專利名稱：具有超高解析近場結(jié)構(gòu)的記錄介質(zhì)及其再現(xiàn)方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在其上已經(jīng)記錄了信息的只讀記錄介質(zhì)，更具體地講，涉及一種具有超高解析近場結(jié)構(gòu)(Super-RENS，super-resolution near-fieldstructure)的在其上已經(jīng)預(yù)記錄了用光學(xué)方式可讀的信息的只讀記錄介質(zhì)、用于讀取所述信息的方法及其再現(xiàn)設(shè)備。
背景技術(shù)：
包括數(shù)字通用盤(DVD)的光盤作為被設(shè)計(jì)用于記錄圖像數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)的高密度記錄介質(zhì)繼續(xù)得到普及。具體地講，比如在其上已經(jīng)預(yù)記錄了電影或計(jì)算機(jī)程序的DVD-ROM的只讀光盤通常被用來容易地分配大量信息。
信息以標(biāo)記(凹坑)的形式被預(yù)記錄在只讀光盤的基底上。為了讀出所述信息，光盤再現(xiàn)設(shè)備將激光束發(fā)射到所述光盤上，光電檢測器檢測根據(jù)排列標(biāo)記存在或不存在而變化的反射束的強(qiáng)度。例如，如果所述標(biāo)記存在，則所述反射束的強(qiáng)度降低，而如果所述標(biāo)記不存在，則所述強(qiáng)度增加。
因此，可被記錄在只讀光盤上的信息的量由在所述再現(xiàn)設(shè)備中可讀的標(biāo)記(凹坑)的大小確定。減小標(biāo)記(凹坑)的大小通過在每張盤上記錄更多的信息來增加可被記錄在所述光盤上的信息的密度。
通過再現(xiàn)設(shè)備可讀的標(biāo)記的大小由與其它因素一道的再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(RL)確定。理論上光學(xué)系統(tǒng)的RL可以通過方程(1)來計(jì)算RL＝λ/(4×NA) ...(1)其中，λ是激光束的波長，NA是物鏡的數(shù)值孔徑。
在通常使用的紅色激光的情況下，通過將λ＝635nm和NA＝0.6代入方程(1)獲得265nm的RL。當(dāng)使用藍(lán)色激光時(shí)，通過將λ＝405nm和NA＝0.65代入方程(1)獲得156nm的RL。即，使用所述紅色激光的光盤再現(xiàn)設(shè)備不允許具有不超過265nm的長度的標(biāo)記(凹坑)被讀取。即使在使用短波長的藍(lán)色激光的光盤再現(xiàn)設(shè)備中，讀取具有不超過156nm長度的標(biāo)記(凹坑)也是困難的。
圖1是示出在基底上只具有銀反射層的傳統(tǒng)只讀光盤的標(biāo)記長度和載噪比(CNR)之間的關(guān)系的曲線圖。當(dāng)標(biāo)記深度分別是50nm、70nm和100nm時(shí)進(jìn)行測量，再現(xiàn)設(shè)備的RL是265nm。
從圖1可以明顯看出當(dāng)標(biāo)記長度大于290nm時(shí)，由于CNR大于40dB，所以可以成功地從光盤讀取以標(biāo)記(凹坑)的形式記錄的信息。然而，對于小于290nm的標(biāo)記長度，CNR急劇降低。對于265nm(即，再現(xiàn)設(shè)備的RL)的標(biāo)記長度，CNR大約是16dB，如果標(biāo)記長度小于250nm，則CNR大約降低到零。
作為一種用于改進(jìn)由方程(1)定義的光盤再現(xiàn)設(shè)備的RL的技術(shù)，Super-RENS受到很高的關(guān)注，并且這種結(jié)構(gòu)已經(jīng)被應(yīng)用到相變記錄光盤(查閱“Applied Physics Letters，Vol.73，No.15，Oct.1998”和“Japanese Journal ofApplied Physics，Vol.39，Part 1，No.2B，2000，pp.980-981”)。
在Super-RENS中，在光盤上形成特殊的掩膜層，并且在掩膜層中產(chǎn)生的表面等離子體激元被用來再現(xiàn)信息。有兩種類型的Super-RENS銻(Sb)透射和氧化銀(AgOx)分解。在Sb透射的Super-RENS中，由于激光束，Sb掩膜層經(jīng)受相變，所以它變得透明。在AgOx分解類型的Super-RENS中，通過應(yīng)用激光束AgOx掩膜層被分解成Ag和O，然后Ag產(chǎn)生表面等離子體激元。
圖2示出使用傳統(tǒng)Super-RENS在可記錄光盤上記錄的原理。如圖2所示，記錄介質(zhì)具有第一電介質(zhì)層112-1，在透明的聚碳酸酯層111上由比如ZnS-SiO2或SiN的電介質(zhì)材料構(gòu)成；掩膜層113，由Sb或AgOx構(gòu)成；保護(hù)層114，用比如ZnS-SiO2或SiN的電介質(zhì)材料制成；記錄層115，由GeSbTe構(gòu)成；和第二電介質(zhì)層，用比如ZnS-SiO2的材料制成，所述所有層被順序地堆疊。
這里，用SiN制成保護(hù)層114和第一電介質(zhì)層112-1以與Sb掩膜層113一起使用，而用ZnS-SiO2制成保護(hù)層114和第一電介質(zhì)層112-1以與AgOx掩膜層113一起使用。在再現(xiàn)信息的同時(shí)，在其中發(fā)生近場相互作用的保護(hù)層114防止掩膜層113和記錄層115之間的反應(yīng)。如果掩膜層113是用Sb制成的，則由于激光束的應(yīng)用Sb經(jīng)受相變所以變得透明。如果掩膜層113是用AgOx制成的，則激光束使AgOx分解成Ag和O，并且Ag產(chǎn)生本地(local)等離子體激元。
激光束從具有大約10mW至15mW的輸出功率的激光器117被發(fā)射，并由會(huì)聚透鏡118將其會(huì)聚在記錄介質(zhì)上。當(dāng)由激光照射的記錄層115的區(qū)域被加熱到高于大約600℃的溫度時(shí)，所述區(qū)域經(jīng)受相變成為無定形狀態(tài)，并且所述區(qū)域的吸收系數(shù)減小。此時(shí)，在由激光照射的掩膜層113的區(qū)域中，Sb的晶體結(jié)構(gòu)改變，或者AgOx在準(zhǔn)可逆反應(yīng)中被分解。由于掩膜層113的區(qū)域作為記錄層115的探針(probe)，所以可以成功地再現(xiàn)具有低于RL大小的極微的標(biāo)記。
然而，和可記錄的記錄介質(zhì)不同，只讀記錄介質(zhì)具有預(yù)制在基底上的標(biāo)記以及不同的層疊結(jié)構(gòu)。此外，所述只可讀記錄介質(zhì)需要只應(yīng)用2-3mW的微弱激光來實(shí)現(xiàn)Super-RENS效果。因此，對于所述只讀記錄介質(zhì)，確定可實(shí)現(xiàn)高CNR的材料和層疊結(jié)構(gòu)的類型成為主要關(guān)心的事情。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種只讀記錄介質(zhì)和從所述只讀記錄介質(zhì)讀取信息的方法及其再現(xiàn)設(shè)備，其中，被設(shè)計(jì)成所述只讀介質(zhì)使用超高解析近場結(jié)構(gòu)(Super-RENS)來實(shí)現(xiàn)高載噪比(CNR)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種在其上已經(jīng)預(yù)記錄了信息的只讀記錄介質(zhì)，包括基底，將所述信息記錄在其表面上；反射層，在所述基底上面由相變材料構(gòu)成；第一電介質(zhì)層，形成在所述反射層上面；和掩膜層，在所述第一電介質(zhì)層上面由金屬氧化物構(gòu)成。
這里，由相位材料構(gòu)成的所述反射層、在所述反射層上面形成的所述第一電介質(zhì)層和用金屬氧化物制成的所述掩膜層的存在引起Super-RENS操作，因此能夠以高CNR來讀取具有低于再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)分辨率極限的大小的標(biāo)記。所述記錄介質(zhì)還包括夾在所述基底和所述反射層之間的第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層也引起Super-RENS操作。根據(jù)本發(fā)明，在所述掩膜層內(nèi)的納米顆粒引起Super-RENS操作，因此能夠以高CNR來讀取具有低于再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)分辨率極限的大小的標(biāo)記。
構(gòu)成所述掩膜層的金屬氧化物是稀有金屬氧化物，所述稀有金屬氧化物是鉑氧化物(PtOx)、金氧化物(AuOx)、銀氧化物(AgOx)和鈀氧化物(PdOx)之一。所述金屬氧化物也可以是比如鎢氧化物(WOx)的高熔點(diǎn)金屬氧化物。本發(fā)明可以通過適當(dāng)?shù)剡x擇用于構(gòu)成所述掩膜層的所述氧化物來引起Super-RENS操作。
用于構(gòu)成所述反射層的所述相變材料是銀銦銻碲化合物(AgInSbTe或AIST)、碳(C)、鍺銻碲化合物(GeSbTe)、鍺(Ge)、鎢(W)、鈦(Ti)、硅(Si)、猛(Mn)、鋁(Al)、鉍(Bi)、鎳(Ni)、鈀(Pd)和碲(Te)之一。Super-RENS可通過適當(dāng)?shù)剡x擇用于構(gòu)成所述反射層的所述相變材料而被操作。
以在所述基底的表面上形成的標(biāo)記的形式記錄所述信息。所述掩膜層、所述第一電介質(zhì)層和所述反射層的厚度分別在1.5nm至10.0nm、10nm至60nm和10nm至80nm的范圍內(nèi)。本發(fā)明使得能夠通過適當(dāng)?shù)卮_定所述掩膜層、所述第一電介質(zhì)層和所述反射層的厚度來操作Super-RENS。記錄介質(zhì)還可包括在掩膜層上形成的第三電介質(zhì)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用光學(xué)方式讀取記錄在上面描述的只讀記錄介質(zhì)上的信息的方法，其中，照射所述記錄介質(zhì)的激光束的功率在1.5mW至4.5mW的范圍內(nèi)。由于所述讀取方法使得用于照射所述記錄介質(zhì)的激光束的功率能夠被適當(dāng)?shù)卮_定，所以可以以高CNR來讀取具有低于再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)分辨率極限的大小的標(biāo)記。此外，不管所述激光束是從所述基底面發(fā)射的還是從所述記錄介質(zhì)的信息面發(fā)射的，都可以這樣做。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用光學(xué)方式讀取記錄在所述只讀記錄介質(zhì)上的信息的再現(xiàn)設(shè)備，其中，照射所述記錄介質(zhì)的激光束具有1.5mW至4.5mW的范圍內(nèi)的功率。所述再現(xiàn)設(shè)備適當(dāng)?shù)厥褂盟鲇涗浗橘|(zhì)的所述Super-RENS來以高CNR讀取具有低于光學(xué)分辨率極限的大小的標(biāo)記。
本發(fā)明的另外方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中被部分地闡述，并且部分地根據(jù)描述將變得清楚，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明而被了解。


通過參考附圖對示例性實(shí)施例進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明上面和/或其它特性及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1是示出在傳統(tǒng)只讀光盤中的標(biāo)記長度和載噪比(CNR)之間的關(guān)系的曲線圖；圖2示出使用傳統(tǒng)超高解析近場結(jié)構(gòu)(Super-RENS)在可記錄光盤上記錄的原理；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于顯示具有Super-RENS的只讀記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的代表性的示圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在只讀記錄介質(zhì)中標(biāo)記長度和CNR之間的關(guān)系的曲線圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在只讀介質(zhì)中讀出激光功率(Pr)和CNR之間的關(guān)系的曲線圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在只讀記錄介質(zhì)中恒定線速率(CLV)和CNR之間的關(guān)系的曲線圖；圖7A和圖7B是顯示對從Super-RENS ROM盤讀取的信號進(jìn)行的時(shí)域和頻域測量結(jié)果的照片；圖8A和圖8B是顯示分別對從Super-RENS ROM盤和傳統(tǒng)ROM盤讀取的信號進(jìn)行時(shí)域和頻域測量的結(jié)果的照片；圖9A和圖9B是顯示分別對從Super-RENS ROM盤和傳統(tǒng)ROM盤讀取的信號進(jìn)行時(shí)域和頻域測量的結(jié)果的照片；和圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)用從只讀記錄介質(zhì)上的信息面發(fā)射的激光束來讀取信息時(shí)標(biāo)記長度和CNR之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其示例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的部件。下面通過參照附圖來描述這些實(shí)施例以解釋本發(fā)明。
參照圖3，超高解析近場結(jié)構(gòu)(Super-RENS)ROM具有順序地堆疊在基底10上的第二電介質(zhì)層20、反射層30、第一電介質(zhì)層40、掩膜層50和第三電介質(zhì)層60?；?0可由透明聚碳酸酯構(gòu)成，在其上可形成標(biāo)記或凹坑(未示出)。通常，記錄在Super-RENS ROM上的信息是由標(biāo)記的存在或不存在表示的數(shù)字信號。標(biāo)記可被記錄在基底的表面的凹槽上。從標(biāo)記反射的光束的強(qiáng)度根據(jù)標(biāo)記的長度和深度變化。
第二電介質(zhì)層20在基底10上形成，在所述基底10上標(biāo)記已經(jīng)形成。第二電介質(zhì)層20、第一電介質(zhì)層40和第三電介質(zhì)層60由比如ZnS-SiO2的電介質(zhì)材料構(gòu)成。在這個(gè)實(shí)施例中，電介質(zhì)層20、電介質(zhì)層40和電介質(zhì)層60的厚度分別是0至60nm、10nm至60nm、0至200nm。
反射層30由具有400℃至900℃熔點(diǎn)的相變材料，比如具有600℃熔點(diǎn)的銀銦銻碲化合物(AgInSbTe或AIST)構(gòu)成。反射層30還可以由比如碳(C)、鍺銻碲化合物(GeSbTe)、鍺(Ge)、鎢(W)、鈦(Ti)、硅(Si)、猛(Mn)、鋁(Al)、鉍(Bi)、鎳(Ni)、鈀(Pd)或碲(Te)的高熔點(diǎn)材料構(gòu)成。反射層30的厚度是10nm至80nm。
掩膜層50由比如金氧化物(AuOx)、鉑氧化物(PtOx)、銀氧化物(AgOx)或鈀氧化物(PdOx)的稀有金屬氧化物或者由比如鎢氧化物(WOx)的高熔點(diǎn)金屬氧化物構(gòu)成。掩膜層50通過反應(yīng)濺射來形成。例如，將氬氣(Ar)和氧氣(O2)注入真空室，目標(biāo)Pt被濺射以將PtOx掩膜層50構(gòu)成具有1.5～10.0nm的厚度。
當(dāng)在掩膜層50中產(chǎn)生稀有金屬或高熔點(diǎn)金屬的納米顆粒時(shí)，Super-RENS的效果也可以被實(shí)現(xiàn)。例如，可通過如上所述的反應(yīng)濺射構(gòu)成掩膜層來產(chǎn)生納米顆粒，然后通過活性離子蝕刻(RIE)來還原所述掩膜層。即，在用于構(gòu)成掩膜層50的PtOx中的氧被還原以產(chǎn)生Pt納米顆粒。
在下面描述的測量(除了圖7中示出的內(nèi)容之外)中，如圖3所述，以離開Super-RENS的基底10到第三電介質(zhì)層60的方向向基底10垂直發(fā)射(從基底面)激光束。在圖7所示的測量中，以與圖3所示的方向相反的方向，即，以遠(yuǎn)離第三電介質(zhì)層60到基底10的方向，向基底10垂直發(fā)射(從信息面)激光束。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在圖3的Super-RENS ROM中標(biāo)記長度和CNR之間的關(guān)系的曲線圖。這里，當(dāng)標(biāo)記長度分別是50nm、70nm和100nm時(shí)，進(jìn)行CNR的測量。
光學(xué)系統(tǒng)的分辨率極限(RL)是265nm。然而，當(dāng)凹坑深度分別是50nm和70nm時(shí)，對于150nm的標(biāo)記長度，載噪比(CNR)為40dB或更高，其充分高到能保證成功的讀取操作。當(dāng)凹坑深度是100nm時(shí)，對于150nm的標(biāo)記長度，CNR大約是36dB。
為了比較，圖4還顯示了對于僅具有Ag反射層不具有掩膜層的示例的CNR測量的結(jié)果。在這種情況下，對于小于250nm的標(biāo)記長度，由于CNR降低至接近零，所以不能夠讀取標(biāo)記。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在Super-RENS ROM中讀出激光功率Pr和CNR之間的關(guān)系的曲線圖，其中，標(biāo)記(凹坑)長度是150nm、標(biāo)記(凹坑)深度是50nm和恒定線速率(CLV)是2m/sec。從圖5可以明顯看出雖然讀出信號的CNR在Pr為1mW處接近0，但是在Pr大于1mW處CNR顯著增加。對于在1.9mW至2.5mW的范圍內(nèi)的Pr，CNR為40dB或更高，其充分高到能保證成功讀出記錄在Super-RENS ROM上的信息。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在Super-RENS ROM中CLV和CNR之間的關(guān)系的曲線圖。這里，當(dāng)標(biāo)記(凹坑)長度是150nm和標(biāo)記(凹坑)深度是70nm時(shí)進(jìn)行CNR的測量。當(dāng)激活跟蹤伺服系統(tǒng)時(shí)，在CLV在2m/sec至6m/sec的范圍內(nèi)測量反射光束的CNR。對于2m/sec的CLV，使用的激光束的功率是2mV，對于其它的CLV，使用的激光束的功率是3mV。結(jié)果顯示對于所有的CLV，CNR大約是40dB并且恒定。從圖6可以明顯看出在2m/sec的最低CLV處，對于較小的激光束功率，CNR大約為38dB，其充分高到能保證成功讀取記錄在Super-RENS ROM上的信息。
圖7A和圖7B是顯示對從Super-RENS ROM盤讀取的信號進(jìn)行時(shí)域和頻域測量的結(jié)果的照片。這些測量在這樣的情況下進(jìn)行凹坑深度是50nm、CLV是2m/sec、激光束功率是2mW、激光束波長是635nm和物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.60。另外，在圖7A中，在遠(yuǎn)離盤中心的距離r為37.1mm處對150nm的標(biāo)記長度進(jìn)行測量。從頻域測量的結(jié)果可以明顯看出CNR為41.47dB。在圖7B中，在遠(yuǎn)離盤中心的距離r為51.2mm處對長度400nm的標(biāo)記進(jìn)行測量。結(jié)果顯示CNR為52.85dB。這些測量結(jié)果證明以150nm的小標(biāo)記長度可實(shí)現(xiàn)充分高的CNR。
圖8A和圖8B是顯示分別對從Super-RENS ROM盤和傳統(tǒng)ROM盤讀取的信號進(jìn)行時(shí)域和頻域測量的結(jié)果的照片。這些測量是在這樣的假定下進(jìn)行的標(biāo)記長度是400nm、標(biāo)記深度是100nm、CLV是2m/sec、激光束功率是2mW、激光束波長是635nm和物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.60。圖8A中在Super-RENS ROM盤上進(jìn)行的頻域測量的結(jié)果顯示CNR大約是58.5dB，而圖8B中在傳統(tǒng)ROM盤上的測量結(jié)果顯示CNR大約是54.5dB，比Super-RENSROM盤上進(jìn)行的頻域測量的結(jié)果顯示的CNR低大約4dB。因此，Super-RENSROM比傳統(tǒng)ROM提供更好的讀出性能。
如同圖8A和圖8B，圖9A和圖9B是顯示分別對從Super-RENS ROM盤和傳統(tǒng)ROM盤讀取的信號進(jìn)行時(shí)域和頻域測量的結(jié)果的照片。這些測量是在這樣的假定下進(jìn)行的標(biāo)記長度是400nm、標(biāo)記深度是50nm、CLV是2nm/sec、激光束功率是2mW、激光束波長是635nm和物鏡的數(shù)值孔徑(NA)是0.60。圖9A中在Super-RENS ROM盤上進(jìn)行的頻域測量的結(jié)果顯示CNR大約是52.85dB，而圖9B中在傳統(tǒng)ROM盤上的測量結(jié)果顯示CNR大約是51.05dB，比Super-RENS ROM盤上進(jìn)行的頻域測量的結(jié)果顯示的CNR低大約1.8dB。因此，Super-RENS ROM比傳統(tǒng)ROM提供更好的讀出性能。
此外，當(dāng)再現(xiàn)Super-RENS ROM時(shí)，在掩膜層和反射層沒有觀測到漫射。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)用發(fā)射到Super-RENS ROM上的激光束來讀取信息時(shí)標(biāo)記長度和CNR之間的關(guān)系的曲線圖。在對50nm和100nm的標(biāo)記深度進(jìn)行的該測量中，如上所述，以與圖3所示的方向相反的方向，即，以離開第三電介質(zhì)層60到基底10的方向?qū)⒓す馐怪钡匕l(fā)射(從信息面)到基底10。
這里，光學(xué)系統(tǒng)的RL是265nm。然而，當(dāng)標(biāo)記深度分別是50nm和100nm時(shí)，對于150nm的標(biāo)記長度，CNR是35dB或更高。盡管這低于當(dāng)從基底面發(fā)射時(shí)的CNR，但是它充分高到能保證成功的讀取操作。為了比較，圖10還顯示了對于僅具有銀反射層不具有掩膜層的示例的CNR測量的結(jié)果。在這種情況下，對于小于250nm的標(biāo)記長度，由于CNR降低至接近零，所以不能夠讀取標(biāo)記。
這樣，可以從基底面和信息面二者讀取記錄在Super-RENS ROM上的信息。因此，本發(fā)明通過讀取記錄在Super-RENS ROM上的信息對于每個(gè)Super-RENS ROM實(shí)現(xiàn)更高密度信息記錄，所述Super-RENS ROM具有由基底面和信息面二者經(jīng)許多次形成的圖3的堆疊結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明提供一種在其上已經(jīng)預(yù)記錄了信息的只讀記錄介質(zhì)，包括基底，將所述信息記錄在其表面；反射層，其在所述基底上由相變材料構(gòu)成；第一電介質(zhì)層，其疊加在所述反射層上面；和掩膜層，其在所述第一電介質(zhì)層上面用金屬氧化物制成。所述反射層、所述第一電介質(zhì)層和所述掩膜層的存在產(chǎn)生了Super-RENS，因此使得能夠以高CNR來讀取具有低于再現(xiàn)設(shè)備的光學(xué)RL的大小的標(biāo)記(凹坑)。
雖然本發(fā)明已參照其示例性的實(shí)施例被具體描述和顯示，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種在其上已經(jīng)預(yù)記錄了信息的只讀記錄介質(zhì)，包括基底，將所述信息記錄在其表面上；反射層，在所述基底上面由相變材料構(gòu)成；第一電介質(zhì)層，形成在所述反射層上面；和掩膜層，在所述第一電介質(zhì)層上面由金屬氧化物構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，還包括插在所述基底和所述反射層之間的第二電介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述掩膜層包含金屬的納米顆粒。
4.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，用于構(gòu)成所述掩膜層的金屬氧化物是稀有金屬氧化物。
5.如權(quán)利要求4所述的記錄介質(zhì)，其中，所述稀有金屬氧化物是從包括鉑氧化物(PtOx)、金氧化物(AuOx)、銀氧化物(AgOx)和鈀氧化物(PdOx)的組中選擇的一個(gè)。
6.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述金屬氧化物是具有高熔點(diǎn)的金屬氧化物。
7.如權(quán)利要求6所述的記錄介質(zhì)，其中，所述金屬氧化物是鎢氧化物(WOx)。
8.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，用于構(gòu)成所述反射層的所述相變材料是從包括銀銦銻碲化合物(AgInSbTe或AIST)、碳(C)、鍺銻碲化合物(GeSbTe)、鍺(Ge)、鎢(W)、鈦(Ti)、硅(Si)、猛(Mn)、鋁(Al)、鉍(Bi)、鎳(Ni)、鈀(Pd)和碲(Te)的組中選擇的一個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述信息以在所述基底的表面形成的標(biāo)記的形式被記錄。
10.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述掩膜層、所述第一電介質(zhì)層和所述反射層的厚度分別在1.5nm至10.0nm、10nm至60nm和10nm至80nm的范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，還包括在所述掩膜層上形成的第三電介質(zhì)層。
12.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述信息從所述基底表面或從信息表面被讀取。
13.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述相變材料具有在400℃和900℃之間的熔點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中，所述掩膜層通過反應(yīng)濺射而形成。
15.如權(quán)利要求14所述的記錄介質(zhì)，其中，所述掩膜層通過反應(yīng)離子蝕刻而還原。
16.一種用光學(xué)方式讀取記錄在根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀記錄介質(zhì)上的信息的方法，其中，用于照射所述記錄介質(zhì)的激光束的功率在1.5mW至4.5mW的范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的記錄方法，其中，所述記錄介質(zhì)由所述激光束從基底面照射。
18.如權(quán)利要求16所述的記錄方法，其中，所述記錄介質(zhì)由所述激光束從信息面照射。
19.一種用光學(xué)方式讀取記錄在根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀記錄介質(zhì)上的信息的再現(xiàn)設(shè)備，其中，用于照射所述記錄介質(zhì)的激光束的功率在1.5mW至4.5mW的范圍內(nèi)。
20.一種用于構(gòu)成在其上已經(jīng)預(yù)記錄了信息的只讀記錄介質(zhì)的方法，包括在基底上由相變材料構(gòu)成反射層；在所述反射層上構(gòu)成第一電介質(zhì)層；和在所述第一電介質(zhì)層上由金屬氧化物構(gòu)成掩膜層。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括在所述基底和所述反射層之間構(gòu)成第二電介質(zhì)層。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述掩膜層包含金屬的納米顆粒。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，用于構(gòu)成所述掩膜層的所述金屬氧化物是稀有金屬氧化物。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述稀有金屬氧化物是從包括鉑氧化物(PtOx)、金氧化物(AuOx)、銀氧化物(AgOx)和鈀氧化物(PdOx)的組中選擇的一個(gè)。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述金屬氧化物是具有高熔點(diǎn)的金屬氧化物。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述金屬氧化物是鎢氧化物(WOx)。
27.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，用于構(gòu)成所述反射層的所述相變材料是從包括銀銦銻碲化合物(AgInSbTe或AIST)、碳(C)、鍺銻碲化合物(GeSbTe)、鍺(Ge)、鎢(W)、鈦(Ti)、硅(Si)、猛(Mn)、鋁(Al)、鉍(Bi)、鎳(Ni)、鈀(Pd)和碲(Te)的組中選擇的一個(gè)。
28.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述信息以在所述基底的表面形成的標(biāo)記的形式被記錄。
29.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述掩膜層、所述第一電介質(zhì)層和所述反射層的厚度分別在1.5nm至10.0nm、10nm至60nm和10nm至80nm的范圍內(nèi)。
30.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括在所述掩膜層上形成第三電介質(zhì)層。
全文摘要
一種使用在其上已經(jīng)預(yù)記錄了信息的超高解析近場結(jié)構(gòu)(Super－RENS)來實(shí)現(xiàn)載噪比(CNR)的只讀記錄介質(zhì)，其包括基底，將所述信息記錄在其表面上；反射層，其在所述基底上面由相變材料構(gòu)成；第一電介質(zhì)層，其形成在所述反射層上面；和掩膜層，其在所述第一電介質(zhì)層上面由金屬氧化物或納米顆粒構(gòu)成。
文檔編號G11B7/26GK1768379SQ200480008389
公開日2006年5月3日 申請日期2004年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月1日
發(fā)明者金朱鎬, 富永淳二, 尹斗燮 申請人:三星電子株式會(huì)社, 獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所