專(zhuān)利名稱(chēng)：磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為包括構(gòu)成記錄層的磁性粒子的微型化、新材料的發(fā)展以及磁頭處理技術(shù)的微型化的改進(jìn)結(jié)果，磁記錄介質(zhì)例如硬盤(pán)等在記錄密度上有顯著的提高，并且預(yù)計(jì)將來(lái)在記錄密度方面將進(jìn)一步提高。
然而，通過(guò)常規(guī)改進(jìn)技術(shù)例如磁性粒子的微型化來(lái)提高記錄密度現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了其極限，其中將連續(xù)的記錄層分為多個(gè)分隔的記錄單元、然后使用非磁體填充這些分隔的記錄單元之間溝槽的離散型磁記錄介質(zhì)已經(jīng)作為能夠進(jìn)一步提高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的例子提出了(例如，參見(jiàn)日本專(zhuān)利特開(kāi)公開(kāi)號(hào)平9-97419)。
干蝕刻技術(shù)例如反應(yīng)離子蝕刻是能夠用來(lái)在連續(xù)的記錄層中建立微小分隔部分(partitions)的處理技術(shù)的例子(例如，參見(jiàn)日本特開(kāi)公開(kāi)號(hào)平12-322710)。
此外，使用濕式處理的嵌入技術(shù)例如那些用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)(例如，參見(jiàn)日本專(zhuān)利特開(kāi)公開(kāi)號(hào)平13-323381)可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)上述非磁性填充。
如果在分隔的記錄單元和非磁體的表面之間出現(xiàn)水平(level)差，那么會(huì)出現(xiàn)例如磁頭浮動(dòng)的不穩(wěn)定和雜質(zhì)積聚的問(wèn)題，因此優(yōu)選使分隔的記錄單元和非磁體的表面平坦化。也可以利用用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的處理技術(shù)例如基于濕式處理的CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)進(jìn)行上述平坦化操作。
此外，可以使用用于半導(dǎo)體制造的濕式清洗技術(shù)(例如，參見(jiàn)日本特開(kāi)公開(kāi)號(hào)平12-091290)從分隔的記錄單元表面除去雜質(zhì)。
然而，如果原樣使用用于半導(dǎo)體制造工藝的干蝕刻類(lèi)型技術(shù)來(lái)處理連續(xù)的記錄層，那么分隔的記錄單元的部分易于出現(xiàn)退化例如氧化和腐蝕等問(wèn)題。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的后續(xù)制造，還會(huì)出現(xiàn)分隔的記錄單元的退化。此外，在例如清洗等其它濕式處理期間，溶劑等的作用也會(huì)在分隔的記錄單元的一些部分中引起例如氧化和腐蝕的問(wèn)題。出現(xiàn)的另一個(gè)問(wèn)題在于，使用濕式工藝增加了分隔的記錄單元表面受雜質(zhì)污染的可能性。分隔的記錄單元的這些退化和污染的問(wèn)題可以引起信息記錄和讀取的精度損失。
此外，結(jié)合干式工藝和濕式工藝會(huì)出現(xiàn)另外的問(wèn)題，即工件輸送(磁記錄介質(zhì)的中間物(intermediate))變得更困難，并且制造效率退化。
換句話說(shuō)，由于磁記錄介質(zhì)具有獨(dú)特的問(wèn)題，包括磁性材料趨于易于氧化的事實(shí)，因此在磁記錄介質(zhì)的制造過(guò)程中使用在其它領(lǐng)域例如半導(dǎo)體制造中有效的處理技術(shù)會(huì)產(chǎn)生各種問(wèn)題，例如磁性材料的氧化問(wèn)題，據(jù)此證明在防止分隔的記錄單元退化的同時(shí)高效地制造離散型磁記錄介質(zhì)非常困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題，提供一種能夠可靠地防止分隔的記錄單元的退化等的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明通過(guò)在分隔的記錄單元和非磁體之間形成阻擋膜，從而能夠解決上述的問(wèn)題。在可靠地防止分隔的記錄單元的任何退化方面，將分隔的記錄單元與大氣完全隔離是非常有效的，因此優(yōu)選在工作環(huán)境維持在真空狀態(tài)的情況下進(jìn)行從分隔的記錄單元的形成到保護(hù)層的形成的所有步驟。
在本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“真空”并不限于氣壓為0[Pa]的狀態(tài)，而是定義為其中壓強(qiáng)在從大約0[Pa]到100[Pa]范圍內(nèi)的極低氣壓的狀態(tài)。此外，術(shù)語(yǔ)“磁記錄介質(zhì)”并不限于僅使用磁力記錄和讀取信息的硬盤(pán)、軟盤(pán)(注冊(cè)商標(biāo))和磁帶等，而是還包括結(jié)合磁和光學(xué)特性的磁光記錄介質(zhì)例如MO(Magneto Optical磁光)盤(pán)。
因此，如下所述提供本發(fā)明的各種示范性實(shí)施例。
(1)一種磁記錄介質(zhì)，其中，具有分隔的記錄單元；非磁體，其填充在上述分隔的記錄單元之間的溝槽中，阻擋膜，其形成在上述分隔的記錄單元和上述非磁體之間。
(2)根據(jù)上述(1)的磁記錄介質(zhì)，其中，在上述分隔的記錄單元和上述非磁體上形成有保護(hù)層。
此外，在本說(shuō)明書(shū)中，使用術(shù)語(yǔ)“阻擋膜”來(lái)描述分離所述分隔的記錄單元與非磁體的薄膜。
此外，使用術(shù)語(yǔ)“金剛石狀碳”(下文縮寫(xiě)為DLC)來(lái)描述一種具有包含作為主成分的碳的非晶結(jié)構(gòu)、并且維氏硬度在200-8000kgf/mm2范圍內(nèi)的材料。


圖1是示意性表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖2是表示在利用相同的制造設(shè)備處理之前的磁記錄介質(zhì)中間物的結(jié)構(gòu)的側(cè)面截面圖；圖3是示意性表示利用相同的制造設(shè)備處理之后的磁記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)的側(cè)面截面圖；圖4是表示利用相同的制造設(shè)備制造磁記錄介質(zhì)的步驟的流程圖；圖5是示意性地表示在將分隔圖形轉(zhuǎn)移到第三掩模層之后的上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖6是示意性地表示在除去了第三掩模層在凹入部分底表面處的那些部分之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖7是示意性地表示在除去了第二掩模層在凹入部分底表面處的那些部分之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖8是示意性地表示在除去了第一掩模層在凹入部分底表面處的那些部分之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖9是示意性表示形成有分隔的記錄單元的上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；
圖10是示意性地表示在除去了留在分隔的記錄單元上表面上的第一掩模層的那些部分之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖11是示意性地表示在用非磁體填充分隔的記錄單元之間的空間之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖12是示意性地表示在使分隔的記錄單元和非磁體的表面平坦化之后、上述中間物形狀的側(cè)面截面圖；圖13是來(lái)自原子力顯微鏡的照片，示出了來(lái)自本發(fā)明一個(gè)例子的磁記錄盤(pán)的分隔的記錄單元和非磁體的表面的放大照片；圖14是來(lái)自光學(xué)顯微鏡的照片，示出了來(lái)自相同例子的磁記錄盤(pán)表面的放大照片；圖15是來(lái)自光學(xué)顯微鏡的照片，示出了來(lái)自比較例的磁記錄盤(pán)表面的放大照片。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是示意性表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于磁記錄介質(zhì)的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)的方框圖。
首先，為了便于更好地理解用于磁記錄介質(zhì)的制造設(shè)備的結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)單地給出磁記錄介質(zhì)中間物和磁記錄介質(zhì)自身的結(jié)構(gòu)的描述。
如圖2所示，磁記錄介質(zhì)中間物10包括玻璃基板12，該玻璃基板12具有依次形成在其上的襯層14、軟磁層16、定向?qū)?8、連續(xù)記錄層20、第一掩模層22、第二掩模層24和第三掩模層26。
襯層14的材料是Cr(鉻)或者Cr合金，軟磁層16的材料是Fe(鐵)合金或者Co(鈷)合金，定向?qū)?8的材料是CoO、MgO或者NiO等，連續(xù)記錄層20的材料是Co(鈷)合金。此外，各掩模層的材料為用于第一掩模層22的TiN(氮化鈦)、用于第二掩模層24的Ni(鎳)和用于第三掩模層26的負(fù)性抗蝕劑(由Sumitomo Chemical Co，Ltd.制造的NEB22A)。
如圖3所示，磁記錄介質(zhì)30是垂直記錄、離散型記錄盤(pán)，其中通過(guò)沿著軌跡的半徑方向形成的微小間距將連續(xù)的記錄層20分隔為多個(gè)分隔的記錄單元31，非磁體32填充分隔的記錄單元31之間的溝槽33，保護(hù)層34和潤(rùn)滑層36依次形成在分隔的記錄單元31和非磁體32的頂部上。阻擋膜38形成在分隔的記錄單元31和非磁體32之間。
非磁體32的材料是SiO2(二氧化硅)，保護(hù)層34和阻擋膜38的材料都是如上所述已知為DLC的硬碳膜(hard carbon film)，潤(rùn)滑層36的材料是PFPE(全氟聚醚)。
再參考圖1，磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40包括記錄層處理裝置42，用于通過(guò)在中間物10中形成溝槽33而形成分隔的記錄單元31；干式工藝清洗裝置44，用于從圍繞分隔的記錄單元31的環(huán)境中除去雜質(zhì)清洗裝置；用于在分隔的記錄單元31上形成阻擋膜38的阻擋膜形成裝置46；用于用非磁體32填充分隔的記錄單元31之間的溝槽33的非磁體填充裝置48；用于使分隔的記錄單元31和非磁體32的表面平坦化的平坦化裝置50；用于在分隔的記錄單元31和非磁體32上形成保護(hù)層34的保護(hù)層形成裝置52；和容納記錄層處理裝置42、干式工藝清洗裝置44、阻擋膜形成裝置46、非磁體填充裝置48、平坦化裝置50和保護(hù)層形成裝置52并且保持中間物10周?chē)沫h(huán)境處于真空狀態(tài)的真空保持裝置56。
此外，制造設(shè)備40還包括用于將分隔圖形轉(zhuǎn)移到磁記錄介質(zhì)中間物10的第三掩模層26上的轉(zhuǎn)移裝置58和用于在保護(hù)層34的頂部上形成潤(rùn)滑層36的潤(rùn)滑層形成裝置54。轉(zhuǎn)移裝置58和潤(rùn)滑層形成裝置54位于真空保持設(shè)備56的外部。
記錄層處理裝置42包括等離子體處理裝置60，用于通過(guò)利用氧、臭氧或者其混合氣體的等離子體來(lái)處理第三掩模層26；離子束蝕刻裝置62，用于通過(guò)利用Ar(氬)氣體的離子束蝕刻來(lái)處理第二掩模層24；第一反應(yīng)離子蝕刻裝置64，用于通過(guò)利用CF4(氟代甲烷)氣體或者SF6(六氟化硫)氣體的反應(yīng)離子蝕刻來(lái)處理第一掩模層22；第二反應(yīng)離子蝕刻裝置66，用于通過(guò)利用添加有NH3(氨)氣體的CO(一氧化碳)氣體的反應(yīng)離子蝕刻來(lái)處理連續(xù)記錄層20；和第三反應(yīng)離子蝕刻裝置67，用于通過(guò)利用CF4氣體或者SF6氣體進(jìn)行的反應(yīng)離子蝕刻來(lái)除去第一掩模層22留在分隔的記錄單元31表面上的那些部分。
干式工藝清洗裝置44是利用等離子體的干式工藝清洗裝置。
阻擋膜形成裝置46是用于使用CVD(化學(xué)汽相淀積)形成DLC阻擋膜38的CVD裝置。
非磁體填充裝置48是用于使用偏置濺射在分隔的記錄單元31的頂部上形成SiO2非磁體32的偏置濺射裝置。
平坦化裝置50是用于通過(guò)利用Ar氣體的離子束蝕刻使介質(zhì)表面平坦化的的離子束蝕刻裝置。
保護(hù)層形成裝置52是用于使用CVD形成DLC保護(hù)層34的CVD裝置。
潤(rùn)滑層形成裝置54是用于通過(guò)浸漬涂敷PFPE潤(rùn)滑層36的涂敷裝置。
真空保持裝置56包括真空室68、和與真空室68互連的真空泵70。
轉(zhuǎn)移裝置58是利用納米壓印法(nano-imprint method)將利用平版印刷術(shù)制備的圖形(圖中未示出)壓制和轉(zhuǎn)移到第三掩模層26上的壓制(press)裝置。
下面描述磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40的動(dòng)作。
圖4是表示磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40的處理流程的流程圖。
首先，制備磁記錄介質(zhì)中間物10。通過(guò)使用濺射依次在玻璃基板12的頂部形成厚度為300-2000的襯層14、厚度為500-3000的軟磁層16、厚度為30-300的定向?qū)?8、厚度為100-300的連續(xù)記錄層20、厚度為100-500的第一掩模層22和厚度為100-300的第二掩模層24、然后使用旋涂或者浸漬形成厚度為300-3000的第三掩模層26來(lái)形成該中間物10。
然后轉(zhuǎn)移裝置58使用納米壓印法將與用于分隔的記錄單元31的分隔圖形相對(duì)應(yīng)的、圖5所示的凹入部分的模式(type)轉(zhuǎn)移到中間物10的第三掩模層26中。
至此，將中間物10輸送到真空室68中，并使用等離子體處理裝置60處理第三掩模層26，直到已經(jīng)除去了第三掩模層26在凹入部分底表面處的那些部分，如圖6所示。也部分除去了第三掩模層26在凹入部分外部的那些區(qū)域，但是保持了在這些其它區(qū)域和凹入部分的底表面之間的水平差。
接著，使用離子束蝕刻裝置62除去第二掩模層24在凹入部分的底表面處的那些部分，如圖7所示。在該處理過(guò)程中，也除去了少量的第一掩模層22。此外，盡管在凹入部分外部的那些區(qū)域中仍然保留了少量第三掩模層26，但還是除去了這些區(qū)域中很大比例的第三掩模層26。
接著，使用第一反應(yīng)離子蝕刻裝置64除去第一掩模層22在凹入部分的底表面處的那些部分，如圖8所示。此時(shí)，完全除去了第三掩模層26在凹入部分外部的那些區(qū)域中的剩余量。此外，盡管在凹入部分外部的那些區(qū)域仍然保留了少量第二掩模層24，但還是除去了這些區(qū)中很大比例的第二掩模層24。
接著，使用第二反應(yīng)離子蝕刻裝置66除去連續(xù)記錄層20在凹入部分的底表面處的那些部分，由此利用在分隔的記錄單元31之間形成的溝槽33將連續(xù)記錄層20分隔為多個(gè)分隔的記錄單元31，如圖9所示(S 1)。
在該處理過(guò)程中，還除去了少量的定向?qū)?8。此外，完全除去了第二掩模層24在凹入部分外部的那些區(qū)域中的剩余量，并且還除去了很大比例的、位于凹入部分外部的那些區(qū)域中的第一掩模層22，盡管少量仍然留在分隔的記錄單元31的上表面上。
利用第三反應(yīng)離子蝕刻裝置67完全除去該剩余的第一掩模層22，如圖10所示。
至此，使用干式工藝清洗裝置44從分隔的記錄單元31的表面除去雜質(zhì)(S2)。
接著，如圖11所示，使用CVD裝置在分隔的記錄單元31的頂部上形成厚度為10-200的DLC阻擋膜38，然后利用過(guò)偏置濺射法，使用非磁體填充設(shè)備48在分隔的記錄單元31之間的溝槽33中填充非磁體32(S4)。形成該非磁體32，使其完全覆蓋阻擋膜38。由于分隔的記錄單元31被阻擋膜38覆蓋和保護(hù)，因此它們?cè)诜谴朋w32的偏置濺射過(guò)程中不會(huì)發(fā)生退化。
接著，使用平坦化裝置50通過(guò)離子束蝕刻來(lái)除去非磁體32的一部分，直到露出分隔的記錄單元31的上表面，如圖12所示，由此使分隔的記錄單元31和非磁體32的表面平坦化(S5)。在該處理過(guò)程中，為了確保高精度平坦化，優(yōu)選將Ar離子的入射角相對(duì)于該表面設(shè)定在一10至15°的范圍內(nèi)。然而如果在非磁體填充步驟中已經(jīng)制造了具有高水平平坦度的分隔記錄單元31和非磁體32的表面，那么可以將Ar離子的入射角設(shè)定在60-90°的范圍內(nèi)。這種增加的入射角的模式增加了處理速度，并且能夠提高生產(chǎn)率。盡管完全除去了分隔的記錄單元31上方的非磁體32，但是分隔的記錄單元31的上表面上的阻擋膜38可以完全被除去，或者部分可以保持完整。
然后保護(hù)層形成裝置52使用CVD法在分隔的記錄單元31和非磁體32的上表面上形成厚度為10-50的DLC保護(hù)層34(S6)，然后將該結(jié)構(gòu)輸送出真空室68。
接著，使用潤(rùn)滑層形成裝置54通過(guò)浸漬法將厚度為10至20的PFPE潤(rùn)滑層36涂敷到保護(hù)層34的頂部上。這樣完成了圖3所示的磁記錄介質(zhì)30的形成。
由于在圍繞中間物10的環(huán)境處于真空的狀態(tài)下進(jìn)行分隔的記錄單元31的形成和處理，因此可以防止處理過(guò)程中分隔的記錄單元31通過(guò)氧化或者腐蝕而退化。
此外，在連續(xù)的記錄層20被各個(gè)掩模層覆蓋的情況下將中間物10輸送到真空室68中，并且一旦在真空室68的內(nèi)部形成分隔的記錄單元31，就執(zhí)行非磁體32的填充，并在將磁記錄介質(zhì)30輸送出真空室68之前在分隔的記錄單元31和非磁體32的頂部上形成保護(hù)層34，因此分隔的記錄單元31(和連續(xù)的記錄層20)一直與大氣中的氧等隔離，這意味著甚至可以更可靠地防止分隔的記錄單元31的退化。
此外，由于每個(gè)步驟都利用干式工藝，因此可以避免使用濕式工藝時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題，例如由處理液引起的分隔的記錄單元31的退化或者由處理液或者清洗液內(nèi)的雜質(zhì)引起的分隔的記錄單元31的表面污染。
換句話說(shuō)，磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40顯示優(yōu)異的可靠性，并且能夠可靠地防止在分隔的記錄單元31的形成過(guò)程中的退化。
此外，由于每個(gè)步驟都利用干式工藝，因此進(jìn)程中工件的輸送比結(jié)合干式和濕式工藝的工藝更容易，這意味著磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40顯示出高水平的生產(chǎn)效率。
在本實(shí)施例中，從第三掩模層26的蝕刻到保護(hù)層34的形成的步驟都在真空室68內(nèi)部進(jìn)行，但是本發(fā)明并不限于這樣的設(shè)置，并且只要分隔的記錄單元31和連續(xù)的記錄層20與大氣隔離以防止分隔的記錄單元31退化，在處理連續(xù)的記錄層20之前，用于處理每個(gè)掩模的步驟也可以在真空室68的外部進(jìn)行。然而，在第一掩模層22的處理過(guò)程中，露出了部分的連續(xù)記錄層20(參見(jiàn)圖9)，因此優(yōu)選在真空室68的內(nèi)部進(jìn)行第一掩模層22的處理。
此外，在本實(shí)施例中，不同材料的三個(gè)掩模層形成在連續(xù)的記錄層20上，然后使用四個(gè)階段(four-stage)的干蝕刻處理以在中間物10中形成溝槽33并且分隔該連續(xù)的記錄層20，但是對(duì)所使用的干蝕刻模式、用于掩模層的材料、掩模層的數(shù)量或者掩模層的厚度沒(méi)有特別的限制，只要連續(xù)的記錄層20能夠被高精度地分隔即可。
此外，在本實(shí)施例中，使用利用等離子體的干式工藝清洗操作從分隔的記錄單元31的表面上除去雜質(zhì)，但是本發(fā)明并不限于該方法，也可以通過(guò)利用氣體的干式工藝清洗操作除去分隔的記錄單元31表面上的雜質(zhì)。
此外，在本實(shí)施例中，非磁體填充裝置48使用偏置濺射法，但是本發(fā)明并不限于該方法，也可以使用施加偏置的等離子體CVD法進(jìn)行該非磁體的填充。
此外，在本實(shí)施例中，磁記錄介質(zhì)30是垂直記錄、離散型磁盤(pán)，其中以位于其間的軌道半徑方向上的微小間距設(shè)置分隔的記錄單元31，但是本發(fā)明并不限于這種情況，當(dāng)然也可以應(yīng)用于下列磁盤(pán)的制造以位于其間的軌道圓周方向(扇區(qū)方向)上的微小間距設(shè)置分隔的記錄單元的磁盤(pán)、以位于其間的軌道半徑方向和軌道圓周方向上的微小間距設(shè)置分隔的記錄單元的磁盤(pán)以及分隔的記錄單元形成螺旋形的磁盤(pán)。此外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于磁光盤(pán)例如MO盤(pán)和其它非磁盤(pán)類(lèi)型的離散型磁記錄介質(zhì)例如磁帶等的制造。
此外，在本實(shí)施例中，磁記錄介質(zhì)制造設(shè)備40配置有用于每個(gè)步驟的分離的處理裝置，但是本發(fā)明并不限于這種構(gòu)造，也可以利用單個(gè)裝置進(jìn)行多個(gè)步驟。例如，可以使用利用CF4或者SF6作為反應(yīng)氣體的相同的反應(yīng)離子蝕刻裝置來(lái)進(jìn)行用于處理第一掩模層22的步驟以及用于從分隔的記錄層31表面上除去剩余第一掩模層22的步驟。此外，可以使用相同的Ar氣體離子束蝕刻裝置進(jìn)行處理第二掩模層24的步驟和用于使分隔的記錄單元31和非磁體32平坦化的步驟。這些合理化設(shè)計(jì)能夠減小制造設(shè)備的尺寸和成本。
(例子)利用上述實(shí)施例，使用在真空室內(nèi)部設(shè)置的處理裝置來(lái)制備磁記錄盤(pán)，該磁記錄盤(pán)具有與大氣隔離的連續(xù)記錄層和分隔的記錄單元。圖13是來(lái)自原子力顯微鏡的照片，顯示了通過(guò)離子束蝕刻使分隔的記錄單元和非磁層表面平坦化之后該表面的放大圖。對(duì)分隔的記錄單元和非磁層的表面粗糙度的測(cè)量反映出最大水平差為2.88nm，中心線平均粗糙度Ra為0.723nm。這些結(jié)果證明，在該例子中，不使用濕式工藝?yán)鏑MP，已經(jīng)令人滿意地使分隔的記錄單元和非磁層的表面平坦了。此外，當(dāng)使用表面缺陷檢查裝置來(lái)檢查介質(zhì)表面的雜質(zhì)時(shí)，識(shí)別出兩塊0.3μm至0.5μm的雜質(zhì)。沒(méi)有發(fā)現(xiàn)尺寸大于1.0μm的雜質(zhì)，也沒(méi)有發(fā)現(xiàn)尺寸在0.5μm至1.0μm的任何雜質(zhì)。此外，通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察磁記錄盤(pán)的表面，二者都剛好在制造之后，然后再在高溫、高濕環(huán)境(溫度80℃，濕度80％)中放置大約48小時(shí)之后，在兩種情況下都沒(méi)有觀察到分隔的記錄單元的腐蝕。圖14是來(lái)自光學(xué)顯微鏡的照片，顯示出在高溫、高濕環(huán)境中放置大約48小時(shí)之后該例子的磁記錄盤(pán)表面的放大圖。
(比較例)以與上述例子相同的方式制備磁記錄盤(pán)，除了處理裝置沒(méi)有容納在真空室內(nèi)部，從而允許連續(xù)的記錄層和分隔的記錄單元接觸大氣。當(dāng)使用表面缺陷檢查設(shè)備檢查分隔的記錄單元和非磁體表面的雜質(zhì)時(shí)，識(shí)別到總共193塊雜質(zhì)，包括28塊尺寸在0.3至0.5μm的、38塊尺寸在0.5至1.0μm的、和127塊大于1.0μm的雜質(zhì)。此外，當(dāng)通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察磁記錄盤(pán)的表面時(shí)，二者都剛好在制造之后，然后再在高溫、高濕環(huán)境中放置大約48小時(shí)，盡管最初分隔的記錄單元沒(méi)有明顯的腐蝕，但是在制造之后放置48小時(shí)之后，觀察到多個(gè)黑點(diǎn)，這表明分隔的記錄單元出現(xiàn)了腐蝕。圖15是來(lái)自光學(xué)顯微鏡的照片，顯示了在高溫、高濕環(huán)境中放置大約48小時(shí)之后，比較例的磁記錄盤(pán)表面的放大照片。
換句話說(shuō)，當(dāng)與比較例比較時(shí)，在本例子中防止了分隔的記錄單元的腐蝕，并且還顯著減少了雜質(zhì)的引入。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，本發(fā)明能夠得到這樣的效果，即可靠地防止了分隔的記錄單元的退化等。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有分隔的記錄單元；非磁體，其填充在上述分隔的記錄單元之間的溝槽中；阻擋膜，其形成在上述分隔的記錄單元和上述非磁體之間。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述分割的記錄單元以及上述非磁體上形成有保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，能夠可靠地防止分隔的記錄單元的退化等。磁記錄介質(zhì)(10)具有分隔的記錄單元(31)；非磁體(32)，其填充在分隔的記錄單元(31)之間的溝槽(33)中；阻擋膜(38)，其形成在分隔的記錄單元(31)和非磁體(32)之間。
文檔編號(hào)G11B5/62GK101067937SQ20071010656
公開(kāi)日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2004年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月5日
發(fā)明者服部一博, 高井充, 諏訪孝裕 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司