二極管spice仿真模型的制作方法
【專利摘要】一種二極管SPICE仿真模型，所述仿真模型包括：在二極管模型的陽(yáng)極和陰極之間串聯(lián)第一電阻，所述第一電阻的阻值為R1＝R0[1+(Vr/Vsat)n](1+1/n)，其中，R0為低場(chǎng)電阻，Vsat為飽和電壓，Vr為所述第一電阻上的電壓值，n為預(yù)設(shè)的系數(shù)。采用所述二極管SPICE仿真模型，在大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，可以有效提高二極管電流電壓仿真曲線與實(shí)際的電流電壓特性曲線擬合度。
【專利說(shuō)明】
二極管SPI化仿真模型
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及電子仿真技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種二極管SPICE仿真模型。
【背景技術(shù)】
[0002] 二極管是半導(dǎo)體集成電路中的一種較為重要的半導(dǎo)體器件，在集成電路工藝領(lǐng)域 中被廣泛應(yīng)用。為了預(yù)測(cè)二極管器件在其所處的環(huán)境中的性能W及可靠性，需要對(duì)二極管 進(jìn)行仿真。
[0003] 在實(shí)際應(yīng)用中，一般是在SPICE中對(duì)二極管進(jìn)行建模仿真。SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)是由美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校開(kāi)發(fā)的電路 仿真程序，可W對(duì)多種元器件進(jìn)行建模仿真。
[0004] 在現(xiàn)有的SPICE仿真中，在進(jìn)行大電流靜電釋放巧lectro-Static discharge， ESD)傳輸線脈沖測(cè)試（TL巧時(shí)，一般采用現(xiàn)有的P溝道N型淺溝槽隔離（STI)二極管的模 型進(jìn)行仿真，仿真的結(jié)果可W參照?qǐng)D1。
[0005] 圖1中，曲線101表示為在SPICE中采用P溝道N型STI二極管模型進(jìn)行ESD傳 輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線，曲線102表示為實(shí)際的二極管在進(jìn)行ESD傳輸線脈沖測(cè) 試時(shí)的電流電壓曲線。從圖1中可W得知，在二極管上的電壓小于2V時(shí)，實(shí)際的二極管的 電流電壓特性與模型中的曲線擬合度較高。在二極管上的電壓大于2V時(shí)，二極管中實(shí)際的 二極管的電流電壓特性與模型中的曲線擬合度較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種二極管SPICE模型，在大電流ESD傳輸線脈 沖測(cè)試時(shí)，提高二極管電流電壓仿真曲線與實(shí)際的電流電壓特性曲線擬合度。
[0007] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種二極管SPICE仿真模型，包括：在二極管 模型的陽(yáng)極和陰極之間串聯(lián)第一電阻，所述第一電阻的阻值為Ri=Re[l+(Vf/XJ"]u"/"， 其中，R。為低場(chǎng)電阻，Vs。,為飽和電壓，Vf為所述第一電阻上的電壓值，η為預(yù)設(shè)的系數(shù)。
[0008] 可選的，所述二極管模型為Ρ溝道Ν型淺溝槽隔離二極管模型，所述第一電阻為Ρ 溝道與陰極之間的等效電阻。
[0009] 可選的，所述二極管SPICE仿真模型還包括：在所述第一電阻與所述陰極之間串 聯(lián)具有自熱效應(yīng)的第二電阻，所述第二電阻的阻值為R2= RemX (1巧CRX ΔΤ)，其中，Rcm為 所述第二電阻的低場(chǎng)電阻，TCR為所述第二電阻的電阻溫度系數(shù)，ΔΤ為所述第二電阻的當(dāng) 前溫度值與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)溫度值之差。
[0010] 可選的，所述預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)溫度值為25 °C。
[0011] 可選的，所述具有自熱效應(yīng)的第二電阻為金屬電阻。
[0012] 可選的，所述金屬電阻為金屬連接單元的等效電阻，所述金屬連接單元包括：第一 金屬連接單元W及第二金屬連接單元，其中：
[0013] 所述第一金屬連接單元的第一端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的陽(yáng)極 焊盤禪接，第二端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的PN結(jié)的P區(qū)禪接；
[0014] 所述第二金屬連接單元的第一端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的陰極 焊盤禪接，第二端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的PN結(jié)的N區(qū)禪接。
[0015] 可選的，所述第一金屬連接單元包括至少兩根金屬連接線，所述第二金屬連接單 元包括至少兩根金屬連接線，且所述第一金屬連接單元包含的金屬連接線的數(shù)目與所述第 二金屬連接單元包含的金屬連接線的數(shù)目相等。
[0016] 可選的，所述第一金屬連接單元的金屬連接線，與所述第二金屬連接單元的金屬 連接線在所述PN結(jié)區(qū)域交替分布。
[0017] 可選的，所述金屬電阻的阻值為：
[0018]
[0019] 其中，Vk2為所述金屬電阻的當(dāng)前電壓值，Rth為所述金屬電阻的等效熱電阻，Cth為 所述金屬電阻的等效熱電容，t為進(jìn)行傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)間。
[0020] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有W下優(yōu)點(diǎn)：
[0021] 在二極管模型的陽(yáng)極和陰極之間串聯(lián)第一電阻，且第一電阻的阻值為Ri = R〇[l+(Vr/Vsat)"]UW">，第一電阻的阻值與二極管的低場(chǎng)電阻、飽和電壓W及第一電阻上的 電壓值相關(guān)，在SPICE中模擬大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，通過(guò)增加第一電阻可W精確地 模擬基層電導(dǎo)率調(diào)制，從而使得二極管的電流電壓特性曲線與實(shí)際測(cè)量得到的電流電壓曲 線的擬合度較高。
[0022] 進(jìn)一步，在第一電阻和陰極之間串聯(lián)具有自熱效應(yīng)的第二電阻，第二電阻的阻值 等于陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線W及陰極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線的等效電 阻，充分考慮到二極管在進(jìn)行ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)的發(fā)熱效應(yīng)，因此能夠使得SPICE中的 二極管模型在ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線與實(shí)際測(cè)量得到的電流電壓曲線的 擬合度更高。 陽(yáng)023] 此外，陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線，與陰極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線 交替排列，可W使得流經(jīng)二極管的電流更加均勻。
【附圖說(shuō)明】
[0024] 圖1是現(xiàn)有的ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)實(shí)際的電流電壓特性曲線與SPICE中的電流 電壓曲線對(duì)比圖；
[00巧]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的一種二極管SPICE仿真模型；
[0026] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種二極管SPICE仿真模型；
[0027] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的一種P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型；
[0028] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)實(shí)際的電流電壓特性曲線與 SPICE中的電流電壓曲線對(duì)比圖；
[0029] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)實(shí)際的電流電壓特性曲線 與SPICE中的電流電壓曲線對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030] 在現(xiàn)有的SPICE仿真中，在進(jìn)行ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，一般采用現(xiàn)有的淺溝槽隔 離（STI)二極管的模型進(jìn)行仿真，仿真的結(jié)果可W參照?qǐng)D1。
[0031] 圖1中，曲線101表示為在SPICE中采用P溝道N型STI二極管模型進(jìn)行ESD傳 輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線，曲線102表示為實(shí)際的二極管在進(jìn)行ESD傳輸線脈沖測(cè) 試時(shí)的電流電壓曲線，曲線102是通過(guò)采樣多個(gè)電壓值及其對(duì)應(yīng)的電流值擬合生成。從圖1 中可W得知，在二極管上的電壓小于2V時(shí)，曲線101與曲線102的擬合度較高。在二極管 上的電壓大于2V時(shí)，曲線101與曲線102的擬合度較差。運(yùn)是因?yàn)楝F(xiàn)有的SPICE中，在進(jìn) 行ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，并沒(méi)有考慮到大電流時(shí)載流子大注入導(dǎo)致的基層電導(dǎo)率調(diào)制會(huì) 發(fā)生改變。
[0032] 在本發(fā)明實(shí)施例中，在二極管模型的陽(yáng)極和陰極之間串聯(lián)第一電阻，且第一電阻 的阻值為Ri= 1?。[1+八/\。1)"]4"/">，第一電阻的阻值與二極管的低場(chǎng)電阻、飽和電壓^及 第一電阻上的電壓值相關(guān)，在SPICE中模擬大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，通過(guò)增加第一電 阻可W精確地模擬基層電導(dǎo)率調(diào)制，從而使得二極管的電流電壓特性曲線與實(shí)際測(cè)量得到 的電流電壓曲線的擬合度較高。
[0033] 為使本發(fā)明實(shí)施例的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì) 本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0034] 參照?qǐng)D2,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種二極管SPICE仿真模型，包括二極管模型W及 第一電阻Ri，其中：
[0035] 第一電阻Ri串聯(lián)在二極管模型的陽(yáng)極與陰極之間，且第一電阻Ri的阻值為： W36]
( 1 }
[0037] 其中，咕為低場(chǎng)電阻，V .。，為飽和電壓，V ^為所述第一電阻上的電壓值，η為預(yù)設(shè)的 系數(shù)。在本發(fā)明實(shí)施例中，η的取值約等于1，可W根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景選擇對(duì)應(yīng)的η。R。和 Vg。,也可W根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行選擇，此處不做寶述。
[0038] 在本發(fā)明實(shí)施例中，二極管模型可W為SPICE中的P溝道N型淺溝槽隔離二極管 模型，第一電阻可W為P溝道N型淺溝槽隔離二極管中的P溝道與陰極之間的等效電阻。 從第一電阻的阻值表達(dá)式中可W看出，第一電阻的阻值與飽和電壓相關(guān)，在進(jìn)行大電流ESD 傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，采用本發(fā)明上述實(shí)施例中的二極管模型，可W精確地模擬基層電導(dǎo)率 調(diào)制，而基層電導(dǎo)率調(diào)制與在進(jìn)行大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，遷移率飽和導(dǎo)致的載流 子大注入相關(guān)。
[0039] 參照?qǐng)D5,給出了本發(fā)明上述實(shí)施例中提供的二極管SPICE仿真模型在進(jìn)行ESD傳 輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線圖，圖5中，曲線501表示為本發(fā)明上述實(shí)施例提供的二極 管SPICE仿真模型的電流電壓曲線圖，曲線502表示為實(shí)際測(cè)量得到的二極管在ESD傳輸 線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線圖。從圖5中可W得知，在電壓小于4V時(shí)，曲線501與曲線 502基本擬合，即本發(fā)明上述實(shí)施例提供的二極管SPICE仿真模型能夠較精確地模擬在進(jìn) 行ESD脈沖線測(cè)試時(shí)，實(shí)際的二極管的電流電壓特性。
[0040] 在實(shí)際應(yīng)用中，在進(jìn)行大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，二極管會(huì)隨著傳輸線脈沖 測(cè)試而發(fā)熱，導(dǎo)致二極管的性能參數(shù)發(fā)生改變。為更精確地在SPICE中仿真二極管在大電 流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線，本發(fā)明實(shí)施例提供了另一種二極管SPICE仿真 模型。
[0041] 參照?qǐng)D3,本發(fā)明實(shí)施例給出了另一種二極管SPICE仿真模型，與本發(fā)明上一實(shí)施 例不同的是，本發(fā)明實(shí)施例在第一電阻與陰極之間增加了具有自熱效應(yīng)的第二電阻R2。 陽(yáng)0創(chuàng)在本發(fā)明實(shí)施例中，第二電阻R2的阻值為R2= R〇mX (1巧CRX ΔΤ)，其中，R〇m為所 述第二電阻R2的低場(chǎng)電阻，TCR為所述第二電阻R 2的電阻溫度系數(shù)，AT為所述第二電阻 R2的當(dāng)前溫度值與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)溫度值之差。基準(zhǔn)溫度值可W為25Γ，也可W為其他值，可 W根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景選擇對(duì)應(yīng)的溫度值作為基準(zhǔn)溫度值。
[0043] 在本發(fā)明實(shí)施例中，第二電阻R2可W是任意具有自熱效應(yīng)的電阻。在本發(fā)明一實(shí) 施例中，第二電阻R2可W為金屬電阻。
[0044] 在本發(fā)明一實(shí)施例中，第二電阻R2可W是SPICE中的P溝道N型淺溝槽隔離二極 管模型中的金屬連接單元的等效電阻，金屬連接單元包括：連接二極管陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)P 區(qū)的金屬連接線，W及連接二極管陰極焊盤與PN結(jié)N區(qū)的金屬連接線。 W45] 參照?qǐng)D4,給出了本發(fā)明一實(shí)施例中的SPICE中的P溝道N型淺溝槽隔離二極管模 型。圖4中，陽(yáng)極焊盤401通過(guò)預(yù)設(shè)第一金屬連接單元402與PN結(jié)403中的P區(qū)連接（圖 4中PN結(jié)中的黑色條形區(qū)），陰極焊盤405通過(guò)預(yù)設(shè)的第二金屬連接單元404與PN結(jié)403 中的N區(qū)連接（圖4中PN結(jié)中的灰色條形區(qū)），PN結(jié)403中的P區(qū)與N區(qū)依次交替排列。
[0046] 圖4中，在陽(yáng)極焊盤401與PN結(jié)403之間設(shè)置的第一金屬連接單元402包括3根 金屬連接線，依次為 metall、metal3、metal5, metall、metal3、metals 均與 PN 結(jié) 403 中的 P區(qū)禪接。在陰極焊盤405與PN結(jié)403之間設(shè)置的第二金屬連接單元包括3根金屬連接 線，依次為 metal2、metal4、metal6，metal2、metal4、metal6 均與 PN 結(jié) 403 中的 N 區(qū)禪接。 通過(guò)金屬連接線使得陽(yáng)極與PN結(jié)403之間、陰極與PN結(jié)403之間導(dǎo)通，使得二極管能夠正 常工作。metall、metal3、metal5 W及 metal2、metal4、metal6 在 PN 結(jié) 403 內(nèi)交叉分布，可 W使得電流能夠均勻地流經(jīng)二極管。
[0047] 可W理解的是，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線、陰 極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線的數(shù)目也可W為其他值，例如，陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金 屬連接線W及陰極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線的數(shù)目均為2或4,或者為其他值，本發(fā)明 對(duì)金屬連接線的數(shù)目并不做具體限定，只要滿足陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)的金屬連接線的數(shù)目，與 陰極焊盤與PN結(jié)的金屬連接線的數(shù)目相等即可。
[0048] 在本發(fā)明一實(shí)施例中，第二電阻R2為SPICE中的P溝道N型淺溝槽隔離二極管模 型中的金屬連接單元的等效電阻。在進(jìn)行大電流ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)，第二電阻R2可W 等效成熱電阻Rth與熱電容C th的并聯(lián)電路，熱電阻R th與熱電容C th均與第二電阻R 2的溫度 有關(guān)，第二電阻R2的溫度與傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)長(zhǎng)相關(guān)。隨著傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)間的增加， 第二電阻Rz上的功率值為：
[0049]
( 2)
[0050] 其中，P為第二電阻R2上消耗的功率值，且
Vk2為第二電阻R2上的電 壓值，TsHe為二極管的當(dāng)前溫度值，Τ。為基準(zhǔn)溫度值，t為進(jìn)行傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)長(zhǎng)，R th為 第二電阻Rz的等效熱電阻，C th為第二電阻R2的等效熱電容。
[00川對(duì)式似進(jìn)行變換，可W得到：
[0052]
[0057] 其中，巧?,為所述第二電阻R2的當(dāng)前電壓值，t為進(jìn)行傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)間。
[0058] 從上式中可W得知，R2的阻值只與傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)長(zhǎng)相關(guān)，傳輸線脈沖測(cè)試 的時(shí)長(zhǎng)越長(zhǎng)，R2的阻值越大。
[0059] 參照?qǐng)D6,給出了本發(fā)明上述實(shí)施例中提供的二極管SPICE仿真模型在進(jìn)行ESD 傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線圖。曲線601表示為本發(fā)明上述實(shí)施例提供的二極管 SPICE仿真模型的電流電壓曲線圖，曲線602表示為實(shí)際測(cè)量得到的二極管在ESD傳輸線脈 沖測(cè)試時(shí)的電流電壓曲線圖。從圖6中可W得知，曲線601與曲線602基本擬合，即本發(fā)明 實(shí)施例提供的二極管SPICE仿真模型能夠精確地模擬在進(jìn)行ESD脈沖線測(cè)試時(shí)，實(shí)際的二 極管的電流電壓特性。
[0060] 由此可見(jiàn)，在第一電阻和陰極之間串聯(lián)具有自熱效應(yīng)的第二電阻，第二電阻的阻 值等于陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線W及陰極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線的等效 電阻，充分考慮到二極管在進(jìn)行ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)的發(fā)熱效應(yīng)，因此能夠使得SPICE中 的二極管模型的電流電壓曲線在ESD傳輸線脈沖測(cè)試時(shí)能夠更好地與實(shí)際測(cè)量得到的電 流電壓曲線擬合。 陽(yáng)061] 此外，陽(yáng)極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線，與陰極焊盤與PN結(jié)之間的金屬連接線 交替排列，可W使得流經(jīng)二極管的電流更加均勻。
[0062] 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可W理解上述實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可 W通過(guò)程序來(lái)指示相關(guān)的硬件來(lái)完成，該程序可W存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ) 介質(zhì)可W包括：ROM、RAM、磁盤或光盤等。
[0063] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)W權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種二極管SPICE仿真模型，其特征在于，包括： 在二極管模型的陽(yáng)極和陰極之間串聯(lián)第一電阻，所述第一電阻的阻值為札= iui+(vr/vsat)n](1+1/n)，其中，R。為低場(chǎng)電阻，V sat為飽和電壓，Vr為所述第一電阻上的電壓值， η為預(yù)設(shè)的系數(shù)。2. 如權(quán)利要求1所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述二極管模型為Ρ溝道 N型淺溝槽隔離二極管模型，所述第一電阻為P溝道與陰極之間的等效電阻。3. 如權(quán)利要求2所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，還包括：在所述第 一電阻與所述陰極之間串聯(lián)具有自熱效應(yīng)的第二電阻，所述第二電阻的阻值為R 2 = R^X (1+TCRX ΔΤ)，其中，1^為所述第二電阻的低場(chǎng)電阻，TCR為所述第二電阻的電阻溫度 系數(shù)，A T為所述第二電阻的當(dāng)前溫度值與預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)溫度值之差。4. 如權(quán)利要求3所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)溫度值為 25。。。5. 如權(quán)利要求3所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述具有自熱效應(yīng)的第二 電阻為金屬電阻。6. 如權(quán)利要求5所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述金屬電阻為金屬連 接單元的等效電阻，所述金屬連接單元包括：第一金屬連接單元以及第二金屬連接單元，其 中： 所述第一金屬連接單元的第一端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的陽(yáng)極焊盤 耦接，第二端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的PN結(jié)的P區(qū)耦接； 所述第二金屬連接單元的第一端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的陰極焊盤 耦接，第二端與所述P溝道N型淺溝槽隔離二極管模型的PN結(jié)的N區(qū)耦接。7. 如權(quán)利要求6所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述第一金屬連接單元包 括至少兩根金屬連接線，所述第二金屬連接單元包括至少兩根金屬連接線，且所述第一金 屬連接單元包含的金屬連接線的數(shù)目與所述第二金屬連接單元包含的金屬連接線的數(shù)目 相等。8. 如權(quán)利要求7所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述第一金屬連接單元的 金屬連接線，與所述第二金屬連接單元的金屬連接線在所述PN結(jié)區(qū)域交替分布。9. 如權(quán)利要求8所述的二極管SPICE仿真模型，其特征在于，所述金屬電阻的阻值為：其中，匕、為所述第二電阻的當(dāng)前電壓值，Rth為所述第二電阻的等效熱電阻，Cth為所述 第二電阻的等效熱電容，t為進(jìn)行傳輸線脈沖測(cè)試的時(shí)間。
【文檔編號(hào)】G06F9/455GK105824683SQ201510007223
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月7日
【發(fā)明人】甘正浩, 張安, 葉好華, 黃威森
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司