專利名稱：磁頭滑塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備往磁盤上記錄用和/或再生用的磁性元件的磁頭滑塊，尤其涉及能夠降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變動的磁頭滑塊。
背景技術(shù)：
磁頭滑塊一般采用在與磁盤相對的面上具有位于最低高度位置、產(chǎn)生負壓的溝槽和隆起形成的用于產(chǎn)生正壓的隆起面的結(jié)構(gòu)。以往，通過使上述溝槽和隆起面的形狀合適或使溝槽和隆起面占上述磁盤相對面的面積的比率等適合，來達到使磁頭滑塊的上浮量穩(wěn)定的目的。
但是，上述上浮量由于氣壓的變化或磁盤的小型化引起的圓周速度降低等引起的空氣流入量的減少，容易變得不穩(wěn)定。
日本特開平8-124140號公報例如，在專利文獻1中，磁盤相對面上形成的凹部的一部分形成有收縮部。由此，由于上述收縮部的部分的流速低，因此可以認為在收縮部附近容易產(chǎn)生正壓。
但是，專利文獻1由于凹部形成的上述收縮部形成在滑塊的空氣流入端一側(cè)，因此上述收縮部起增強空氣流入端產(chǎn)生的正壓的作用，由于空氣流出端一側(cè)的凹部的寬度比上述收縮部的寬度寬，因此可以認為是空氣流出端一側(cè)產(chǎn)生的負壓更強的結(jié)構(gòu)。并且，這樣的結(jié)構(gòu)可以認為，尤其是在氣壓低(空氣密度低)時俯仰(pitch)角容易變大，上浮量大幅度減少。
另外，專利文獻1沒有提及尤其是凹部上形成的上述收縮部與氣壓變化(空氣密度變化)之間的關(guān)系，如專利文獻1所記載的那樣，是因為別的意途(例如防止塵土附著在磁盤相對面上)而設(shè)置上述收縮部。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有問題，目的是要提供一種能夠降低尤其是氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變動的磁頭滑塊。
本發(fā)明的磁頭滑塊具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)端面上的記錄用和/或再生用磁性元件，其特征在于，具有在上述滑塊的磁盤相對面上、在空氣流入端一側(cè)向磁盤方向隆起的空氣流入端側(cè)隆起面；在空氣流出端一側(cè)向磁盤方向隆起的磁性元件面；以及位于上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間的溝槽狀的第1流路；在上述第1流路上，在比上述滑塊的擺動支點靠近上述空氣流出端一側(cè)，設(shè)置有收縮(絞り)部。
通過在上述收縮部的部分降低流速而產(chǎn)生正壓。通過在上述滑塊的比擺動支點靠近上述空氣流出端一側(cè)設(shè)置這樣的收縮部，滑塊的俯仰角在氣壓低的環(huán)境下比在氣壓高的環(huán)境下小，由此能夠有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
本發(fā)明優(yōu)選上述空氣流入端側(cè)隆起面在與從上述空氣流入端一側(cè)向空氣流出端一側(cè)的長度方向正交的方向的寬度方向上分割設(shè)置，在上述空氣流入端側(cè)隆起面之間形成第2流路，上述第2流路與上述第1流路相連。這樣使空氣順暢地從滑塊的空氣流入端一側(cè)流向空氣流出端一側(cè)，能夠更有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
本發(fā)明優(yōu)選上述第1流路和/或第2流路的底面形成在比作為負壓產(chǎn)生面的溝槽的底面高、比上述磁性元件面和空氣流入端側(cè)隆起面低的位置上。這樣能夠更有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
本發(fā)明優(yōu)選形成有連接在上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間、向磁盤方向隆起的多個導(dǎo)軌面，在上述導(dǎo)軌面之間形成上述第1流路，在上述導(dǎo)軌面的寬度方向的兩側(cè)形成有作為負壓產(chǎn)生面的溝槽。這樣能夠在上述收縮部附近產(chǎn)生適當(dāng)?shù)恼龎海菀资拐龎号c負壓的平衡合適等。
并且，當(dāng)設(shè)上述第1流路中形成的收縮部的寬度尺寸為T1，上述第1流路在空氣流入端一側(cè)端部的寬度尺寸為T2時，T1/T2在0.05～0.5的范圍內(nèi)形成。由此，能夠更有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
并且，當(dāng)設(shè)上述滑塊的上述長度方向的尺寸為L1，從滑塊的空氣流入端側(cè)端面到上述第1流路中形成的收縮部的位置的測量長度為L2時，L2/L1形成在0.57以上。由此，能夠更有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
發(fā)明的效果本發(fā)明具有在滑塊的磁盤相對面上在空氣流入端一側(cè)向磁盤方向隆起的空氣流入端側(cè)隆起面、在空氣流出端一側(cè)向磁盤方向隆起的磁性元件面，位于上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間的溝槽狀的第1流路；在上述第1流路的比上述滑塊的擺動支點靠近上述空氣流出端一側(cè)設(shè)置有收縮部。
通過在上述收縮部的部分降低流速而產(chǎn)生正壓。通過在上述滑塊的比擺動支點靠近上述空氣流出端一側(cè)設(shè)置這樣的收縮部，滑塊的俯仰角在氣壓低的環(huán)境下比在氣壓高的環(huán)境下小，由此能夠有效地降低氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。


圖1是將本實施形態(tài)的磁頭滑塊的磁盤相對面向上地表示的立體圖。
圖2是從磁盤相對面一側(cè)看圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖。
圖3是其他的收縮部的俯視圖。
圖4是用于說明高氣壓狀態(tài)下(例如平地(0m、海平面)氣壓下)作用于滑塊的正壓的概念圖。
圖5是用于說明低氣壓狀態(tài)下(例如高地(3048m)氣壓下)作用于滑塊的正壓的概念圖。
圖6是將上述磁頭滑塊安裝到支持部件上的磁頭裝置的局部立體圖。
圖7是表示本發(fā)明的磁頭滑塊停止在磁盤上的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖8是表示本發(fā)明的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖9是表示實驗中使用的各磁頭滑塊的T1/T2、與標高差靈敏度之間的關(guān)系的曲線圖。
圖10是表示實驗中使用的各磁頭滑塊的L2和L2/L1、與標高差靈敏度之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實施例方式
圖1為將本實施形態(tài)的磁頭滑塊的磁盤相對面向上地表示的立體圖，圖2為從磁盤相對面一側(cè)看圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖，圖4為用于說明高氣壓狀態(tài)下(例如平地(0m、海平面)氣壓下)作用于滑塊的正壓的概念圖，圖5為用于說明低氣壓狀態(tài)下(例如高地(3048m)氣壓下)作用于滑塊的正壓的概念圖，圖6為將上述磁頭滑塊安裝到支持部件上的磁頭裝置的局部立體圖，圖7為表示本發(fā)明的磁頭滑塊停止在磁盤上的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖，圖8為表示本發(fā)明的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁頭裝置的局部側(cè)視圖。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1構(gòu)成磁頭裝置H的一部分。上述磁頭滑塊1例如圖6所示那樣安裝在從磁盤相對面2的相反面一側(cè)彈性支持上述磁頭滑塊1的支持部件30上。上述支持部件30的結(jié)構(gòu)具有板簧載重梁18、設(shè)置在其頂部的薄板簧撓曲板(彈性支持部件)17。
上述磁頭裝置H安放在磁盤裝置內(nèi)，具有往上述磁盤裝置內(nèi)設(shè)置的磁盤D上記錄磁信號或再生記錄在上述磁盤D上的磁信號的功能。
圖7表示構(gòu)成上述磁頭裝置H的磁頭滑塊1停止在上述磁盤裝置內(nèi)設(shè)置的磁盤D上的狀態(tài)。通過磁盤D從圖7所示的停止?fàn)顟B(tài)開始旋轉(zhuǎn)，上述磁頭滑塊1從磁盤D上浮起，進行上述記錄、再生(圖8)。
如圖7所示，磁頭滑塊1從磁盤相對面2的反面一側(cè)粘接固定在上述撓曲板17的下面。如圖7所示，上述撓曲板17上形成有例如向圖示上方突出的球面狀樞軸(pivot)P，該樞軸P的頂端與載重梁18相抵接。
在圖7的狀態(tài)下，上述磁頭滑塊1被支持部件30以較弱的彈力推向磁盤D的記錄面。如圖8所示，當(dāng)磁盤D開始旋轉(zhuǎn)時，上述磁頭滑塊1的引導(dǎo)側(cè)端面S1受空氣流的作用以上述樞軸P為擺動支點向上抬起。當(dāng)上述磁頭滑塊1浮在磁盤D上時，以上述樞軸P為擺動支點追隨磁盤D的起伏地向俯仰(pitch)方向(以圖示X方向為軸旋轉(zhuǎn)的方向)擺動。如圖8所示，磁頭滑塊1以δ的上浮量浮在磁盤D上。以后提到“上浮量”時，如圖8所示那樣用磁性元件5的表面到磁盤D的表面之間的直線距離(最短距離)表示。
如圖1、圖2所示，磁頭滑塊1的空氣流入端稱為“引導(dǎo)側(cè)端面S1”，空氣流出端稱為“從動側(cè)端面St”。并且，以下并不是表示側(cè)端面本身，僅將“向著引導(dǎo)側(cè)端面的方向或者靠近引導(dǎo)側(cè)端面的部位”稱為“引導(dǎo)側(cè)端面S1”，將“向著從動側(cè)端面的方向或者靠近從動側(cè)端面的部位”稱為“從動側(cè)端面St”。并且，以下將從上述引導(dǎo)側(cè)端面S1向從動側(cè)端面St的方向作為長度方向(圖示Y方向)，將與上述長度方向正交的方向(圖示X方向)作為寬度方向。
圖1和圖2所示的磁頭滑塊1用例如氧化鋁碳化鈦等形成。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的磁盤相對面2上的從動側(cè)St上，形成有從作為負壓產(chǎn)生面的溝槽3向磁盤D方向隆起的磁性元件面4。如圖1、圖2所示，磁性元件5為形成在上述磁頭滑塊1的從動側(cè)端面St上，由以例如利用了磁阻效應(yīng)的自旋閥型薄膜元件為代表的再生用MR元件和記錄用電感元件復(fù)合而成的元件，或者僅由MR元件和電感元件中的一種構(gòu)成的元件。如圖1、圖2所示，上述磁性元件5的周圍用Al2O3等保護膜19覆蓋，上述保護膜19也成為上述磁性元件面4的一部分。
上述磁性元件5的表面從上述磁性元件面4露出，像上述那樣，由上述磁性元件5對磁盤D進行記錄或再生。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的引導(dǎo)側(cè)S1上設(shè)置有以與上述磁性元件周圍的面4相同的高度隆起，并且沿寬度方向(圖示X方向)被分割成2個的引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7。
而且，如圖1、圖2所示，在各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a與上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a之間，以與上述磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7相同的高度尺寸隆起形成從引導(dǎo)側(cè)S1向從動側(cè)St形成的細長狀的導(dǎo)軌面8、9，各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7與磁性元件面4之間用上述導(dǎo)軌面8、9連接。
如圖1、圖2所示，在上述導(dǎo)軌面8、9的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)，分別隆起形成高度與上述磁性元件面4相同的側(cè)邊隆起面10、11。上述側(cè)邊隆起面10、11為，當(dāng)上述磁頭滑塊1在磁盤D上向轉(zhuǎn)動方向(以圖示Y方向為軸旋轉(zhuǎn)的方向)傾斜時抑制相對于上述磁盤D的表面的傾斜角度、抑制上述磁頭滑塊1的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)端部與磁盤D沖突等的正壓產(chǎn)生面。
如圖1、圖2所示，磁盤相對面2上形成的溝槽3為產(chǎn)生負壓的面。
如圖1、圖2所示，上述導(dǎo)軌面8、9之間形成有第1流路20。上述第1流路20為夾在導(dǎo)軌面8、9的內(nèi)側(cè)端部8a、9a之間的溝槽形狀。
如圖1、圖2所示，在沿寬度方向分割形成的上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間，形成有第2流路22。上述第2流路22為夾在上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的內(nèi)側(cè)端部6c、7c之間的溝槽形狀，如圖1、圖2所示，連接上述第1流路20和第2流路22。
上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a形成為高度比上述磁性元件周圍的面4、引導(dǎo)側(cè)隆起面6/7和導(dǎo)軌面8/9的高度低，但比上述溝槽3的高度高。上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a為以相同的高度形成的平坦面。
在上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的引導(dǎo)側(cè)端部6b、7b設(shè)置有高度與上述流路20、22的底面20a、22a相同的面作為階梯面，并且在上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)也形成有側(cè)(side)階梯面12a。上述側(cè)階梯面12a從上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a繼續(xù)向從動側(cè)St方向延伸地設(shè)置。比上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a靠近從動側(cè)St的溝槽3為兩側(cè)被上述側(cè)階梯面12a和導(dǎo)軌面8/9夾著的形態(tài)，由此，空氣能夠適當(dāng)?shù)剡M入上述溝槽3，能夠由上述溝槽3產(chǎn)生適當(dāng)大小的負壓。
上述階梯面在上述側(cè)邊隆起面10、11的引導(dǎo)側(cè)端部10a、11a也設(shè)置有階梯面13、14，在上述導(dǎo)軌面9的寬度方向(圖示X方向)的外側(cè)端部9b也設(shè)置有階梯面15。
本實施形態(tài)的特征部分在于，上述磁性元件面4與引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間形成有溝槽狀的第1流路20，在上述第1流路20的比上述滑塊1的擺動支點P1靠近從動側(cè)(空氣流出端一側(cè))St形成有收縮部21。另外，如上所述，上述擺動支點P1正好位于樞軸P的頂端位置。上述擺動支點P1設(shè)置在滑塊1的大致中央的位置。
下面說明“收縮部21”。用高度方向(圖示Z方向)和寬度方向(圖示X方向)構(gòu)成的面在形成有上述收縮部21的位置上剖切第1流路20時的截面積，比在比上述收縮部21靠近引導(dǎo)側(cè)S1剖切第1流路20時的上述截面積小，并且與在比上述收縮部21靠近從動側(cè)St剖切第1流路20時的上述截面積相等或者比上述截面積小。
為了滿足上述條件，在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中，上述第1流路20的底面20a的高度雖為一定的高度，但在上述收縮部21處的寬度尺寸T1為上述第1流路20內(nèi)最小的寬度。如圖1、圖2所示，第1流路20在比上述收縮部21更靠近引導(dǎo)側(cè)S1及從動側(cè)St的寬度比上述收縮部21的寬度尺寸T1寬。為了構(gòu)成上述收縮部，第1流路20在比上述收縮部靠引導(dǎo)側(cè)S1的寬度尺寸有必要比上述收縮部21處的寬度尺寸T1寬，第1流路20在比上述收縮部21靠從動側(cè)St的寬度比上述收縮部21處的寬度尺寸T1寬，或者與上述收縮部21處的寬度尺寸T1相同。當(dāng)?shù)?流路20在比上述收縮部21靠從動側(cè)St的寬度尺寸與上述收縮部21處的寬度尺寸T1相等時，就是圖3所示的形態(tài)。圖3中，雖然第1流路20在比收縮部21靠從動側(cè)St的寬度尺寸與上述收縮部21的寬度相等地形成，但也可以是以預(yù)定的長度形成這樣的一定寬度的區(qū)域，比上述區(qū)域靠從動側(cè)St成為寬度尺寸再次變寬的區(qū)域。并且，例如上述收縮部21也可以在第1流路20內(nèi)形成多個，在這樣的情況下，所有的收縮部21處的寬度尺寸T1全部以第1流路20內(nèi)最小的尺寸形成。即使寬度不是第1流路20內(nèi)最小的尺寸，但只要滿足上述條件，也可以構(gòu)成收縮部。并且，如果在上述收縮部21處的寬度尺寸T1為0的話，則由于空氣密度降低，上浮量大幅度地減小。并且，上述收縮部21也可以設(shè)置在比上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a靠引導(dǎo)側(cè)S1。并且，第1流路20在靠近磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a附近的寬度尺寸最好比上述收縮部21處的寬度尺寸T1寬。由此，容易控制在適當(dāng)分離上述收縮部21附近產(chǎn)生的正壓和磁性元件面4上產(chǎn)生的正壓的狀態(tài)下產(chǎn)生的各正壓。
并且，雖然在圖1、圖2所示的狀態(tài)下，上述收縮部21為上述寬度尺寸T1變窄的形態(tài)，但也可以是底面20a在上述收縮部21比第1流路20內(nèi)的其他部位隆起，在第1流路20內(nèi)的上述收縮部21的高度尺寸(溝槽的深度尺寸)比其他部位的高度尺寸(溝槽的深度尺寸)小的形態(tài)。通過這樣，也能夠使上述收縮部21成為用高度方向(圖示Z方向)和寬度方向(圖示X方向)構(gòu)成的平面在形成了上述收縮部21的位置剖切第1流路20時的截面積比第1流路20在比上述收縮部21靠近引導(dǎo)側(cè)S1的上述截面積小，并且與第1流路20在比上述收縮部21靠近從動側(cè)St的上述截面積相等，或者比上述截面積小的形態(tài)。但是，由于比第1流路20內(nèi)的其他部位隆起形成上述收縮部21的底面20a的加工困難，并且第1流路20自身的深度最多只有0.1μm左右，因此即使改變第1流路20的深度尺寸也不能有效地增大收縮部21及其以外的地方的截面積差，因此優(yōu)選控制上述收縮部21處的寬度尺寸T1。
在上述實施形態(tài)中，在上述第1流路20中形成收縮部21，由此使在上述第1流路20內(nèi)流動的空氣在上述收縮部21附近的流速降低，在上述收縮部21附近產(chǎn)生正壓。上述收縮部21設(shè)置在比上述擺動支點P1靠近從動側(cè)St，因此在上述收縮部21附近產(chǎn)生的正壓在比上述擺動支點P1靠近從動側(cè)St的地方產(chǎn)生。本實施形態(tài)為與以往相比氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化少的結(jié)構(gòu)。下面用圖4和圖5說明其原理。
圖4為說明在氣壓高的狀態(tài)下、例如平地(0m、海平面)氣壓下作用于滑塊的正壓的概念圖?！罢龎篜r1”用矢量長度表示引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7與上述磁盤D之間產(chǎn)生的正壓的大小。并且，“正壓Pr2”用矢量長度表示磁性元件面4與上述磁盤D之間產(chǎn)生的正壓的大小。矢量長度越長，正壓越大。如圖1和圖2所示，上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的面積之和比上述磁性元件面4的面積大，因此上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7與磁盤D之間產(chǎn)生的正壓Pr1比上述磁性元件面4與磁盤D之間產(chǎn)生的正壓Pr2大。
而在本實施形態(tài)中，通過在第1流路20中形成收縮部21，在上述收縮部21附近產(chǎn)生正壓Pr3。上述正壓Pr3產(chǎn)生在比上述擺動指點P1靠近上述磁性元件面4一側(cè)。通過保持上述正壓Pr1、Pr2和Pr3與溝槽3產(chǎn)生的負壓的平衡，上述滑塊1成為引導(dǎo)側(cè)S1高高浮起，從動側(cè)St靠近磁盤D的上浮姿勢。此時俯仰角(上述磁性元件面4相對于磁盤面的傾角)為θ1。
圖5為用于說明在氣壓低的狀態(tài)下、例如高地(3048m)的氣壓下作用于滑塊上的正壓的概念圖。
圖5的點劃線所示的滑塊表示假設(shè)沒有產(chǎn)生正壓Pr3時滑塊的上浮狀態(tài)。當(dāng)氣壓降低時，滑塊1與磁盤D之間流過的空氣量減少，上述滑塊與磁盤D之間的空氣密度低，因此正壓Pr1、Pr2和負壓小到全部相同。因此，未產(chǎn)生正壓Pr3的點劃線所示的滑塊與氣壓高的狀態(tài)下相比，上浮量大大降低。
但是，本實施形態(tài)通過在第1流路20設(shè)置收縮部21，在上述收縮部21附近產(chǎn)生正壓Pr3。如果像如圖5所示那樣正壓Pr1、Pr2和負壓全部變小，滑塊的上浮量變小的話，則收縮部21附近與磁盤D之間的距離H1縮短。此時，如果距離H1縮短的話，則上述收縮部21附近的空氣流嚴重不暢(流速更低)，因此在上述收縮部21附近產(chǎn)生的正壓Pr3比圖4時的大，滑塊1的從動側(cè)端面St被向上抬起(箭頭B)?；瑝K1的從動側(cè)端面St向上抬起使上述俯仰角θ2比圖4時的小，但上述上浮量與氣壓高時相比沒有太大的變化，因此與未產(chǎn)生上述正壓Pr3的結(jié)構(gòu)相比，能夠減小相對于氣壓變化(空氣密度變化)的上浮量的變化。
在本實施形態(tài)中，當(dāng)假設(shè)上述第1流路20中形成了收縮部21處的寬度尺寸為T1，上述第1流路20的引導(dǎo)側(cè)端部(上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的交界部)處的寬度尺寸為T2時，T1/T2優(yōu)選在0.05～0.5的范圍內(nèi)形成。
并且，當(dāng)假設(shè)滑塊1的上述長度方向的尺寸為L1、從滑塊1的引導(dǎo)側(cè)端面S1到上述第1流路20中形成的收縮部21的位置的測量長度為L2時，L2/L1優(yōu)選以0.57以上形成。
如上所述，通過使上述收縮部21處的寬度尺寸T1或上述收縮部21的形成位置合適，能夠有效地減小氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
并且，在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中，用隆起形成的導(dǎo)軌面8、9連接各引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的從動側(cè)端部6a、7a與上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a之間，在細長狀的上述導(dǎo)軌面8、9之間形成溝槽形狀的第1流路20。通過這樣設(shè)置細長形狀的導(dǎo)軌面8、9，能夠容易地形成從引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7到上述磁性元件面4的第1流路20。于是，上述導(dǎo)軌面8、9的內(nèi)側(cè)端部8a、9a成為控制空氣流動方向的側(cè)壁，將空氣適當(dāng)?shù)貙?dǎo)向磁性元件面4，并且，能夠在上述收縮部21附近產(chǎn)生適當(dāng)大小的正壓。而且，能夠在上述導(dǎo)軌面8、9的外側(cè)端部8b、9b的寬度方向(圖示X方向)的外側(cè)形成作為負壓產(chǎn)生區(qū)域的溝槽3，能夠良好地保持正壓與負壓的平衡。
在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中，上述引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7之間形成的第2流路22和上述第1流路20連續(xù)地形成，而且上述第1流路20與第2流路22的底面20a、22a為高度相同的平坦面。這樣一來，上述第1流路20和第2流路22沒有臺階等障礙，因此容易將空氣適當(dāng)?shù)貙?dǎo)向上述磁性元件面4，為能夠在上述收縮部21和磁性元件面4上產(chǎn)生適當(dāng)?shù)恼龎旱男螒B(tài)。
并且，如圖1、圖2所示那樣，通過比磁性元件周圍的面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7低、比上述溝槽3的底面高地形成上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a，能夠減小滑塊1的上浮姿勢的穩(wěn)定性以及氣壓變化(空氣密度變化)引起的磁頭滑塊1的上浮量的變化。例如，當(dāng)上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a以與上述溝槽3相同的高度形成時，即使在負壓區(qū)域增加，結(jié)果空氣流入量增多的時候，也能夠使磁頭滑塊1的上浮量變得很小，與表面為凹凸面的磁盤D沖突的概率上升。并且，通過第1流路20的空氣容易與高度高的上述磁性元件面4的引導(dǎo)側(cè)端部4a沖突變得紊亂，不能適當(dāng)?shù)貙?dǎo)向上述磁性元件面4，由于這些原因，容易使滑塊1的上浮姿勢的不穩(wěn)定以及氣壓變化(空氣密度變化)引起的磁頭滑塊1的上浮量的變化增大，因此優(yōu)選以比磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7低、比上述溝槽3的底面高的高度形成上述第1流路20和第2流路22的底面20a、22a。
另外，雖然在圖1、圖2所示的實施形態(tài)中上述導(dǎo)軌面8、9的高度與上述磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的高度相同，但上述導(dǎo)軌面8、9的高度也可以比上述磁性元件面4和引導(dǎo)側(cè)隆起面6、7的高度低。
制作了圖1及圖2所示形狀的磁頭滑塊。
制作了上述導(dǎo)軌面8、9之間形成的第1流路20在收縮部21處的寬度尺寸T1和上述第1流路20在引導(dǎo)側(cè)端部處的寬度尺寸T2像下述表1那樣作了種種改變的磁頭滑塊。
并且，使用各磁頭滑塊測量了在平地(0m、海平面)氣壓下磁頭滑塊的上浮量和高地(3048m)氣壓下的上述磁頭滑塊的上浮量。并且求出了各磁頭滑塊在收縮部處的寬度尺寸T1/引導(dǎo)側(cè)端部處的寬度尺寸T2與標高差靈敏度之間的關(guān)系。另外，標高差靈敏度用(高地的磁頭滑塊的上浮量/平地的磁頭滑塊的上浮量)×100％求得。其結(jié)果表示在表1及圖9中。


如圖9所示，如果收縮部的寬度尺寸T1/引導(dǎo)側(cè)端部的寬度尺寸T2在0.05～0.5的范圍內(nèi)，則能夠使標高差靈敏度在90％以上。尤其是當(dāng)收縮部的寬度尺寸T1/引導(dǎo)側(cè)端面的寬度尺寸T2在0.05～0.2的范圍內(nèi)時，能夠使標高差靈敏度在95％以上。
接著，制作了改變從滑塊1的引導(dǎo)側(cè)端面S1到上述收縮部21的長度尺寸L2的多個磁頭滑塊。
并且，使用各磁頭滑塊測量了在平地(0m、海平面)氣壓下磁頭滑塊的上浮量和高地(3048m)氣壓下上述磁頭滑塊的上浮量。并且求出了各磁頭滑塊的L2和L2/L1、與標高差靈敏度之間的關(guān)系。另外，標高差靈敏度用(高地的磁頭滑塊的上浮量/平地的磁頭滑塊的上浮量)×100％求得。并且，使滑塊1的長度L1在所有的磁頭滑塊1中為1.235mm。其實驗結(jié)果表示在圖10中。
如圖10所示，通過使L2在0.7mm以上(使L2/L1在0.57以上)，能夠使標高差靈敏度在92％以上。并且，通過使L2在0.9mm以上(使L2/L1在0.73以上)，能夠使標高差靈敏度在98％以上。
權(quán)利要求
1.一種磁頭滑塊，具有滑塊、和設(shè)置在上述滑塊的空氣流出端側(cè)端面上的記錄用和/或再生用磁性元件，其特征在于，具有在上述滑塊的磁盤相對面上、在空氣流入端一側(cè)向磁盤方向隆起的空氣流入端側(cè)隆起面；在空氣流出端一側(cè)向磁盤方向隆起的磁性元件面；以及位于上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間的溝槽狀的第1流路；在上述第1流路上，在比上述滑塊的擺動支點靠近上述空氣流出端一側(cè)，設(shè)置有收縮部。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，上述空氣流入端側(cè)隆起面在與從上述空氣流入端一側(cè)向空氣流出端一側(cè)的長度方向正交的方向的寬度方向上分割設(shè)置，在上述空氣流入端側(cè)隆起面之間形成第2流路，上述第2流路與上述第1流路相連。
3.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，上述第1流路和/或第2流路的底面形成在比作為負壓產(chǎn)生面的溝槽的底面高、比上述磁性元件面和空氣流入端側(cè)隆起面低的位置上。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，形成有連接在上述磁性元件面與上述空氣流入端側(cè)隆起面之間、向磁盤方向隆起的多個導(dǎo)軌面，在上述導(dǎo)軌面之間形成上述第1流路，在上述導(dǎo)軌面的寬度方向的兩側(cè)形成有作為負壓產(chǎn)生面的溝槽。
5.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，當(dāng)設(shè)上述第1流路中形成的收縮部的寬度尺寸為T1，上述第1流路在空氣流入端一側(cè)端部的寬度尺寸為T2時，T1/T2在0.05～0.5的范圍內(nèi)形成。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，當(dāng)設(shè)上述滑塊的上述長度方向的尺寸為L1，從滑塊的空氣流入端側(cè)端面到上述第1流路中形成的收縮部的位置的測量長度為L2時，L2/L1形成在0.57以上。
全文摘要
本發(fā)明的目的是要提供一種能夠降低尤其是氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變動的磁頭滑塊。在滑塊(1)的磁盤相對面上隆起形成引導(dǎo)側(cè)隆起面(6、7)和磁性元件面(4)，在上述磁性元件面(4)與上述引導(dǎo)側(cè)隆起面(6、7)之間形成溝槽狀的第1流路(20)。在上述第1流路(20)的比上述滑塊(1)的擺動支點(P1)靠近從動側(cè)(St)設(shè)置收縮部(21)。通過這樣使滑塊的俯仰角在氣壓低的環(huán)境下比在氣壓高的環(huán)境下小，通過這樣能夠有效地減小氣壓變化(空氣密度變化)引起的上浮量的變化。
文檔編號G11B5/187GK1925010SQ200610126668
公開日2007年3月7日 申請日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者松本剛 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社