專利名稱：信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備和檢測磁頭與記錄介質(zhì)之間間隙的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有用于向記錄介質(zhì)記錄信息和從記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭(head)的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，以及對磁頭相對于記錄介質(zhì)在高度方向上所處的位置進行檢測的方法。
背景技術(shù)：
在諸如磁盤驅(qū)動器這樣的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙(gap)應(yīng)該盡可能地小，以滿足對信息的高密度記錄的需要。然而如果間隙過小，磁頭就可能接觸記錄介質(zhì)并在介質(zhì)上滑行。如果這種情況發(fā)生，那么將發(fā)生不利的事件，例如由磁頭和/或介質(zhì)的損壞而引起的記錄和/或再現(xiàn)信息的錯誤，由磁頭和/或介質(zhì)的磨損而引起的灰塵產(chǎn)生，以及由這樣產(chǎn)生的灰塵而引起的所謂磁頭碰撞(head crash)。因此，必須減小磁頭與介質(zhì)之間的間隙，但是不能減小太多以致磁頭接觸記錄介質(zhì)。
通過一個滑塊(slider)來保持磁頭與記錄介質(zhì)隔開，該滑塊由于氣壓而浮動離開記錄介質(zhì)?；瑝K浮動離開介質(zhì)的距離根據(jù)滑塊的加工誤差、環(huán)境溫度的變化和設(shè)備中氣壓的變化而波動。為了減小波動從而將磁頭與介質(zhì)之間的間隙減到最小且不導(dǎo)致磁頭接觸介質(zhì)，提供了在滑塊上安裝利用熱膨脹或壓電效應(yīng)的小致動器(actuator)，以達到對磁頭與介質(zhì)之間距離的動態(tài)控制。
為了驅(qū)動致動器從而將磁頭移動到最佳位置，必須執(zhí)行所謂的零點檢測(zero-point detection)(即檢測磁頭與介質(zhì)之間間隙)。該檢測是通過使磁頭接觸介質(zhì)一次從而確定磁頭當前所處位置來完成的。就是說，確定在磁頭接觸介質(zhì)之前致動器被移動的距離，從而將磁頭與介質(zhì)之間的距離減小到零。利用磁頭接觸介質(zhì)時所在的點作為參考位置，然后將磁頭從介質(zhì)移開一段預(yù)定距離。磁頭因此可以被保持在距介質(zhì)適當?shù)木嚯x，而不需要關(guān)于環(huán)境溫度，氣壓或滑塊的浮動距離的波動的信息。這就產(chǎn)生一個有關(guān)利用零點檢測的問題。每當執(zhí)行零點檢測，磁頭就接觸介質(zhì)。結(jié)果，在某些情況下就可能發(fā)生諸如上述的不利事件。
要在零點檢測期間防止磁頭接觸介質(zhì)，小AC振動(vibration)在零點檢測期間被施加到致動器，從而縮短了磁頭接觸介質(zhì)的時間。這種方法緩和了由磁頭-介質(zhì)接觸產(chǎn)生的不利事件。(例如見專利文獻1日本專利申請早期公開公布No.2003-308670。)然而在專利文獻1所公開的方法中，磁頭連續(xù)地接觸介質(zhì)許多次，而不只是一次。這種重復(fù)的磁頭-介質(zhì)接觸仍可能導(dǎo)致諸如上述的不利事件。
致動器可利用由加熱器引起的熱膨脹。在這種情況下，由于加熱器周圍的組件的材料的熱容量，在向加熱器供電和磁頭開始移動之間的時段期間形成了時滯。不可避免的，不能如專利文獻1中所述那樣快地移動磁頭。上面所指出的問題不能被解決。
正如眾所周知，圖13所示這種滯后(hysteresis)是作為磁頭接觸記錄介質(zhì)時觀察到的行為而存在的。就是說，一旦磁頭隨著致動器的操作而接觸了介質(zhì)，磁頭就不能與介質(zhì)脫離接觸，即使試圖將磁頭后退到就在其接觸介質(zhì)之前時所處的位置也是如此。因此，滑塊將不會再次浮動，除非磁頭被向后移動了特定距離。
較之滑塊浮動的距離，這種滯后一般大到不能忽略。如果在檢測到磁頭-介質(zhì)接觸之后操作致動器以使之后退，就像通常為使磁頭遠離介質(zhì)移動所做的那樣，磁頭將保持與介質(zhì)接觸直到滯后不再存在為止，如圖13所說明。不可避免的，諸如上述的不利事件可能發(fā)生。
在檢測磁頭-介質(zhì)接觸的一些方法中，必須處理大量數(shù)據(jù)以確定磁頭是否已接觸介質(zhì)。在一些情況下可能要用較長時間來確定磁頭-介質(zhì)接觸。于是，磁頭保持與介質(zhì)接觸直到確定磁頭的確接觸了介質(zhì)為止。在這種情況下，諸如上述的不利事件也可能發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
作出本發(fā)明是為了解決上述問題。本發(fā)明的一個目的是提供信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備和零點檢測方法，其中磁頭接觸介質(zhì)的次數(shù)和時間可以被盡可能地減小。
根據(jù)本發(fā)明，提供了利用磁頭向記錄介質(zhì)記錄信息和從記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備。該設(shè)備包括驅(qū)動單元，其交替地增大和減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙，從而逐漸地減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙；信號檢測單元，其檢測用來確定磁頭或支撐磁頭的滑塊與記錄介質(zhì)之間的接觸的檢測信號；以及控制單元，當從由信號檢測單元檢測到的信號確定磁頭或滑塊已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)時，控制單元將磁頭移動到遠離記錄介質(zhì)的指定位置并且獲取表示為接觸記錄介質(zhì)磁頭已經(jīng)移動的距離的數(shù)據(jù)。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，驅(qū)動單元驅(qū)動磁頭以周期性地改變磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙，從而在每個周期期間減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙，并且控制單元在每個周期期間從由信號檢測單元檢測到的信號來確定磁頭或滑塊已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，當控制單元能夠從信號檢測單元獲取用來確定磁頭或支撐磁頭的滑塊與記錄介質(zhì)之間的接觸的信號時，一直維持當驅(qū)動單元交替地增大和減小間隙時在磁頭與記錄介質(zhì)之間存在的最小間隙。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，在磁頭已經(jīng)從記錄介質(zhì)移開之后，控制單元從信號檢測單元所檢測到的信號確定磁頭已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，驅(qū)動單元包括加熱器，該加熱器引起熱膨脹以驅(qū)動磁頭。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，在交替地增大和減小磁頭與記錄介質(zhì)之間間隙的同時，驅(qū)動單元驅(qū)動磁頭以在磁頭與記錄介質(zhì)之間維持恒定的最大間隙，從而逐漸地減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，在交替地增大和減小磁頭與記錄介質(zhì)之間間隙的同時，驅(qū)動單元驅(qū)動磁頭離開記錄介質(zhì)恒定距離，從而逐漸地減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，信號檢測單元檢測磁頭從記錄介質(zhì)獲取的再現(xiàn)的信號作為檢測信號，并且控制單元從檢測信號確定磁頭已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，信號檢測單元檢測表示支撐磁頭的滑塊的振動的振動信號作為檢測信號，并且控制單元從振動信號確定磁頭已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，信號檢測單元包括壓電元件，該壓電元件檢測支撐磁頭的滑塊的振動。
在根據(jù)本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，信號檢測單元包括壓電元件，該壓電元件對支持磁頭滑塊組合件的磁頭臂的振動進行檢測，該磁頭滑塊組合件包括磁頭、滑塊和懸架。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種對信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中的磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，所述信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備利用磁頭向記錄介質(zhì)記錄信息和從記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息。該方法包括驅(qū)動步驟，該步驟交替地增大和減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙，從而逐漸地減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙；檢測步驟，該步驟檢測用來確定磁頭或支撐磁頭的滑塊與記錄介質(zhì)之間的接觸的檢測信號；以及控制步驟，當從由信號檢測單元檢測到的信號確定磁頭或滑塊已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)時，該步驟將磁頭移動到遠離記錄介質(zhì)的指定位置并且獲取表示為接觸記錄介質(zhì)磁頭已經(jīng)移動的距離的數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的實施例中，磁頭被周期性地上移和下移以執(zhí)行零點檢測。磁頭與介質(zhì)之間的間隙被逐周期地逐漸減小。一旦檢測到磁頭接觸介質(zhì)，磁頭就被停止，磁頭被移動到較之它接觸介質(zhì)的位置離介質(zhì)更遠的位置。
驅(qū)動磁頭上移和下移的信號具有這樣的波形，該波形使得磁頭在檢測磁頭-介質(zhì)接觸所需的最小時間內(nèi)保持接觸介質(zhì)。
磁頭在檢測磁頭-介質(zhì)接觸所需的時間TC內(nèi)被周期性地上移和下移，以逐周期地接近介質(zhì)。在每個周期中，確定磁頭是否已經(jīng)接觸介質(zhì)。
致動器可能利用熱膨脹并且它對輸入信號的響應(yīng)的延遲大到不能忽略，并且由于滯后，磁頭接觸介質(zhì)的位置可能與其再次浮動的位置不同。在這種情況下，將被輸入到致動器的信號是基于響應(yīng)的延遲和滯后而生成的。在一個周期期間磁頭保持接觸介質(zhì)的時間被減小到檢測磁頭-介質(zhì)接觸所需的時間TC。
檢測磁頭-介質(zhì)接觸可能要花較長的時間，這例如是因為許多信息必須被處理。在這種情況下，輸入到致動器的周期性信號也被調(diào)整，以使磁頭接觸介質(zhì)足夠長時間以便獲取用來確定接觸的數(shù)據(jù)，并且磁頭被保持遠離介質(zhì)直到確定了磁頭是否曾接觸介質(zhì)為止。
本發(fā)明可以使磁頭接觸介質(zhì)的次數(shù)和磁頭保持接觸介質(zhì)的時間最小化。因此，如果存在由磁頭-介質(zhì)接觸引起任何故障，則這些故障可被最小化。


圖1是示出了本發(fā)明的第一實施例的框圖；圖2是示意性地示出了第一實施例的磁頭單元的圖；圖3是說明了支撐磁頭的滑塊的氣浮表面的圖；圖4是示出了支撐磁頭滑塊組合件的磁頭臂的平面圖；圖5是表示磁頭的響應(yīng)的圖；圖6是示出了在磁頭的運動中觀察到的滯后的圖；圖7是示出了在第一實施例中磁頭如何被移動的圖；圖8A是示出了磁頭位置如何改變的圖；圖8B是示出了AE傳感器的輸出如何改變的圖；圖9是示出了在本發(fā)明的第二實施例中磁頭如何被移動的圖；圖10是說明滯后的波動的圖；圖11是示出了本發(fā)明的第三實施例的框圖；圖12A和12B是說明第三實施例的圖；圖13是表示當磁頭接觸記錄介質(zhì)時在傳統(tǒng)的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中觀察到的行為的圖。
具體實施例方式
將參照附圖來描述作為本發(fā)明的實施例的磁盤驅(qū)動器或信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備。
第一實施例圖1是示出了本發(fā)明的第一實施例的框圖。圖2是示意性地示出了在第一實施例中使用的磁頭單元的圖。圖3是說明了第一實施例中支撐磁頭的滑塊的氣浮(air-bearing)表面的圖。圖4是示出了支撐包括磁頭2、滑塊和懸架的磁頭滑塊組合件的磁頭臂。
根據(jù)第一實施例的磁盤驅(qū)動器包括寫磁頭、讀磁頭、加熱器3、加熱器驅(qū)動單元4、AE傳感器5、控制單元6和零點存儲單元7。寫磁頭在磁盤1也就是記錄介質(zhì)上寫信息。讀磁頭從磁盤1讀信息。(在下文中，這兩個磁頭應(yīng)該被稱作“磁頭2”)。加熱器3對支持磁頭2的支架進行加熱，從而使磁頭2向記錄介質(zhì)伸出。加熱器驅(qū)動單元4驅(qū)動加熱器3(使加熱器3生成熱)。AE傳感器5檢測磁頭臂的振動。控制單元6保持對從AE傳感器5提供的振動信號的監(jiān)視，根據(jù)該振動信號控制加熱器驅(qū)動單元4，從而使單元4驅(qū)動加熱器3。當從振動信號檢測到磁頭2已經(jīng)接觸磁盤1時，控制單元6獲取零點(接觸位置)，也就是當加熱器驅(qū)動單元4驅(qū)動加熱器3時磁頭2移動的距離。零點存儲單元7存儲已由控制單元6獲取的零點。
控制單元6通過具有例如前置放大器的再現(xiàn)信號生成單元8從磁頭2獲取信號。控制單元6將該信號解碼為被傳輸?shù)絺€人計算機(PC)(未示出)的再現(xiàn)信息信號?？刂茊卧?從PC接收寫信號，并通過寫信號生成單元(未示出)將其提供給磁頭2。磁頭2將寫信號所表示的信息記錄在磁盤上。
如圖2所示，磁頭2具有寫磁極(即寫磁頭)2a和支持寫磁頭2a的磁頭支持部件2b。磁頭支持部件2b被加熱器3加熱并且熱膨脹。發(fā)生熱膨脹的磁頭支持部件2b將寫磁頭2a向磁盤1移動。圖2所示的磁頭2是寫磁頭。雖然未被示出，但是磁頭單元具有讀磁頭，其可具有與寫磁頭相同的配置。
如圖3所示，滑塊的氣浮表面具有氣浮區(qū)域21、深槽區(qū)域22和淺槽區(qū)域23。淺槽區(qū)域設(shè)在氣浮區(qū)域21附近?？諝鈴臍飧”砻娴纳嫌蝹?cè)24流到其下游側(cè)25，從而使磁頭2浮動。磁頭2位于氣浮表面的下游側(cè)25附近。
如圖4所示，滑塊單元31被附接到磁頭臂32的遠心(distal)端。稍后將被描述的AE傳感器5被安裝在磁頭臂32上并且位于其近心(proximal)部分附近。磁頭臂軸33和磁頭臂電動機34被設(shè)于磁頭臂32的近心部分。
當圖2所示的加熱器3被通電時，被加熱器消耗的功率w也就是輸入和磁頭位置也就是輸出延遲了一個時間常量，該時間常量可歸因于加熱器3周圍的組件的材料的熱容量。假定致動器的輸出特性由下面的線性微分方程(1)給出。那么，可以在圖5中說明w與z之間的差異。
Ldz(t)/dt+Rz(t)＝w(t) (1)其中w是被加熱器消耗的功率，z是磁頭的位置，并且L和R是特定于加熱器(致動器)的常數(shù)。
圖6是示出了磁頭的實際運動的時序圖。在圖6中，TC是磁頭保持接觸介質(zhì)的時間(即檢測磁頭-介質(zhì)接觸所需的時間)，Zh是滯后也就是磁頭接觸介質(zhì)時所在位置與滑塊浮動時所在位置之間的差異。
在本實施例中，一個周期的輸入波形(即圖6中的虛線)是基于方程(1)和滯后Zh從磁頭位置的延遲來預(yù)先確定的，因此磁頭充分接近介質(zhì)的時間(稱為接觸時間)與磁頭與介質(zhì)的距離大于Zh的時間(形成最小間隙的時間)之間的時間可以是TC。表示該波形的數(shù)據(jù)被周期性地輸入到致動器，如圖7中所示。輸出逐周期地逐漸增大，從而將磁頭向介質(zhì)移動。在每個周期中，對磁頭是否已經(jīng)接觸介質(zhì)進行檢測。
在第一實施例中，AE傳感器5被用作檢測磁頭是否已經(jīng)接觸介質(zhì)的裝置。如圖4所示，AE傳感器5是壓電元件，其被附接到支持磁頭滑塊組合件的磁頭臂32。當磁頭2接觸磁盤1時，滑塊由于磁盤1與磁頭2之間的摩擦而振動。該振動被傳輸?shù)酱蓬^臂32。結(jié)果，如圖8A和8B所示，AE傳感器5的輸出的高頻成分增大。當輸出超過預(yù)置的閾值時，控制單元6就確定磁頭2已經(jīng)接觸了磁盤1。
當檢測到磁頭-介質(zhì)接觸時，控制單元6在一個周期內(nèi)停止輸入波形，并且將表示零點位置的數(shù)據(jù)(即加熱器所施加的熱的量)存儲在零點存儲單元7中。零點可以因此被檢測到，如果磁頭只在最小時間TC內(nèi)接觸了介質(zhì)一次的話。隨后，控制單元6使用存儲在零點存儲單元7中的零點位置并且控制加熱器驅(qū)動單元4。在如此控制下，單元4驅(qū)動加熱器3，后者將磁頭2移動到相對于磁盤1的最佳位置。
在第一實施例中，所使用的接觸檢測裝置是壓電元件，該壓電元件檢測滑塊的振動或支持磁頭滑塊組合件的磁頭臂的振動。因此，磁頭-介質(zhì)接觸可以被檢測到，即使接觸只持續(xù)了極短時間。
第二實施例圖9是示出了表征了本發(fā)明的第二實施例的驅(qū)動信號的波形的圖。在該實施例中，控制單元6控制加熱器驅(qū)動單元4，引起單元4設(shè)置零點檢測輸入，使得在一個周期間隔內(nèi)沒有功率被提供給加熱器。
假定加熱器(致動器)的輸出特性是由諸如上面給出的方程(1)這樣的線性微分方程來限定的。那么，磁頭位置的改變就如圖9中的實線所示。如圖10所示，即使滯后因為所使用的介質(zhì)或滑塊的特定特性而改變(如從圖10所示的滯后Zh和滯后Zh’所見)，通過一周期驅(qū)動輸入快速操作的加熱器(致動器)也能發(fā)生很大變化。由滯后引起的接觸時間的增大因此可被最小化。
在第二實施例中，加熱器驅(qū)動單元4驅(qū)動加熱器3以使磁頭2移動，以便其與磁盤1之間的最大間隙可以變得恒定。
第三實施例圖11是示出了本發(fā)明的第三實施例的框圖。第三實施例與第一實施例的不同在于再現(xiàn)信號生成單元8檢測磁頭-介質(zhì)接觸，替代了實施例1中所使用的AE傳感器5。注意到，再現(xiàn)信號生成單元8從磁頭2接收讀信號并且從寫信號生成再現(xiàn)的信號。因此，在第三實施例中可省卻AE傳感器5。
第三實施例如何操作將得到說明。如圖12A和12B所示，驅(qū)動單元6在驅(qū)動信號的每個周期內(nèi)都從提供自再現(xiàn)信號生成單元8的再現(xiàn)信號測量磁頭輸出的幅度，以檢測磁頭2是否已經(jīng)接觸了介質(zhì)。在磁頭接觸介質(zhì)之前，隨著介質(zhì)與磁頭之間的距離減小，再現(xiàn)信號的幅值逐漸增大。當磁頭接觸介質(zhì)時，滑塊振動，并且讀磁頭的輸出在幅度方面減小。當檢測到讀磁頭的輸出的幅度減小時，控制單元6確定磁頭已經(jīng)接觸介質(zhì)。
如果由接觸引起的振動極小，那么磁頭的輸出將不會減小。磁頭的輸出可能只是停止增大。在這種情況下，當檢測到輸出的幅度已經(jīng)停止增長時，控制單元6確定磁頭-介質(zhì)接觸已經(jīng)發(fā)生。然而，將致動器驅(qū)動以引起接觸的距離是當輸出的幅度最后增長時測量到的值，而不是最后測量到的值。
在第三實施例中，磁頭-介質(zhì)接觸是從輸出自磁頭的再現(xiàn)信號檢測到的。即，可以僅通過到目前為止大多數(shù)信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備所固有的功能來檢測接觸。這可以減小本發(fā)明的設(shè)備的制造成本的增長。
就像已經(jīng)描述的那樣，為完成零點檢測而執(zhí)行的磁頭-介質(zhì)接觸可以在本發(fā)明的實施例中被檢測到，即使磁頭-介質(zhì)接觸持續(xù)了所需的最短時間也是如此。這可以盡可能地防止由磁頭-介質(zhì)接觸引起的不利事件。
另外，通過在每個周期內(nèi)執(zhí)行將磁頭移動到離介質(zhì)最遠位置的額外功能，可以將由滯后引起的接觸時間的增長最小化。
上述實施例是具有用于以垂直于介質(zhì)的方向移動在滑塊上安裝的磁頭的致動器的磁盤驅(qū)動器。因此，當執(zhí)行零點檢測以檢測磁頭和介質(zhì)之間的間隙時，可以將由磁頭-介質(zhì)接觸引起的不利事件的可能性最小化，諸如由磁頭和/或介質(zhì)的損壞引起的記錄和/或再現(xiàn)信息的錯誤、由磁頭和/或介質(zhì)的磨損引起的灰塵產(chǎn)生，以及由這樣產(chǎn)生的灰塵引起的所謂磁頭碰撞。
權(quán)利要求
1.一種利用磁頭向記錄介質(zhì)記錄信息和從記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，所述設(shè)備包括驅(qū)動單元，其交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙；信號檢測單元，其檢測用來確定所述磁頭或支撐所述磁頭的滑塊與所述記錄介質(zhì)之間的接觸的檢測信號；以及控制單元，當從由所述信號檢測單元檢測到的信號確定所述磁頭或所述滑塊已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)時，所述控制單元將所述磁頭移動到遠離所述記錄介質(zhì)的指定位置并且獲取表示為接觸所述記錄介質(zhì)所述磁頭已經(jīng)移動的距離的數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述磁頭以周期性地改變所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，從而在每個周期期間減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，并且所述控制單元在每個周期期間從由所述信號檢測單元檢測到的信號來確定所述磁頭或所述滑塊已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，當所述控制單元能夠從所述信號檢測單元獲取用來確定所述磁頭或支撐所述磁頭的滑塊與所述記錄介質(zhì)之間的接觸的信號時，一直維持當所述驅(qū)動單元交替地增大和減小所述間隙時在所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間存在的最小間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，在所述磁頭已經(jīng)從所述記錄介質(zhì)移開之后，所述控制單元從所述信號檢測單元所檢測到的信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述驅(qū)動單元包括加熱器，該加熱器引起熱膨脹以驅(qū)動所述磁頭。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，在交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間間隙的同時，所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述磁頭以在所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間維持恒定的最大間隙，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，在交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間間隙的同時，所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述磁頭離開所述記錄介質(zhì)恒定距離，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述信號檢測單元檢測所述磁頭從所述記錄介質(zhì)獲取的再現(xiàn)的信號作為檢測信號，并且所述控制單元從所述檢測信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述信號檢測單元檢測表示支撐所述磁頭的滑塊的振動的振動信號作為檢測信號，并且所述控制單元從所述振動信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述信號檢測單元包括壓電元件，該壓電元件檢測支撐所述磁頭的滑塊的振動。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述信號檢測單元包括壓電元件，該壓電元件對支持所述磁頭滑塊組合件的磁頭臂的振動進行檢測，所述磁頭滑塊組合件包括磁頭、滑塊和懸架。
12.一種對信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中的磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，所述信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備利用所述磁頭向所述記錄介質(zhì)記錄信息和從所述記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息，所述方法包括驅(qū)動步驟，該步驟交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙；檢測步驟，該步驟檢測用來確定所述磁頭或支撐所述磁頭的滑塊與所述記錄介質(zhì)之間的接觸的檢測信號；以及控制步驟，當從由所述信號檢測單元檢測到的信號確定所述磁頭或所述滑塊已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)時，該步驟將所述磁頭移動到遠離所述記錄介質(zhì)的指定位置并且獲取表示為接觸所述記錄介質(zhì)所述磁頭已經(jīng)移動的距離的數(shù)據(jù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述驅(qū)動步驟中，驅(qū)動所述磁頭以周期性地改變所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，從而在每個周期期間減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙，并且在所述控制步驟中，在每個周期期間從由所述信號檢測單元檢測到的信號來確定所述磁頭或所述滑塊已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，當在所述檢測步驟中能夠獲取用來確定所述磁頭或支撐所述磁頭的滑塊與所述記錄介質(zhì)之間的接觸的信號時，一直維持當在所述驅(qū)動步驟中交替地增大和減小所述間隙時在所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間存在的最小間隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述驅(qū)動步驟中，在所述磁頭已經(jīng)從所述記錄介質(zhì)移開之后，驅(qū)動磁頭以使得從所述檢測步驟中檢測到的信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述驅(qū)動步驟中，利用熱膨脹來驅(qū)動所述磁頭。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述驅(qū)動步驟中，在交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間間隙的同時，驅(qū)動所述磁頭以在所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間維持恒定的最大間隙，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述驅(qū)動步驟中，在交替地增大和減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間間隙的同時，使所述磁頭從所述記錄介質(zhì)移開恒定距離，從而逐漸地減小所述磁頭與所述記錄介質(zhì)之間的間隙。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述檢測步驟中，檢測所述磁頭從所述記錄介質(zhì)獲取的再現(xiàn)的信號作為檢測信號，并且在所述控制步驟中，從所述檢測信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的對磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，其中，在所述檢測步驟中，檢測表示支撐所述磁頭的滑塊的振動的振動信號作為檢測信號，并且在所述控制步驟中，從所述振動信號確定所述磁頭已經(jīng)接觸所述記錄介質(zhì)。
全文摘要
一種對信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中的磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙進行檢測的方法，所述信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備利用所述磁頭向所述記錄介質(zhì)記錄信息和從所述記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息。在該方法中，磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙被交替地增大和減小，從而逐漸地減小磁頭與記錄介質(zhì)之間的間隙。用來確定磁頭或支撐磁頭的滑塊與記錄介質(zhì)之間的接觸的檢測信號被檢測。當確定了磁頭或滑塊已經(jīng)接觸記錄介質(zhì)時，磁頭被停止并被從記錄介質(zhì)移開到指定位置，并且表示為接觸記錄介質(zhì)磁頭已經(jīng)移動的距離的數(shù)據(jù)被獲取。
文檔編號G11B5/60GK101064170SQ20061013976
公開日2007年10月31日 申請日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者伊海佳昭, 飯?zhí)锇步蚍? 今村孝浩, 藤卷徹, 橫畑徹 申請人:富士通株式會社