專利名稱：阻抗可變存儲器件及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文所公開的本發(fā)明涉及存儲器件，更具體而言，涉及阻抗可變 存儲器件及其操作方法。
背景技術(shù)：
對實現(xiàn)高集成度及高容量的半導(dǎo)體存儲器件的需求已穩(wěn)步增長。 此半導(dǎo)體器件的一示例為閃速存儲器，其主要用于便攜式電子器件中。 此外，已出現(xiàn)具有取代如DRAM中所使用的電容的非易失性材料的半
導(dǎo)體存儲器件。
例如，此種半導(dǎo)體器件包括使用鐵電電容的鐵電RAM (FRAM)、 使用隧道式磁阻(TMR)層的磁性RAM (MRAM)、及使用硫化物合 金的相變存儲器件。更具體地說，諸如相變存儲器件的阻抗可變存儲 器件可以相對簡單的工藝制造并以相對低的代價實施在高容量存儲器 中。
圖l示出典型阻抗可變存儲器件的存儲單元。參照圖l，阻抗可變 存儲器件的存儲單元10包括可變電阻器C及存取晶體管M。
可變電阻器C連接至位線BL。存取晶體管M連接在可變電阻器C與 接地端子之間。字線WL連接至存取晶體管M的柵極。當(dāng)預(yù)設(shè)電壓施加
至字線WL時，存取晶體管M導(dǎo)通。當(dāng)存取晶體管M導(dǎo)通時，可變電阻 器C借助位線BL接收電流Ic。
可變電阻器C包括相變材料(未示出)。相變材料有兩種穩(wěn)定狀態(tài)， 即根據(jù)溫度的晶態(tài)或非晶態(tài)。即根據(jù)借助位線BL提供的電流Ie相變材料 變?yōu)榫B(tài)或非晶態(tài)。相變存儲器件利用相變材料的上述特性編程數(shù)據(jù)。
圖2是示出相變材料特性的曲線圖。標號l顯示相變材料變?yōu)榉蔷?態(tài)的情況，標號2顯示相變材料變?yōu)榫B(tài)的情況。
參照圖2，在時段T1內(nèi)，通過提供電流Ic使其被加熱到熔化溫度Tm 之上后，相變材料(例如"GST")變?yōu)榉蔷B(tài)。GST是鍺、鍺銻碲 (GeSbTe)的硫化物合金。非晶態(tài)通常被稱為復(fù)位狀態(tài)，且數(shù)據(jù)"1" 在此狀態(tài)被存儲。
相反，在時段T2中比T1長的時間內(nèi)，在被加熱至結(jié)晶溫度Tc與熔 化溫度Tm之間后，相變材料變?yōu)榫B(tài)。晶態(tài)通常被稱為置位狀態(tài)，且 數(shù)據(jù)"0"在此狀態(tài)被存儲。存儲單元具有其阻抗根據(jù)相變材料的非晶 量不同而變化的特性。存儲單元的阻抗在非晶態(tài)最高，在晶態(tài)最低。
近年來，已開發(fā)出在一個存儲單元中存儲兩位或更多位數(shù)據(jù)的技 術(shù)。此種存儲單元被稱為多層單元(MLC)，其具有根據(jù)阻抗分布的 多種狀態(tài)。在阻抗可變存儲器件中，MLC進一步包括復(fù)位狀態(tài)與置位 狀態(tài)之間的中間狀態(tài)。用于編程具有MLC的阻抗可變存儲器件的方法 公開于第6,625,054號美國專利中(下文中稱為"054專利")。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，圖3A至3D示出編程具有典型MLC的阻抗可變存儲 器件的方法的曲線圖，其中圖3A-3D中每一幅圖代表一組不同的編程信 號。圖3A-3D中示出的編程方法公布于054專利中。參照圖3A-3D，不 同的時間TO-Tll表示于時間軸上且電流IO (最小)、II (圖3A、 B、 D
中最大)及12 (圖3C中最大)表示于電流軸上。根據(jù)編程脈沖的下降 時間，每幅圖中所代表的存儲單元包括四個狀態(tài)。存儲單元處于復(fù)位 狀態(tài)的情況稱為狀態(tài)"11"，存儲單元處于置位狀態(tài)的情況稱為狀態(tài) "00"。根據(jù)相變材料的非晶量，存儲單元還進一步具有狀態(tài)"10" 及狀態(tài)"01"。
根據(jù)054專利，相變存儲器件通過控制施加至存儲單元的電流脈沖 的下降時間來將兩個位編程入一個存儲單元。054專利使用相變材料的 非晶量隨電流脈沖下降時間的增加而減小的特性。
編程后幾納秒時的阻抗與編程后幾天或幾十天時的阻抗應(yīng)該沒有 區(qū)別，使得典型阻抗可變存儲器件，例如054專利中的阻抗可變存儲器 件，執(zhí)行正常MLC操作。然而，由于相變材料(GST)的特性，阻抗 可變存儲器件的阻抗將根據(jù)時間的流逝而變化。此現(xiàn)象稱為阻抗漂移， 其可負面地影響器件的可靠性。設(shè)計最小化或基本消除阻抗漂移的阻 抗可變存儲器件將是有益的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的各方面，提供一種阻抗可變存儲器件及其操作方法， 其可抑制阻抗漂移。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于操作在頂部電極與底部電極 之間具有相變材料的阻抗可變存儲器件的方法。所述方法包括施加寫
電流以編程相變材料；及在施加寫電流的同時，施加讀電流以讀取存 儲在相變材料中的數(shù)據(jù)，其中寫電流與讀電流的方向彼此相反。
寫電流可以從頂部電極至底部電極的方向施加，且讀電流可以從 底部電極至頂部電極的方向施加。
可通過施加寫電流編程相變材料，且可通過施加讀電流抑制相移
材料的阻抗漂移。
讀電流可以在編程操作之后施加到執(zhí)行的虛讀操作中。 讀電流可以施加到正常讀操作中。
在兩種情況中的任一種中，配置相變材料以呈現(xiàn)多種狀態(tài)中的一 種，每種具有不同阻抗。多種狀態(tài)可以是"00" 、"01" 、"10"及
寫電流可以是從底部電極至頂部電極的第一方向，且讀電流可以 是從頂部電極至底部電極的方向。
可通過施加寫電流編程相變材料，且可通過施加讀電流抑制相移 材料的阻抗漂移。
讀電流可以在編程操作之后施加到執(zhí)行的虛讀操作中。
讀電流可以施加到正常讀操作中。
在兩種情況中的任一種中，配置相變材料以呈現(xiàn)多種狀態(tài)中的一
種，每種具有不同阻抗。多種狀態(tài)可以是根據(jù)阻抗的四種狀態(tài)"00"、 "01" 、 "10"及"11"。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種阻抗可變存儲器件，包括配 置相變材料以第一方向傳遞用于編程相變材料的寫電流，同時以與第 一方向相反的第二方向傳遞用于讀取存儲在相變材料中數(shù)據(jù)的讀電 流。
相變材料可連接在頂部電極與底部電極之間且可在底部電極配置變成非晶態(tài)。
寫電流可以從頂部電極至底部電極的第一方向流動，且讀電流可 以從底部電極至頂部電極的第二方向流動。
在此情況下，所施加的讀電流可抑制相變材料的阻抗漂移。
寫電流可以從底部電極至頂部電極的第一方向流動，且讀電流可 以從頂部電極至底部電極的第二方向流動。
在此情況下，所施加的讀電流可抑制相變材料的阻抗漂移。
配置相變材料以呈現(xiàn)多種狀態(tài)的一種，每種狀態(tài)具有不同阻抗。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種存儲系統(tǒng)，包括阻抗可變存 儲器件；及經(jīng)配置以控制阻抗可變存儲器件的存儲控制器，其中配置 阻抗可變存儲器件以第一方向傳遞用于編程相變材料的寫電流，同時 以與第一方向相反的第二方向傳遞用于讀取存儲在相變材料中數(shù)據(jù)的
讀電流。
相變材料可連接在頂部電極與底部電極之間，其中寫電流以從頂 部電極至底部電極的第一方向流動，且讀電流以從底部電極至頂部電 極的第二方向流動。
相變材料可連接在頂部電極與底部電極之間，其中寫電流以從底 部電極至頂部電極的第一方向流動，且讀電流以從頂部電極至底部電 極的第二方向流動。


附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步理解，且結(jié)合進說明書
并組成本說明書的一部分。附圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，且 與說明一起用來解釋本發(fā)明的原理。附圖中
圖l示出典型阻抗可變存儲器件的存fit單元； 圖2是示出相變材料特性的曲線圖3A至3D顯示示出用于編程具有典型多層單元(MLC)的阻抗可 變存儲器件的方法的曲線圖4至7是示例性示出根據(jù)本發(fā)明各方面的阻抗可變存儲器件的實
施例中寫電流及讀電流的方向的框圖8是示出依賴于圖4至6中電流方向的阻抗漂移抑制效果的表格。
圖9是示出圖8所示試驗結(jié)果的曲線圖；以及
圖10是包括根據(jù)本發(fā)明的阻抗可變存儲器件的計算系統(tǒng)的方塊圖 實施例。
具體實施例方式
下文中將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的各方面。當(dāng)描述這些實施例時， 為簡明起見一般省略掉熟知項目、功能、或結(jié)構(gòu)的詳細描述。
應(yīng)了解，雖然在本文中術(shù)語第一、第二等用于描述各種元件，但 是這些元件不應(yīng)由這些術(shù)語限定。這些術(shù)語用于區(qū)別一個元件和另一 個元件，但并非暗示元件的必需順序。例如，第一元件可稱為第二元 件，且類似地，第二元件可稱為第一元件，而不背離本發(fā)明的范圍。 如本文中所使用，術(shù)語"及/或"包括一個或更多相關(guān)已列出術(shù)語的任 一和所有組合。
應(yīng)了解，當(dāng)一元件被稱為"在...上面"或"連接"或"耦接"至 另一元件時，它可以直接在上面或連接或耦接至其他元件或可存在介 入元件。相反，當(dāng)一元件被稱為"直接在…上面"或"直接連接"或 "直接耦接"至另一元件時，不存在介入元件。用來描述元件間關(guān)系 的其它詞語應(yīng)以類似方式解釋(例如，"在…之間"相對"直接在… 之間"，"鄰近"相對"直接鄰近"等)。
本文所使用的術(shù)語學(xué)僅用于描述具體實施例的目的且并非意欲限 定本發(fā)明。如本文中所使用的，除非上下文另外明確指出，單數(shù)形式 "一"、"一個"及"那個"也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)了解，術(shù)語 "包含有"、"包含"、"包括有"及/或"包括"，當(dāng)在本文中使用 時規(guī)定存在所陳述的特征、步驟、操作、元件、及/或組件，但并不排 除存在或增加一個或更多它的其它特征、步驟、操作、元件、組件、 及/或群組。
空間上相關(guān)的術(shù)語，比如"在…之下"、"下面"、"下部"、 "底部"、"上面"、"上部"、"頂部"等等可用于描述一元件 及/或特征與另外一個或多個元件及/或一個或多個特征的關(guān)系，例如， 如圖所示。應(yīng)了解，空間上相關(guān)的術(shù)語意欲包含除附圖中所示方向外 在使用及/或操作中的器件的不同方向。例如，若附圖中器件翻轉(zhuǎn)，則 描述為在其它元件或特征"下面"及/或"在…之下"的元件將定向為 其它元件或特征"上面"。所述器件可以其它方向定向(例如，旋轉(zhuǎn) 卯度或其它方向)且本文中使用的空間相關(guān)描述符相應(yīng)地作出解釋。
圖4至7是示例性示出根據(jù)本發(fā)明各方面的阻抗可變存儲器件的實 施例中寫電流及讀電流的方向的框圖。阻抗可變存儲器件通過施加方
向彼此相反的寫電流及讀電流來抑制阻抗漂移。隨著相變材料(GST) 的阻抗減小阻抗漂移的抑制效果改善。在本實施例中，圖4-6中相變材 料(GST)的初始阻抗約400kQ,圖7中初始阻抗約100kfi。
圖4顯示阻抗可變存儲器件中寫電流及讀電流的方向。參照圖4， 可變電阻器100包括相變材料(GST)。相變材料(GST)連接在頂部 電極TEC與底部電極BEC之間。頂部電極TEC連接至位線(未示出)， 底部電極連接至選擇元件(未示出)。
相變材料(GST)具有根據(jù)非晶量的可變阻抗值。阻抗值與非晶
量成比例。編程狀態(tài)分為具有低阻抗的晶態(tài)和具有高阻抗的非晶態(tài)。
晶態(tài)，其中存儲數(shù)據(jù)"o"，被稱為置位狀態(tài)。非晶態(tài)，其中存儲數(shù)據(jù) "1"，被稱為復(fù)位狀態(tài)。單層單元(SLC)在一個存儲單元中存儲數(shù) 據(jù)"0"或"1"。
被稱為多層單元(MLC)的存儲單元可包括晶態(tài)與非晶態(tài)之間的 各種中間狀態(tài)。多層單元(MLC)可在一個存儲單元中存儲兩位或更 多位數(shù)據(jù)。存儲單元具有基于MLC編程操作的多種狀態(tài)中的一個。例 如，假定在一個存儲單元中存儲兩位數(shù)據(jù)，存儲單元具有四種狀態(tài)"ll"
"io，， "or，及"oo，，。
被稱為復(fù)位狀態(tài)的狀態(tài)具有最高阻抗值。被稱為置位狀態(tài)
的狀態(tài)"00"具有最低阻抗值。作為第一及第二中間狀態(tài)的狀態(tài)"10" 及"01"分別具有第一及第二中間阻抗值。狀態(tài)"10"的阻抗值大于 狀態(tài)"01"的阻抗值。
參照圖4，以從頂部電極至底部電極的方向，即A-B方向，施加寫 電流及讀電流，其分別被稱為正向?qū)戨娏鱂wd—W及正向讀電流Fwd—R。 相反，以方向(從底部電極至頂部電極)即B-A方向，施加的電流分別 被稱為反向?qū)戨娏?^5_\￥ (見圖5)及反向讀電流Rvs一R (見圖6及7)。
如圖4所示，典型的阻抗可變存儲器件在編程操作中施加正向?qū)戨?流FwcLW，在讀操作中施加正向讀電流Fwd—R。在典型的阻抗可變存 儲器件中，可因阻抗漂移發(fā)生讀取錯誤。然而，在根據(jù)本發(fā)明各方面 的阻抗可變存儲器件中，寫電流與讀電流以相反方向流動從而抑制阻 抗漂移。
圖5示出用于操作根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中可變阻抗的方法。參 照圖5，寫電流以從底部電極至頂部電極的方向，即B-A方向施加，讀 電流以從頂部電極至底部電極的方向，即A-B方向施加。
在此，正向讀電流Fwd—R可能是正常讀操作中施加的電流，或可 能是編程操作之后施加的虛讀電流。根據(jù)本發(fā)明實施例的阻抗可變存
儲器件通過施加反向?qū)戨娏鱎vs—W和正向讀電流Fwd—R抑制阻抗漂 移。
圖6示出用于操作根據(jù)本發(fā)明的第二實施例中阻抗可變存儲器件 的方法。參照圖6，寫電流以從頂部電極至底部電極的方向，即A-B方 向施加。讀電流以從底部電極至頂部電極的方向，即B-A方向施加。
在此，反向讀電流Rvs一R可能是正常讀操作中施加的電流，或可能 是編程操作之后施加的虛讀電流。根據(jù)本發(fā)明實施例的阻抗可變存儲 器件通過施加正向?qū)戨娏鱂wd—W和反向讀電流Rvs—R抑制阻抗漂移。
根據(jù)實驗結(jié)果，可以驗證圖6中示出的方法比圖5中示出的方法對 阻抗漂移有更明顯的抑制效果。根據(jù)圖5中所示的方法，在反向?qū)懖僮?中再現(xiàn)性可能會減小，并且阻抗值也可能不會穩(wěn)定地獲取。因此，阻 抗可變存儲器件優(yōu)選施加如圖6所示的正向?qū)戨娏鱂wd一W和反向讀電 流Rvs一R。
當(dāng)使用圖6所示方法時，阻抗漂移隨初始阻抗變低而減小。圖7顯 示初始阻抗為100 kfi ，并施加正向?qū)戨娏鱂wd一W及反向讀電流Rvs一R。 參照圖7，應(yīng)了解相變材料(GST)的非晶量比圖6中可變電阻器400的 非晶量小。
圖8是示出依賴于圖4至6中電流方向的阻抗漂移抑制效果的表格。 圖8是當(dāng)初始阻抗約400kQ時獲得的實驗數(shù)據(jù)。由于阻抗漂移，初始阻 抗隨時間流逝而變化。
首先，相對圖4展示的情況對應(yīng)于施加正向?qū)戨娏鱂wd—W和正向讀
電流Fwd—R的情形。根據(jù)圖4，可變電阻器IOO在5秒后具有約390 kfi 的阻抗，在180秒后具有約1.1 Mfi的阻抗，以及在300秒后具有約1.2 MO 的阻抗。圖4所示可變電阻器100顯示在5秒后在阻抗值基礎(chǔ)上漂移變化 約129.9%和139.2%。
其次，相對圖5展示的情況對應(yīng)于施加反向?qū)戨娏鱎vs—W和正向讀 電流Fwd一R的情形。根據(jù)圖5，可變電阻器200在5秒后具有約412 kQ 的阻抗，在180秒后具有約505 kQ的阻抗，以及在300秒后具有約512kli 的阻抗。圖5所示可變電阻器200顯示在5秒后在阻抗值基礎(chǔ)上漂移變化 約122.4%和124.1%。因此，可以驗證相對圖5示出的可變電阻器比 圖4中示出的可變電阻器對阻抗漂移有更明顯的抑制效果。
再次，相對圖6展示的情況對應(yīng)于施加正向?qū)戨娏鱂wd一W和反向讀 電流Rvs一R的情形。根據(jù)圖6，可變電阻器300在5秒后具有約409kO的 阻抗，在180秒后具有約447kQ的阻抗，以及在300秒后具有約501kQ的 阻抗。圖6所示可變電阻器300顯示在5秒后在阻抗值基礎(chǔ)上漂移變化約 109.2%和122.4%。因此，可以驗證相對圖6示出的可變電阻器比圖4 及5中示出的可變電阻器對阻抗漂移有更明顯的抑制效果。
圖9是示出圖8所示實驗結(jié)果的曲線圖。圖9顯示隨初始阻抗減小阻 抗漂移的抑制效果改善。參照圖9，符號①是相對圖4描述的方法的實 驗結(jié)果，符號②是相對圖5描述的方法的實驗結(jié)果，符號③是相對圖6 描述的方法的實驗結(jié)果，以及符號④是相對圖7描述的方法的實驗結(jié) 果。在圖7的可變電阻器中，初始阻抗為100kQ。
圖9驗證了當(dāng)寫電流和讀電流方向彼此相反時抑制阻抗漂移。此 外，隨初始阻抗減小進一步抑制阻抗漂移。
在MLC操作中，阻抗漂移可能是更嚴重的限制。存儲單元在完全 晶態(tài)"00"或完全非晶態(tài)"11"可能不會受到明顯影響。這是因為在
完全晶態(tài)沒有阻抗漂移且在完全非晶態(tài)沒有用來交疊的層。
然而，當(dāng)存儲單元編程為中間狀態(tài)"10"或"01"時，阻抗漂移 可能成為一個限制。 一旦發(fā)生阻抗漂移，就會有編程狀態(tài)交疊，引起 讀取錯誤。在根據(jù)本發(fā)明的實施例的阻抗可變存儲器件中，寫電流與
讀電流方向彼此相反，從而解決因阻抗漂移引起的限制，尤其是在MLC
操作中。
圖10是包括根據(jù)本發(fā)明各方面的阻抗可變存儲器件的計算系統(tǒng) 500的實施例的方塊圖。參照圖IO，計算系統(tǒng)500包括閃速存儲系統(tǒng)510、 中央處理單元(CPU) 530、用戶接口540、及電源520。閃速存儲系統(tǒng) 510包括阻抗可變變化存儲器件511 (例如，相變隨機存取存儲器 (PRAM))及存儲控制器512。 CPU電連接至系統(tǒng)總線550。
阻抗可變變化存儲器件511通過存儲控制器512存儲數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)從 用戶接口540接收或由CPU處理。存儲系統(tǒng)可用例如半導(dǎo)體碟片器件 SSD。在此情況下，計算系統(tǒng)500的啟動速度顯著增加。
雖然未顯示，但所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)了解計算系統(tǒng)500可進 一步包括應(yīng)用芯片組、照相機圖像處理器CIS、及移動DRAM等等。
雖然上文中已描述所認為的最佳模式及/或其它優(yōu)選實施例，應(yīng)了 解可對其作出各種修改且該發(fā)明或該等發(fā)明可以各種形式及實施例實
現(xiàn)，且可用于眾多應(yīng)用中，本文中僅描述了其中的一些。后續(xù)權(quán)力要 求旨在主張其所逐字描述的以及其所有等價，包括落入每項權(quán)利要求 范圍內(nèi)的所有修改及變化。因此，由法律所允許的最大程度，本發(fā)明 的范圍由后續(xù)權(quán)利要求及其等價條款的最廣泛可允許的闡釋來確定， 而不應(yīng)由上文具體實施方式
來限制或限定。
權(quán)利要求
1.一種用于操作在頂部電極與底部電極之間具有相變材料的阻抗可變存儲器件的方法，所述方法包括施加寫電流以編程所述相變材料；以及在施加所述寫電流的同時，施加讀電流以讀取存儲在所述相變材料的數(shù)據(jù)，其中所述寫電流與所述讀電流的方向彼此相反。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，包括以從所述頂部電極至所述底部 電極的方向施加所述寫電流，并且以從所述底部電極至所述頂部電極 的方向施加所述讀電流。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中通過施加所述寫電流編程所述 相變材料，并且通過施加所述讀電流抑制所述相移材料的阻抗漂移。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，包括在編程操作后執(zhí)行的虛讀操作 中施加所述讀電流。
5. 如權(quán)利要求3所述的方法，包括在正常讀操作中施加所述讀電流。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，包括以從所述底部電極至所述頂部 電極的方向施加所述寫電流，且包括以從所述頂部電極至所述底部電 極的方向施加所述讀電流。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中通過施加所述寫電流編程所述 相變材料，并且通過施加所述讀電流抑制所述相移材料的阻抗漂移。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，包括在編程操作后執(zhí)行的虛讀操作中施加所述讀電流。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，包括在正常讀操作中施加所述讀電流。
10. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中配置所述相變材料以呈現(xiàn)多種 狀態(tài)的一種，每種狀態(tài)具有不同阻抗。
11. 一種阻抗可變存儲器件，包括相變材料，被配置以第一方向傳遞用于編程所述相變材料的寫電 流，同時以與所述第一方向相反的第二方向傳遞用于讀取在所述相變 材料存儲的數(shù)據(jù)的讀電流。
12. 如權(quán)利要求ll所述的阻抗可變存儲器件，其中所述相變材料連接在頂部電極與底部電極之間，并且被配置以在所述底部電極處變 為非晶態(tài)。
13. 如權(quán)利要求12所述的阻抗可變存儲器件，其中所述寫電流以 從所述頂部電極至所述底部電極的所述第一方向流動，并且所述讀電 流以從所述底部電極至所述頂部電極的所述第二方向流動。
14. 如權(quán)利要求13所述的阻抗可變存儲器件，其中所述施加的讀 電流抑制所述相變材料的阻抗漂移。
15. 如權(quán)利要求12所述的阻抗可變存儲器件，其中所述寫電流以 從所述底部電極至所述頂部電極的所述第一方向流動，并且所述讀電 流以從所述頂部電極至所述底部電極的所述第二方向流動。
16. 如權(quán)利要求15所述的阻抗可變存儲器件，其中所述施加的讀 電流抑制所述相變材料的阻抗漂移。
17.如權(quán)利要求ll所述的阻抗可變存儲器件，其中配置所述相變 材料以呈現(xiàn)多種狀態(tài)的一種，每種狀態(tài)具有不同阻抗。件，
18. —種存儲系統(tǒng)，包括 阻抗可變存儲器件；以及存儲控制器，所述存儲控制器被配置以控制所述阻抗可變存儲器其中配置所述阻抗可變存儲器件以第一方向傳遞用于編程相變材 料的寫電流，同時以與所述第一方向相反的第二方向傳遞用于讀取在 所述相變材料存儲的數(shù)據(jù)的讀電流。
19.如權(quán)利要求18所述的存儲系統(tǒng)，其中所述相變材料連接在頂 部電極與底部電極之間，其中所述寫電流以從所述頂部電極至所述底部電極的所述第一方向流 動，并且所述讀電流以從所述底部電極至所述頂部電極的所述第二方 向流動。
20.如權(quán)利要求18所述的存儲系統(tǒng)，其中所述相變材料連接在頂 部電極與底部電極之間，其中所述寫電流以從所述底部電極至所述頂部電極的所述第一方向流 動，并且所述讀電流以從所述頂部電極至所述底部電極的所述第二方 向流動。
全文摘要
提供一種阻抗可變存儲器件及其操作方法。該阻抗可變存儲器件具有頂部電極與底部電極之間的相變材料。在操作阻抗可變存儲器件的方法中，以從頂部電極至底部電極的方向施加寫電流，且以從底部電極至頂部電極的方向施加讀電流。通過施加寫電流編程相變材料，通過施加讀電流抑制相變材料的阻抗漂移。
文檔編號G11C11/56GK101373632SQ20081014635
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月24日
發(fā)明者堀井秀樹, 樸美林, 裵晙洙 申請人:三星電子株式會社