專利名稱：：光學(xué)部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有防污性的光學(xué)部件。
背景技術(shù)：
：以往，從維護(hù)光學(xué)性能的觀點(diǎn)出發(fā)，在用于光拾取裝置等中的光學(xué)部件上設(shè)有各種涂層，例如通過(guò)付與光學(xué)部件表面防水性而使污染的除去變得容易的防水層；通過(guò)防止光學(xué)部件表面帶電以防止因靜電而附上灰塵的防污層；等等。另外，這種防污層還帶有反射防止膜的功能，從表面?zhèn)绕鹁哂械?層至第3層等由導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成的導(dǎo)電材料層(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。專利文獻(xiàn)1:(日本)特開(kāi)昭59-90801號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:(日本)特公昭53-28214號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，雖然上述防水層能夠使附上的污染容易除去，但是卻不能防止附上污染。而上述防污層中，從表面?zhèn)绕鸬趌層具有導(dǎo)電材料層的情況時(shí)，雖然能夠防止附上污染，但在抹擦光學(xué)部件表面時(shí)，導(dǎo)電材料層的表面、即光學(xué)部件的表面容易發(fā)生擦傷。尤其在光學(xué)部件本體是高分子樹(shù)脂制時(shí)，由于導(dǎo)電材料層是在l20。C以下的低溫基板溫度成膜，所以防污層的強(qiáng)度降低，容易發(fā)生擦傷。另外，上述防污層中，從表面?zhèn)绕鸬?層具有導(dǎo)電材料層的情況時(shí)，由于在比導(dǎo)電材料層還要靠近表面處形成了2層非導(dǎo)電性層，所以，光學(xué)部件表面的導(dǎo)電性降低，有時(shí)得不到為了防止附上污染的充分的帶電防止性能。本發(fā)明的課題是提供一種光學(xué)部件，能夠在防止附上污染的同時(shí)防止發(fā)生擦傷。第1項(xiàng)記載的發(fā)明是一種光學(xué)部件，備有基材和設(shè)在該基材表面的反射4防止膜，光學(xué)部件的特征在于，所述反射防止膜具有導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，該導(dǎo)電材料層的表面與該光學(xué)部件的表面的3巨離為4—20nm。根據(jù)第l項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)榉瓷浞乐鼓ぞ哂袑?dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層的表面與光學(xué)部件的表面的距離為4-20nm，所以，與導(dǎo)電材料層的表面位于光學(xué)部件表面時(shí)的情況不同，即使抹擦光學(xué)部件表面，也能夠防止在該表面發(fā)生擦傷。另夕卜，確切地維持了光學(xué)部件表面的導(dǎo)電性，防止帶電，其結(jié)果能夠防止附上污染。光學(xué)部件可以是通常用作透鏡、棱鏡、濾光鏡等的光學(xué)元件產(chǎn)品(部件)的任何一種。第2項(xiàng)記載的發(fā)明是第1項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，該光學(xué)部件的表面電阻值為l05MQ/口未滿。根據(jù)第2項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)楣鈱W(xué)部件的表面電阻值為105MQ/口未滿，所以，能夠更確切地防止光學(xué)部件表面帶電，防止附上污染。表面電阻值單位中的"口"是平方的意思。第3項(xiàng)記載的發(fā)明是一種光學(xué)部件，備有基材和設(shè)在該基材表面的反射防止膜，光學(xué)部件的特征在于，所述反射防止膜具有導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層在該光學(xué)部件的表面內(nèi)側(cè)，由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，該光學(xué)部件的表面電阻值為105MQ/口未滿。根據(jù)第3項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)榉瓷浞乐鼓ぴ诠鈱W(xué)部件的表面內(nèi)側(cè)具有導(dǎo)電材料層，所以與導(dǎo)電材料層的表面位于光學(xué)部件表面時(shí)的情況不同，即使抹擦光學(xué)部件表面，也能夠防止在該表面發(fā)生擦傷。另外，因?yàn)楣鈱W(xué)部件的表面電阻值為105MQ/口未滿，所以，確切地維持了光學(xué)部件表面的導(dǎo)電性，防止帶電，其結(jié)果能夠防止附上污染。第4項(xiàng)記載的發(fā)明是第1~3項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層的厚度為3~25nm。根據(jù)第4項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)閷?dǎo)電材料層的厚度為3~25nm，所以能夠更確切地防止光學(xué)部件表面帶電，防止附上污染。第5項(xiàng)記載的發(fā)明是第4項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層的厚度為3~18nm。根據(jù)第5項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)閷?dǎo)電材料層的厚度為3~18nm，所以5能夠更確切地防止光學(xué)部件表面帶電，防止附上污染。第6項(xiàng)記載的發(fā)明是第1-5項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述具有導(dǎo)電性的材料是高折射率材料，其對(duì)于波長(zhǎng)為600nm之光束的折射率在1.55以上。根據(jù)第6項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1~5項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。更優(yōu)選對(duì)于波長(zhǎng)為600nm之光束的折射率在1.8以上。第7項(xiàng)記載的發(fā)明是第6項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述高折射率材料是含有氧化銦系或氧化鋅系的混合材料。根據(jù)第7項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第6項(xiàng)記載的發(fā)明同樣的效果。氧化銦系的混合材料是至少含有氧化銦的混合材料，例如，是以氧化銦和錫的混合材料為主要成分的材料。氧化鋅系的混合材料是至少含有氧化鋅的混合材料，例如，是以氧化鋅和鎵的混合材料為主要成分的材料。所謂含有，可以是作為一成分含有，也可以是作為全成分含有。也就是說(shuō)，可以含有也可以不含有其他成分。第8項(xiàng)記載的發(fā)明是第1~7的任何一項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述反射防止膜具有低折射率層，該低折射率層比所述導(dǎo)電材料層還要靠近該光學(xué)部件的表面，由對(duì)波長(zhǎng)為600nm之光束的折射率為1.55未滿的低折射率材料構(gòu)成。根據(jù)第8項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)榉瓷浞乐鼓ぴ诒葘?dǎo)電材料層還要靠近該光學(xué)部件表面的位置上具有低折射率層，所以，能夠通過(guò)該低折射率層提高光學(xué)部件的反射防止功能。第9項(xiàng)記載的發(fā)明是第8項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層的厚度為4~20nm。根據(jù)第9項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。第IO項(xiàng)記載的發(fā)明是第8或第9項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層位于該光學(xué)部件的表面。根據(jù)第10項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8或第9項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。第11項(xiàng)記載的發(fā)明是第8或第9項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，具有防水涂層，該防水涂層比所述低折射率層還要靠近該光學(xué)部件的表面。根據(jù)第11項(xiàng)記載的發(fā)明，因?yàn)樵诒人龅驼凵渎蕦舆€要靠近該光學(xué)部件的表面位置上具有防水涂層，所以，能夠使附到光學(xué)部件表面污染的除去容易化。第12項(xiàng)記載的發(fā)明是第8~11項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層含有氧化硅或氧化硅及氧化鋁的混合材料的任何一種。根據(jù)第12項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8~11項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明同樣的效果。第13項(xiàng)記載的發(fā)明是第1~12項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述基材由高分子樹(shù)脂形成。根據(jù)第13項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1~12的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明同樣的效果。發(fā)明的效果根據(jù)第l項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠防止光學(xué)部件的表面發(fā)生擦傷。還能夠防止附上污染。根據(jù)第2記載的發(fā)明，能夠得到與第1項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果，能夠更確切地防止附上污染。根據(jù)第3項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠防止光學(xué)部件表面發(fā)生擦傷。還能夠防止附上污染。根據(jù)第4項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1~3項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果，能夠更確切地防止附上污染。根據(jù)第5項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第4記載的發(fā)明相同的效果，能夠更確切地防止附上污染。根據(jù)第6項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1-5的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。根據(jù)第7項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第6記載的發(fā)明相同的效果。根據(jù)第8項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1~7項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果，能夠提高光學(xué)部件的反射防止功能。根據(jù)第9項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8記載的發(fā)明相同的效果。根據(jù)第10項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8或第9項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。根據(jù)第11項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8或第9項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果，能夠使光學(xué)部件表面附有的污染的除去容易化。根據(jù)第12項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第8~11項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。根據(jù)第13項(xiàng)記載的發(fā)明，能夠得到與第1-12項(xiàng)的任何一項(xiàng)記載的發(fā)明相同的效果。圖1:本發(fā)明涉及的光學(xué)部件1的一例示意圖，圖(a)是概略結(jié)構(gòu)圖，圖(b)是圖(a)中的圓X內(nèi)的部分放大圖。圖2:實(shí)施例(3)、比較例(1)的光學(xué)部件的反射率特性示意圖。圖3:實(shí)施例(12)、比較例(7)的光學(xué)部件的反射率特性示意圖。圖4:實(shí)施例(15)、比較例(8)的光學(xué)部件的反射率特性示意圖。圖5:實(shí)施例(16)、比較例(9)的光學(xué)部件的反射率特性示意圖。圖6:用來(lái)說(shuō)明表面電阻值測(cè)定方法的圖。符號(hào)說(shuō)明1光學(xué)部件2基材3反射防止膜Mn—,第(n-1)層(導(dǎo)電材料層)Mn第n層(低折射率層)具體實(shí)施例方式以下參照附圖，對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。但發(fā)明的范圍不局限于圖示例子。圖1是本發(fā)明涉及的光學(xué)部件1的一例示意圖，圖(a)是概略結(jié)構(gòu)圖，圖(b)是圖(a)中的圓X內(nèi)的部分放大圖。如該圖所示，光學(xué)部件1是例如被用作車載用DVD裝置中光拾取裝置的物鏡等，備有基材2。該基材2在本實(shí)施方式中具有曲面狀的光學(xué)面。光學(xué)部件1的光學(xué)面可以是平面，也可以具有衍射構(gòu)造等微細(xì)構(gòu)造。基材2由高分子樹(shù)脂形成。這里作為高分子樹(shù)脂，只要是一般用作光學(xué)材料的透明樹(shù)脂材料，沒(méi)有特殊限制，但若考慮作為光學(xué)部件的加工性，則優(yōu)選丙烯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂。尤其作為聚烯烴樹(shù)脂，為環(huán)狀烯烴樹(shù)脂的"ZEONEX"(日本七、才歹公司生產(chǎn))以及"7^^"(三井化學(xué)公司生產(chǎn))等較合適。作為這種樹(shù)脂產(chǎn)品，"ZEONEX，，有"ZEONEX330R，，(產(chǎn)品名稱)，"7、A，，有"APL5014DP，，(產(chǎn)品名稱)。但高分子樹(shù)脂并不局限于這些?；?表面設(shè)有反射防止膜3。反射防止膜3可以設(shè)在基材2的所述光拾取裝置的光源側(cè)，也可以設(shè)在基材2的DVD等信息記錄媒體側(cè)，還可以設(shè)在基材2的上述兩側(cè)。該反射防止膜3是具有反射防止功能的膜，由n個(gè)(n為例如4~7的自然數(shù))層M、...構(gòu)成。以下，若以這些層M、...從內(nèi)向外為第1層M!~第n層Mn，則最外側(cè)的第n層Mn的厚度為4~20nm，比第n層lVU來(lái)得內(nèi)側(cè)的第(n-1)層Mn的厚度為3~25nm，優(yōu)選為318nm。另外，第(n-1)層M^i的表面位于距離光學(xué)部件表面4~20nm的深度。其中，第n層M?？梢晕挥诠鈱W(xué)部件1的最表面，也可以位于比防水涂層(沒(méi)有圖示)還要來(lái)得內(nèi)側(cè)。在反射防止膜3的外側(cè)設(shè)防水涂層的情況時(shí)，能夠使附到光學(xué)部件1表面的污染容易除去。這種防水涂層可以以全氟烷基硅烷(perfluoro-alkyl陽(yáng)silane)、侈J嗦口"SubstanceWRlPatinal"(商品名稱，>/"夕5、Y》林式會(huì)社生產(chǎn))作為材料來(lái)形成。反射防止膜3的第(n-2)層Mn-2及第n層Mn由低折射率材料形成，第(n-1)層Mn一是導(dǎo)電材料層，由具有導(dǎo)電性的高折射率材料形成。這樣，光學(xué)部件1的表面電阻值在105MQ/n未滿。這里作為低折射率材料，可以采用含有氧化硅或氧化硅及氧化鋁的混合材料的任何一種。作為這種混合材料，例如"SubstanceL5"(商品名稱，乂A夕^yy林式會(huì)社生產(chǎn))較合適?；旌系窖趸柚械牟牧喜⒉痪窒抻谘趸X。作為具有導(dǎo)電性的高折射率材料，可以采用含有氧化銦系、氧化鋅系的混合材料的材料，具體可以采用含有氧化銦和錫的混合材料(ITO)、氧化鋅和鎵的混合材料的材料。優(yōu)選氧化銦和錫的混合材料中錫的混合比例為3~10Wt%。另外，混合到氧化銦、氧化鋅中去的材料，并不局限于錫、鎵。在反射防止膜3整體具有反射防止功能的范圍內(nèi)，上述反射防止膜3中的第1層M!~第(n-3)層Mn-3的材料和厚度，可以任意設(shè)計(jì)。上述光學(xué)部件1可以通過(guò)以往周知的制造方法進(jìn)行制造。對(duì)例如光學(xué)部件1的反射防止膜3和所述防水涂層，具體可以用真空鍍氣法、飛賊法、CVD法等進(jìn)行成膜。根據(jù)這種光學(xué)部件1，因?yàn)榉瓷浞乐鼓?在內(nèi)側(cè)備有第(n-1)層VU—"即導(dǎo)電材料層的表面，該導(dǎo)電材料層與光學(xué)部件l表面的距離為4~20nm，所以與導(dǎo)電材料層表面位于光學(xué)部件1表面的情況不同，在抹擦光學(xué)部件1表面時(shí)能夠防止在該表面發(fā)生擦傷。另外，確切地維持了光學(xué)部件l表面的導(dǎo)電性，防止了帶電，結(jié)果能夠防止附上污染。還因?yàn)楣鈱W(xué)部件1的表面電阻值在105MQ/口未滿，所以能夠更確切地防止光學(xué)部件1表面的帶電，防止附上污染。并且因?yàn)閷?dǎo)電材料層的厚度為3~25nm，優(yōu)選3~18nm，所以能夠更進(jìn)一步確切地防止光學(xué)部件1表面的帶電，防止附上污染。另外，因?yàn)榉瓷浞乐鼓?在比導(dǎo)電材料層還要來(lái)得靠近光學(xué)部件l表面的位置上具有第n層M"即低折射率層，所以該低折射率層能夠使光學(xué)部件1的反射防止功能提高。上述實(shí)施方式中，以光學(xué)部件1作為單個(gè)光學(xué)元件進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以作為多個(gè)光學(xué)元件。實(shí)施例1以下例舉實(shí)施例以及比較例，進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。[光學(xué)部件的結(jié)構(gòu)]作為上述實(shí)施方式中的光學(xué)部件1的實(shí)施例(1)~(16)及比較例(1)~(9)，形成了光學(xué)部件，在其基材2光學(xué)面設(shè)層結(jié)構(gòu)如下表1表7所示的反射防止膜和防水涂層。詳細(xì)如下，實(shí)施例(1)~(11)及比較例(1)~(6)對(duì)應(yīng)于DVD及CD記錄再生時(shí)使用的2波長(zhǎng)光束。實(shí)施例(12)~(14)及比較例(7)對(duì)應(yīng)于BD(Blu-rayDisc)記錄再生時(shí)使用的1波長(zhǎng)光束。另外，實(shí)施例(15)~(16)及比較例(8)~(9)對(duì)應(yīng)10于BD、DVD及CD記錄再生時(shí)使用的3波長(zhǎng)光束。上述實(shí)施例(1)~(16)及比較例(1)~(9)中，光學(xué)部件表面不設(shè)表中沒(méi)有出示的膜。表各欄中段的"d，，表示層的厚度，"n"表示折射率。"L5"表示材料為上述"SubstanceL5'，。(表l)實(shí)施例(1)實(shí)施例(2)實(shí)施例(3)實(shí)施例(4)基材7、樹(shù)脂APL5014DPAPL5014DPAPL5014DPAPL5014DP第1層氧化鈰dl=71nmnl=1.82氧化鈰dl=71nmnl=1.82氧化鈰dl=71nmnl=1.82氧化鈰dl=71nmnl=1.82第2層氧化硅d2=118nmn2=1.44氧化硅d2=118nmn2=1.44L5材料d2=118nmn2=1.48氧化硅d2=118nmn2=1.44第3層ITOd3=8.1nmn3=1.89ITOd3=8.1nmn3=1.89ITOd3=8.1nmn3=1.89ITOd3=8.1nmn3=1.89第4層氧化硅d4=4nmn4=1.44氧化硅d4=8nmn4=1.44L5材料d4=10nmn4=1.48氧化硅d4=19nmn4=1.44分光反射率特性、(nm)(Rminl(%))750(0.2以下)740(0.2以下)755(0.2以下)760(0.2以下)11(表2)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(表4)比較例(6)實(shí)施例(8)實(shí)施例(9)實(shí)施例(10)基材APL5014DPAPL5014DP7*、》樹(shù)脂APL5014DPAPL5014DP第l層氧化鈰dl=78nmnl=1.82氧化鈦dl=34nmnl=2.1氧化鋯dl=71nmnl=1.86氧化鉭dl=55nmnl=2.0第2層氧化硅d2=80nmn2=1.44氧化硅d2=125nmn2=1.44L5材料d2=118nmn2=1.48L5材料d2=125nmn2=1.48第3層ITOd3=28nmn3=1.89ITOd3=10nmn3=1.89ITOd3=8nmn3=1.89ITOd3=9.5nmn3=1.89第4層氧化硅d4=10nmn4=1.44氧化硅d4=10nmn4=1.44L5材料d4=10nmn4=1.48L5材料d4=10nmn4=1.48防水涂層2~1Onm分光反射率特性、(腿)(Rmin1(0/0))750(1.1以上)750(0.1以下)750(0.l以下)750(0.1以下)14(表5)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>(表7)比較例(8)實(shí)施例(16)比較例(9)基材七才才'7夕X樹(shù)脂ZEONEX330RAPL5014DPT、A樹(shù)脂APL5014DP第l層氧化硅dl=115.8nmnl=1.44氧化硅dl=120nmnl=1.44氧化硅dl=94.9nmnl=1.44第2層氧化鋯d2=28.9nmn2=1.86氧化鋯d2二9.1nmn2=1.86氧化鋯d2=12.6mnn2=1.86第3層氧化硅d3=47.3nmn3=1.44L5材料d3=28.8nmn3=1.45L5材料d3=33.8nmn3=1.45第4層氧化鋯d4=26nmn4=1.86氧化鋯d4=55.9nmn4=1.86氧化鋯d4=60.9nmn4=1.86第5層氧化硅d5=10.6nmn5=1.44氧化硅d5=12.3nmn5=1.44氧化硅d5=22.4nmn5=1.44第6層氧化鋯d6二60.5nmn6=1.86氧化鋯d6=38.4nmn6=1.86第7層L5材料d7=59.45nmn7=1.45L5材料d7=97.1nmn7=1.45第8層ITOd8=8nmn8=1.89第9層氧化硅d9=llnmn9=1.44分光反射率特性人,(應(yīng))(Rmin1(0/0))A2(nm)(Rmin2(%))405(0.1以下)730(0.5以下)420(0.6以下)720(0.4以下)420(0.65以下)730(0.2以下)17[反射防止性能的評(píng)價(jià)]用反射率測(cè)定儀"USPM-RU"(商品名稱，才IJ》久抹式會(huì)社制造)測(cè)定上述形成的實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)的光學(xué)部件的分光反射率特性，按照下述基準(zhǔn)評(píng)價(jià)反射防止性能，得到下表8所示結(jié)果。在波長(zhǎng)350-1000nm的分光反射率特性中，以表示極小反射率的最短波長(zhǎng)為？^(nm)，與該波長(zhǎng)X!對(duì)應(yīng)的反射率為Rmin1(%);其次第2短波長(zhǎng)為？t2(nm)，與該波長(zhǎng)人2對(duì)應(yīng)的反射率為Rmin2(%)時(shí)，各光學(xué)部件的極小反射率Rmin1、Rmin2如上述表1~表7的最下欄所示。另外，各光學(xué)部件的分光反射率特性如各圖所示，例如實(shí)施例(3)是圖2的"曲線1";比較例(1)是圖2的"曲線2";實(shí)施例(12)是圖3的"曲線3";比較例(7)是圖3的"曲線4";實(shí)施例(15)是圖4的"曲線5";比較例(8)是圖4的"曲線6";實(shí)施例(16)是圖5的"曲線7";比較例(9)是圖5的"曲線8";反射防止性能的評(píng)價(jià)水準(zhǔn)實(shí)施例(1)~(11)及比較例(1)~(6)的情況o:極小反射率的波長(zhǎng)X1為750±20nm,其波長(zhǎng)X1的反射率Rminl在O.7%未滿。用作光拾取裝置的物鏡時(shí)，信息記錄、再生時(shí)完全沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題?！?波長(zhǎng)Xl為750士20nm，反射率Rmin1在0.7%以上1%未滿。記錄、再生時(shí)沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題。x:上述o、A的基準(zhǔn)都不滿足。記錄、再生時(shí)有實(shí)用上的問(wèn)題。實(shí)施例(12)~(14)及比較例(7)的情況o:極小反射率的波長(zhǎng)Xl為405士20nm,其波長(zhǎng)X1的反射率Rminl在O.7%未滿。記錄、再生時(shí)完全沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題?！?波長(zhǎng)Xl為405士20nm，反射率Rmin1在0.7。/0以上1.0%未滿。記錄、再生時(shí)沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題。x:上述o、A的基準(zhǔn)都不滿足。記錄、再生時(shí)有實(shí)用上的問(wèn)題。實(shí)施例(15)~(16)及比較例(8)~(9)的情況o:極小反射率的波長(zhǎng)Xl為405士20nm,其波長(zhǎng)X1的反射率R18頁(yè)min1在0.7%未滿。并且極小反射率的波長(zhǎng)X2為700士50nm，其波長(zhǎng)人2的反射率Rmin2在0.7%未滿。記錄、再生時(shí)完全沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題?！?波長(zhǎng)人l為405士20nm，反射率Rmin1在0.7%以上1%未滿。并且極小反射率的波長(zhǎng)X2為700±50nm，其波長(zhǎng)人2的反射率Rmin2在0.7%以上1%未滿。記錄、再生時(shí)沒(méi)有實(shí)用上的問(wèn)題。x:上述o、A的基準(zhǔn)都不滿足。記錄、再生時(shí)有實(shí)用上的問(wèn)題。(表8)<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>作為實(shí)施例(1)-(16)、比較例(1)~(9)的光學(xué)部件'制作下述測(cè)定試料(1)、(2)，然后用極超絕緣計(jì)(SM-10E型、東亞電波工業(yè)抹式會(huì)社制造)實(shí)際測(cè)量并計(jì)算，按照以下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)帶電防止性能，得到的結(jié)果如下表9及上表8所示。測(cè)定試料測(cè)定試料(1):直徑cp30mm,厚度3mm的圓盤狀塑料試驗(yàn)件測(cè)定試料(2):對(duì)象形狀的光學(xué)部件而且上述測(cè)定試料(1)、(2)的反射防止膜和防水涂層采用真空鍍氣法或飛'減法、CVD法等，通過(guò)反射防止膜形成裝置，用相同的條件形成。另外，測(cè)定試料(1)只對(duì)實(shí)施例(1)制作，測(cè)定試料(2)分別對(duì)實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)制作。測(cè)定和計(jì)算方法步驟1:表面電阻值換算系數(shù)Rso/R的算出首先，對(duì)于上述測(cè)定試料(l),用所述極超絕緣計(jì)測(cè)定具有反射防止膜的光學(xué)面的表面電阻值Rso(單位MQ/口)。而對(duì)于測(cè)定試料(2)，如圖6所示，首先，在涂層了反射防止膜的光學(xué)面上，用銀糊劑等導(dǎo)電性涂料形成電極5a、5b,用上述極超絕緣計(jì)6測(cè)定該電極5a、5b間的電阻值R(単位MQ)。然后，從測(cè)到的表面電阻值Rso及電阻值R算出Rso/R，以該值作為表面電阻值換算系數(shù)。以上步驟1只對(duì)實(shí)施例(1)進(jìn)行。由此，從測(cè)定試料(1)實(shí)際測(cè)量表面電阻值Rso,得到Rso=4x104MQ/口之結(jié)果。另外，從測(cè)定試料(2)實(shí)際測(cè)量電阻值R，得到R:2xl()3MQ之結(jié)果。然后，得到表面電阻值換算系數(shù)Rso/R=20之結(jié)果。步驟2:表面電阻值Rs的測(cè)定。對(duì)于實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)的測(cè)定試料(2),在試料表面形成與上述步驟1中使用的同形狀、同配置的電極5a、5b之后(參照?qǐng)D6),用上述極超絕緣計(jì)6實(shí)際測(cè)量該電極5a、5b間的電阻值R(単位MQ),通過(guò)以下計(jì)算式求得表面電阻值Rs。即，對(duì)于實(shí)施例(2)~(16)、比較例(1)~(9)只制作測(cè)定試料(2)測(cè)定電阻值R,對(duì)于實(shí)施例(1)，通過(guò)乘上求得的表面電阻值換算系數(shù)Rso/R(=20)，求得表面電阻值Rs。Rs=Rx(Rso/R)因?yàn)楸砻骐娮柚礡S和電阻值R的值容易受測(cè)定環(huán)境的濕度影響，所以上述測(cè)定是在相對(duì)濕度20%、溫度l5-25。C的低濕條件下進(jìn)行的。帶電防止性能的評(píng)價(jià)水準(zhǔn)o:表面電阻值Rs在105MQ/n未滿。在動(dòng)的狀態(tài)下也有帶電防止效果。△:表面電阻值Rs為105—'MQ/口。在靜的狀態(tài)下有帶電防止效果。x:表面電阻值Rs在l07MQ/口以上。靜電荷蓄積在表面，沒(méi)有帶電防止效果。上述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)根據(jù)"帶電防止材料的最新技術(shù)和應(yīng)用展開(kāi)"(出版社抹式會(huì)社、-一工厶〉一出版)設(shè)定。22<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>比較例(9)i2.〗;xioE+E+6△上述表9中的"10E+n，，(n為自然數(shù))表示"10n，，。[防污性能的評(píng)價(jià)]對(duì)實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)的作為光學(xué)部件的上述測(cè)定試料(1)、(2)的防污引起的透過(guò)率變動(dòng)量進(jìn)行測(cè)定，按照以下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)防污性能，得到上述表8的結(jié)果。測(cè)定方法首先，用以往周知的透過(guò)率測(cè)定裝置，采用測(cè)定試料(2),分別測(cè)定實(shí)施例(1)~(11)及比較例(1)~(6)對(duì)波長(zhǎng)650nm光束的透過(guò)率；實(shí)施例(12)~(16)及比較例(7)~(9)對(duì)波長(zhǎng)405nm光束的透過(guò)率。接下去，將濕度維持在20%以下，在充滿香煙煙霧的玻璃容器中配置各實(shí)施例、比較例的測(cè)定試料(2)，放置l星期之后，用同樣的條件測(cè)定透過(guò)率。防污性能的評(píng)價(jià)水準(zhǔn)o:放置后的透過(guò)率降低到1%未滿?！?放置后的透過(guò)率降低到1%以上~2%未滿。x:放置后的透過(guò)率降低到2%以上。[膜強(qiáng)度的評(píng)價(jià)]對(duì)實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)的作為光學(xué)部件的上述測(cè)定試料(1)、(2)的膜強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定，按照以下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)防污性能，得到上述表8的結(jié)果。測(cè)定方法用染入了異丙醇的棉棒抹擦測(cè)定試料(2)的表面，到表面反射防止膜或防水膜剝離為止測(cè)定抹擦次數(shù)。抹擦載重在5~10g之間。另外，測(cè)定是對(duì)沒(méi)有衍射構(gòu)造等凸凹形狀的部分進(jìn)行的。膜強(qiáng)度的評(píng)價(jià)水準(zhǔn)o:未滿50次最表層的反射防止膜、防水涂層沒(méi)有剝離。△:未滿IO次最表層的反射防止膜、防水涂層沒(méi)有剝離，未滿50次剝離。x:未滿IO次最表層的反射防止膜、防水涂層剝離。24綜合評(píng)價(jià)根據(jù)以上結(jié)果，按照以下評(píng)價(jià)水準(zhǔn)，對(duì)實(shí)施例(1)~(16)、比較例(1)~(9)的光學(xué)部件的進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)，得到了如上表8所示的結(jié)果。綜合評(píng)價(jià)的評(píng)價(jià)水準(zhǔn)o:4項(xiàng)目所有的評(píng)價(jià)項(xiàng)目為o。實(shí)用上極其優(yōu)異?！?4項(xiàng)目中只有1個(gè)為A,其他都是o。實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。x-.上述o、A基準(zhǔn)都不滿足。實(shí)用上有問(wèn)題。由此可知，導(dǎo)電材料層(第(n-1)層)的厚度在3nm以上25nm以下，且導(dǎo)電材料層表面與光學(xué)部件的最外表面的距離在4nm以上20nm以下時(shí)，綜合評(píng)〗介在A水準(zhǔn)以上，實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。其中可知，尤其在導(dǎo)電材料層的厚度大于18nm時(shí)，如實(shí)施例(7)、(11)及比較例(6)所示，膜強(qiáng)度為A水準(zhǔn)?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)榕c金屬氧化物、氧化硅層相比，導(dǎo)電材料層膜強(qiáng)度、例如硬度、稠密性、耐擦性等較低的原因。還可以認(rèn)為是因?yàn)樵跇?shù)脂制的基材上成膜導(dǎo)電材料層時(shí)，與在玻璃制的基材上成膜的情況相比，不能維持基材溫度的高溫，導(dǎo)電材料層的膜強(qiáng)度降低，所以如果增大導(dǎo)電材料層厚度的話，則即使在其表面?zhèn)仍O(shè)氧化硅等層，反射防止膜整體的膜強(qiáng)度也不易變佳。對(duì)此，可知導(dǎo)電材料層的厚度在3nm以上l8nm以下時(shí)，上述問(wèn)題得到改善，綜合評(píng)價(jià)為o水準(zhǔn)。反之可知，導(dǎo)電材料層的厚度大于25nm時(shí)，表面電阻值減小，難以維持良好的反射防止性能，另外即使在導(dǎo)電材料層的表面?zhèn)仍O(shè)氧化硅等層也不提高膜強(qiáng)度(請(qǐng)參照比較例(6))。另外可知，導(dǎo)電材料層的厚度在3nm未滿時(shí)，表面電阻值變大，另外鍍氣條件引起的電阻值的變動(dòng)增大，其結(jié)果帶電防止性能、防污性能降低(請(qǐng)參照比較例(5))。另外可知，在導(dǎo)電材料層的表面?zhèn)确e層氧化硅等時(shí)，該層的厚度在4nm未滿的話，由于導(dǎo)電材料層的膜強(qiáng)度低所以不能提高反射防止膜的膜強(qiáng)度(請(qǐng)參照比較例(2)),而在4nm以上的話，則能夠提高膜強(qiáng)度(請(qǐng)參照實(shí)施例(1)~(16))。實(shí)施例(7)、(11)中膜強(qiáng)度若干低于A水準(zhǔn)，可以認(rèn)為是因?yàn)槿缟纤鰧?dǎo)電材料層的層厚大于18nm的原因。另外可知，如果氧化硅等的層厚在20nm以上的話，雖然能夠提高膜強(qiáng)度，但反射防止膜的表面電阻值增大，帶電防止性能和防污性能降低(請(qǐng)參照比較例(3)、(4))。權(quán)利要求1.一種光學(xué)部件，備有基材和設(shè)在該基材表面的反射防止膜，光學(xué)部件的特征在于，所述反射防止膜具有導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，該導(dǎo)電材料層的表面與該光學(xué)部件的表面的距離為4～20nm。2.權(quán)利要求1中記載的光學(xué)部件，其特征在于，該光學(xué)部件的表面電阻值為105MQ/口未滿。3.—種光學(xué)部件，備有基材和設(shè)在該基材表面的反射防止膜，光學(xué)部件的特征在于，所述反射防止膜具有導(dǎo)電材料層，該導(dǎo)電材料層在該光學(xué)部件的表面內(nèi)側(cè)，由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，該光學(xué)部件的表面電阻值為105MQ/口未滿。4.權(quán)利要求1~3的任何一項(xiàng)中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層的厚度為3~25nm。5.權(quán)利要求4中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層的厚度為3~18nm。6.權(quán)利要求1~5的任何一項(xiàng)中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述具有導(dǎo)電性的材料是高折射率材料，其對(duì)于波長(zhǎng)為600nm之光束的折射率在(1.55以上。7.權(quán)利要求6中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述高折射率材料是含有氧化銦系或氧化鋅系的混合材料。8.權(quán)利要求17的任何一項(xiàng)中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述反射防止膜具有低折射率層，該低折射率層比所述導(dǎo)電材料層還要靠近該光學(xué)部件的表面，由對(duì)波長(zhǎng)為600nm之光束的折射率為1.55未滿的低折射率材料構(gòu)成。9.權(quán)利要求8中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層的厚度為4~20nm。10.權(quán)利要求8或9中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層位于該光學(xué)部件的表面。11.權(quán)利要求8或9中記載的光學(xué)部件，其特征在于，具有防水涂層，該防水涂層比所述低折射率層還要靠近該光學(xué)部件的表面。12.權(quán)利要求8~11的任何一項(xiàng)中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述低折射率層含有氧化硅或氧化硅及氧化鋁的混合材料的任何一種。13.權(quán)利要求1-12的任何一項(xiàng)中記載的光學(xué)部件，其特征在于，所述基材由高分子樹(shù)脂形成。全文摘要為了防止附上污染同時(shí)防止擦傷，光學(xué)部件(1)備有基材(2)和反射防止膜(3)，其中反射防止膜(3)被形成為n個(gè)層，設(shè)在基材(2)表面。該反射防止膜(3)具有第(n-1)層M_n-1，該第(n-1)層M_n-1由具有導(dǎo)電性的材料構(gòu)成，該第(n-1)層M_n-1表面與該光學(xué)部件的表面的距離為4～20nm。文檔編號(hào)G11B7/135GK101501768SQ20078002940公開(kāi)日2009年8月5日申請(qǐng)日期2007年8月1日優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日發(fā)明者太田達(dá)男,根塚健治申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)精密光學(xué)株式會(huì)社