專利名稱：：垂直磁記錄介質(zhì)以及垂直磁記錄和再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及到用在硬盤裝置之類中的垂直磁記錄介質(zhì)，以及使用所述垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
：在垂直磁記錄方法中，磁記錄層的易磁化軸指向垂直于介質(zhì)的方向，而在常規(guī)的介質(zhì)中該軸位于介質(zhì)的平面內(nèi)。結(jié)果，磁化轉(zhuǎn)變區(qū)(它是所記錄的位之間的邊界)附近的消磁場減小了，使得記錄密度越高，所記錄狀態(tài)的靜磁穩(wěn)定性越好，同時(shí)對熱漲落的抗性提高了；因此該方法適合于增加面密度。當(dāng)在基底和垂直磁記錄層之間提供由軟磁性材料構(gòu)成的軟磁性襯層時(shí)，就可獲得所謂的垂直雙層介質(zhì)的功能，從而獲得優(yōu)異的記錄性能。此時(shí)，軟磁性襯層用來為磁頭的記錄磁場提供返回路徑，并能夠提高記錄和再現(xiàn)效率。一般地，垂直磁記錄介質(zhì)在基底上提供軟磁性襯層，在其上面依次形成使磁性層的易磁化軸垂直于基底平面的非磁性襯層、由Co合金構(gòu)成的垂直磁記錄層、以及保護(hù)層。然而，近年來，人們認(rèn)識(shí)到，WATE(即WideAreaTrackErasure,或WideAdjacentTrackErasure,廣域磁道消磁或廣域鄰近磁道消磁)現(xiàn)象是垂直磁記錄介質(zhì)中一個(gè)問題。WATE現(xiàn)象是垂直磁記錄介質(zhì)特有的問題，它是這樣一個(gè)問題，其中，當(dāng)信號(hào)被記錄在某個(gè)具體的磁道上時(shí)，從所記錄的磁道延伸數(shù)微米的廣域內(nèi)的信號(hào)發(fā)生消磁，已經(jīng)提出緩解這個(gè)問題的方法，主要是通過軟磁性襯層的結(jié)構(gòu)或磁性各向異性來緩解(參見例如專利參考文件1)。人們也知道，使軟磁性襯層的易磁化軸的方向與基底徑向?qū)R對于解決上述問題是有效的。提出了下面的方法用來實(shí)現(xiàn)這種磁性結(jié)構(gòu)；1)在徑向磁場下沉積軟磁性襯層2)堆疊軟磁性層和反鐵磁膜作為軟磁性襯層(參見例如專利參考文件2和專利參考文件3)。已經(jīng)提出了使用與本發(fā)明類似的合金結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的例子(參見專利參考文件4)。然而，該例子為縱向磁記錄介質(zhì)并且CoIr層的膜厚很薄。在軟磁性襯層中使用Ir已經(jīng)為人所知，但垂直記錄介質(zhì)使用填充有功能材料的多孔材料(參見專利參考文件5)。使用Ir作為軟磁性層之間的分隔層的垂直記錄介質(zhì)也已經(jīng)為人所知(參見專利參考文件6)。專利參考文件1:日本待審專利申請首次公布No.S58-166531專利參考文件2:日；^#審專利申請首次公布No.H06-103553專利參考文件3:US2002/0028357專利參考文件4:日；^降審專利申請首次公布No.2003-132515專利參考文件5:曰^#審專利申請首次公布No.2004-237429專利參考文件6:曰^#審專利申請首次公布No.2003-203326
發(fā)明內(nèi)容當(dāng)沉積垂直^P茲記錄介質(zhì)的SUL(軟磁性襯層)時(shí)，存在著下面的問題。(1)很難在整個(gè)徑向上均勻地控制磁場。(2)在基底的內(nèi)徑部分磁場較小。當(dāng)介質(zhì)尺寸將來不斷地變得更小的時(shí)候，(2)會(huì)變成一個(gè)嚴(yán)重的問題。如上所述，當(dāng)使用具有簡單薄膜結(jié)構(gòu)的軟磁性襯層時(shí)，4艮難在徑向均勻地形成易磁化軸。需要解決這個(gè)問題，從而發(fā)明一種容易生產(chǎn)的磁記錄介質(zhì)。此外，即使如上所述通過各種方法控制了易磁化軸，WATE現(xiàn)象也會(huì)發(fā)生，因?yàn)樵赟UL中保留有一些垂直磁化分量。本發(fā)明是在考慮了上述情況后設(shè)計(jì)的，其目標(biāo)是，通過深入研究軟磁性襯層中磁性各向異性的功能，提供能以高密度記錄和再現(xiàn)信息的垂直磁記錄介質(zhì)，以及用于這種介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置的制造方法。為了解決上述問題，提出下面的發(fā)明(1)解決上述問題的第一個(gè)發(fā)明是一種在非磁性基底上至少具有軟磁性襯層和垂直磁記錄層的垂直記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)Ku丄(erg/cm3)被定義為所述軟磁性襯層的垂直磁各向異性能，而Ms(emu/cm3)被定義為所述軟磁性襯層的飽和磁化強(qiáng)度時(shí)，所述軟磁性襯層的Ku"L具有負(fù)值并且KU"^-27tMs2+Kugrai11〈0。(2)解決上述問題的第二個(gè)發(fā)明是上述(1)中所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)Ku^in被定義為單軸晶M各向異性能時(shí)，所述軟磁性襯層包含具有負(fù)Ku^in的材料，并且所述軟磁性襯層的難磁化軸垂直于所述基底表面平面。(3)解決上述問題的第三個(gè)發(fā)明是上述(1)或(2)中所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層包含CoIr合金作為主要成分。(4)解決上述問題的第四個(gè)發(fā)明是上述(1)到(3)中的任何一項(xiàng)所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層的Colr合金中Ir的含量從5at,。/o到30at.%。(5)解決上述問題的第五個(gè)發(fā)明是上述(1)到(4)中的任何一項(xiàng)所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，進(jìn)一步包括晶體襯層，其晶體的六方密堆積面或立方晶面平行于所述基底表面平面。(6)解決上述問題的第六個(gè)發(fā)明是上述(1)到(5)中的任何一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述非磁性基底是圓盤形基底，直徑為28mm或更小。(7)解決上述問題的第七個(gè)發(fā)明是一種磁記錄和再現(xiàn)裝置，其中包括上述(1)到(6)中的任何一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)、以及用來在所述垂直磁記錄介質(zhì)上記錄信息和再現(xiàn)信息的磁頭。圖1是本發(fā)明中的垂直磁記錄介質(zhì)的剖面圖；圖2顯示了本發(fā)明中的磁記錄和再現(xiàn)裝置的配置的例子；圖3A顯示了例1中原始態(tài)下的磁道概圖；圖3B顯示了例1中10000次記錄之后的狀態(tài)下的磁道概圖；圖4A顯示了對照例1中原始態(tài)下的磁道概圖；圖4B顯示了對照例1中10000次記錄之后的狀態(tài)下的磁道概圖；圖5A顯示了靶和基底放置的側(cè)視圖；圖5B顯示了靶和基底放置的頂視圖；圖6顯示了例7中Ir含量和KugI"ain的關(guān)系。實(shí)施本發(fā)明的最佳模式本發(fā)明使用一種在垂直于基底表面的軸上具有負(fù)Kngniin(晶體磁各向異性能)的材料作為SUL。例如，Colr合金就是這樣一種材料。當(dāng)C0lr晶體結(jié)構(gòu)為六方密堆積晶體(hcp)時(shí)，其在C軸上的Ku^in為負(fù)值。當(dāng)在C軸上具有負(fù)Ku一n的材料的C軸垂直于基底表面平面時(shí)，該材料在平行于基底表面平面的方向上被強(qiáng)烈自化。所以，當(dāng)Ku丄為軟磁性襯層的垂直磁各向異性能時(shí)，Ku丄(=-27rMs2+Kugrain)小于常規(guī)軟磁性襯層的相應(yīng)的值?；妆砻嬖谄叫兄囊种贫@著地降低。下面是詳細(xì)的解釋。如上所述，在垂直磁記錄介質(zhì)中控制SUL的磁各向異性和易磁化軸方向是非常重要的。特別是，為了抑制WATE(廣域磁道消磁/廣域鄰近磁道消磁)現(xiàn)象以及與軟磁性層中磁疇的移動(dòng)相關(guān)的所謂的尖銳噪聲，不僅需要使易磁化軸位于基底表面平面內(nèi)，而且需要在SUL之下提供鐵磁層(稱作釘扎層)以阻止軟^f茲性層中疇壁的移動(dòng)。本發(fā)明的目標(biāo)是，通過合適地選擇軟磁性材料，解決由垂直記錄介質(zhì)中的SUL所引起的問題。圖1顯示了本發(fā)明中的垂直磁記錄介質(zhì)10的第一個(gè)方面的例子。通過在非磁性基底1上依次形成釘扎層2、非磁性襯層3、SUL4、以及晶體取向控制層5、垂直磁記錄層6、保護(hù)層7和潤滑層8來成形這里所顯示的垂直f茲記錄介質(zhì)10。作為非磁性基底，可以使用由諸如鋁或鋁合金的金屬材料構(gòu)成的金屬基底，也可以使用由諸如玻璃、陶瓷、硅、金剛砂、碳之類的非金屬材料構(gòu)成的非金屬基底。玻璃基底包括非晶玻璃和晶化玻璃；作為非晶玻璃，可以使用鈉鈣玻璃或硅鋁酸鹽玻璃。作為晶化玻璃，可以使用含鋰晶化玻璃。作為非磁性基底，尤其優(yōu)選玻璃基底或者硅基底。從使用低飛行高度記錄頭進(jìn)行高密度記錄的角度來看，希望非磁性基底1的平均表面粗糙度Ra為0.8nm或更小，優(yōu)選為0.5nm或更小。從使用低飛行高度記錄頭進(jìn)行高密度記錄的角度來看，希望表面波紋度Wa為0.3nm或更小，優(yōu)選為0.25nm或更小。優(yōu)選為，在紋理化處理之后，基底的平均表面粗糙度Ra大于等于0.1nm且小于等于0.8nm。如果小于0.1nm，那么紋理化處理的效果就不充分，SUL的磁性各向異性就有偏離。這種情形是不希望見到的。粗糙度超過0.8nm也是不希望見到的，因?yàn)椴荒軐?shí)現(xiàn)磁頭的低飛行高度。垂直磁記錄層的磁性取向的退化會(huì)減小SNR。在本發(fā)明中，可以使用釘扎層和/或非磁性襯層，但是沒有這些層不會(huì)影響本發(fā)明的效果。在本發(fā)明中，需要SUL的KugI*ain為負(fù)值。當(dāng)使用Coir作為軟磁性層材料時(shí)，需要使hepCoir晶體的C軸垂直于基底表面平面。有時(shí)提供一個(gè)村層來控制晶體取向。在這種情形中，通常所述襯層也具有hep晶體結(jié)構(gòu)，諸如Ti和Ru。我們發(fā)現(xiàn)，SUL的Kllgrain在垂直于基底表面平面的軸上為負(fù)值是合適的。下面說明確定KUgfain的方法。通過轉(zhuǎn)矩對飽和場的29成分的外推來估計(jì)垂直磁各向異性能Ku丄。轉(zhuǎn)矩曲線通過在與試樣樣品的基底表面平面垂直的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)磁場來獲得。使用公式Ku"L=-27tMs2+Kugrain(Ms:飽和磁化強(qiáng)度)來計(jì)算SUL的Ku—11,在該SUL中，單軸晶體磁各向異性的C軸垂直于基底表面平面。已知薄膜樣品具有很強(qiáng)的垂直于膜平面的退磁場，此時(shí)Ku丄^^示為-27tMs2。本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種SUL，使得如果Ku丄被表示為-2丌1\182+乂的話，X為負(fù)值。在常規(guī)SUL的情形中，由于缺陷和雜質(zhì)的緣故，X通常為小的正值。在本發(fā)明中，使X為負(fù)數(shù)，這樣，大的IKu丄l可以迫使磁化指向所述平面內(nèi)。此外，由環(huán)境場引起的磁化的漲落可以被減小，因?yàn)楫?dāng)使磁化方向在基底表面平面內(nèi)時(shí)，能量態(tài)變得更加穩(wěn)定。當(dāng)Kn丄為負(fù)值時(shí)，材料在基底表面平面內(nèi)的磁化態(tài)是最穩(wěn)定的能量態(tài)。所以，這樣的一種軟磁性層將使自身在基底表面內(nèi)磁化，不需要特殊的外力。如上所述，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，Colr合金非常適合作為垂直記錄介質(zhì)的SUL材料。當(dāng)Colr合金的Ir含量為5at。/。或更大時(shí)，其Ku丄在Colr合金的C軸方向上將取負(fù)值。然而，需要控制Ir的含量，因?yàn)楫?dāng)Ir含量增加時(shí)飽和磁化強(qiáng)度Ms將下降。沉積Coir層期間基底溫度的范圍優(yōu)選在室溫到4G0"C之間。軟磁性層的矯頑力Hc優(yōu)選為30(Oe)或更小，更優(yōu)選的是10(Oe)或更小。一奧斯特約等于79A/m。軟磁性層的飽和磁通密度Bs優(yōu)選為0.6T或更高，更優(yōu)選的是lT或更高。軟磁性層的總的層厚優(yōu)選大于等于20nm但小于等于120nm，更優(yōu)選的是厚度大于等于20nm而小于等于100nm,更優(yōu)選的是厚度大于等于20nm而小于等于60nm。此外發(fā)現(xiàn)，SUL的臨界膜厚依賴于Ir的含量。臨界膜厚是磁疇壁結(jié)構(gòu)從Neel結(jié)構(gòu)變?yōu)锽loch結(jié)構(gòu)時(shí)的膜厚。換言之，當(dāng)Ir的含量在5at%到20at。/。的范圍內(nèi)時(shí)，隨著Colr合金厚度的增加，磁疇壁在臨界厚度處從Neel結(jié)構(gòu)變?yōu)锽loch結(jié)構(gòu)。已經(jīng)知道，Neel結(jié)構(gòu)更適合于阻止WATE現(xiàn)象，然而，Bloch結(jié)構(gòu)更適合于減小介質(zhì)噪聲。在設(shè)計(jì)膜厚時(shí)需要考慮上述事實(shí)。作為軟磁性層的形成方法，可以使用濺射方法。SUL可以是由軟磁性層和Ru或Re中間層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。通過設(shè)計(jì)軟磁性層和Ru或Re中間層的厚度，兩個(gè)軟磁性層可以產(chǎn)生反4失磁耦合。在這種情形中，Ru或Re的膜厚通常為0.3nm到1.5nm，優(yōu)選為0.5nm到1.2nm。上述結(jié)構(gòu)可以防止WATE現(xiàn)象，該現(xiàn)象是垂直記錄介質(zhì)所特有的問題。晶體取向控制層用來控制垂直記錄層的晶體結(jié)構(gòu)和晶粒尺寸。晶體取向控制層中所用材料的優(yōu)選結(jié)構(gòu)為hcp結(jié)構(gòu)或面心立方結(jié)構(gòu)(fcc結(jié)構(gòu))，例如，Pt、Pd、NiCr、NiFeCr以及Mg之類。當(dāng)使用非hcp和fcc結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，比如使用體心立方結(jié)構(gòu)(bcc結(jié)構(gòu))或非晶結(jié)構(gòu)時(shí)，垂直磁記錄層的取向就變得不充分了。結(jié)果是，會(huì)引起SNR和矯頑力的下降，這是不希望看到的。晶體取向控制層5由籽晶層5-1和中間層5-2構(gòu)成。例如，Pd優(yōu)選作為籽晶層5-1的材料。Ru優(yōu)選作為中間層5-2的材料。晶體取向控制層5的厚度優(yōu)選為30nm或更小。如果襯層(晶^向控制層)的厚度超過30nm，那么就會(huì)增加在記錄和再現(xiàn)期間磁頭和SUL4之間的距離，使得重寫(OW)特性和再現(xiàn)信號(hào)的分辨率退化，這是不希望看到的。垂直磁記錄層6的易磁化軸被導(dǎo)向與非磁性基底1的平面相垂直的方向上。作為組分元素，至少包括Co、Pt和一種氧化物；并且可以加入Cr、B、Cu、Ta或Zr，以便提高SNR特性或出于其它原因。垂直磁記錄層6中所用的氧化物的例子包括，Si02、SiO、Cr203、CoO、Ta203以及Ti02。氧化物的體積比率優(yōu)選為15到40個(gè)體積百分比。如果氧化物的體積比率小于15個(gè)體積百分比，那么SNR特性就不夠好，這是不希望的。如果體積比率超過40個(gè)體積百分比，那么就不能得到高密度記錄所需要的矯頑力，這也是不希望的。此外，其它類型的材料也可以用作垂直記錄介質(zhì)材料，諸如Co/Pt和Co/Pd多層材料、FePt和FePd等有序合金、以及RE-TM合金之類。垂直磁記錄層的成核場(-Hn)優(yōu)選為1.5(kOe)或更大。如果成核場(-Hn)小于1.5(kOe),那么就會(huì)發(fā)生熱漲落，這是不希望的。垂直磁記錄層的厚度優(yōu)選為6nm到18nm。如果垂直磁記錄層的厚度在這個(gè)范圍內(nèi)，那么就會(huì)獲得充分的輸出和好的重寫(OW)特性。該垂直磁記錄層可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是由不同組分的材料所構(gòu)成的雙層或多層結(jié)構(gòu)。提供保護(hù)層來防止垂直磁記錄層的腐蝕并防止磁頭接觸介質(zhì)時(shí)對介質(zhì)表面的損傷；可以使用常規(guī)的材料，例如含有C、Si02或ZK)2的材料。從減少磁頭和介質(zhì)之間的距離以使得能夠進(jìn)行高密度記錄的角度看，保護(hù)層的厚度優(yōu)選大于等于1nm并小于等于5nm。作為潤滑層，優(yōu)選使用常規(guī)材料，例如全氟聚醚(perfluoropolyether)、乙醇氟化物(alcoholfluoride)、以及羧酸氟化物(carboxylicacidfluoride)之類。圖2顯示了使用上述垂直磁記錄介質(zhì)10的磁記錄和再現(xiàn)裝置的例子。這里所顯示的磁記錄和再現(xiàn)裝置設(shè)置有垂直磁記錄介質(zhì)10、驅(qū)動(dòng)垂直磁記錄介質(zhì)10轉(zhuǎn)動(dòng)的主軸電動(dòng)機(jī)11、在垂直磁記錄介質(zhì)10上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭12、磁頭致動(dòng)器13以及記錄和再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14。所述記錄和再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14可以處理輸入數(shù)據(jù)并將記錄信號(hào)發(fā)送到磁頭12，以及可以處理來自磁頭12的再現(xiàn)信號(hào)并輸出數(shù)據(jù)。(例子和對照例)下面，通過例子來闡明本發(fā)明的作用和有利結(jié)果。然而，本發(fā)明不限于下面的例子。(例1)在清洗玻璃基底(晶化基底TS10-SX，直徑2.5英寸，OharaInc.制造)之后，將該玻璃基底放入DC磁控'減鍍系統(tǒng)(AnelvaCorp.moddC-3010)的薄膜沉積腔內(nèi)，該薄膜沉積腔^皮抽真空到1x10-5Pa的本底壓強(qiáng)。在該玻璃基底上沉積7nm的Ti層。然后沉積3nm的Ru和20nm的88Co-12Ir(Co含量88at%，Ir含量12at%)以形成具有雙層結(jié)構(gòu)的SUL。在這個(gè)樣品上用'濺射方法沉積6nm的Pd籽晶層、20nm的Ru中間層、10nm的CoCrPt-Si()2磁記錄層、以及5nm的C保護(hù)層。然后，^使用浸蘸的方法來形成全氟聚醚潤滑層，以獲得垂直磁記錄介質(zhì)。(對照例1)在與例1相同的基底上沉積60nm的91Co-5Zr-4Nb(Co含量91at%，Zr含量5at%，Nb含量4at%)、0.8nmRu、以及60nm的91Co-5Zr-4Nb以形成層疊的軟磁性襯層。在所述軟磁性村層上沉積6nm的Pd籽晶層、20nm的Ru中間層、10nm的CoCrPt-Si02磁記錄層、以及5nm的C保護(hù)層。然后，用浸蘸的方法敷涂全氟聚醚潤滑層，于是就得到了垂直磁記錄介質(zhì)。制備這些樣品來作為對照例。對例子和對照例進(jìn)行WATE測量。評估方法如下。1)在士6nm的區(qū)域內(nèi)以156kfci記錄基本圖形。2)在所有的磁道上測量每個(gè)磁道的平均輸出，并將之作為初始態(tài)的磁道概圖(trackprofile)。3)在所述區(qū)域中心的一個(gè)磁道上重復(fù)記錄937kfci的信號(hào)10,000次。4)再一次測量磁道概圖，并將結(jié)果與初始態(tài)相比較。這樣得到的磁道概圖示于圖3和圖4中。此夕卜，C軸的晶體磁各向異性能Kugrain、跟蹤概圖(trackingprofile)時(shí)的輸出減少、垂直磁各向異性能Ku丄以及-27iMsZ的值被分別示于表1中。如表l所示，在本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)中，很清楚，有抑制WATE現(xiàn)象的效果。表l襯層軟磁性襯層(at.%)軟磁性襯層的晶體結(jié)構(gòu)Kugrain(106erg/cm3)Kill(106erg/cm3)-2nMs2(106erg/cm3)輸出減少(%)磁道概圖例1Ti(7nm)/Ru(3nm)88Co-12Irhcp-4.8-10.6-5.80圖3對照例1無91Co-5Zr-4Nb非晶0.3-4.8-5.112圖4(例2到例6，比較例2到比較例6)接著，使用半徑為22mm的硅基底作為基底，制備類似于例1和對照例l的垂直記錄介質(zhì)。在沉積過程中，同時(shí)對5片基底進(jìn)行薄膜沉積。5片樣品由與例1相同的工序來制備，另外5片樣品由與對照例1相同的工序來制備。沉積過程期間基底的排列如圖5所示。例2到例6類似于例1，而對照例2到對照例6類似于對照例1。對上述樣品進(jìn)行WATE測量，該測量與例1和對照例1中的WATE測量相同。也估計(jì)了WATE現(xiàn)象對基底位置的依賴關(guān)系。這些結(jié)果示于表2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表2所示，不管本發(fā)明的例2到例6中基底的位置在哪里，沒有觀察到WATE現(xiàn)象。結(jié)果表明，易磁化軸可以被強(qiáng)烈地定向在基底平面內(nèi)，不管來自濺射槍的外磁場的強(qiáng)度和方向如何。另一方面，在對照例中，不仫Jf見察到了WATE現(xiàn)象，而且其程度依賴于基底的位置。這是因?yàn)镾UL的軟磁性特性依賴于來自磁控槍的磁場以及來自靶的濺射顆粒入射角等等。(例7)使用一種特殊的帶有兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)耙的磁控濺鍍系統(tǒng)(AnelvaCorp.modelC-3010)的真空腔在晶化玻璃基底上進(jìn)行兩種不同材料的共同濺鍍實(shí)驗(yàn)。所述腔被抽真空到lxl(T5Pa的本底壓強(qiáng)。使用純Co和純Ir作為兩種靶材料。首先，使用燈具加熱器將晶化玻璃基底加熱到350t:。接著，順序沉積7nm的Ti膜和3nm的Ru膜，然后通過轉(zhuǎn)動(dòng)位于同一腔內(nèi)的Co和Ir耙沉積20nm的Co柳-xlrx膜。Co柳.xlrx膜中的x通過改變對靶的》文電功率來調(diào)節(jié)。此外，沉積C保護(hù)層作為樣品最上面的層。對具有各種構(gòu)成的Co，.xlrx膜的晶體磁各向異性能K,ain進(jìn)行測量。使用前述類型的轉(zhuǎn)矩磁強(qiáng)計(jì)進(jìn)行測量。此外，通過熒光X射線分析來測量經(jīng)調(diào)節(jié)兩個(gè)靶的放電輸出而獲得的薄膜組分。結(jié)果示于表3。此外，在沉積Co咖-xIrx膜期間，使用兩種Ar分壓，3.0Pa和0.6Pa。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>在表3結(jié)果的1^出上，Ir含量和Kugrai"之間的關(guān)系示于圖6中。在本發(fā)明中，需要Kngrain具有負(fù)值。根據(jù)沉積時(shí)的Ar分壓，Kugrain值顯示了不同的性狀，但是根據(jù)上述結(jié)果，Ir含量在5at。/。到30at。/o的范圍內(nèi)是最合適的。(例8到例12，對照例8到對照例12)在具有不同直徑的5種基底上，通過與例1和對照例1中相同的方法形成垂直記錄介質(zhì)。然后測量其WATE特性。孑吏用直徑為95mm(例8)、65mm(例9)、48mm(例10)、28mm(例11)和22mm(例12)的5種基底，每種基底制備4個(gè)樣品。在例8到例12中使用Colr、在對照例8到對照例12中使用Co-Zr-Nb作為SUL的材料。測量結(jié)果示于表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>當(dāng)使用Co-Zr-Nb作為SUL的材料時(shí)，小直徑介質(zhì)的WATE現(xiàn)象變得更顯著。所以，本發(fā)明的效果對于尺寸在直徑28mm以下的基底更顯著。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種垂直記錄介質(zhì)，其中軟磁性襯層的易磁化軸被定向在基底表面平面內(nèi)，這對于抑制WATE現(xiàn)象和尖銳噪聲等是有效的。權(quán)利要求1.一種在非磁性基底上至少具有軟磁性襯層和垂直磁記錄層的垂直記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)Ku⊥(erg/cm3)被定義為所述軟磁性襯層的垂直磁各向異性能，而Ms(emu/cm3)被定義為所述軟磁性襯層的飽和磁化強(qiáng)度時(shí)，所述軟磁性襯層的Ku⊥具有負(fù)值，并且Ku⊥＜-2πMs2。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，當(dāng)Ku^in被定義為晶體磁各向異性能時(shí)，所述軟磁性襯層包含具有負(fù)Ku—n的材料，并且所述軟磁性襯層的難磁化軸垂直于基底表面平面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性村層包含Colr合金作為主要成分。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直記錄介質(zhì)，其中，所述軟磁性襯層的Colr合金中Ir的含量為從5at.。/。到30at.%。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括晶體襯層，其中六方密堆積面或立方晶面平行于基底表面平面。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述非磁性基底是圓盤形基底，其直徑為28mm或更小。7.—種磁記錄和再現(xiàn)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的垂直磁記錄介質(zhì)，以及用來在所述垂直磁記錄介質(zhì)上記錄信息和再現(xiàn)信息的磁頭。全文摘要通過提高軟磁性襯層的磁各向異性功能，本發(fā)明可以提供一種具有高記錄密度的垂直記錄介質(zhì)，以及一種磁記錄和再現(xiàn)裝置，所述垂直記錄介質(zhì)在非磁性基底上至少具有軟磁性襯層和垂直磁記錄層，其中，當(dāng)Ku┴(erg/cm³)被定義為所述軟磁性襯層的垂直磁各向異性能，而Ms(emu/cm³)被定義為所述軟磁性襯層的飽和磁化強(qiáng)度時(shí)，所述軟磁性襯層的Ku┴具有負(fù)值并且Ku┴＜-2πMs²。于是，軟磁性襯層的易磁化軸被強(qiáng)烈地定向在所述基底表面平面內(nèi)，這對于抑制WATE現(xiàn)象和尖銳噪聲是有效的。文檔編號(hào)G11B5/66GK101151662SQ200680009912公開日2008年3月26日申請日期2006年3月29日優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日發(fā)明者岡正裕,喜喜津哲,高橋研申請人:國立大學(xué)法人東北大學(xué);昭和電工株式會(huì)社;株式會(huì)社東芝