專利名稱：程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般是有關(guān)于程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，且更特別是有關(guān)于程序化可儲(chǔ)存二位的閃存的方法。
所以，程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法的需求，已經(jīng)成了很多存儲(chǔ)器產(chǎn)品及系統(tǒng)的供應(yīng)者與程序設(shè)計(jì)師的共同需求。更特別的是，就很多存儲(chǔ)器產(chǎn)品及系統(tǒng)的供應(yīng)者與程序設(shè)計(jì)師而言，能準(zhǔn)確及有效地程序化閃存內(nèi)的二位的方法與系統(tǒng)已經(jīng)變成不可或缺的功能。這是因?yàn)?，在日益?jìng)爭(zhēng)的環(huán)境下，閃存產(chǎn)品與系統(tǒng)的供應(yīng)者必須滿足并超越顧客或其它接受產(chǎn)品或服務(wù)的人的期望。
一種程序化可儲(chǔ)存二位的閃存問題的解決方案為，簡(jiǎn)單地程序化快閃存儲(chǔ)單元的一個(gè)位至特別地程序化電壓準(zhǔn)位，例如，高閾值電壓狀態(tài)，而不管閃存內(nèi)的其它位的當(dāng)時(shí)程序化狀態(tài)。在此過程中，產(chǎn)生了很多的無效率性，因?yàn)?，例如，?dāng)?shù)谝晃辉诟唛撝惦妷籂顟B(tài)時(shí)，若將第二位程序化至高閾值電壓狀態(tài)，則在第二位被程序化后，第一位的閾值電壓將變得更高。圖5為常見解決問題的辦法，圖表505繪示在存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)存儲(chǔ)單元中程序化二位的平均高閾值電壓準(zhǔn)位，其中X軸為陣列中存儲(chǔ)單元的周期數(shù)，Y軸為閾值電壓準(zhǔn)位。曲線510繪示在二位存儲(chǔ)單元中程序化第一位時(shí)的平均閾值電壓，曲線515繪示在二位存儲(chǔ)單元中程序化第二位時(shí)的平均閾值電壓，以及曲線520繪示在程序化第二位后，先前經(jīng)程序化的第一位的平均閾值電壓。如圖5所示，程序化第二位至高閾值電壓準(zhǔn)位時(shí)，會(huì)造成的前程序化至同樣高閾值電壓準(zhǔn)位的第一位的高閾值電壓的增加。
常見方法的缺點(diǎn)繪示于圖6A與圖6B。圖6A為已知在程序化存儲(chǔ)器陣列中多個(gè)第一位時(shí)的閾值電壓可能性分布605，圖6B為已知在程序化存儲(chǔ)器陣列中多個(gè)第二位時(shí)的閾值電壓可能性分布610，以及在程序化這些第二位后，在先前經(jīng)程序化的多個(gè)第一位的閾值電壓可能性分布615。如圖6B所示，其缺點(diǎn)為在程序化這些第二位后，這些第一位的可能性分布將變得更高更廣。而第二個(gè)缺點(diǎn)為因?yàn)榈谝晃坏拈撝惦妷鹤兊酶?，為了平衡由第二位所帶來的影響，就必須抹除更多的地方。所以，由于若以存?chǔ)單元內(nèi)最高的閾值電壓來抹除，可能會(huì)造成過除的現(xiàn)象。因此，有效率地提供程序化可儲(chǔ)存二位的快閃存儲(chǔ)單元的系統(tǒng)與方法，還是一個(gè)難以達(dá)成的目的。
因此，程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法還是一個(gè)需求。除此之外，另一個(gè)需求就是程序化能個(gè)別儲(chǔ)存二位的快閃存儲(chǔ)單元的方法。
本發(fā)明的一特征在于，程序化閃存的方法，包括判斷快閃存儲(chǔ)單元中，所要被程序化的其中一位以外的另一位的閾值電壓。另外，在另一位的閾值電壓為未程序化閾值電壓時(shí)，將閃存內(nèi)要被程序化的其中一位，程序化至具第一高閾值電壓之被程序化狀態(tài)；且在另一位的閾值電壓為已程序化的閾值電壓時(shí)，將要被程序化的其中一位，程序化至具第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中第一高閥值電壓比第二高閾值電壓還低。
本發(fā)明的又一特征在于，在電腦可讀取的媒體中儲(chǔ)存了一組用以程序化快閃存儲(chǔ)單元的指令。當(dāng)執(zhí)行該些指令時(shí)，所實(shí)施的階段包括判斷快閃存儲(chǔ)單元中，所要被程序化的其中一位以外的另一位的閾值電壓。另外，在另一位的閾值電壓為未程序化閾值電壓時(shí)，將閃存內(nèi)要被程序化的其中一位，程序化至具第一高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且在另一位的閾值電壓為已程序化的閾值電壓時(shí)，將要被程序化的其中一位，程序化至具第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中第一高閥值電壓比第二高閾值電壓還低。
100存儲(chǔ)單元105源極110漏極115懸接?xùn)艠O120控制柵極125位線
130源極線135，160字符線140介電質(zhì)層155存儲(chǔ)器裝置165第一位線170第二位線205～230標(biāo)示各個(gè)流程步驟305～320標(biāo)示各個(gè)流程步驟405～430標(biāo)示各個(gè)流程步驟505存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)存儲(chǔ)單元中程序化二位的平均高閾值電壓準(zhǔn)位510二位存儲(chǔ)單元中程序化第一位時(shí)的平均閾值電壓515在二位存儲(chǔ)單元中程序化第二位時(shí)的平均閾值電壓520在程序化第二位后程序化第一位時(shí)的平均閾值電壓605已知在程序化存儲(chǔ)器陣列中多個(gè)第一位的閾值電壓可能性分布610已知在程序化存儲(chǔ)器陣列中多個(gè)第二位時(shí)的閾值電壓可能性分布615程序化這些第二位后，已被程序化的多個(gè)第一位的閾值電壓可能性分布。
現(xiàn)在將詳細(xì)地參考與本發(fā)明相符的各種具體實(shí)施例，其例子繪示于附圖中，并且會(huì)將本發(fā)明明顯的描述出來。在圖標(biāo)中相同的標(biāo)號(hào)代表相同或相似的元件。
在常見的分柵閃存或電性抹除可規(guī)劃式只讀存儲(chǔ)器內(nèi)，例如為熟悉的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，通過儲(chǔ)存電子在存儲(chǔ)單元中的懸接?xùn)艠O來程序化。在特定的偏壓情況下，在半導(dǎo)體基底中的電子隧穿在懸接?xùn)艠O與半導(dǎo)體基底間的薄氧化層，以進(jìn)入懸接?xùn)艠O的電荷儲(chǔ)存器。這些隧穿的電子通?？捎沙Ｒ姷臒犭娮幼⑷虢Y(jié)構(gòu)或佛勒諾泰隧穿法結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。
在常見的熱電子注入結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)單元中的控制柵極(字符線)被供給一高電壓，且漏極(位線)被供給一低電壓或電壓為零。當(dāng)通道區(qū)的電子從存儲(chǔ)單元的源極區(qū)與漏極區(qū)獲得的能階，比從通道與懸接?xùn)艠O間的薄氧化層獲得的位能障礙較高時(shí)，有些電子將會(huì)隧穿此薄氧化層并注入到懸接?xùn)艠O。然而，并不是所有在通道區(qū)的電子都能獲得足夠的能量以隧穿薄氧化層。電子隧穿薄氧化層的或然率是根據(jù)控制柵極與漏極區(qū)間電壓比例的不同來決定。
除此之外，在懸接?xùn)艠O上，將會(huì)顯現(xiàn)控制柵極與漏極區(qū)間的電子電荷數(shù)比例的不同。這些電荷外加一電場(chǎng)在懸接?xùn)艠O下的通道區(qū)。此電場(chǎng)為熟悉的閾值電壓。閾值電壓可決定存儲(chǔ)單元是否儲(chǔ)存任何數(shù)據(jù)或數(shù)值。例如，數(shù)字0可設(shè)定以高閾值電壓表示，而邏數(shù)字1可設(shè)定以低閾值電壓表示。


圖1A為常見的一位分柵快閃存儲(chǔ)單元100的截面圖。存儲(chǔ)單元100包括源極105、漏極110、懸接?xùn)艠O115以及控制柵極120。漏極110也可包括少量摻雜的n層與大量摻雜的n層形成的N/N+漏極。漏極110耦接至位線(BL)125、源極105耦接至源極線(SL)130以及控制柵極120耦接至字符線(WL)135。一般來說，存儲(chǔ)單元100中的不同的閾值電壓值，常被設(shè)計(jì)成供給固定電壓至控制柵極120與調(diào)整供給至漏極110的電壓。
存儲(chǔ)單元100可由佛勒諾泰隧穿法結(jié)構(gòu)抹除。在此系統(tǒng)下，例如14伏特的高電壓，可能被供給至控制柵極120，以及0伏特的電壓可能被供給至漏極110與源極105。在這些情況下，電子儲(chǔ)存在由硅合物材料組成的懸接?xùn)艠O115中，并隧穿介電質(zhì)層140至也同樣由硅合物材料組成的控制柵極120中。所以，佛勒諾泰隧穿法結(jié)構(gòu)如所知的“多對(duì)多隧穿”結(jié)構(gòu)。在讀入操作中，近乎3伏特的電壓被供給至控制柵極120、2伏特電壓被供給至漏極110以及源極105接地。為達(dá)成以源極側(cè)熱電子注入結(jié)構(gòu)來程序化，一閾值電壓，例如11伏特的電壓，則被供給至漏極110以及源極105接地。
為了判定存儲(chǔ)單元是否已被程序化至需求值，會(huì)將常見的存儲(chǔ)單元程序化成已先決定的時(shí)間周期。存儲(chǔ)單元之值將會(huì)被證實(shí)，而且將一再地程序化存儲(chǔ)單元直到所要的需求值。這是一個(gè)反復(fù)的步驟。二者擇一地，一小電壓將被供給至位線125以查證懸接?xùn)艠O的能量。此過程一直連續(xù)至懸接?xùn)艠O的能量達(dá)到需求值為止。除此之外，常見的分柵快閃存儲(chǔ)單元只能預(yù)先形成一位的可程序操作，例如，0或1。然而，由于需要大型存儲(chǔ)器程序化時(shí)的增加能力與快速地?cái)?shù)據(jù)讀入能力，所以存儲(chǔ)器若能準(zhǔn)確地儲(chǔ)存超過1位，其效果將是令人滿意的。
圖1B繪示可儲(chǔ)存二位的二位快閃存儲(chǔ)單元150，而不是只能儲(chǔ)存一位的存儲(chǔ)單元100。存儲(chǔ)單元150包括二位存儲(chǔ)器裝置155、字符線160、與第一位和第一閾值電壓相符的第一位線165、與第二位和第二閾值電壓相符的第二位線170。存儲(chǔ)器裝置155可包括如美國(guó)專利第6271090號(hào)所描述與合并參考的閃存裝置，或者也可能包括很多如公知技藝者所知道的其它裝置。通常，與存儲(chǔ)單元100中一位相似的方式，當(dāng)程序化存儲(chǔ)單元150中的二位時(shí)，可通過供給固定電壓至字符線160與根據(jù)程序化的位調(diào)整供給至第一位線165或第二位線170的電壓。存儲(chǔ)單元150的程序化的說明將有更多描述如下。
與本發(fā)明相符的原理，程序化快閃存儲(chǔ)單元的系統(tǒng)，包括判斷快閃存儲(chǔ)單元中，所要被程序化的其中一位以外的另一位的閾值電壓的元件，以及若在另一位的閾值電壓為未程序化閾值電壓時(shí)，將閃存內(nèi)要被程序化的其中一位，程序化至具第一高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且在另一位的閾值電壓為已程序化的閾值電壓時(shí)，將要被程序化的其中一位，程序化至具第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中第一高閥值電壓比第二高閾值電壓還低。除此之外，程序化快閃存儲(chǔ)單元的系統(tǒng)，更包括判定在程序化快閃存儲(chǔ)單元之前，第一閾值電壓及第二閾值電壓是否均與低閾值電壓狀態(tài)相符的元件。
接收第一閾值電壓的元件、接收第二閾值電壓的元件、程序化的元件與判斷元件可內(nèi)含于或可在其它方面利用及具體實(shí)施在行動(dòng)電話、個(gè)人電腦、手提式電腦裝置、多任務(wù)處理器系統(tǒng)、運(yùn)用微處理機(jī)或可程序的消費(fèi)性電子裝置、微電腦、大型主機(jī)電腦、個(gè)人數(shù)字助理、傳真機(jī)、電話、便攜式傳呼器、手提式電腦、或其它用來接收、傳送或其它方面信息內(nèi)的零件。在不背離本發(fā)明的精神與范圍，如公知此技藝可知，接收第一閾值電壓的元件、接收第二閾值電壓的元件、程序化的元件與判斷元件，可內(nèi)含或具體實(shí)施利用于其它裝置或系統(tǒng)。
圖2為與本發(fā)明的一具體實(shí)施例的程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法的一般相關(guān)步驟流程圖。圖3至圖4的本發(fā)明的具體實(shí)施例中更詳盡的描述說明，其用來符合本發(fā)明的方法200的具體實(shí)施例。圖中方法200由方框205開始，且子例程210接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第一位與第二位的閾值電壓，子例程210的步驟如圖3所示，將在以下有更詳盡的說明。
子例程210接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存一位與第二位的閾值電閾值電壓后，方法200繼續(xù)子例程220，程序化第一位與第二位其中之一，子例程220的步驟如圖4所繪，將在以下有更詳盡的說明。一旦第一位或第二位其中之一在子例程220中被程序化，方法200將終止在步驟230。
圖3描述圖2中子例程210接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第一位與第二位的閾值電壓。子例程210由方框305開始，且步驟310先接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第一位的閾值電壓。例如，接收第一閾值電壓的元件可能取第一位線165的樣本，并且檢測(cè)第一位線165的電壓。特別地是，如果第一閾值電壓降至1.5伏特至2.8伏特之間，其被認(rèn)為是在低閾值電壓狀態(tài)，則以數(shù)字的1表示。另外，如果第一閾值電壓降至3.3伏特至3.85伏特之間，其被認(rèn)為是在高閾值電壓狀態(tài)，則以數(shù)字的0表示。
在步驟310接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第一位的閾值電壓后，子例程210繼續(xù)步驟315，接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第二位的閾值電壓。例如，接收第二閾值電壓的元件可能取第二位線170的樣本并且檢測(cè)第二位線170的電壓。特別地是，如果第二閾值電壓降至1.5伏特至2.4伏特之間，其被認(rèn)為是在低閾值電壓狀態(tài)，則以數(shù)字的1表示。另外，如果第一閾值電壓降至3.3伏特至3.85伏特之間，其被認(rèn)為是在高閾值電壓狀態(tài)，則以數(shù)字的0表示。
一旦步驟315已接收對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在閃存內(nèi)的第二位的閾值電壓，則子例程210的步驟320返回至圖2的子例程220。
圖4為圖2的子例程220程序化閃存中第一位與第二位其中之一。子例程220由方框405開始且先判斷第一閾值電壓及第二閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)是否相符。例如，如果第一閾值電壓及第二閾值電壓降至1.5伏特與2.4伏特之間，其都被視為在低閾值電壓狀態(tài)。
在判斷方框410中，如果第一閾值電壓及第二閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)相符，子例程220接著在步驟405中，以第一閾值電壓程序化閃存內(nèi)的第一位與第二位其中之一。例如，通過供給固定電壓至字符線160與調(diào)整供給至第一位線165或第二位線170的電壓，并依照程序化的位，來程序化存儲(chǔ)單元150內(nèi)的第一位與第二位其中之一。為了以第一閾值電壓程序化此位，此電壓不同于在字符線160及位線間，被設(shè)定近乎等于第一需求閾值電壓及與程序化此位相符的電壓。
特別地是，且在另一位的閾值電壓為已程序化的閾值電壓時(shí)，將要被程序化的其中一位，程序化至具第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中第一高閥值電壓比第二高閾值電壓還低。ΔV可能介于0.2伏特與0.3伏特之間，或高于0.3伏特。盡管如此，第一閾值電壓或第二閾值電壓還是可能與高閾值電壓相符。
在判斷方框410中，如果第一閾值電壓及第二閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)不符，然而，子例程220的判斷方框420繼續(xù)判斷將被程序化的位的閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)是否相符，且閃存內(nèi)的其它位的閾值電壓是否與高閾值電壓狀態(tài)相符。例如，如果將被程序化的位電壓降至1.5伏特至2.4伏特之間，其會(huì)被視為在低閾值電壓狀態(tài)。而且，如果將被程序化的位電壓降至3.3伏特至3.85伏特之間，其會(huì)被視為在高閾值電壓狀態(tài)。
在判斷方框420中，如果將被程序化的位的閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)相符，且閃存內(nèi)之其它位的閾值電壓與高閾值電壓狀態(tài)相符，子例程220繼續(xù)步驟425，將此位以第二閾值電壓程序化。例如，通過供給固定電壓至字符線160與調(diào)整供給至第一位線165或第二位線170的電壓，并依照程序化的位，來程序化存儲(chǔ)單元150內(nèi)的位。為了以第二閾值電壓程序化此位，此電壓不同于在字符線160及位線間，被設(shè)定近乎等于第二需求程序化電壓及與程序化此位相符的電壓。
特別地是，若在程序化閃存其它位的Vt與Vt與高Vt狀態(tài)相符，則第二閾值電壓比用來程序化快閃存儲(chǔ)單元內(nèi)其它位的第一閾值電壓高了ΔV。ΔV可能介于0.2V與0.3V之間，或高于0.3V。盡管如此，第一閾值電壓及第二閾值電壓與高閾值電壓相符。
在步驟415中，以第一閾值電壓程序化存儲(chǔ)單元內(nèi)的第一位與第二位其中之一后，步驟425將此位以第二閾值電壓程序化，或步驟420中，如果將被程序化的位的閾值電壓與低閾值電壓狀態(tài)不符，且閃存內(nèi)與其它位的相符的閾值電壓與高閾值電壓狀態(tài)不符，子例程220的步驟430則回到圖2的步驟230。
與本發(fā)明的實(shí)施例相符的方法200，如以上之描述，可在存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)快閃存儲(chǔ)單元中反復(fù)的執(zhí)行。特別地是，在程序化存儲(chǔ)器陣列完成后，所有在存儲(chǔ)器陣列中的單元的第一閾值電壓及第二閾值電壓均與高閾值電壓狀態(tài)相符時(shí)，則多個(gè)第一位被程序化的閾值電壓值的統(tǒng)計(jì)分布比ΔV為零時(shí)的多個(gè)第一位被程序化的閾值電壓值的統(tǒng)計(jì)分布較狹窄且電壓分布較低。所以，當(dāng)本發(fā)明的較佳實(shí)施例利用第一閾值電壓程序化存儲(chǔ)單元中的第一位時(shí)，第一位的閾值電壓等級(jí)在實(shí)質(zhì)上與程序化第二位后的第二位的閾值電壓等級(jí)可能是相等的，其中，第一閾值電壓大約比第二閾值電壓低了0.2伏特至0.3伏特。
與本發(fā)明的實(shí)施例相符的系統(tǒng)可以構(gòu)成全部或部分具有特殊目的的硬件、通用的電腦系統(tǒng)或任何結(jié)合本發(fā)明的系統(tǒng)將會(huì)被知曉。系統(tǒng)的任何一部份可以適當(dāng)?shù)某绦騺砜刂?。任何程序可能全部或部分以協(xié)議的方式儲(chǔ)存或內(nèi)含于系統(tǒng)中，或可能全部或部分以協(xié)議的方式被供給至網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)或其它傳送信息的機(jī)制。另外，也可知道系統(tǒng)操作者使用操作者輸入元件(未繪示)以協(xié)議方式，將被操作且或其它被控制的信息，直接提供至連接到系統(tǒng)或可能傳送信息至網(wǎng)絡(luò)上的系統(tǒng)或傳送信息的機(jī)制。
如上所述已限定了本發(fā)明的一特別實(shí)施例。然而，本發(fā)明中的各種差異與改變將是顯而易見的，且可獲得本發(fā)明的部分或全部的優(yōu)點(diǎn)。在不背離本發(fā)明的精神與領(lǐng)域下，專利范圍附屬項(xiàng)的目的在報(bào)導(dǎo)這些差異及改變。
權(quán)利要求
1.一種程序化一具二位的快閃存儲(chǔ)單元的方法，其特征是，該方法包括判斷該快閃存儲(chǔ)單元中一要被程序化的其中一位以外的一另一位的閾值電壓；以及在該另一位的閾值電壓為一未程序化閾值電壓時(shí)，將該閃存內(nèi)該要被程序化的其中一位，程序化至一第一高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且在該另一位的閾值電壓為一已程序化的閾值電壓時(shí)，該要被程序化的其中一位，將被程序化至一第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中該第一高閥值電壓比該第二高閾值電壓還低。
2.如權(quán)利要求1所述的程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，其特征是，在該快閃存儲(chǔ)單元的一二位都處于已程序化高閾值電壓值時(shí)，該二位的各別高閾值電壓約略相等。
3.如權(quán)利要求1所述的程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，其特征是，該高閾值電壓狀態(tài)代表數(shù)字0。
4.如權(quán)利要求1所述的程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，其特征是，該低閾值電壓狀態(tài)代表數(shù)字1。
5.如權(quán)利要求1所述的程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，其特征是，該第一高閾值電壓與該第二高閥值電壓之差在0.2伏特與0.3伏特之間。
6.一種電腦可讀取媒體，儲(chǔ)存用以程序化一快閃存儲(chǔ)單元的一指令組，該指令組執(zhí)行時(shí)實(shí)施下列階段，其特征是，該方法包括判斷該快閃存儲(chǔ)單元中一要被程序化的其中一位以外的一另一位的閾值電壓；以及在該另一位的閾值電壓為一未程序化閾值電壓時(shí)，將該閃存內(nèi)該要被程序化的其中一位，程序化至一第一高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且在該另一位的閾值電壓為一已程序化的閾值電壓時(shí)，該要被程序化的其中一位，將被程序化至一第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中該第一高閥值電壓比該第二高閾值電壓還低。
7.如權(quán)利要求6所述的電腦可讀取媒體，其特征是，在該快閃存儲(chǔ)單元的一二位都處于已程序化高閾值電壓值時(shí)，該二位的各別高閾值電壓約略相等。
8.如權(quán)利要求6所述的電腦可讀取媒體，其特征是，該高閾值電壓狀態(tài)代表數(shù)字0。
9.如權(quán)利要求6所述的電腦可讀取媒體，其特征是，該低閾值電壓狀態(tài)代表數(shù)字1。
10.如權(quán)利要求6所述的電腦可讀取媒體，其特征是，該第一高閾值電壓與該第二高閥值電壓的差在0.2伏特與0.3伏特之間。
全文摘要
一種程序化快閃存儲(chǔ)單元的方法，包括判斷快閃存儲(chǔ)單元中，所要被程序化的其中一位以外的另一位的閾值電壓。另外，在另一位的閾值電壓為未程序化閾值電壓時(shí)，將閃存內(nèi)要被程序化的其中一位，程序化至具第一高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且在另一位的閾值電壓為已程序化的閾值電壓時(shí)，將要被程序化的其中一位，程序化至具第二高閾值電壓的被程序化狀態(tài)；且其中第一高閥值電壓比第二高閾值電壓還低。
文檔編號(hào)G11C11/56GK1479202SQ0314540
公開日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月29日
發(fā)明者黃俊仁, 周銘宏, 邱駿仁 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司