專利名稱：：磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及磁記錄和再現(xiàn)設備的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及到一種用在硬盤驅(qū)動器中的磁記錄介質(zhì)、該磁記錄介質(zhì)的制造方法、以及一種磁記錄和再現(xiàn)i殳備。
背景技術：
：近年來，磁記錄設備(諸如硬盤驅(qū)動器、軟盤驅(qū)動器以及磁帶驅(qū)動器)已經(jīng)大大地擴大了其使用范圍，并具有重要意義。許多工作致力于使這些設備中所用的磁記錄介質(zhì)顯著提高其記錄密度。具體說，自從引入磁阻(MR)磁頭和部分響應最大似然(partialresponsemaximumlikelihood,PRML)技術后，人們一直熱衷于增加表面記錄密度。近年來，由于進一步引入了巨磁阻(GMR)磁頭和隧道磁阻(TMR)磁頭，記錄密度的增加以每年約100。/。的速度繼續(xù)著。未來要求這些磁記錄介質(zhì)獲得更高的記錄密度，并且增大其磁記錄層的矯頑力、信噪比(SNR)和分辨率。近年來的工作一直是在繼續(xù)增加線性記錄密度并通過增加磁道密度也增加面記錄密度。在最新的磁記錄設備中，磁道密度已經(jīng)達到了110kTPI。當磁道密度進一步增加時，會出現(xiàn)這樣的問題，諸如相鄰磁道中所記錄的信息之間發(fā)生干擾，邊界線區(qū)域中的磁化轉(zhuǎn)變區(qū)成為噪聲源并使SNR降低。這個事實妨礙了記錄密度的增加，因為它馬上導致誤碼率的增大。為了增加面記錄密度，需要磁記錄介質(zhì)上的各個記錄位具有盡可能小的尺寸，并保證具有盡可能大的飽和磁化強度和磁性膜厚度。然而，當記錄位的尺寸進一步減小時，會出現(xiàn)這樣的問題，比如每個位的最小磁化體積減小，由于熱漲落所導致的磁化反轉(zhuǎn)使所記錄的數(shù)據(jù)消失。此外，由于磁道間距變小，磁記錄設備需要有非常精確的磁道祠月良技術，同時，一般要求在記錄期間采用記錄寬度大而再現(xiàn)寬度小的方法以便盡可能消除鄰近磁道的影響。雖然這種方法能夠?qū)⑧徑诺乐g的影響降到最小，但會遇到這樣的問題，比如，很難獲得足夠的再現(xiàn)輸出信號，從而很難保證足夠大的SNR。作為處理熱漲落問題并獲得正常SNR或獲得足夠輸出信號的方法，目前正在嘗試通過在記錄介質(zhì)表面上沿著磁道形成參差結(jié)構(gòu)從而在物理上使相鄰磁道彼此隔開來提高磁道密度。這種技術也被稱作"離散磁道技術"，而在下文中通過這種技術制備的磁記錄介質(zhì)將被稱作"離散磁道介質(zhì)"。作為離散磁道介質(zhì)的一個例子，已知有一種磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)形成在非磁性基底上，該基底在其表面上有不規(guī)則圖形，能夠從物理上隔開磁記錄磁道和伺服信號圖形(參見例如JP-A2004-164692)。這種磁記錄介質(zhì)在基底表面上形成有鐵磁層并在4失磁層的表面上形成有保護膜，其中該基底通過軟磁性層在其表面上獲得多個參差結(jié)構(gòu)。這種磁記錄介質(zhì)在其凸起區(qū)域中形成磁記錄區(qū)，該磁記錄區(qū)在磁性上與環(huán)境隔開。根據(jù)這種磁記錄介質(zhì)來看，可以形成不產(chǎn)生很大噪聲的高密度磁記錄介質(zhì)，這是因為，能夠抑制軟磁性層中磁壁的出現(xiàn)這個事實可以防止熱漲落影響的出現(xiàn)并可以消除鄰近信號之間的干擾。已知有兩種離散磁道技術，即，在形成含有若干層疊薄膜的磁記錄介質(zhì)之后形成磁道的方法，以及或者直接在基底表面上形成薄膜磁記錄介質(zhì)或者在為形成磁道準備好的薄膜層上形成不規(guī)則圖形之后形成薄膜磁記錄介質(zhì)的方法(參見例如JP-A2004-178793和JP-A2004-178794)。前一種方法通常被稱作磁性層處理型方法，其不利之處在于，在制造期間很容易使介質(zhì)受到污染，并也使制造工藝大大地復雜化，因為該方法要求在形成介質(zhì)之后對表面進行物理處理。后一種方法通常被稱作壓印處理型方法，盡管該方法不會在制造期間引入污染，但其不利之處在于，使記錄和再現(xiàn)磁頭在介質(zhì)上飛行的同時進行記錄和再現(xiàn)時的飛行姿態(tài)和高度變得不穩(wěn)定，因為，在基底上形成的不規(guī)則形狀肯定會在形成的薄膜中繼續(xù)存在。壓印處理型制造方法不容易形成平坦的表面，因為在基底上所形成的不規(guī)則形狀被磁性層和保護層覆蓋，于是在形成的表面上會繼續(xù)存在。另一方面，由磁性層處理型方法制造的離散磁道型磁記錄介質(zhì)采用了在基底表面上形成用于記錄的磁性層、隨后再形成磁性圖形的工藝，因此就能獲得一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)這樣來形成，即，采用半導體工藝中所使用的壓印方法形成圖形，隨后對要形成非磁性部分的區(qū)域進行干刻，之后埋入Si02或碳基非磁性材料，對所得到的表面進行平坦化處理，進一步用保護膜層覆蓋表面，并在上面形成潤滑層。這種磁性層刻蝕型離"^磁道介質(zhì)使制造工藝復雜化，并且不僅導致污染的產(chǎn)生而且也不能獲得平坦的表面。一般地，具有上述結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)能夠通過磁頭放大輸出和輸入信號，并且也能夠提高記錄密度，因為磁頭到磁性層的距離隨著保護膜層的變薄也相應地減小。磁道中的位密度由在形狀不規(guī)則的保護膜層的表面上飛行的磁頭的飛行高度來決定。因此，如何使磁頭保持穩(wěn)定飛行對于實現(xiàn)高密度來說就是一個重要的任務。所以，要求所述不規(guī)則圖形能夠使磁頭保持穩(wěn)定的飛行，能夠使磁頭盡可能靠近磁性層，另外能夠防止相鄰磁道上的信號彼此干擾。然而，在制造過程中幾乎沒有引起污染的危險并且能夠形成平坦表面的離散磁道介質(zhì)制造技術到現(xiàn)在還沒有出現(xiàn)。在因磁道密度的提高而導致了技術困難的磁記錄設備中，本發(fā)明用于大大增加磁道密度從而增加面記錄密度，同時確保獲得比以往更高的記錄和再現(xiàn)特性。特別是，在通過在基底上形成磁性層之后再形成圖形而得到的離散磁道型磁記錄介質(zhì)中，本發(fā)明可以提供一種制造方法，與常規(guī)的磁性層處理型工藝相比，通過去掉這個常規(guī)工藝中的刻蝕磁性層的步驟和利用抗蝕劑形成圖形的步驟，本方法極大地簡化了制造過程，并且?guī)缀醪粫幸胛廴镜奈ｋU，并提供一種離散磁道型磁記錄介質(zhì)，這種介質(zhì)具有優(yōu)異的磁頭飛行特性并證明是有用的。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種離散磁道介質(zhì)和一種磁記錄設備。
發(fā)明內(nèi)容作為本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提供一種離散磁道型磁記錄介質(zhì)，該介質(zhì)包括非磁性基底；在所述非磁性基底的至少一個面上提供的磁記錄磁道和伺服信號圖形；以及通過從具有某個圖形形狀的掩膜上方進行離子注入而非磁性化了的部分，其中該圖形用來從物理上隔開所述磁記錄磁道和所述伺服信號圖形。本發(fā)明的第二方面提供根據(jù)所述第一方面的磁記錄介質(zhì)，其中，所述磁記錄磁道為垂直磁記錄磁道。作為本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明也提供一種離散磁道型磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中該磁記錄介質(zhì)處于非磁性基底的至少一側(cè)上，具有在物理上隔開的磁記錄磁道和伺服信號圖形，所述方法包括這樣的步驟，即從具有預期被分隔開的圖形形狀的掩膜上方注入離子，從而形成非磁性化部分，以便從物理上隔開所述磁記錄磁道和所述伺服信號圖形。作為本發(fā)明的第四方面，本發(fā)明還提供一種磁記錄和再現(xiàn)設備，該設備包括一下各部分的組合根據(jù)所述第一和第二方面的磁記錄介質(zhì)；用來在i己錄方向上驅(qū)動所述磁i己錄介質(zhì)的驅(qū)動部分；由^己錄部分和再現(xiàn)部分構(gòu)成的》茲頭；使所iiy磁頭相對于所逸磁記錄介質(zhì)移動的部分；以及用來向所述磁頭輸入信號和再現(xiàn)從所述磁頭輸出的信號的記錄和再現(xiàn)信號處理單元。在非磁性基底上設置了磁性層之后，在形成圖形的離散磁道磁記錄介質(zhì)中，本發(fā)明能夠提供這樣一種磁記錄介質(zhì)，該介質(zhì)能確保磁頭飛行的穩(wěn)定性，具有優(yōu)良的磁道隔離特性，能避免相鄰磁道之間的信號干擾的影響，具有很高的記錄密度特性。此外，由于本發(fā)明可以省略掉用來刻蝕磁性層處理型介質(zhì)中的磁性層并使制造過程極其復雜的干刻步驟、形成圖形時所需要的應用抗蝕劑的步驟和在使用之后去掉抗蝕劑的步驟，所以，本發(fā)明不僅能夠大大提高生產(chǎn)率，而且也可以避免顆粒的出現(xiàn)并制造出優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明所提供的磁記錄和再現(xiàn)設備，由于其使用了本發(fā)明所設想的磁記錄介質(zhì)，所以磁頭的飛行特性和磁道分離性非常好，而且由于避免了鄰近^f茲道之間的信號千擾的影響，所以高記錄密度特性非常好。圖i是一個截面圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明所述的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)；圖2顯示了才艮據(jù)本發(fā)明所述的磁記錄和再現(xiàn)i殳備的配置。具體實施方式首先描述本發(fā)明所述的離散型磁記錄介質(zhì)的橫截面結(jié)構(gòu)。圖1顯示了本發(fā)明所述的離散型磁記錄介質(zhì)的橫截面結(jié)構(gòu)，該圖包括了掩膜和離子注入的圖像。本發(fā)明所述的磁記錄介質(zhì)30所具有的結(jié)構(gòu)是這樣形成的，即，在非磁性基底1的第一表面上形成軟磁性層和中間層2、具有磁性圖形的磁性層3、非磁化層4和保護膜層5，然后在最上面形成沒有顯示出來的潤滑層。事先形成有預定圖形的掩膜6設置為垂直于離子的注入7并平行于磁記錄介質(zhì)。盡管本發(fā)明中所用的掩膜采用石英作為其材料，但能夠擋住離子從而形成預定圖形的任何材料，諸如鈉鈣玻璃或珪晶片，都可以用作掩膜。為了提高記錄密度，具有磁性圖形的磁性層3優(yōu)選包括寬度W小于等于100nm的磁性部分，和寬度L小于等于200nm的非磁性部分。于是，磁道間距P(=W+L)就最大限度地減小到小于等于300nm的范圍內(nèi)，從而提高了記錄密度。7作為本發(fā)明中所用的非磁性基底，可以選用任何非磁性基底，諸如由Al作主成分的Al-Mg合金所制成的Al合金基底、由普通的鈉鈣玻璃、鋁珪酸鹽玻璃(aluminosilicate-basedglass)、玻璃陶資所制成的基底、以及由硅、鈦、陶瓷和各種樹脂制成的基底。在上面所舉出的其它材料中，特別優(yōu)先使用Al合金基底、由玻璃陶瓷制成的玻璃基底和硅基底。這樣選出的基底的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選小于等于1nm,更優(yōu)選的是小于等于0.5nm，特別優(yōu)選的是小于等于0.1nm。在具有上述質(zhì)量的非磁性基底的第一表面上要形成的磁性層可以是面內(nèi)磁記錄層(in-planemagneticrecordinglayer)，也可以是垂直磁記錄層。然而，為了獲得高的記錄密度，優(yōu)選是垂直磁記錄層。所述磁記錄層優(yōu)選是由含Co作為主成分的合金來形成。作為用于面內(nèi)磁記錄介質(zhì)中的磁記錄層，可以使用例如由非磁性的CrMo襯層和4失磁性的CoCrPtAa磁性層所構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。作為用于垂直磁記錄介質(zhì)中的磁記錄層，可以使用這樣的層疊結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括由軟磁性FeCo合金(諸如FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(諸如FeTaN、FeTaC等)或Co合金(諸如CoTaZr、CoZrNB、CoB等)構(gòu)成的底層、由Pt、Pd、MCr、NiFeCr等構(gòu)成的取向控制層、作為可選項的由Ru等構(gòu)成的中間層、由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金構(gòu)成的磁性層。磁記錄層的厚度為大于等于3nm小于等于20nm，優(yōu)選為大于等于5nm小于等于15nm。磁記錄層只需^l照所用磁性合金的類型和層疊體的結(jié)構(gòu)來形成，使得磁頭能夠獲得足夠的輸出和輸入即可。磁性層需要有一定程度以上的膜厚，以便在再現(xiàn)期間獲得預定程度的輸出。同時，必須為磁性層設定最佳的膜厚，因為表示記錄和再現(xiàn)特性的各種參數(shù)一般在輸出增加時會同比例退化。一般地，采用'減射方法將磁記錄層形成為薄膜。在磁記錄層的第一表面上形成保護膜層5。對于保護膜層，通常使用的保護膜層材料有，例如，包含碳(C)、氫化碳(HxC)、氮化碳(CN)、非晶碳、碳化硅(SiC)等的含碳物質(zhì)、Si02、Zr203、TiN等。保護膜層也可以由兩層或兩層以上構(gòu)成。保護膜層3的膜厚必須小于10nm。如果保護膜層的膜厚超過10nm，那么就會使磁頭和磁性層之間的距離太大，從而使輸入和輸出信號不能獲得足夠的強度。一般地，保護膜層通過濺射方法或CVD方法來形成。在保護膜層之上優(yōu)選形成潤滑層。作為用于潤滑層中的潤滑劑，可以使用例如氟基潤滑劑、烴基潤滑劑或者是兩者的混合物。潤滑層的厚度通常形成為1到4nm。下面將特別描述本發(fā)明所述的離散型磁記錄介質(zhì)的制造方法。磁記錄介質(zhì)的制造過程通常始于對基底的清洗和干燥。本發(fā)明優(yōu)選也在形成磁性膜層之前進行基底的清洗和干燥工作，以確保各個組成層之間的粘附性。不需要特別對基底的尺寸進行限制。在本發(fā)明中，在基底的第一表面上形成FeCoB軟磁性層、Ru中間層、70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金磁性層、以及碳保護膜層。隨后，將基底置于離子注入設備的空腔中，磁性層正好設置在基底之上，兩者都垂直于離子注入的方向，啟動設備，在所述空腔中注入能夠使磁性層非磁性化的離子。本發(fā)明考慮使用Si作為離子源。為了用離子注入設備注入微粒，采用商用離子注入i殳備在磁性層中進行注入。盡管Si、In、B、P、C、F等可以用于離子注入，但離子的類型或其混合物不受特別限制。只要求這些離子能夠注入并能夠用于消除磁性。在進行微粒注入時，本發(fā)明試圖使在磁性層深度方向進行的所述注入到達在深度方向上中心部分以及更靠下的區(qū)域，并使這些微粒在磁性層的深度方向上達到一定程度的分布。本發(fā)明并不特別地限制注入的深度，因為其目標是將微粒注入磁性層中并使其相關部分非磁性化。微粒注入的深度由所用離子注入設備的加速電壓的大小恰當?shù)貨Q定。為了形成除保護膜層3之外的磁記錄介質(zhì)的其它組成層，可以使用RF濺射方法、DC濺射方法等，這些是用于成膜的通常采用的方法。另一方面，保護膜層通常是采用P-CVD將類金剛石碳變?yōu)楸∧硇纬?。然而，這并不是唯一的方法。下面，在圖2中顯示本發(fā)明所述的磁記錄和再現(xiàn)設備的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的磁記錄和再現(xiàn)設備設置有本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30、用來在記錄方向上驅(qū)動所述介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動部分26、包含記錄部分和再現(xiàn)部分的磁頭27、用來使磁頭27相對于磁記錄介質(zhì)30移動的磁頭驅(qū)動部分28、以及結(jié)合了記錄和再現(xiàn)信號處理機構(gòu)以便將信號輸入磁頭27中以及對來自磁頭27的信號進行再現(xiàn)的記錄和再現(xiàn)信號系統(tǒng)29。通過將這些部件結(jié)*來，可以構(gòu)成一種具有高記錄密度的磁記錄和再現(xiàn)設備。由于磁記錄介質(zhì)的記錄磁道在物理上做成離散的，因此本發(fā)明使再現(xiàn)頭和記錄頭具有幾乎同樣的工作寬度，而目前通常的做法是，使再現(xiàn)頭的寬度比記錄頭的寬度小一些，從而消除磁道邊緣部分的磁化轉(zhuǎn)變區(qū)的影響。因此，可以獲得令人滿意的再現(xiàn)輸出和高的SNR。此外，采用GMR頭或TMR頭來構(gòu)成》茲頭的再現(xiàn)部分可以在高記錄密度的情況下也能獲得令人滿意的信號強度，并實現(xiàn)具有高記錄密度的磁記錄設備。通過在裝置中加入符合最大似然解碼方法的信號處理電路能夠進一步提高記錄密度。即使在磁道密度大于等于每英寸100k個磁道、線性記錄密度大于等于每英寸1000k個比特、和記錄密度大于等于每平方英寸100G個位的情況下進行記錄和再現(xiàn)操作也能獲得令人滿意的SNR。對照例1將HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，將真空腔預先抽真空到1.0xl(T5Pa或更低。這里所用的玻璃基底由采用Li2Si2Os、A1203-K20、MgO-P20s和Sb203-ZnO作為成分的玻璃陶瓷制成。基底的外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm,平均表面粗糙度(Ra)為2埃。在所述玻璃基底上，利用普通的RF濺射方法形成厚度為200nm的Si02膜作為預壓印層(pre-embosslayer)。接著，利用提前準備好的由Ni制成的壓模對上述被涂敷了的基底進行壓印。所述壓模的磁道間距為lOOnm。將凹槽深度調(diào)整到恒定的20nm。利用具有相關設計的壓模來完成壓印。然后，利用離子束刻蝕對SK)2層進行刻蝕。Si()2層上較薄的部分被刻蝕到露出基底，于是在基底的第一表面上形成凹凸圖形，該圖形與由壓模所形成的參差圖形一致。在所述基底的第一表面上，通過DC賊射方法層疊FeCoB軟磁性層、Ru中間層和70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金磁性層，并進一步通過P-CVD方法層疊C(碳)保護膜層和氟基潤滑膜，各層的順序如上所述。FeCoB軟磁性層的厚度為600埃，Ru中間層的厚度為100埃，磁性層的厚度為150埃，C(碳)保護膜層平均膜厚4nm。這個樣品作為對照例1中的壓印品的一個例子。對照例2將HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，將真空腔預先抽真空到1.0xl(T5Pa或更低。這里所用的玻璃基底由采用Li2Si2Os、A1203-K20、MgO-P20s和Sb203-ZnO作為成分的玻璃陶瓷制成?；椎耐鈴綖?5mm、內(nèi)徑為20mm，平均表面粗糙度(Ra)為2埃。在所述玻璃基底上，通過DC濺射方法層疊FeCoB軟磁性層、Ru中間層和70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金磁性層，并進一步通過P-CVD方法層疊C(碳)保護膜層和氟基潤滑膜，各層順序如以上所述。FeCoB軟磁性層的厚度為600埃，Ru中間層的厚度為100埃，磁性層的厚度為150埃，C(碳)保護膜層平均膜厚4iim。隨后，對磁性層進行工藝處理以形成磁性圖形。具體說，在施加熱固性樹脂作抗蝕劑來形成與預定圖形一致的參差圖形之后，在真空設備中通過離子銑削去掉磁性層的凹進部分，然后剝落抗蝕劑的剩余的凸起部分，然后形成碳膜用以填埋磁性層中被去掉的部分。之后，通過P-CVD沉積厚度為4nm的碳膜，以便涂上潤滑層。所得到的表面通過離子束刻蝕進行平坦化。將這樣得到的樣品置于真空腔內(nèi)，該真空腔預先被抽真空到lxlO-4Pa，然后在真空腔內(nèi)引入Ar氣體，直到分壓達到5Pa。在所述樣品上施加300W的RF電壓對才羊品的表面進行刻蝕。這個樣品作為對照例2中的制造出的磁性層產(chǎn)品的例子。在所述填埋處理(embeddingprocess)中，使用非磁性材料來進行填埋。在本樣品的制造過程中，使用Si02。采用濺射技術來形成所述膜層。順便提及，涂上抗蝕劑之后要形成的圖形具有磁道的形狀，其中每個磁道都包括凹進和凸起部分，通過直接將給定的壓模貼在基底或磁性層上所形成的保護膜上并在高壓下壓該壓模，使這些凹進和凸起形成在保護膜層的第一表面上?；蛘撸脽峁绦詷渲?、UV固性的樹脂等來形成所述圖形所具有的凹進和凸起。作為該工藝中所用的壓模，可以使用具有很細的磁道圖形的金屬板，該磁道圖形可以通過例如電子束成像:技術等方法來形成。該壓;f莫所用的材料要求具有能夠抵御所述工藝的影響的硬度和耐用性。例如，可以使用Ni。只要求材料能滿足上述目的，其種類并不重要。除了用來記錄普通數(shù)據(jù)的磁道外，在壓模上還形成有諸如脈沖圖形等伺服信號圖形、格雷碼圖形和前導碼圖形。在去掉抗蝕劑的時候，使用諸如干刻、反應離子刻蝕或離子銑削等技術來去掉表面上的抗蝕劑和部分的保護膜層。這樣處理之后，就剩下了形成有磁性圖形的磁性層和部分保護膜層。通過對條件進行選擇，可以全部去掉保護膜層，只剩下形成有圖形的磁性層。例1類似于對照例2,將HD取向的玻璃基底放置在真空腔中，將真空腔預先抽真空到1.0xio_5Pa或更低。這里所用的玻璃基底是包含Li2Si205、A1203-K20、MgO-P20s和Sb203-ZnO的玻璃陶瓷。基底的外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm,平均表面粗糙度(Ra)為2埃。在所述玻璃基底上，通過DC濺射方法層疊FeCoB軟磁性層、Ru中間層和70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金磁性層，并進一步通過P-CVD方法層疊C(碳)保護膜層和氟基潤滑膜，各層的順序如以上所述。FeCoB軟磁性層的厚度為600埃，Ru中間層的厚度為100埃，磁性層的厚度為150埃，C(碳)保護膜層平均膜厚4nm。之后，采用本發(fā)明所述的技術形成磁性圖形。具體說，將預先形成有希望形成的圖形的掩膜置于層疊了直到保護膜層的各個組成層的玻璃基底上，將所有這些都置于離子注入i殳備中，然后用Si離子進行注入，結(jié)果，形成具有預期形狀的非磁性圖形。之后，涂上潤滑劑以完成磁記錄介質(zhì)的制備。這樣獲得的樣品用作例1中的成品的一個例子。在離子注入中，加速電壓固定在28keV，注入劑量為5x1016/cm2。利用旋轉(zhuǎn)臺(spinstand)估計例1、對照例1和對照例2中的樣品的電磁轉(zhuǎn)換特性。在這個估計中，利用垂直記錄頭進行記錄，利用TMR頭進行讀取。對記錄了750kFCI的信號之后的樣品測試其SNR值和3T擠壓(3T-squash)。測試發(fā)現(xiàn)，與對照例1和2中的樣品相比，例1中的樣品其RW特性(諸如SNR和3T-squash)有實質(zhì)性的提高?？梢酝茢喑?，這個提高是由于穩(wěn)定了磁頭的飛行特性，從而可以在預定的飛行高度上進行RW(讀寫)。由于證實了RW特性(諸如SNR和3T-squash),所以也可以證實例1中的樣品可以用非磁性部分將相鄰磁道清楚地分開，同時，根據(jù)本發(fā)明，使得能夠在樣品的磁性層部分中形成包含磁性部分和非磁性部分的磁性圖形，該圖形與具有指定形狀的圖形一致。在確定了電磁轉(zhuǎn)換特性之后，利用AFM測試例1、對照例1和2中的樣品的表面^*度。利用DigitalInstrumentsCorp.所制造的AFM,在10微米的視場中估計例1和對照例1及2中制造的用于垂直記錄介質(zhì)的非磁性基底的粗糙度(Ra)。所述估計過程使用256x256分辨率的輕敲模式(tappingmode)，掃描速度為1微米/秒。估計結(jié)果示于下面的表1中。與對照例1和2中的樣品相比，例1中的樣品顯示了非常低的表面粗糙度?？梢酝茢喑?，這個提高導致了磁頭飛行的穩(wěn)定。估計例1和對照例1及2中的樣品的滑移雪崩特性(glideavalancheproperty)。利用GliderightHardwareCorp.制造的50%滑動頭，在Sony/TektronixCorp制造的以產(chǎn)品號"DS4100"銷售的設備中來進行這個估計。估計結(jié)果示于下面的表1中。很清楚，由于滑移雪崩(glideavalanche)很低，例1中的磁頭飛行特性優(yōu)于對照例1和2。從例1和對照例1及2的比較中可以清楚看到，本發(fā)明能夠方便地制造出這樣的離散型介質(zhì)，該介質(zhì)顯示出足夠低的表面粗糙度，并能使磁頭穩(wěn)定飛行，這是通過從具有需要被分隔開的圖形形狀的掩膜上方注入離子從而對所需形狀中的磁性層進行非磁性化而實現(xiàn)的。正如例1和對照例1及2的比較所清楚地顯示的，如此執(zhí)行的這個最大程度地降低表面M度的制造方法構(gòu)成了穩(wěn)定磁頭飛行的重要因素。本發(fā)明優(yōu)選將表面粗糙度固定在R《2nm，更優(yōu)選的是固定在Ra《1.5nm范圍。很明顯，本發(fā)明可以作為一種有效方法，用來分隔開圖形化的非磁性和磁性層，并且和離散方法相比，進一步制造出具有更高記錄密度的被構(gòu)圖介質(zhì)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table>工業(yè)實用性本發(fā)明所述的磁記錄介質(zhì)可以保ii^磁頭飛行的穩(wěn)定性、具有優(yōu)良的磁道隔離特性、具有很高的記錄密度特性，可以簡化制造工藝，并且不僅能夠大大提高生產(chǎn)率，而且能夠避免顆粒的出現(xiàn)。權利要求1.一種離散磁道型磁記錄介質(zhì)，包括非磁性基底；在所述非磁性基底的至少一側(cè)上提供的磁記錄磁道和伺服信號圖形；以及通過從具有預期被分隔開的圖形形狀的掩膜上方進行離子注入而非磁性化了的部分，用來從物理上隔開所述磁記錄磁道和所述伺服信號圖形。2.根據(jù)權利要求l所述的磁記錄介質(zhì)，其中所迷磁記錄磁道為垂直磁記錄磁道。3.—種離散磁道型磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中該磁記錄介質(zhì)設置于非磁性基底的至少一側(cè)上，具有在物理上分隔開的磁記錄磁道和伺服信號圖像，所述方法包括的步驟有，從具有預期被分隔開的圖形形狀的掩膜上方注入離子，從而形成非磁性化部分，以便從物理上隔開所述磁記錄磁道和所述伺服信號圖形。4.一種磁i己錄和再現(xiàn)i殳備，包括才艮據(jù)權利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)；用來在記錄方向上驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部分；由記錄部分和再現(xiàn)部分構(gòu)成的磁頭；使所述磁頭相對于所述磁記錄介質(zhì)移動的部分；用來向所述磁頭輸入信號和再現(xiàn)所逸磁頭的輸出信號的記錄和再現(xiàn)信號處理裝置。全文摘要一種離散磁道型磁記錄介質(zhì)(30)包括非磁性基底(1)；在所述非磁性基底的至少一個面上提供的磁記錄磁道和伺服信號圖形；以及通過從具有某個圖形形狀的掩膜(6)上方進行離子注入(7)而非磁性化了的部分(4)，用來從物理上隔開所述磁記錄磁道和所述伺服信號圖形。一種磁記錄和再現(xiàn)設備包括所述磁記錄介質(zhì)(30)；用來在記錄方向上驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的驅(qū)動部分(26)；由記錄部分和再現(xiàn)部分構(gòu)成的磁頭(27)；使所述磁頭相對應所述磁記錄介質(zhì)移動的部分(28)；用來向所述磁頭輸入信號和再現(xiàn)所述磁頭的輸出信號的記錄和再現(xiàn)信號處理單元(29)。文檔編號G11B5/85GK101405793SQ200780009770公開日2009年4月8日申請日期2007年2月19日優(yōu)先權日2006年2月21日發(fā)明者佐佐木保正,坂脅彰,福島正人申請人:昭和電工株式會社