； 所述塊狀公共電極在觸控階段復(fù)用作觸控電極。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述公共電極層包括相互獨(dú)立的多個(gè)條狀公共電極，所述多個(gè)條狀公共電極沿第一方向延伸，沿第二方向依次并列排布，所述第一方向和所述第二方向交叉，每個(gè)所述條狀公共電極連接一條或多條所述觸控走線(xiàn)； 所述條狀公共電極在觸控階段復(fù)用作第一觸控電極； 所述顯示面板還包括多個(gè)條狀第二觸控電極，所述第二觸控電極依次并列排布，所述第二觸控電極的延伸方向與所述第一方向相交。13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK105824482SQ201610226891
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月13日
【發(fā)明人】丁洪, 楊康, 周星耀
【申請(qǐng)人】上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司