專利名稱：具有集成傳感器和驅(qū)動器的小型傳動裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及集成記錄頭小型傳動裝置(milliactuator)，并特別涉及一種具有集成傳感器和驅(qū)動器電子設(shè)備的小型傳動裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
活動的磁存儲器，尤其磁盤驅(qū)動器是優(yōu)選的存儲器。這是由于它們的擴展非易失性存儲器存儲容量以及較低成本的緣故。準確重現(xiàn)這些存儲器的存儲信息是重要的，要求磁傳感器被設(shè)置成盡可能接近存儲介質(zhì)。在有些存儲器中，實際上傳感器可以接觸介質(zhì)。
磁盤驅(qū)動器是一種信息存儲器，利用至少一個可旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)盤，該可旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)盤具有為存儲數(shù)據(jù)規(guī)定的同心數(shù)據(jù)磁跡，一個讀/寫傳感器，用于從各種數(shù)據(jù)磁跡讀出數(shù)據(jù)和/或?qū)?shù)據(jù)寫到各種數(shù)據(jù)磁跡，一個浮動塊，用于將鄰接數(shù)據(jù)磁跡的傳感器一般以浮動方式支持在存儲介質(zhì)上方，一個懸浮組件，用于將浮動塊和傳感器彈性支持在數(shù)據(jù)磁跡上，和一個連接到傳感器/浮動塊/懸浮件組合的位置傳動裝置，用于將傳感器越過介質(zhì)移動到所需的數(shù)據(jù)磁跡和在讀或?qū)懖僮髌陂g使傳感器保持在數(shù)據(jù)磁跡中心線上。該傳感器連接到浮動塊或與浮動塊整體構(gòu)成。該浮動塊通過轉(zhuǎn)盤產(chǎn)生的、稱為空氣軸承的氣墊使傳感器支持在存儲盤的數(shù)據(jù)表面上。
另一方面，傳感器可操作與盤的表面接觸。于是，該懸浮件提供所需的浮動塊負載和在浮動塊和傳動臂之間的尺寸穩(wěn)定性，該傳動臂將傳感器/浮動塊/懸浮件連接到傳動裝置。要求懸浮件用盡可能小的加載力去保持鄰接盤的數(shù)據(jù)表面的傳感器和浮動塊。該傳動裝置根據(jù)在讀操作時所需的數(shù)據(jù)或在寫操作期間用于數(shù)據(jù)配置的正確磁跡將傳感器設(shè)置在正確磁跡上。傳動裝置受伺服系統(tǒng)控制，通過以垂直于數(shù)據(jù)磁跡的方向移動組合件越過盤的表面將傳感器設(shè)置在所需的數(shù)據(jù)磁跡上方。盤驅(qū)動伺服控制系統(tǒng)控制傳動臂越過盤的表面的移動，以使磁記錄頭從一個數(shù)據(jù)磁跡移到另一個數(shù)據(jù)磁跡，一旦在選定磁跡上方，保持磁頭在選定磁跡中心線的軌跡上，保持磁頭位于磁跡中心，便于在磁跡中精確讀出和記錄數(shù)據(jù)。
磁盤驅(qū)動器的趨向在于，用磁記錄頭可靠地寫入和讀出的磁比特大小每年以大約50％的速率連續(xù)減小。因此，包含序列比特的磁跡寬度也必須以大約這個速率的一半遞減。因此，至今具有每英寸(tpi)4000到6000磁跡的高級存儲器在幾年內(nèi)大概具有20到25ktpi。在數(shù)據(jù)密度上的這種快速增加，對設(shè)置傳動裝置系統(tǒng)使記錄頭移到數(shù)據(jù)磁跡和使磁頭保持在磁跡上方的精度產(chǎn)生了極端要求。在實際磁頭位置和磁跡中心之間的偏移，稱為磁跡配準不良(TMR)，按磁跡的寬度標度(大約磁跡到磁跡間距的12％)。
由于磁跡密度增加和可允許的TMR減小，磁頭位置伺服系統(tǒng)可響應(yīng)的速度或伺服帶寬也必須增加以允許有效磁跡跟隨。增加該帶寬的一種方法是使用第二傳動裝置(小型傳動裝置)來提供記錄頭的快速、小運動、位置校正。在這個概念上，普通的傳動裝置提供粗略的位置控制，且位于單個磁頭上的小型傳動裝置提供在選定的磁跡上方磁頭位置的精細控制。為了實現(xiàn)高磁跡密度，這些小型傳動裝置必須具有大約幾個磁跡間距的運動范圍和能傳遞10到30G加速度到記錄磁頭的力輸出。對于集成的小型傳動裝置/磁頭設(shè)計，包含的質(zhì)量是浮動塊的質(zhì)量加上小型傳動裝置的可移動部分的質(zhì)量，總共幾個毫克。設(shè)置在懸浮件和記錄頭之間的機背(piggyback)靜電小型傳動裝置可實現(xiàn)在進一步的高磁跡密度應(yīng)用中需要的位置精度和高速性能。這種靜電小型傳動裝置需要高的驅(qū)動電壓和電容位置傳感信號，以便得到良好的伺服控制。
在懸浮件和記錄浮動塊之間設(shè)置小型傳動裝置的一個問題在于，驅(qū)動信號和電容傳感信號需要通過在懸浮件上布線來傳送?；卣{(diào)信號和寫電流信號也通過與小型傳動裝置引線靠得很近的位于懸浮件上的引線傳送。在小型傳動裝置和驅(qū)動/傳感集成電路芯片之間的布線增加了寄生負載并引入干擾到回讀信號。
因此，需要有一種方法來減小或消除在小型傳動裝置驅(qū)動和控制信號和記錄頭回讀信號之間的相互作用和干擾。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的是提供一種集成的小型傳動裝置和一種把小型傳動裝置驅(qū)動電路與小型傳動裝置集成的方法，由此消除了對由懸浮件上的互連引起的磁回讀信號的干擾。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種使用公共小型傳動裝置電極把相對位置誤差傳感電路集成在小型傳動裝置上的方法。
本發(fā)明的還有另一個目的是提供一種把小型傳動裝置驅(qū)動器、位置誤差傳感電路和其它信號調(diào)節(jié)電路集成在形成小型傳動裝置的同一塊硅基片上的方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種用于把具有小型傳動裝置驅(qū)動器、位置誤差傳感電路和其它信號調(diào)節(jié)電路的小型傳動裝置制作在單塊硅基片上的方法。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種在包括(但不限于)伺服反饋控制器、寫入頭驅(qū)動器、讀出頭前置放大器、和靜電放電(ESD)二極管的小型傳動裝置上進一步集成其它信號調(diào)節(jié)電路的方法。
簡要地說，本發(fā)明實現(xiàn)上述的目的是通過把小型傳動裝置驅(qū)動器和RPE傳感電路與小型傳動裝置集成，于是消除了到小型傳動裝置驅(qū)動器/傳感器集成電路(IC)的寄生負載和由到小型傳動裝置的互連導線引入的對磁回讀信號的干擾。根據(jù)本發(fā)明，小型傳動裝置驅(qū)動器電路和相對位置誤差(RPE)信號傳感電路集成在建立小型傳動裝置的同一塊硅基片上。其它信號調(diào)節(jié)電路也能用驅(qū)動電路組成。
通過使用下列方法的各步驟，小型傳動裝置還可以直接安裝在這些電路的頂部，以減小總的芯片面積。在這些電路建立，鈍化和打開用于接觸片的通孔后，在電路的頂部淀積平面化層、隔離層、和導電層(例如接地平面)和制作布線圖案，以使電路與可能的小型傳動裝置干擾隔離。然后，小型傳動裝置集成在電路的頂部，并最后在犧牲層蝕刻工藝中釋放(release)。
通過下列所進行的詳細描述，本發(fā)明的上面和附加的目的、特征和優(yōu)點將變得顯而易見。


為了更充分地理解本發(fā)明的性質(zhì)和優(yōu)點，以及使用的最佳模式，請參閱下面結(jié)合附圖的詳細描述。
圖1表示根據(jù)本發(fā)明的磁存儲系統(tǒng)；圖2是具有設(shè)置在懸浮件和浮動塊/傳感器組件之間的集成驅(qū)動器和傳感器的小型傳動裝置的透視圖；圖3表示本發(fā)明的小型傳動裝置驅(qū)動器和傳感器電路相對于懸浮件的位置的方框圖；圖4a是簡化靜電旋轉(zhuǎn)小型傳動裝置的平面圖；圖4b是具有用于對本發(fā)明的集成電子模塊的旋轉(zhuǎn)小型傳動裝置電連接的通孔的接地平面的平面圖；圖5a-e表示用于把電子電路與小型傳動裝置集成的制作方法的一個實施例；和圖6是表示小型傳動裝置和磁傳感器電子設(shè)備相對于懸浮件的設(shè)置的本發(fā)明的第二實施例的方框圖。
具體實施例方式
本發(fā)明在下列結(jié)合附圖的說明中是以最佳實施例描述的，在附圖中相同的標號表示相同或類似部件。雖然本發(fā)明以實現(xiàn)本發(fā)明的目的的最好方式予以描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解為，利用這些技術(shù)可進行各種變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
圖1表示包括外殼12的磁存儲系統(tǒng)10，其中安裝旋轉(zhuǎn)傳動裝置14、安裝在主軸22上的一個或多個有關(guān)的磁存儲盤18和連接到用于旋轉(zhuǎn)盤18的主軸22的驅(qū)動裝置(未示出)。旋轉(zhuǎn)傳動裝置14在橫越存儲盤18的表面的弧形軌跡16上移動根據(jù)本發(fā)明的浮動塊/小型傳動裝置組件20。旋轉(zhuǎn)傳動裝置14包括一個音圈電機，該音圈電機包括一個在固定永磁組件30的磁場內(nèi)可移動的線圈。具有在其一端構(gòu)成的移動線圈的傳動臂28旋轉(zhuǎn)地安裝在樞軸柱38上。懸浮組件24連接到傳動臂28的另一端并橫越盤18的表面伸出。懸浮組件24以懸臂形式使集成的浮動塊/小型傳動裝置組件20支持在盤18的表面。雖然僅表示一個浮動塊/小型傳動裝置，將可認出，磁存儲器10對于包括在磁存儲系統(tǒng)10內(nèi)每個盤18的每一邊具有一個浮動塊/小型傳動裝置組件20。
磁存儲系統(tǒng)10還包括一個固定在旋轉(zhuǎn)傳動裝置14上的傳動裝置芯片40。如現(xiàn)有技術(shù)所公知的，傳動裝置基片40與在懸浮組件24上的浮動塊/小型傳動裝置組件20配合，以從盤18讀出數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫到盤18上。支持在傳動臂28上的電引線60、61在傳動裝置基片40和浮動塊/小型傳動裝置組件20之間傳送信號。柔性印制電路構(gòu)件或傳動裝置彎曲電纜34在傳動裝置基片40和與外部信號處理電路連接的插頭組件之間傳送信號。
圖2表示固定到根據(jù)本發(fā)明的最佳實施例的懸浮組件24的集成浮動塊/小型傳動裝置組件20。懸浮組件24靠由盤的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的空氣軸承或氣墊將浮動塊/小型傳動裝置組件20支持在盤的表面上。浮動塊/小型傳動裝置組件20包括一個集成傳動裝置/電子模塊50和一個集成浮動塊/傳感器組件56。集成小型傳動裝置/電子模塊50包括一個電子模塊部分52，根據(jù)其中所述的方法，電子模塊部分52與小型傳動裝置54整體構(gòu)成。浮動塊/傳感器組件56固定到小型傳動裝置54部分且電子模塊部分52固定到懸浮組件24。連接到在電子模塊52的接觸片62和64上的電引線60、61將信號傳送到傳動裝置芯片40和傳送來自傳動裝置芯片40的信號。
圖3表示相對于本發(fā)明的最佳實施例的懸浮組件24和傳動裝置芯片40設(shè)置在電子模塊52的小型傳動裝置驅(qū)動器和傳感電路的配置。在集成小型傳動裝置/電子模塊50中小型傳動裝置驅(qū)動器和傳感器電路的配置提供來自電子模塊52被小型傳動裝置54所需的信號的最短路徑，以控制到盤18上的所需數(shù)據(jù)磁跡的浮動塊/傳感器裝置56的精細位置。設(shè)置電子模塊52與小型傳動裝置54靠得很近，而不在傳動裝置芯片40處，這消除了不需要的寄生信號損耗和與在其它情況下要求的長(2～5cm)電引線長度有關(guān)的干擾。用于浮動塊/傳感器組件56的精細位置調(diào)節(jié)的靜電小型傳動裝置需要高驅(qū)動電壓和由來自電容傳感器的相對位置誤差信號(RPE)提供的伺服控制。當電子模塊52設(shè)置在傳動裝置芯片40時，驅(qū)動電壓(在2.5KHz上約80V)和傳感電容(約100fF)將在懸浮組件24和傳動臂28的電導線61上傳送，該電導線61與傳送磁寫入電流信號到浮動塊/傳感器組件56和從組件56傳送回讀信號的電導線60靠得很近。長引線會對電路引入大的寄生負載和對磁回讀信號引入干擾。長引線產(chǎn)生的這些不必要的影響通過將小型傳動裝置驅(qū)動器和RPE傳感電路設(shè)置在與小型傳動裝置54集成在一起的電子模塊52中的本發(fā)明大大地消除?，F(xiàn)在，在電子模塊52和傳動裝置芯片40之間的信號用小型傳動裝置驅(qū)動器的DC偏壓和來自位置傳感電路的放大RPE信號代替。
圖4a表示一個由現(xiàn)有技術(shù)公知的微電機工藝構(gòu)成的簡化靜電旋轉(zhuǎn)小型傳動裝置54。構(gòu)成在基片72上的小型傳動裝置54包括一個轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74，該轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74相對于基片72分開和可以自由轉(zhuǎn)動小角度；多個定子結(jié)構(gòu)76、78，該結(jié)構(gòu)76、78設(shè)置得靠近轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74并剛性地固定到基片72；和多個彈簧結(jié)構(gòu)82，該彈簧結(jié)構(gòu)82通過連接到剛性附加到基片72的相同標號的支持柱80提供對轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的機械支承。彈簧結(jié)構(gòu)82是通過微電機工藝形成的，當允許轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74圍繞對稱中心84相對自由旋轉(zhuǎn)運動(在紙平面上)時，用于提供轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74相對于基片72的平移剛性。轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74、定子結(jié)構(gòu)76、和定子結(jié)構(gòu)78是由通過形成在基片72上的適當薄膜導線結(jié)構(gòu)相互電隔離的導電材料構(gòu)成的。加到轉(zhuǎn)子和定子結(jié)構(gòu)的電壓在轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74和定子結(jié)構(gòu)76、78之間感應(yīng)吸引和排斥靜電力，導致轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)克服彈簧結(jié)構(gòu)82的弱限定力旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74的旋轉(zhuǎn)位移可用適當?shù)膫鞲衅鳒y定并以相對位置誤差(RPE)信號的形式對控制器提供反饋。在轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74和定子結(jié)構(gòu)76或定子結(jié)構(gòu)78之間的電容可用于提供RPE信號。用于制作小型傳動裝置54的設(shè)計和工藝在現(xiàn)有技術(shù)中已屬公知。
本發(fā)明的實施例把小型傳動裝置54和形成包含驅(qū)動器和RPE傳感電路的電子模塊52的集成電路(IC)芯片結(jié)合在一起。形成小型傳動裝置/電子模塊50的集成是通過使用現(xiàn)有技術(shù)公知的方法把用于小型傳動裝置驅(qū)動器和RPE傳感功能的適當集成電路形成在硅基片上，隨后進一步處理形成驅(qū)動器和RPE傳感電路與小型傳動裝置54的適當電連接來實現(xiàn)的。集成小型傳動裝置/電子模塊50然后通過使用薄膜淀積和微電機工藝把小型傳動裝置54形成在電子模塊52上并與電子模塊52接觸來完成。
圖4b表示在電子模塊52和小型傳動裝置54之間所需的接口特征的電子模塊52的平面圖。該接口必須提供從在電子模塊52中的驅(qū)動器和RPE傳感電路到轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74和定子結(jié)構(gòu)76、78的電連接。此外，接口必須在電子模塊52和小型傳動裝置54之間提供足夠的電屏蔽，以把電子電路與偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74所需的強電場隔離開。進入驅(qū)動器和RPE傳感電路的電通孔是通過公知的光刻和蝕刻工藝形成的上孔或通孔以允許在金屬淀積之后進行電接觸提供的。通孔94是用于電連接到轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)74，四個通孔96，98是用于連接到定子結(jié)構(gòu)76，78，和四個其它通孔100是用于從外部信號處理設(shè)備連接輸入和輸出信號到小型傳動裝置/電子模塊50。電屏蔽是通過在電子模塊52和小型傳動裝置54之間的整個接口表面上形成在電子模塊52的金屬層92提供的。由金屬層92提供的屏蔽是非常有效的，這由于它用電子模塊52的尺寸(在一邊約1～2mm)形成一個接地面，而每個通孔92-100的直徑僅約100μm。
現(xiàn)在參照圖5a-e，對根據(jù)本發(fā)明的集成小型傳動裝置/電子模塊50的制造方法予以說明。簡要地，圖5a表示屏蔽的Si電路晶片；圖5b表示鈍化的和用PIX平面化的Si電路晶片；圖5c表示金屬互連/鈍化層淀積和制作布線圖案；圖5d表示犧牲層淀積和制作布線圖案和圖5e表示籽晶層淀積。具有微型傳動裝置的集成電路的關(guān)鍵方面包括屏蔽電場的金屬層(例如在IC中鋁M3層)，使IC形貌平面化的厚層(例如PIX，聚酰亞胺的形式)、防止對IC的任何工藝影響鈍化層(例如，PIX和鎢(W)的組合，起擴散阻擋層的作用)，和連接在IC和微型傳動裝置之間的通孔。在所述的例子中，鎢也用作微型傳動裝置的互連。
更詳細地描述，本方法按圖5a所示的開始，圖5a表示其上已建立驅(qū)動器和RPE傳感電路的硅晶片108，使用現(xiàn)有技術(shù)公知的方法鈍化和打開通孔。大約1-2微米厚的硅氧化物極化和隔離層110通過化學氣相淀積或等離子增強淀積方法淀積在鈍化的硅晶片108上。大約1μm厚度的Al-Si-Cu或Cu層112通過濺射淀積方法淀積在平面層110上，以形成接地平面92(圖4b)。Al-Si-Cu層112使用光致抗蝕劑和化學腐蝕劑或反應(yīng)離子刻蝕制作布線圖案，以規(guī)定通過通孔電連接到驅(qū)動器和RPE傳感電路的隔離接觸片。在硅二氧化物隔離層110中開的通孔內(nèi)側(cè)用于連接Al-Si-Cu接觸片和電子電路的鎢(W)通過化學氣相淀積方法淀積。大約5μm厚度的介質(zhì)PIQ(或PIX)聚酰亞胺層114通過旋涂淀積。PIQ(或PIX)層114使用掩蔽和化學溶劑制作布線圖案，以打開在Al-Si-Cu層112中規(guī)定的隔離接觸片的通孔。所得的結(jié)構(gòu)示于圖5b。
小型傳動裝置72結(jié)構(gòu)，首先使用濺射方法在PIQ(或PIX)層114上淀積大約0.2μm厚的鎢(W)或其它金屬層116。W層116是使用光致抗蝕劑和化學腐蝕劑制作布線圖案的，以規(guī)定隔離的電連接到通過在PIQ(或PIX)層116中打開的通孔限定在Al-Si-Cu層112中的接觸片的互連片。所得到的互連結(jié)構(gòu)示于圖5c。在W層116上淀積的大約3μm厚的Al2O3或Cu層118使用光致抗蝕劑和化學蝕刻方法制作布線圖案，以留下犧牲層120，在其上小型傳動裝置高的寬高比的轉(zhuǎn)子和定子結(jié)構(gòu)將被構(gòu)成。所得的結(jié)構(gòu)示于圖5d。大約1000A厚度的鉻(Cr)和銅(Cu)籽晶層122的疊層使用濺射方法淀積在包括制作布線圖案的犧牲層120和W層116的整個表面上。所得的結(jié)構(gòu)示于圖5e。籽晶層122用Ni-Fe電鍍方法提供適當?shù)慕Y(jié)構(gòu)，以形成小型傳動裝置。小型傳動裝置制造是通過現(xiàn)有技術(shù)已知的方法，使用Ni-Fe電鍍，光致抗蝕劑和光刻技術(shù)方法來完成的。小型傳動裝置最后在保護層蝕刻處理中釋放(release)以除去Al2O3或Cu保護層。
完成后的集成小型傳動裝置/電子模塊50具有固定到小型傳動裝置54的轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的連接平臺。浮動塊/傳感器組件56使用粘合劑或其它適當?shù)姆椒ㄕ辰拥竭B接平臺。小型動動裝置/電子模塊和浮動塊/傳感器的整個組件現(xiàn)在使用現(xiàn)有技術(shù)已知的方法連接到懸浮件24。固定集成小型傳動裝置/電子模塊到懸浮件24和浮動塊/傳感器組件56到小型傳動裝置轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)是最佳的方法，因為在盤18的數(shù)據(jù)磁跡上調(diào)節(jié)傳感器的位置期間該構(gòu)形可使由小型傳動裝置移動的質(zhì)量減到最小?，F(xiàn)在使用現(xiàn)有技術(shù)公知的方法，引線61連接到在電子模塊52上的墊片62和引線60連接到在浮動塊/傳感器組件56的墊片64。
圖6表示本發(fā)明的第二實施例，其中電子電路的進一步集成是通過把用于浮動塊/傳感器組件56的磁信號傳感器的寫電流驅(qū)動器和讀前置放大器引入到電子模塊52中實現(xiàn)的。在該實施例中，在現(xiàn)有技術(shù)中包括傳動裝置芯片40的寫電流驅(qū)動器和讀前置放大器電路，現(xiàn)在在形成用于小型傳動裝置54的驅(qū)動器和RPE傳感電路的工藝期間構(gòu)成在電子模塊56集成電路芯片上。寫電流驅(qū)動器和讀前置放大器現(xiàn)在使用比以前使用的更短引線長度在浮動塊/傳感器上分別電連接到寫磁頭和讀磁頭。這種配置的磁傳感器電路的優(yōu)點包括減少來自大幅度寫電流信號的干擾和改進磁回讀信號的信噪比。到寫電流驅(qū)動器的控制信號和來自讀磁頭的放大回讀信號是通過從電子模塊52到傳動裝置芯片40的引線60傳送的。對于這個第二實施例把電子模塊52和小型傳動裝置54集成的工藝步驟與使用圖5a-e對最佳實施例的前面的描述是相同的。
盡管本發(fā)明的實施例已結(jié)合旋轉(zhuǎn)小型傳動裝置予以描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明白，線性小型傳動裝置也可用于本發(fā)明。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也明白，但不受其限制的，將包括伺服反饋控制器和靜電放電(ESD)二極管的其它信號調(diào)節(jié)電路集成進入小型傳動裝置/電子模塊50也可用于本發(fā)明。
雖然用有關(guān)實施例具體表示和說明了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明白，可以在形式和細節(jié)上進行各種變化，而都不脫離本發(fā)明的精神、范圍和教導。因此，公開的本發(fā)明僅作為例證考慮和僅受附加權(quán)利要求所規(guī)定的范圍限制。
權(quán)利要求
1.一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，包括步驟為把一個電路形成在基片上；鈍化該電路；把平面層淀積在電路上；打開到所述電路的通孔；把導電層淀積在平面層上；把導電層制作布線圖案，以形成通過通孔電連接到傳感電路的接觸片；把介質(zhì)層淀積在導電層上；把介質(zhì)層制作成布線圖案，以打開到在導電層中規(guī)定的接觸片的通孔；和把小型傳動裝置結(jié)構(gòu)構(gòu)成在聚酰亞胺層上，其中在小型傳動裝置結(jié)構(gòu)中的第一導電層被制作布線圖案，以通過在聚酰亞胺層中打開的通孔來連接在導電層中的接觸片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，其中電路是一個RPE傳感電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，其中電路是一個傳動裝置驅(qū)動電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，其中在小型傳動裝置結(jié)構(gòu)中的第一導電層是用鎢制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，其中在小型傳動裝置中的第二導電層是構(gòu)成在第一導電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種集成小型傳動裝置/電子模塊的制作方法，其中第二導電層被制作成布線圖案，以留下其中形成小型傳動裝置轉(zhuǎn)子和定子結(jié)構(gòu)的犧牲層。
全文摘要
一種與驅(qū)動器和相對位置誤差傳感電路集成的小型傳動裝置形成在單個硅基片上。該集成小型傳動裝置/電子模塊設(shè)置在懸浮和浮動塊/傳感器組件之間，以在磁盤驅(qū)動器的盤的數(shù)據(jù)磁跡上提供浮動塊/傳感器的快速、小的運動位置控制。小型傳動裝置電子設(shè)備與小型傳動裝置的集成用磁傳感信號減小了寄生負載和干擾問題。電子電路建立在硅片上，隨后淀積一個平面層和一個接地層，用于與建立在電路的頂部的小型傳動裝置隔離。
文檔編號G11B5/55GK1645483SQ200510003680
公開日2005年7月27日 申請日期1999年4月9日 優(yōu)先權(quán)日1998年5月11日
發(fā)明者范龍生, 洪朱憙, 阮文瀚 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司