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      一種毫米波fet的建模方法

      文檔序號:10655501閱讀:311來源:國知局
      一種毫米波fet的建模方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種毫米波FET的建模方法,包括步驟:將毫米波FET劃分為無源結(jié)構(gòu)區(qū)的輸入電極和輸出電極,以及有源結(jié)構(gòu)區(qū)的柵源漏電極;將有源結(jié)構(gòu)區(qū)沿柵寬方向等分為若干一級子單元;計(jì)算輸入電極S參數(shù)、輸出電極S參數(shù)以及若干一級子單元S參數(shù);將一級子單元等分為與柵指數(shù)目相等份數(shù)的二級子單元,計(jì)算二級子單元的本征參數(shù);基于輸入電極S參數(shù)、輸出電極S參數(shù)、若干一級子單元S參數(shù)以及二級子單元的本征參數(shù),以矩陣級聯(lián)方式連接得到毫米波FET的模型。通過上述方式,本發(fā)明能夠模擬毫米波信號在FET電極中傳播時(shí)的行波效應(yīng)的影響,模型精度更高,可用于頻率外推,預(yù)測器件在更高頻率的性能。
      【專利說明】
      -種毫米波FET的建模方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001] 本發(fā)明設(shè)及晶體管器件的建模技術(shù)領(lǐng)域,特別是設(shè)及一種毫米波FET的建模方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 器件模型在電路設(shè)計(jì)中起著至關(guān)重要的作用,在電路設(shè)計(jì)和工藝設(shè)計(jì)之間發(fā)揮著 橋梁的作用。隨著電路工作頻率進(jìn)入微波甚至更高頻段,傳統(tǒng)的W經(jīng)驗(yàn)為主的設(shè)計(jì)方法越 來越不能滿足電路設(shè)計(jì)的要求,因而獲得精確的器件模型將顯得越來越重要,運(yùn)不僅可W 提高電路設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性,減少工藝反復(fù),而且可W降低產(chǎn)品成本,縮短研制周期。
      [0003] 隨著場效應(yīng)晶體管(FET)的特征尺寸減小,其工作頻率進(jìn)入毫米波甚至太赫茲頻 段,對應(yīng)的工作波長僅為亞毫米甚至微米量級,此時(shí)FET的單指柵寬W及輸入輸出電極的尺 寸已經(jīng)可W和工作波長相比擬,必須考慮信號傳輸時(shí)的衰減、相位延遲等行波效應(yīng)的影響。 另外,隨著器件工作頻率的升高,F(xiàn)ET輸入輸出電極W及有源結(jié)構(gòu)區(qū)柵源漏電極的寄生效應(yīng) 對器件性能的影響越來越大,在FET建模過程中也不可忽略。傳統(tǒng)的等效電路模型采用集中 參數(shù)網(wǎng)絡(luò)來模擬FET的外部寄生參數(shù)和本征參數(shù),并沒有考慮信號在FET電極中傳輸時(shí)的行 波效應(yīng)的影響;而且在毫米波頻段,F(xiàn)ET的外部寄生參數(shù)并不能再等效為簡單的寄生電阻、 寄生電容和寄生電感組成的寄生參數(shù)網(wǎng)絡(luò),否則模型在擬合器件高頻段的特性時(shí),一些參 數(shù)將偏離其實(shí)際合理的區(qū)間范圍,從而又導(dǎo)致模型在低頻段時(shí)精度不能滿足要求;若增加 寄生參數(shù)網(wǎng)絡(luò)的復(fù)雜度來模擬FET的毫米波特性,又將使得參數(shù)的提取更加困難。因此,當(dāng) FET工作頻率進(jìn)入毫米波太赫茲頻段后,傳統(tǒng)的等效電路模型會(huì)產(chǎn)生較大的誤差。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種毫米波FET的建模方法,能夠模擬毫米波 信號在FET電極中傳輸時(shí)的行波效應(yīng),同時(shí)可W更精確的模擬FET電極的寄生效應(yīng)影響,從 而提高毫米波FET模型的準(zhǔn)確度。
      [0005] 為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種毫米波FET的建模 方法,所述方法包括:
      [0006] 將毫米波FET劃分為無源結(jié)構(gòu)區(qū)和有源結(jié)構(gòu)區(qū),其中所述無源結(jié)構(gòu)區(qū)包括輸入電 極和輸出電極,所述有源結(jié)構(gòu)區(qū)為輸入電極和輸出電極之間的器件區(qū)域;
      [0007] 將毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)沿柵寬方向等分為若干一級子單元,使得每個(gè)所述一 級子單元的柵寬小于或等于毫米波FET的工作波長的1/20;
      [0008] 分別計(jì)算所述毫米波FET的輸入電極S參數(shù)、輸出電極S參數(shù)W及所述若干一級子 單元的S參數(shù);
      [0009] 將每個(gè)所述一級子單元等分為與所述毫米波FET的柵指數(shù)目相等的份數(shù),得到若 干二級子單元,計(jì)算每個(gè)二級子單元的本征參數(shù);
      [0010] 將所述輸入電極S參數(shù)、所述若干一級子單元S參數(shù)W及所述輸出電極S參數(shù)W矩 陣級聯(lián)方式依序連接得到毫米波FET的模型,其中每兩個(gè)級聯(lián)端口之間連接有一個(gè)二級子 單元本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò)。
      [0011] 其中,計(jì)算每個(gè)二級子單元的本征參數(shù)的步驟進(jìn)一步包括:
      [0012] 對所述毫米波FET的測試電路結(jié)構(gòu)作去嵌處理,利用開路結(jié)構(gòu)消除并聯(lián)電容的影 響,利用短路結(jié)構(gòu)消除串聯(lián)電感和電阻的影響;
      [0013] 根據(jù)所述毫米波FET的具體類型選取小信號等效電路拓?fù)洌?br>[0014] 在低頻段,從所述等效電路拓?fù)渲刑崛∷龊撩撞‵ET的外部寄生參數(shù);
      [0015] 基于所述毫米波FET的外部寄生參數(shù),采用矩陣變換方法,計(jì)算得到低頻段的所述 毫米波FET的本征導(dǎo)納矩陣,進(jìn)一步提取所述毫米波FET的本征參數(shù);
      [0016] 基于所述毫米波FET的本征參數(shù)和矩陣并聯(lián)理論,計(jì)算得到每個(gè)所述二級子單元 的本征參數(shù)。
      [0017] 計(jì)算所述毫米波FET的電極S參數(shù)的步驟具體為:采用S維電磁場模擬的方法,分 別模擬信號在毫米波FET的輸入電極、輸出電極W及有源結(jié)構(gòu)區(qū)的若干一級子單元的傳輸 特性,計(jì)算得到輸入電極的傳輸特性S參數(shù)、輸出電極的傳輸特性S參數(shù)W及一級子單元的 傳輸特性S參數(shù)。
      [001引其中,所述毫米波FET的具體類型包括GaAs P肥MT、GaN肥MTW及InP肥MT。
      [0019] 優(yōu)選地,上述建模方法進(jìn)一步包括:對所述毫米波FET進(jìn)行在片測試得到器件的S 參數(shù),在電路仿真軟件中嵌入建模得到的毫米波FET的模型進(jìn)行仿真模擬,將在片測試結(jié)果 和仿真模擬結(jié)果進(jìn)行對比,判斷建模得到的毫米波FET模型的精度。
      [0020] 優(yōu)選地,所述毫米波FET為GaAs pHEMT,柵長為0.1皿、柵寬75皿、柵指數(shù)目為2。
      [0021] 區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明的有益效果是:
      [0022] 1)通過將FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)劃分為若干柵寬遠(yuǎn)小于其工作波長的子單元,使得行 波效應(yīng)在每個(gè)子單元中可W忽略,進(jìn)而可W模擬毫米波信號在FET電極中傳播時(shí)的行波效 應(yīng)的影響,因此該方法建立的模型精度更高,并且所建立的模型可用于頻率外推,預(yù)測器件 在更高頻率的性能;
      [0023] 2)采用=維電磁場仿真的方法,可W更精確模擬電極寄生效應(yīng)的影響,如接地通 孔、電極間的禪合、金屬損耗等,而且避免了復(fù)雜的寄生參數(shù)提?。?br>[0024] 3)該方法建立的模型還可用于FET的尺寸擴(kuò)展,在建立的單個(gè)尺寸器件模型的基 礎(chǔ)上,可W預(yù)測各種尺寸和不同版圖布局的FET性能。
      【附圖說明】
      [0025] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種毫米波FET的建模方法的流程示意圖;
      [0026] 圖2為本發(fā)明實(shí)例的一種毫米波FET的輸入電極傳輸特性S參數(shù)文件示意圖;
      [0027] 圖3為本發(fā)明實(shí)例的一種毫米波FET的輸出電極傳輸特性S參數(shù)文件示意圖;
      [0028] 圖4為本發(fā)明實(shí)例的一種毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)的一級子單元傳輸特性S參數(shù)文 件示意圖;
      [0029] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例的GaAs P肥MT的本征參數(shù)等效電路模型拓?fù)洌?br>[0030] 圖6為本發(fā)明實(shí)例的一種毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)的二級子單元的本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò) 符號示意圖;
      [0031] 圖7為本發(fā)明實(shí)例的一種毫米波FET的模型內(nèi)部的連接示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0032] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;?本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
      [0033] 本發(fā)明提供一種毫米波FET的建模方法,本方法實(shí)施例的流程示意圖如圖1所示, 該實(shí)施例的技術(shù)方案適用于毫米波及更高頻率的場效應(yīng)晶體管的建模。該建模方法包括W 下步驟:
      [0034] 步驟SI:將毫米波FET劃分為無源結(jié)構(gòu)區(qū)和有源結(jié)構(gòu)區(qū)兩部分,其中無源結(jié)構(gòu)區(qū)包 括輸入電極和輸出電極,所述輸入電極和輸出電極包括輸入輸出金絲、測試焊盤、源極接地 通孔W及柵指間連接傳輸線,有源結(jié)構(gòu)區(qū)為輸入電極和輸出電極之間器件區(qū)域,是器件工 作的本征區(qū)域,包括柵源漏電極;
      [0035] 步驟S2:將毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)沿柵寬方向等分為若干一級子單元。
      [0036] 為模擬毫米波信號在毫米波FET電極中傳輸時(shí)的行波效應(yīng)的影響,本發(fā)明公開的 方法是將毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)沿柵寬方向等分為N個(gè)小尺寸的一級子單元,分別對每個(gè) 小尺寸的一級子單元進(jìn)行建模。理論上,單元個(gè)數(shù)N的值越大,建立的模型越能模擬行波效 應(yīng)的影響,但模型的復(fù)雜度也越高;一般情況,當(dāng)小尺寸單元的柵寬Ws = W/N遠(yuǎn)小于信號工 作波長Ag時(shí),可W認(rèn)為行波效應(yīng)在每個(gè)單元中可W忽略,模型的精度可W滿足應(yīng)用要求,并 且繼續(xù)增大N對模型精度的提升也不再明顯,其中W表示毫米波FET的柵寬。
      [0037] 優(yōu)選的,本發(fā)明實(shí)例中,W柵長為0.1皿、柵寬75皿、柵指數(shù)目為2的GaAs P皿MT場 效應(yīng)晶體管為例,其工作頻率一般可W至IOOG化,對應(yīng)的信號工作波長Ag約為800WI1,已經(jīng) 達(dá)到了與晶體管單指柵寬相比擬的長度,因此,行波效應(yīng)的影響不可忽略。優(yōu)選的,選取等 分單元的個(gè)數(shù)N= 3,使得小尺寸一級子單元的柵寬Ws遠(yuǎn)小于毫米波FET的工作波長,此時(shí)如 果繼續(xù)增大N,模型精度的提升不再明顯,而且模型的復(fù)雜度將大幅提高。
      [0038] 步驟S3:采用S維電磁場模擬的方法計(jì)算信號在毫米波FET電極中的傳輸特性。
      [0039] 本步驟中,采用S維電磁仿真軟件(如HFSSXST等),分別模擬FET的輸入電極、輸 出電極W及有源結(jié)構(gòu)區(qū)的柵源漏電極上的毫米波信號傳輸特性。運(yùn)種采用=維電磁場模擬 計(jì)算的方法相比于傳統(tǒng)等效電路模型中的外部寄生參數(shù)表示方法,可W更精確模擬電極寄 生效應(yīng)的影響,如接地通孔、電極間的禪合、金屬損耗等,而且避免了復(fù)雜的寄生參數(shù)提取 流程。
      [0040] 優(yōu)選的,WGaAs P皿MT器件為例,所述FET的輸入電極和輸出電極為除去FET有源 結(jié)構(gòu)區(qū)W外的無源結(jié)構(gòu),包括輸入輸出金絲、測試焊盤、源極接地通孔、柵指間連接傳輸線 等。通過=維電磁場模擬計(jì)算,可W分別得到輸入電極和輸出電極的化+1)端口 S參數(shù)。圖2 和圖3分別為本發(fā)明實(shí)例的毫米波FET的輸入電極和輸出電極的化+1)端口 S參數(shù)的文件符 號示意圖。
      [0041] 取所述FET有源結(jié)構(gòu)區(qū)的柵源漏電極的整個(gè)柵寬的1/N長度,即對上述一級子單元 進(jìn)行=維電磁場模擬計(jì)算,得到一個(gè)2體端口 S參數(shù)文件,其符號示意圖如圖4所示。
      [0042] 步驟S4:在低頻段建立毫米波FET的等效電路模型,提取二級子單元的本征參數(shù)。
      [0043] 本步驟中,將提取二級子單元的本征參數(shù),為步驟S5建立毫米波FET的模型做準(zhǔn) 備。
      [0044] FET的本征參數(shù)可認(rèn)為不隨頻率變化,因此,本發(fā)明公開的方法是在低頻段建立 FET的等效電路模型,提取模型整體的本征參數(shù),然后根據(jù)矩陣級聯(lián)理論,得到每個(gè)二級子 單元的本征參數(shù)。
      [0045] 優(yōu)選的,所述二級子單元的本征參數(shù)的提取流程可W包括W下步驟:
      [0046] 步驟S41:對毫米波FET的測試電路結(jié)構(gòu)做去嵌入處理。
      [0047] 由于在片測試時(shí),校準(zhǔn)通常僅能將測試參考面移動(dòng)到射頻探針端面,測得的數(shù)據(jù) 包含了測試結(jié)構(gòu)的影響;為了得到實(shí)際毫米波FET自身的性能參數(shù),需要對測試結(jié)構(gòu)做去嵌 入處理。常用的去嵌入處理是采用開路結(jié)構(gòu)和短路結(jié)構(gòu)的方法,利用開路結(jié)構(gòu)消除并聯(lián)電 容的影響,利用短路結(jié)構(gòu)消除串聯(lián)電感和電阻的影響。
      [0048] 步驟S42:根據(jù)毫米波FET的具體類型選取小信號等效電路拓?fù)洹?br>[0049] 優(yōu)選的,所述毫米波晶體管的類型包括GaAs pHEMT、GaN皿MT、InP HEMT等;每種 類型的FET對應(yīng)的等效電路拓?fù)浜蛥?shù)表達(dá)式略有區(qū)別。
      [0050] 優(yōu)選的,WGaAs pHEMT器件為實(shí)例,選取含18個(gè)參數(shù)的小信號等效電路拓?fù)?,其?有9個(gè)寄生參數(shù)和9個(gè)本征參數(shù)。9個(gè)寄生參數(shù)為FET常規(guī)的寄生參數(shù)網(wǎng)絡(luò),包括柵極、漏極和 源極的寄生電感、電容和電阻。毫米波FET的本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò)的等效電路如圖5所示,其中Crf用 來模擬陽T的RF和DC的色散效應(yīng)。
      [0051] 步驟S43:從上述等效電路拓?fù)渲刑崛〉皖l段的毫米波FET的外部寄生參數(shù)。
      [0052] 本步驟中,根據(jù)步驟S42中確定的等效電路拓?fù)洌捎贸R?guī)的COld-FET測試方法, 在低頻段提取晶體管的外部寄生參數(shù),此時(shí)可W忽略行波效應(yīng)的影響。
      [0化3] 優(yōu)選的,WGaAs pHEMT器件為實(shí)例,在0.1~20GHz頻率范圍內(nèi)提取毫米波FET的外 部寄生參數(shù)。
      [0054] 步驟S44:在低頻段提取毫米波FET的本征參數(shù)。
      [0055] 本步驟中,對毫米波FET進(jìn)行hot-FET測試,并根據(jù)步驟S43中提取的外部寄生參數(shù) 值,采用矩陣變換理論,得到其本征導(dǎo)納參數(shù)矩陣[YuL其中各個(gè)導(dǎo)納參數(shù)與FET的本征參 數(shù)的關(guān)系如下式:
      [0化6]
      [0化7]
      [0化引 [0化9]
      [0060]根據(jù)得到的本征導(dǎo)納參數(shù)矩陣,進(jìn)一步得到毫米波FET小信號等效電路模型中的 本征參數(shù),所述FET的本征參數(shù)在模型工作頻率范圍內(nèi)可W認(rèn)為是不隨頻率變化的。
      [0061] 步驟S45:在一級子單元的基礎(chǔ)上劃分二級子單元,計(jì)算二級子單元的本征參數(shù)。
      [0062] 優(yōu)選的,在不考慮外部寄生參數(shù)的情況下,將FET的本征部分視為N個(gè)小尺寸的一 級子單元的并聯(lián),根據(jù)矩陣并聯(lián)理論,可W得到每個(gè)一級子單元的本征參數(shù);由于本實(shí)施例 的步驟5建立毫米波FET模型時(shí)需要每根柵指對應(yīng)的有源單元的本征參數(shù),因此需要將N個(gè) 小尺寸的一級子單元再等分為K份得到K*N個(gè)二級子單元,其中K表示毫米波FET的柵指數(shù) 目,本實(shí)施例中取K = 2;因此,最終K*N個(gè)二級子單元的本征參數(shù)與毫米波FET的各個(gè)本征參 數(shù)的關(guān)系如表1所示,可W根據(jù)步驟S44得到的毫米波FET的各個(gè)本征參數(shù)進(jìn)一步計(jì)算得到 每個(gè)二級子單元的本征參數(shù),二級子單元的本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò)符號示意圖如圖6所示。
      [0063] 表1二級子單元與毫米波FET的本征參數(shù)關(guān)系
      [0064]
      [00化]步驟S5:建立毫米波FET的模型。
      [0066] 本步驟中,將步驟S3得到的K*N個(gè)二級子單元的本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò)和步驟S4得到的陽T 電極傳輸特性S參數(shù)文件,按照端口對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行連接,最終得到毫米波FET的整體模型,其 中K = 2、N = 3時(shí)對應(yīng)的連接方式如圖7所示。該模型考慮了毫米波信號在FET電極中傳輸時(shí) 的行波效應(yīng)的的影響,同時(shí)采用=維電磁場計(jì)算的方法更精確的模擬了電極間的寄生效 應(yīng),可W用來模擬FET在毫米波甚至更高頻段的器件特性。
      [0067] 可選的,步驟S6:將建立的毫米波FET模型的仿真數(shù)據(jù)與測試數(shù)據(jù)進(jìn)行對比,驗(yàn)證 模型的準(zhǔn)確性。
      [0068] 本步驟中,對毫米波FET進(jìn)行小信號在片測試,得到器件的S參數(shù),然后將步驟Sl~ S5中建立的毫米波FET模型嵌入電路仿真軟件(如ADS、AWR等)中進(jìn)行仿真模擬,對比模型仿 真結(jié)果與測試結(jié)果的吻合程度,來判斷模型精度是否滿足要求。
      [0069] 可選的,在基于某一尺寸完成毫米波FET建模后,可進(jìn)行各種FET不同尺寸和不同 版圖布局的模型擴(kuò)展。具體方法為,保持上述二級子單元本征參數(shù)不變,采用=維電磁場模 擬的方法計(jì)算新尺寸的FET電極中的傳輸特性,最后根據(jù)步驟5中的連接方法組成新尺寸的 FET模型,可用于器件性能預(yù)測W及版圖優(yōu)化布局。
      [0070] 由于本發(fā)明提供的建模方法精度高,而且能夠模擬行波效應(yīng)的影響,因此,該方法 建立的模型可W用于預(yù)測FET在測試數(shù)據(jù)W外的器件性能。
      [0071] W上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā) 明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種毫米波FET的建模方法,其特征在于,所述方法包括: 將毫米波FET劃分為無源結(jié)構(gòu)區(qū)和有源結(jié)構(gòu)區(qū),其中所述無源結(jié)構(gòu)區(qū)包括輸入電極和 輸出電極,所述有源結(jié)構(gòu)區(qū)為輸入電極和輸出電極之間的器件區(qū)域; 將毫米波FET的有源結(jié)構(gòu)區(qū)沿柵寬方向等分為若干一級子單元,使得每個(gè)所述一級子 單元的柵寬小于或等于毫米波FET的工作波長的1/20; 分別計(jì)算所述毫米波FET的輸入電極S參數(shù)、輸出電極S參數(shù)以及所述若干一級子單元 的S參數(shù); 將每個(gè)所述一級子單元等分為與所述毫米波FET的柵指數(shù)目相等的份數(shù),得到若干二 級子單元,計(jì)算每個(gè)二級子單元的本征參數(shù); 將所述輸入電極S參數(shù)、所述若干一級子單元S參數(shù)以及所述輸出電極S參數(shù)以矩陣級 聯(lián)方式依序連接得到毫米波FET的模型,其中每兩個(gè)級聯(lián)端口之間連接有一個(gè)二級子單元 本征參數(shù)網(wǎng)絡(luò)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波FET的建模方法,其特征在于,計(jì)算每個(gè)二級子單元的 本征參數(shù)的步驟進(jìn)一步包括: 對所述毫米波FET的測試電路結(jié)構(gòu)作去嵌處理,利用開路結(jié)構(gòu)消除并聯(lián)電容的影響,利 用短路結(jié)構(gòu)消除串聯(lián)電感和電阻的影響; 根據(jù)所述毫米波FET的具體類型選取小信號等效電路拓?fù)洌? 在低頻段,從所述等效電路拓?fù)渲刑崛∷龊撩撞‵ET的外部寄生參數(shù); 基于所述毫米波FET的外部寄生參數(shù),采用矩陣變換方法,計(jì)算得到低頻段的所述毫米 波FET的本征導(dǎo)納矩陣,進(jìn)一步提取所述毫米波FET的本征參數(shù); 基于所述毫米波FET的本征參數(shù)和矩陣并聯(lián)理論,計(jì)算得到每個(gè)所述二級子單元的本 征參數(shù)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波FET的建模方法,其特征在于,計(jì)算毫米波FET的電極S 參數(shù)的步驟具體為:采用三維電磁場模擬的方法,分別模擬信號在毫米波FET的輸入電極、 輸出電極以及有源結(jié)構(gòu)區(qū)的若干一級子單元的傳輸特性,計(jì)算得到輸入電極的傳輸特性S 參數(shù)、輸出電極的傳輸特性s參數(shù)以及一級子單元的傳輸特性S參數(shù)。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的毫米波FET的建模方法,其特征在于,所述毫米波FET的具體類 型包括GaAs pHEMT、GaN HEMT以及InP HEMT。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波FET的建模方法,其特征在于,所述建模方法進(jìn)一步包 括:對所述毫米波FET進(jìn)行在片測試得到器件的S參數(shù),在電路仿真軟件中嵌入建模得到的 毫米波FET的模型進(jìn)行仿真模擬,將在片測試結(jié)果和仿真模擬結(jié)果進(jìn)行對比,判斷建模得到 的毫米波FET模型的精度。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波FET的建模方法,其特征在于,所述毫米波FET為GaAs 口!^1',柵長為0.以111、柵寬75以111、柵指數(shù)目為2。
      【文檔編號】G06F17/50GK106021670SQ201610312615
      【公開日】2016年10月12日
      【申請日】2016年5月12日
      【發(fā)明人】陳勇波
      【申請人】成都海威華芯科技有限公司
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