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      帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡的制作方法

      文檔序號:6776190閱讀:175來源:國知局
      專利名稱:帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種存儲卡,特別是指一種帶電壓轉(zhuǎn)換器、可支持兩種電壓的SD/MMC存儲卡。
      背景技術(shù)
      普通的兼容SD和MMC規(guī)范的存儲卡一般由以下幾部分組成(1)卡界面單元;(2)存儲控制器;(3)存儲模塊(Flash Memory Module)。
      存儲模塊采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲器件,如閃存器件(FlashMemory),電可擦寫只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable andProgrammable Read-Only Memory)等,用于接收和儲存數(shù)據(jù)。
      存儲控制器和卡界面單元一起,完成數(shù)據(jù)的傳送和配置、狀態(tài)的報告、SD/MMC的界面功能及其兼容性,同時也完成對存儲模塊的操作,如讀、寫、擦和備份的命令。
      SD/MMC規(guī)范現(xiàn)廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)和游戲機(jī)等。SD/MMC規(guī)范中支持主機(jī)(Host)可用兩種不同的界面去訪問SD/MMC存儲卡1.8V或3.3V。為滿足功耗和數(shù)據(jù)傳送速度等不同的要求,有些主機(jī)會采用1.8V界面,而有些主機(jī)會采用3.3V界面。由此相應(yīng)地對存儲器件也提出了更高的要求,即不能僅局限于單電壓的應(yīng)用,而需要兼容1.8V和3.3V這兩種電壓。
      目前市場上尚未有兼容兩種電壓的存儲器件。以最常用的FlashMemory為例,3.3V的Flash Memory只能工作在3.3V左右,而1.8V的Flash Memory只能工作在1.8V左右。所以,如果不在SD/MMC存儲卡加入低電壓到高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器,以單電壓的Flash Memory為存儲器件的SD/MMC存儲卡將不能滿足規(guī)范中同時支持兩種電壓的要求,這在市場應(yīng)用領(lǐng)域上會有很大的局限性。

      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型提供了一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡,該存儲卡實(shí)現(xiàn)了同時支持SD/MMC規(guī)范兩種電壓的要求。
      一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡,包括界面單元、存儲控制器和存儲模塊,界面單元一端用于與主機(jī)通訊,另一端連接存儲控制器,存儲控制器與存儲模塊通過總線進(jìn)行通訊,所述的存儲卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器,電壓轉(zhuǎn)換器一端連接1.8V電壓,另一端連接存儲模塊。
      所述的界面單元采用SD/MMC界面連接器或金手指。
      所述的存儲模塊可采用一個或多個存儲器件。
      所述的存儲器件可采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲器件。
      所述的電壓轉(zhuǎn)換器可以是電荷泵、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器。
      本實(shí)用新型通過在原有存儲卡中接入一個可將低電壓轉(zhuǎn)換成高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器,使得該存儲卡能支持雙電壓的SD/MMC規(guī)范,為以單電壓的Flash Memory為存儲器件的SD/MMC存儲卡支持雙電壓提出了一種解決方案。


      圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意框圖。
      具體實(shí)施方式
      如圖1所示,一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡,包括界面單元1、存儲控制器2、存儲模塊3和電壓轉(zhuǎn)換器4。
      界面單元1可采用SD/MMC界面連接器或金手指,其一端與主機(jī)5連接,另一端連接存儲控制器2,主機(jī)通過該界面單元向存儲卡提供1.8V或3.3V電壓。
      存儲控制器2與存儲模塊3通過總線進(jìn)行通訊,存儲控制器2和界面單元1一起,完成數(shù)據(jù)的傳送和配置、狀態(tài)的報告、SD/MMC的界面功能及兼容性,同時也完成對存儲模塊3的操作,如讀、寫、擦和備份等的命令。
      存儲模塊3可采用一個或多個可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲器件,用于接收和存儲數(shù)據(jù)。
      電壓轉(zhuǎn)換器4一端連接1.8V電壓,另一端連接存儲模塊3,可采用電荷泵(Charge Pump)、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器(A Step-Up DC/DC Converter)或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器(Boost Converter)實(shí)現(xiàn);電壓轉(zhuǎn)換器4可將1.60V-1.85V的低電壓轉(zhuǎn)換到3.0V-3.6V的高電壓,從而將主機(jī)提供給存儲卡的低電壓提升到存儲模塊3所要求的電壓水平。
      權(quán)利要求1.一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡,包括界面單元(1)、存儲控制器(2)和存儲模塊(3),界面單元(1)一端用于連接主機(jī),另一端連接存儲控制器(2),存儲控制器(2)與存儲模塊(3)通過總線進(jìn)行通訊,其特征在于所述的存儲卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器(4),電壓轉(zhuǎn)換器(4)一端接1.8V電壓,另一端連接存儲模塊(3)。
      2.如權(quán)利要求1所述的存儲卡,其特征在于所述的界面單元(1)采用SD/MMC界面連接器或金手指。
      3.如權(quán)利要求1所述的存儲卡,其特征在于所述的存儲模塊(3)可采用一個或多個存儲器件。
      4.如權(quán)利要求3所述的存儲卡,其特征在于所述的存儲器件可采用可擦寫、非易失的半導(dǎo)體存儲器件。
      5.如權(quán)利要求1所述的存儲卡,其特征在于所述的電壓轉(zhuǎn)換器(4)可以是電荷泵、步進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器或推進(jìn)轉(zhuǎn)換器。
      專利摘要本實(shí)用新型提供了一種帶電壓轉(zhuǎn)換器的存儲卡,包括界面單元、存儲控制器和存儲模塊,界面單元一端用于連接主機(jī),另一端連接存儲控制器,存儲控制器與存儲模塊通過總線進(jìn)行通訊,存儲卡內(nèi)設(shè)有電壓轉(zhuǎn)換器,電壓轉(zhuǎn)換器一端連接1.8V電壓,另一端連接存儲模塊。本實(shí)用新型通過在原有存儲卡中接入一個可將低電壓轉(zhuǎn)換成高電壓的電壓轉(zhuǎn)換器,使得該存儲卡能支持雙電壓的SD/MMC規(guī)范,為以單電壓的Flash Memory為存儲器件的SD/MMC存儲卡支持雙電壓提出了一種解決方案。
      文檔編號G11C5/14GK2859750SQ20062010054
      公開日2007年1月17日 申請日期2006年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月20日
      發(fā)明者駱建軍, 楚傳仁 申請人:駱建軍, 楚傳仁
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