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      一種觸控面板的制作方法

      文檔序號(hào):8652338閱讀:210來源:國(guó)知局
      一種觸控面板的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本實(shí)用新型屬于觸控技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種觸控面板。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 電容式觸摸屏的構(gòu)造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的薄膜導(dǎo)體層,再在導(dǎo)體層 外加上一塊保護(hù)玻璃,雙玻璃設(shè)計(jì)能徹底保護(hù)導(dǎo)體層及感應(yīng)器。隨著人們對(duì)觸摸屏產(chǎn)品透 光性的要求越來越高,能夠提升產(chǎn)品透過率的增透膜也在不斷開發(fā)和研宄,現(xiàn)有技術(shù)主要 是通過真空蒸鍍氟化鎂(MgF2)作為增透膜來提升產(chǎn)品的透過率,但是對(duì)于固定膜厚的氟 化鎂膜,通常仍有部分光能量被反射,再加之對(duì)于其它波長(zhǎng)的光,給定膜層的厚度不是這些 光在薄膜中的波長(zhǎng)的1/4,增透效果較差。在通常情況下,入射光為白光,增透膜只能對(duì)一 定波長(zhǎng)的光起到增透作用,其他波長(zhǎng)的光反射率仍然較高。另外,觸摸屏的玻璃基板表面設(shè) 置ITO線路,單面ITO玻璃反射率較高,會(huì)出現(xiàn)ITO底影,為了消除底影,通常增加消影層, 而該消影層的增加也降低了整個(gè)面板的透過率。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種觸控面板,使之既能夠消除電極底影又可以增加 面板的透光率。
      [0004] 本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種觸控面板,包括玻璃基板,在所述玻璃基板的一 表面依次疊層設(shè)置五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層,于所述二氧化硅膜層的表面設(shè)有 透明電極圖形,所述五氧化二鈮膜層的厚度為80~160人,所述二氧化硅膜層的厚度為 300~400A,所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率大于 93%,所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形對(duì)可見光的總透過率 與所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率相差1 %以內(nèi)。
      [0005] 作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案:
      [0006] 所述五氧化二鈮膜層的厚度為130 ± 20A。
      [0007] 所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率為93%~ 94%〇
      [0008] 所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形對(duì)可見光的總透 過率為92. 5%~93. 5%。
      [0009] 所述五氧化二鈮膜層為針對(duì)波長(zhǎng)為460~760nm的可見光的增透層。
      [0010] 所述五氧化二銀膜層和二氧化娃膜層構(gòu)成的膜層為針對(duì)波長(zhǎng)為460~760nm之外 的可見光的增透層。
      [0011] 本實(shí)用新型在玻璃基板上設(shè)置上述厚度的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層,其透 過率可達(dá)93%以上,而ITO區(qū)域的透過率也達(dá)到92%以上,兩處透過率相差1 %以內(nèi),在實(shí) 現(xiàn)消影的同時(shí)具有較高的透過率?,F(xiàn)有技術(shù)中觸控面板(非ITO區(qū)域)對(duì)可見光的透過率 為90%,ITO區(qū)域?qū)梢姽獾耐高^率為89. 5%~90. 5%,雖然實(shí)現(xiàn)了消影功能,但整體透過 率偏低,亮度不夠,本實(shí)用新型在保證消影效果的同時(shí)增加了 3%以上的透過率,使觸控面 板的亮度明顯增大,提升了視覺效果。
      【附圖說明】
      [0012] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0013] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸控面板的增透原理圖;
      [0014] 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的觸控面板的制作方法的流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015] 為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施 例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋 本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
      [0016] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述:
      [0017] 請(qǐng)參考圖1,本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種觸控面板,該觸控面板至少包括一玻璃基 板101,在該玻璃基板101的一表面依次疊層設(shè)置第一增透層一五氧化二鈮膜層102,和第 二增透層一二氧化硅膜層103,該五氧化二鈮膜層102和二氧化硅膜層103作為增透膜同時(shí) 又具有消影功能,在二氧化硅膜層103的表面設(shè)有透明電極圖形104,該透明電極圖形104 通常為ITO電極圖形。五氧化二鈮膜層102和二氧化硅膜層103構(gòu)成增透膜,其中的五氧 化二鈮膜層102的厚度為8〇~16〇A,進(jìn)一步優(yōu)選為130 ± 20A。二氧化硅膜層1〇3的厚度 為300~400A,其中,玻璃基板101、五氧化二鈮膜層102和二氧化硅膜層103對(duì)可見光的總 透過率可以達(dá)到93%以上,而玻璃基板101、五氧化二鈮膜層102、二氧化硅膜層103及透 明電極圖形104對(duì)可見光的總透過率也能達(dá)到92%以上,與玻璃基板101、五氧化二鈮膜層 102和二氧化硅膜層103對(duì)可見光的總透過率相差1 %以內(nèi)。
      [0018] 作為一種實(shí)施例,玻璃基板101、五氧化二鈮膜層102和二氧化硅膜層103對(duì)可見 光的總透過率為93 %~94%,而玻璃基板101、五氧化二鈮膜層102、二氧化硅膜層103及 透明電極圖形104對(duì)可見光的總透過率為92. 5 %~93. 5 %,二者的透過率相差1 %以內(nèi),保 證觸控面板的ITO底影被消除,且具有較高的亮度。
      [0019] 進(jìn)一步參考圖2,五氧化二鈮膜層102作為第一層增透層,其厚度控制在 80~160A,針對(duì)460~760nm的可見光,其厚度約為該波段可見光在五氧化二鈮膜層102 中波長(zhǎng)的1/4,另外,由于光在不同介質(zhì)表面反射時(shí)會(huì)產(chǎn)生π的相位躍變,因此可見光LO經(jīng) 過五氧化二鈮膜層102反射后的光束Ll和經(jīng)過五氧化二鈮膜層102并由二氧化硅膜層103 反射后的光束L2之間產(chǎn)生π的相位差,實(shí)現(xiàn)反射光的相消,即增透效果。對(duì)于無法通過五 氧化二鈮膜層102實(shí)現(xiàn)增透的波段,可以通過對(duì)二氧化硅膜層103的厚度進(jìn)行合理設(shè)置,使 該波段經(jīng)過二氧化硅膜層103和五氧化二鈮膜層102后出射的光L3與被五氧化二鈮膜層 102反射的同波段光相消,實(shí)現(xiàn)該波段的增透效果。這樣,可見光全波段都可以經(jīng)過五氧化 二鈮膜層102和二氧化硅膜層103實(shí)現(xiàn)增透。同時(shí),該五氧化二鈮膜層102和二氧化硅膜 層103對(duì)ITO電極圖案進(jìn)行消影,因此該增透膜在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)提高了透過率。
      [0020] 現(xiàn)有技術(shù)采用五氧化二鈮膜層進(jìn)行消影時(shí),觸控面板(非ITO區(qū)域)對(duì)可見光的 總透過率為90%,帶有ITO的區(qū)域?qū)梢姽獾目偼高^率為89. 5%~90. 5%,雖然實(shí)現(xiàn)了消 影功能,但整體透過率偏低,亮度不夠,視覺效果不佳,而本實(shí)施例采用上述五氧化二鈮膜 層和二氧化硅膜層作為增透膜,在實(shí)現(xiàn)消影的同時(shí)增加了 3%以上的透過率,使觸控面板亮 度明顯增大,提升了視覺效果。
      [0021] 本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)一步提供一種制作上述觸控面板的制作方法,其至少包括下 述步驟,如圖3 :
      [0022] 在步驟SIOI中,在玻璃基板101的一表面沉積厚度為80~160A的五氧化二鈮膜 層102,并且保證成膜時(shí)分子間,分子團(tuán)間無工藝氣體分子,形成第一層增透層;
      [0023] 在步驟S102中,在五氧化二鈮膜層102之上沉積厚度為300~400A的二氧化硅膜 層103,并且保證成膜時(shí)分子間,分子團(tuán)間無工藝氣體分子,形成第二層增透層;
      [0024] 在步驟S103中,在二氧化硅膜層103之上形成透明電極圖形104。
      [0025] 具體的,本實(shí)施例通過下述工藝方法制備該增透膜,采用立式全自動(dòng)連續(xù)磁控 濺射鍍膜機(jī)進(jìn)行鍍膜,鍍膜時(shí)在鈮、硅靶腔體中通入02、Ar工藝氣體,02流量為100~ 1305(3〇11、六1'流量為200~2205(3〇11,鍍膜真空度為2.0\10^^~3.0\10^^之間,鍍膜 室傳動(dòng)節(jié)拍為100~120秒,鈮、硅濺射功率為5KW~5. 5KW,鍍膜電壓為380V~420V,鍍 膜溫度為250°C~280°C,基板溫度控制在150°C~180°C,鍍膜過程中保證成膜時(shí)分子間, 分子團(tuán)間無工藝氣體分子。
      [0026] 經(jīng)過上述工藝先鍍厚度為80~160A的五氧化二鈮膜層1〇2,再鍍厚度為 300~400A二氧化硅膜層103,形成雙層增透膜結(jié)構(gòu),使該膜結(jié)構(gòu)具有良好的光學(xué)特性,不 僅能夠消除ITO底影,還可以增強(qiáng)透光率。
      [0027] 通過上述方法制作的觸控面板,玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可 見光的總透過率為93%~94%,玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖 形對(duì)可見光的總透過率為92. 5%~93. 5%,與玻璃基板、五氧化二銀膜層和二氧化娃膜層 對(duì)可見光的總透過率相差1 %以內(nèi),在保證良好的消影效果的同時(shí)提高了觸控面板的亮度, 進(jìn)而提升了視覺效果。
      [0028] 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種觸控面板,其特征在于,包括玻璃基板,在所述玻璃基板的一表面依次疊層設(shè)置 五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層,于所述二氧化硅膜層的表面設(shè)有透明電極圖形,所述五 氧化二鈮膜層的厚度為80~160A,所述二氧化硅膜層的厚度為300~400A,所述玻璃基 板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率大于93%,所述玻璃基板、五氧化 二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形對(duì)可見光的總透過率與所述玻璃基板、五氧化二 鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率相差1%以內(nèi)。
      2. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述五氧化二鈮膜層的厚度為 130 ± 2〇A"
      3. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧 化娃膜層對(duì)可見光的總透過率為93 %~94%。
      4. 如權(quán)利要求3所述的觸控面板,其特征在于,所述玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧 化硅膜層及透明電極圖形對(duì)可見光的總透過率為92. 5%~93. 5%。
      5. 如權(quán)利要求1所述的觸控面板,其特征在于,所述五氧化二鈮膜層為針對(duì)波長(zhǎng)為 460~760nm的可見光的增透層。
      6. 如權(quán)利要求5所述的觸控面板,其特征在于,所述五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層 構(gòu)成的膜層為針對(duì)波長(zhǎng)為460~760nm之外的可見光的增透層。
      【專利摘要】本實(shí)用新型適用于觸控技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種觸控面板,包括玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層,于二氧化硅膜層的表面設(shè)有透明電極圖形,五氧化二鈮膜層的厚度為二氧化硅膜層的厚度為玻璃基板、五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層對(duì)可見光的總透過率大于93%,玻璃基板、五氧化二鈮膜層、二氧化硅膜層及透明電極圖形的透過率與該透過率相差1%以內(nèi)?,F(xiàn)有觸控面板(非ITO區(qū)域)對(duì)可見光的透過率為90%,ITO區(qū)域的透過率為89.5%~90.5%,雖然實(shí)現(xiàn)了消影功能,但整體透過率偏低,本實(shí)用新型在保證消影效果的同時(shí)增加了3%以上的透過率,使觸控面板的亮度明顯增大,提升了視覺效果。
      【IPC分類】G06F3-044
      【公開號(hào)】CN204360362
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420866247
      【發(fā)明人】黃亮, 蔣蔚, 余漢水, 劉錫鋼
      【申請(qǐng)人】深圳力合光電傳感股份有限公司
      【公開日】2015年5月27日
      【申請(qǐng)日】2014年12月30日
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