專利名稱：：磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于硬盤裝置等磁記錄再生裝置的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
：近年，磁盤裝置、軟性盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的適用范圍顯著地增大，在其重要性增加的同時，對于這些裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)，不斷謀求其記錄密度的顯著提高。尤其是引入MR磁頭和PRML技術(shù)以來，面記錄密度的上升更加激烈，近年又引入GMR磁頭、TMR磁頭等，每年在以約100%的速度繼續(xù)增加。對于這些磁記錄介質(zhì)，今后要求實現(xiàn)更高記錄密度，為此要求實現(xiàn)磁性層的高矯頑力化、高信噪比(SNR)、高分辨力。另外，近年來在線記錄密度提高的同時通過磁道密度的增加來繼續(xù)努力提高面記錄密度。在最新的磁記錄裝置中，磁道密度竟達到了llOkTPI。然而，若不斷提高磁道密度，則相鄰的磁道間的磁記錄信息相互干擾，其邊界區(qū)域的磁化遷移區(qū)域成為噪聲源，容易產(chǎn)生損害SNR的問題。這直接關(guān)系到比特錯誤率(BitErrorRate)的降低，因此成為提高記錄密度的障礙。為了提高面記錄密度，必須使磁記錄介質(zhì)上的各記錄比特的尺寸成為更微細的尺寸，對各記錄比特確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚。然而，若將記錄比特不斷微細化，則每一比特的磁化最小體積變小，由熱擺導致磁化反轉(zhuǎn)(翻轉(zhuǎn))，從而產(chǎn)生記錄數(shù)據(jù)消失的問題。另外，為了磁道間距離接近，磁記錄裝置在要求極高精確度的磁道伺服技術(shù)的同時，寬幅地進行記錄，為了盡可能排除來自相鄰磁道的影響，一般地采用比記錄時窄地實行再生的方法。該方法能夠?qū)⒋诺篱g的影響抑制在最小限度，但難以充分得到再生輸出，因此存在難以確保充分的SNR的問題。作為解決這樣的熱擺問題和確保SNR或者確保充分的輸出的方法之一，進行了下述嘗試在記錄介質(zhì)表面形成沿磁道的凹凸，通過使記錄磁道彼此物理地進行分開來提高磁道密度。以下將這樣的技術(shù)稱為分離磁道法(離散磁道法；discretetrackmethod)，將由此制造的磁記錄介質(zhì)稱為分離磁道介質(zhì)(離散磁道介質(zhì)；discretetrackmedium)。作為分離磁道介質(zhì)的一例，已知在表面形成了凹凸圖形的非磁性基板上形成磁記錄介質(zhì)，形成物理性地分離的磁記錄磁道和伺服信號圖形從而構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)(例如參照專利文獻1)。該磁記錄介質(zhì)，是在表面具有多個凹凸的基板的表面上介有軟磁性層而形成強磁性層，在該強磁性層的表面上形成了保護膜的磁記錄介質(zhì)。該磁記錄介質(zhì)，在凸部區(qū)域形成有與周圍物理性地分隔的磁記錄區(qū)域。根據(jù)該磁記錄介質(zhì)，由于能夠抑制在軟磁性層中的疇壁發(fā)生，因此難以出現(xiàn)熱擺的影響，也沒有相鄰的信號間的干擾，所以能夠形成噪聲少的高密度磁記錄介質(zhì)。分離磁道法有在形成由幾層的薄膜構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)后形成磁道的方法；和預(yù)先在基板表面上直接形成凹凸圖形或者在用于形成磁道的薄膜層上形成凹凸圖形之后，進行磁記錄介質(zhì)的薄膜形成的方法(例如參照專利文獻2、專利文獻3)。其中，前者的方法往往稱為磁層加工型，由于在介質(zhì)形成后實施對表面的物理加工，因此存在介質(zhì)在制造工序中容易被污染的缺點，并且制造工序很復雜。而后者的方法往往稱為壓花加工型，雖然在制造工序中難以污染，但由于形成于基板上的凹凸形狀被成膜出的膜繼承，因此存在一邊在介質(zhì)上浮動一邊進行記錄再生的記錄再生磁頭的浮動姿勢、浮動高度不穩(wěn)定的問題。另外，還公開了對預(yù)先形成了分離磁道介質(zhì)的磁道間區(qū)域的磁性層注入氮、氧等的離子，或者通過照射激光，使其部分的磁特性變化而形成的方法(參照專利文獻46)。然而，在該方法中，磁性層由于注入離子或激光照射而遭受損傷，有時在磁性層表面上形成凸凹。另外，在該方法中，雖然注入的離子或激光的能量高，但存在介質(zhì)整個面的能量密度低，直到使介質(zhì)整個面的磁性變化的處理時間變長的問題。專利文獻1日本特開2004-164692號公報專利文獻2日本特開2004-178793號公報專利文獻3日本特開2004-178794號公報專利文獻4日本特開平5-205257號公報專利文獻5日本特開2006-209952號公報專利文獻6日本特開2006-309841號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的其一方面在于提供能夠簡易地制造確保與以往同等以上的記錄再生特性并且使記錄密度大幅度增加的磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)制造方法，另外，另一方面在于提供能夠簡易地制造通過使磁記錄圖形部間區(qū)域的矯頑力、殘余磁化降低到極限而消除磁記錄時的滲寫(bleedingatwriting)，進而具有增大了的面記錄密度的磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)制造方法。本發(fā)明的另外的目的在于提供具備具有如上所述的特性的磁記錄介質(zhì)，而且具有良好的磁頭浮動特性的所謂的分離磁道型磁記錄介質(zhì)和圖案介質(zhì)等的磁記錄再生裝置。為了達到上述目的，本申請發(fā)明者潛心努力研究的結(jié)果實現(xiàn)了本申請發(fā)明。S卩，根據(jù)本發(fā)明，提供以下列舉的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。[1]一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)、(2)、(3)的順序來實施的3個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)除去將磁性層磁分離的區(qū)域的磁性層表層部分的工序；(3)將通過除去該磁性層表層部分而露出的磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。[2]根據(jù)上述[1]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(2)中所除去的磁性層表層部分的厚度在0.Inm15nm的范圍內(nèi)。[3]根據(jù)上述[1]或[2]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(2)中通過離子銑削(ionmilling)進行磁性層表層部分的除去。[4]根據(jù)上述[1][3]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(3)中，通過將該磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，使具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域的磁化量為具有未被改性的磁特性的磁性層區(qū)域的磁化量的75%以下。[5]根據(jù)上述[1][4]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(3)中，通過將該磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，使具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域的矯頑力為具有未被改性的磁特性的磁性層部分的矯頑力的50%以下。[6]根據(jù)上述[1][5]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子是含有氧離子的等離子體或反應(yīng)性離子。[7]根據(jù)上述[1][6]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子是含有鹵離子的等離子體或反應(yīng)性離子。[8]根據(jù)上述[7]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，鹵離子是將選自CF4、SF6、CHF3、CCl4、KBr中的至少一種鹵化氣體導入到反應(yīng)性等離子體中而形成的鹵離子。[9]根據(jù)上述[7]所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，鹵離子是F離子(氟離子)。[10]一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)(7)的順序來實施的7個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)在磁性層上形成掩蔽層的工序；(3)在掩蔽層上形成抗蝕劑層的工序；(4)在抗蝕劑層上形成磁分離磁性層的磁記錄圖形的工序；(5)除去在磁記錄圖形中磁分離磁性層的區(qū)域的掩蔽層部分的工序；(6)對通過除去掩蔽層部分而露出的區(qū)域的磁性層的表層部分進行除去的工序；(7)將通過除去磁性層的表層部分而露出的區(qū)域的磁性層暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。[11]一種磁記錄再生裝置，其特征在于，組合地具有由上述[1][10]的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)、將該磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動的驅(qū)動部、包括記錄部和再生部的磁頭、使磁頭相對于磁記錄介質(zhì)進行相對運動的機構(gòu)、和用于進行向磁頭的信號輸入和來自磁頭的輸出信號再生的記錄再生信號處理單元而構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，是在非磁性基板上成膜出磁性層后形成磁記錄圖形從而構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)，具有優(yōu)異的磁記錄圖形分離性能，不受相鄰圖形間的信號干擾的影響，能夠高生產(chǎn)率地制造高記錄密度特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。另外，采用本發(fā)明的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)，保持了良好的表面平滑性，因此成為實現(xiàn)了磁頭低浮動化的磁記錄再生裝置。圖1是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中的制造工序的模式圖。5圖2是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中的制造工序的模式圖。圖3是表示本發(fā)明的磁記錄再生裝置的模式圖。標號說明1-非磁性基板、2-磁性層、3-掩蔽層、4-抗蝕劑層、5-印模、6-銑削離子、7_部分地除去了磁性層表層部分的區(qū)域、d-被除去了的磁性層表層部的厚度、8-磁特性被改性了的磁性層區(qū)域、9-保護膜、11-介質(zhì)驅(qū)動部、27-磁頭、28-磁頭驅(qū)動部、29-記錄再生信號系統(tǒng)、30-磁記錄介質(zhì)具體實施例方式本申請發(fā)明涉及在非磁性基板的至少一個表面具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的制造方法。本申請發(fā)明的方法，其特征在于，包含按以下的⑴(3)的順序進行實施的3個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)除去將磁性層磁分離的區(qū)域的磁性層表層部分的工序；(3)將通過除去該磁性層表層部分而露出的磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。更具體地講，本申請發(fā)明的方法，其特征在于，包含按以下的(1)(7)的順序進行實施的7個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)在磁性層上形成掩蔽層的工序；(3)在掩蔽層上形成抗蝕劑層的工序；(4)在抗蝕劑層上形成磁分離磁性層的磁記錄圖形的工序；(5)除去在磁記錄圖形中磁分離磁性層的區(qū)域的掩蔽層部分的工序；(6)對通過除去掩蔽層部分而露出的區(qū)域的磁性層的表層部分進行除去的工序；(7)將通過除去磁性層的表層部分而露出的區(qū)域的磁性層暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。由本發(fā)明的制造方法得到的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有磁分離的磁記錄圖形，通過離子銑削等除去磁分離磁記錄圖形部的區(qū)域即相當于磁記錄圖形的負型圖的部位的磁性層的表層部分，將除去了該表層部分的部位暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，除去了該磁性層表層部分的區(qū)域的磁性層的磁特性得到改性，即，通過非晶化等，磁化量和/或矯頑力降低。該制造方法具有在磁分離磁記錄圖形部時，離子銑削的加工量很少且粉塵的發(fā)生少，沒有向磁性層注入離子等的對磁性層造成損傷的工序的優(yōu)點。本申請發(fā)明中，所謂磁記錄圖形包含每1比特具有一定的規(guī)則性而配置磁記錄圖形的所謂的圖形介質(zhì)、磁記錄圖形配置成磁道狀的介質(zhì)、其他的伺服信號圖形等。對于本申請發(fā)明而言，在上述的磁記錄圖形中，從其制造工藝的簡便性出發(fā)優(yōu)選適用于磁分離了的磁記錄圖形是磁記錄軌道和伺服信號圖形的所謂分離型磁記錄介質(zhì)的6制造。參照圖1、圖2，對本發(fā)明的制造方法具體地按照工序進行說明。所制造的磁記錄介質(zhì)，如圖2中工序I所示，例如，具有在非磁性基板1的表面依次地層疊了形成有磁圖形的磁性層2、保護膜9的結(jié)構(gòu)，而且，在最表面根據(jù)需要形成有潤滑膜(沒有圖示)。再者，本申請發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，除了非磁性基板1和磁性層2以外，根據(jù)需要適當?shù)卦O(shè)置即可。因此，圖1中省略了構(gòu)成磁記錄介質(zhì)的非磁性基板1、磁性層2、保護層9以外的層。雖然沒有圖示，但通常在非磁性基板1的表面形成軟磁性層和中間層后，形成具有磁圖形的磁性層2。作為本發(fā)明中使用的非磁性基板1，可以使用以A1為主成分的例如Al-Mg合金等的A1合金基板、由通常的鈉玻璃、鋁硅酸鹽系玻璃、結(jié)晶化玻璃類、硅、鈦、陶瓷、各種樹脂形成的基板等，只要是非磁性基板則可以使用任意的非磁性基板。其中，優(yōu)選使用A1合金基板、結(jié)晶化玻璃等的玻璃制基板或硅基板。這些非磁性基板的平均表面粗糙度Ra，優(yōu)選是lnm以下，更優(yōu)選是0.5nm以下，特別優(yōu)選是0.lnm以下。在如上所述的非磁性基板的表面形成的磁性層2，可以是面內(nèi)磁性層也可以是垂直磁性層，但為了實現(xiàn)更高的記錄密度優(yōu)選是垂直磁性層。這些磁性層，優(yōu)選由主要以Co為主成分的合金形成。作為合金的具體例，可舉出60Co-15Cr-15Pt合金、70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金。在非磁性基板上形成垂直磁記錄介質(zhì)用的磁性層時，根據(jù)需要依次形成軟磁性層(襯里層)、取向控制膜、Ru等的中間膜，然后，形成磁性層。軟磁性層(襯里層)，例如，由FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr,FeCoZrB,FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、Co&NB、CoB等)等形成。可以在襯里層上配置Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等的取向控制膜。此外，可根據(jù)需要在其上配置Ru等的中間膜。作為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的磁性層，例如，可以利用由非磁性的CrMo基底層和強磁性的CoCrPtTa磁性層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。通常，磁性層是采用濺射法作為薄膜而形成。磁性層的厚度是3nm20nm，優(yōu)選是5nm15nm的范圍。磁性層只要與使用的磁性合金的種類和疊層結(jié)構(gòu)相對應(yīng)地形成使得能夠得到充分的磁頭輸出輸入即可。磁性層的膜厚，為了在再生時得到一定以上的輸出必須為某個程度以上的磁性層膜厚。另一方面，表示記錄再生特性的各參數(shù)隨著輸出的上升而劣化是通例。因此，考慮輸出和記錄再生特性，優(yōu)選設(shè)定成最佳的膜厚。磁記錄介質(zhì)的制造工藝，例如，如圖1和圖2所示，包括在非磁性基板1上至少形成磁性層2的工序A、在磁性層2上形成掩蔽層3的工序B、在掩蔽3上形成抗蝕劑層4的工序C、使用印模5將磁記錄圖形的負型圖形轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4上的工序D(工序D中的箭頭表示印模5的運動方向)、選擇性地除去與磁記錄圖形的負型圖形相對應(yīng)的掩蔽層3的部分的工序E、將與除去了掩蔽層3的區(qū)域相對應(yīng)的磁性層2的表層部部分地進行離子銑削6，除去該表層部分的工序F(標號7表示被離子銑削了的磁性層部分。另外，標號d表示通過離子銑削除去了的磁性層表層部分的厚度。)、將通過離子銑削除去了磁性層表層部分的區(qū)域暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子從而對該區(qū)域7的磁性層的磁特性進行改性的工序G(標號8表示磁特性被改性了的磁性層的區(qū)域。)、除去抗蝕劑層4和掩蔽層3的工序H、由保護膜9覆蓋磁性層的表面的工序I。本申請發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中的工序B中，在磁性層2上形成的掩蔽層3，優(yōu)選采用含有選自Ta、W、Ta氮化物、W氮化物、Si、Si02、Ta205、Re、Mo、Ti、V、Nb、Sn、Ga、Ge、As、Ni中的任一種以上的材料形成。通過使用這樣的材料，能夠提高掩蔽層3的對銑削離子6的遮蔽性，并且，能夠提高掩蔽層3所帶來的磁記錄圖形形成特性。此外，通過使用反應(yīng)性氣體的干蝕刻容易除去這些物質(zhì)，因此在圖1的工序H中，能夠減少掩模殘留物，減少磁記錄介質(zhì)表面的污染。在上述掩蔽層形成工序B中使用的掩蔽層形成用物質(zhì)之中，優(yōu)選使用As、Ge、Sn、Ga，更優(yōu)選使用Ni、Ti、V、Nb，最優(yōu)選使用Mo、Ta、W。對上述工序C中形成的的抗蝕劑層4，如工序D所圖示，按壓印模5，轉(zhuǎn)印磁記錄圖形的負型圖形時，優(yōu)選使轉(zhuǎn)印后的抗蝕劑層4的凹部的厚度為lOnm以下。通過使抗蝕劑層4的凹部的厚度為該范圍，在圖1的工序E中顯示的掩蔽層3的蝕刻工序中，消除掩蔽層3的邊緣部分的塌邊，提高掩蔽層3的對銑削離子6的遮蔽性，并且，能夠提高掩蔽層3所帶來的磁記錄圖形形成特性。優(yōu)選作為用于在圖1的工序C中形成的抗蝕劑層4的材料，使用通過放射線照射顯示固化性的材料，并且，在使用印模5將磁記錄圖形轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4上的工序D中，或者在圖形轉(zhuǎn)印工序D之后，對抗蝕劑層4照射放射線。通過使用這樣的方法，能夠高精確地將印模5的形狀轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4上，其結(jié)果，在通過蝕刻除去圖1的工序E中顯示的掩蔽層3的工序中，消除掩蔽層3的邊緣部分的塌邊，提高掩蔽層的對注入離子的遮蔽性，并且，能夠提高掩蔽層所帶來的磁記錄圖形形成特性。所謂用于抗蝕劑固化的放射線，是指熱線(heatrays)、可見光線、紫外線、X射線、伽馬射線等的廣義概念的電磁波。另外，作為通過放射線照射顯示固化性的材料，例如可舉出針對熱線的熱固化樹脂，針對紫外線的紫外線固化樹脂。本申請發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，尤其優(yōu)選在使用印模5將圖形轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4上的工序D中，在抗蝕劑層4的流動性高的狀態(tài)下，對抗蝕劑層4按壓印模5，通過在其按壓的狀態(tài)下對抗蝕劑層照射放射線使抗蝕劑層4固化，然后使印模離開抗蝕劑層4。根據(jù)這樣的方法，能夠?qū)⒂∧?的形狀精確度良好地轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層4上。作為在對抗蝕劑層4按壓印模5的狀態(tài)下對抗蝕劑層照射放射線的方法，可以采用從與印模的按壓相反側(cè)，即從基板側(cè)照射放射線的方法；作為印模的材料選擇能夠透過放射線的物質(zhì)，從印模按壓側(cè)照射放射線的方法；從印模5的側(cè)面照射放射線的方法；使用如熱線那樣對固體傳導性高的放射線，由來自印模材料或基板的熱傳導來照射放射線的方法。在上述方法中，作為放射線固化性抗蝕材料，優(yōu)選使用酚醛清漆系樹脂、丙烯酸酯類、脂環(huán)式環(huán)氧類樹脂等的紫外線固化樹脂，作為印模材料優(yōu)選使用對紫外線透過性高的玻璃或樹脂。通過采用如上所述的方法，能夠使磁道間區(qū)域的矯頑力、殘余磁化降低到極限，其結(jié)果，能夠提供消除磁記錄時的滲寫且面記錄密度高的磁記錄介質(zhì)。在上述的圖形轉(zhuǎn)印工序D中使用的印模，例如可以使用對金屬板使用電子束描圖等的方法形成微細的磁道圖形而形成的印模。作為印模的材料，優(yōu)選使用具有能夠耐受工藝過程的硬度、良好的耐久性的材料例如M等，但只要是符合上述的目的的材料即可。作為形成于印模上的圖形，除了通常的記錄數(shù)據(jù)的磁道以外，還包含字符組圖、格雷碼圖、前置碼圖這些伺服信號的圖形。本申請發(fā)明，在成膜出的磁性層中，例如，將磁分離磁記錄磁道和伺服信號圖形部的區(qū)域暴露于反應(yīng)性等離子體和/或反應(yīng)性離子中，對該區(qū)域的磁性層的磁特性進行改性。S卩，如工序F所示，通過離子銑削等，除去磁分離磁性層的磁性層的表層的一部分。除去磁性層的表層的一部分后，將除去部分的表面暴露于反應(yīng)性等離子體和/或反應(yīng)性離子，通過使該磁性層部分的磁特性改性，與不進行這樣的磁性層表層部分的除去和向反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子暴露的情況相比，磁記錄圖形的對比度變得更鮮明，并且磁記錄介質(zhì)的S/N提高。作為其原因認為是因為通過除去磁性層的表層部，可謀求其表面的清潔化和活化，與反應(yīng)性等離子體和/或反應(yīng)性離子的反應(yīng)性提高，另外，可在磁性層的表層部導入空穴等的缺陷，反應(yīng)性離子容易通過該缺陷侵入磁性層。由離子銑削等除去的磁性層表層部分的厚度d，優(yōu)選為0.Inm15nm的范圍，更優(yōu)選為InmIOnm的范圍內(nèi)。采用離子銑削除去的厚度小于0.Inm的場合，上述的磁性層的除去效果不充分。反之，除去的厚度大于15nm時，磁記錄介質(zhì)的表面平滑性惡化，所制造的磁記錄再生裝置的磁頭的浮動特性變差。本申請發(fā)明的所謂磁分離了的磁記錄圖形，如圖2的工序G所示，是指從表面?zhèn)扔^察磁記錄介質(zhì)的場合，磁性層2被非磁性化的區(qū)域8分離的磁記錄圖形。即，如果從表面?zhèn)扔^看磁性層2而分離，則即使在磁性層2的底部不分離，也能夠達到本申請發(fā)明的目的，這樣的方式也包含在磁分離了的磁記錄圖形的概念中。本申請發(fā)明中，所謂用于形成磁記錄圖形的磁性層的改性，是指為了將磁性層圖形化，而使磁性層的矯頑力、殘余磁化等部分地變化，所謂其變化是指降低矯頑力、降低殘余磁化。本申請發(fā)明中，尤其是作為磁特性的改性，使暴露于反應(yīng)性等離子體和/或反應(yīng)性離子的區(qū)域的磁性層的磁化量優(yōu)選為非改性區(qū)域的75%以下，更優(yōu)選為50%以下。另夕卜，優(yōu)選使矯頑力為非改性區(qū)域的50%以下，更優(yōu)選為20%以下。通過采用這樣的方法制造分離磁道型磁記錄介質(zhì)，能夠提供消除對該介質(zhì)進行磁記錄時的滲寫且面記錄密度高的磁記錄介質(zhì)。此外，本申請發(fā)明，也可以通過將已經(jīng)成膜的磁性層暴露于反應(yīng)性等離子體和/或反應(yīng)性離子將磁性層非晶化，從而實現(xiàn)磁分離磁記錄磁道和伺服信號圖形部的區(qū)域。本申請發(fā)明中的磁性層的磁特性的改性，也包括通過磁性層的晶體結(jié)構(gòu)的改變來實現(xiàn)。本申請發(fā)明中，所謂將磁性層非晶化，是指使磁性層的原子排列成為沒有長距離秩序的不規(guī)則的原子排列的形態(tài)，更具體地講，是指成為小于2nm的微晶粒無序地排列的狀態(tài)。在采用分析方法確認該原子排列狀態(tài)的場合，利用X射線衍射或電子束衍射，作為看不到表示晶面的峰并且只能看到光暈的狀態(tài)確認。作為本申請發(fā)明中使用的反應(yīng)性等離子體，可舉出感偶等離子體(ICP；InductivelyCoupledPlasma)(RIE；ReactiveIonPlasma)另外，作為本申請發(fā)明中使用的反應(yīng)性離子，可舉出存在于上述的感偶等離子體、反應(yīng)性離子等離子體內(nèi)的反應(yīng)性的離子。所謂感偶等離子體，是通過對氣體施加高電壓而等離子化，再由高頻的變動磁場使該等離子體內(nèi)部發(fā)生由渦電流引起的焦耳熱從而得到的高溫等離子體。感偶等離子體電子密度高，與以往使用離子束制造分離磁道介質(zhì)的場合相比，能夠在寬的面積的磁性膜上，以高效率實現(xiàn)磁特性的改性。所謂反應(yīng)性等離子體，是在等離子體中加入了02、SF6、CHF3、CF4、CC14等的反應(yīng)性氣體的反應(yīng)性高的等離子體。通過將這樣的等離子體作為本申請發(fā)明的反應(yīng)性等離子體使用，能夠更高效率地實現(xiàn)磁性膜的磁特性的改性。本申請發(fā)明中，通過將成膜出的磁性層暴露在反應(yīng)性等離子體來對磁性層進行改性，但該改性優(yōu)選通過構(gòu)成磁性層的磁性金屬與反應(yīng)性等離子體中的原子或離子的反應(yīng)實現(xiàn)。所謂反應(yīng)，例如包括反應(yīng)性等離子體中的原子等侵入到磁性金屬中、磁性金屬的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化、磁性金屬的組成發(fā)生變化、磁性金屬進行氧化、磁性金屬進行氮化、磁性金屬進行硅化等的作用。本申請發(fā)明中，特別優(yōu)選作為反應(yīng)性等離子體使用含有氧原子的等離子體，通過使構(gòu)成磁性層的磁性金屬與反應(yīng)性等離子體中的氧原子反應(yīng)，使磁性層氧化。通過部分地使磁性層氧化，能夠高效率地降低氧化部分的殘余磁化和矯頑力等，因此通過短時間的反應(yīng)性等離子體處理，能夠制造具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)。本申請發(fā)明中，優(yōu)選使反應(yīng)性等離子體中含有鹵離子。鹵離子優(yōu)選是將選自CF4、SF6、CHF3、CCl4、KBr中的至少一種鹵化氣體導入到反應(yīng)性等離子體中而形成的鹵離子，作為鹵離子特別優(yōu)選是F離子。鹵離子可以與氧離子一起包含在反應(yīng)性等離子體中。另外，也可以不使用氧離子而使鹵離子包含在反應(yīng)性等離子體中。如前所述，通過使反應(yīng)性等離子體中含有氧離子等，構(gòu)成磁性層的磁性金屬與氧離子等反應(yīng)，能夠使磁性層的磁特性改性。此時，通過使鹵離子與氧離子一起包含在反應(yīng)性等離子體中，能夠進一步提高反應(yīng)性。即使不使反應(yīng)性等離子中含有氧離子的場合，鹵離子與磁性合金反應(yīng)，也能夠使磁性層的磁特性改性。雖然其原因尚不清楚，但認為反應(yīng)性等離子體中的鹵離子將形成于磁性層的表面上的異物蝕刻，由此磁性層的表面清潔化，磁性層的反應(yīng)性提高。并且認為清潔化了的磁性層表面與鹵離子以高效率進行反應(yīng)。作為具有這樣的效果的鹵離子，特別優(yōu)選使用F離子。在本申請發(fā)明中，然后如工序H所示，除去抗蝕劑4和掩模3，如工序I所示，形成保護層9。也可以省去保護層的形成。此外可以在保護層上涂布潤滑材料。進行工序H所示的反應(yīng)性等離子體處理后的抗蝕劑4和掩膜3的除去，可以采用干蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、離子銑削、濕式蝕刻等的方法。作為保護膜，可以使用碳(C)、碳化氫(HXC)、氮化碳(CN)、非晶碳、碳化硅(SiC)等的碳質(zhì)層和Si02、&203、TiN等通常所使用的保護膜材料。另外，保護膜可以由2層以上的層構(gòu)成。保護膜9的形成，一般施行采用P-CVD等成膜出類似金剛石的碳的薄膜的方法，但沒有特別的限定。保護膜9的厚度需小于lOnm。保護膜的膜厚超過lOnm時，磁頭與磁性層的距離增大，不能得到充分的輸出輸入信號的強度。優(yōu)選在保護膜上形成潤滑層。作為潤滑層所使用的潤滑劑，可舉出氟系潤滑劑、烴系潤滑劑和它們的混合物等。通常以14nm的厚度形成潤滑層。將本發(fā)明的磁記錄再生裝置的構(gòu)成示于圖3。本發(fā)明的磁記錄再生裝置，具有上述的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)30、沿記錄方向驅(qū)動磁記錄介質(zhì)30的介質(zhì)驅(qū)動部11、包括記錄部和再生部的磁頭27、使磁頭27相對于磁記錄介質(zhì)30進行相對運動的機構(gòu)(磁頭驅(qū)動部28)、和組合有用于進行向磁頭27的信號輸入和來自磁頭27的輸出信號再生的記錄再生信號處理單元的記錄再生信號系統(tǒng)29。通過將它們組合能夠構(gòu)成記錄密度高的磁記錄裝置。通過將磁記錄介質(zhì)的記錄磁道進行磁性不連續(xù)地加工，對過去為了排除磁道邊緣部的磁化遷移區(qū)域的影響而使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度窄地對應(yīng)的部分，能夠使兩者大致成相同寬度地工作。由此能夠得到充分的再生輸出和高的SNR。此外，通過由GMR磁頭或TMR磁頭構(gòu)成上述的磁頭的再生部，即使是在高記錄密度時也能夠得到充分的信號強度，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高記錄密度的磁記錄裝置，另外當使該磁頭的浮動量為0.005iim0.020ym即以比以往低的高度浮動時，可得到輸出提高的SNR高的裝置，能夠提供大容量且高可靠性的磁記錄裝置。另外，將采用最大似然譯碼法的信號處理回路組合時能夠進一步提高記錄密度，例如，即使以磁道密度為100k道/英寸以上、線記錄密度為1000k比特/英寸以上、每1平方英寸為100G比特以上的記錄密度進行記錄再生的場合也能夠得到充分的SNR。實施例以下通過實施例具體地說明本發(fā)明。(實施例1)將安置有HD用玻璃基板的真空室預(yù)先進行真空排氣到1.0X10_5Pa以下。在此使用的玻璃基板是將以Li2Si205、Al203-K20、Al203_K20、Mg0-P205、Sb203-Zn0為構(gòu)成成分的結(jié)晶化玻璃作為材質(zhì)，外徑65mm、內(nèi)徑20mm、平均表面粗糙度Ra為2埃的基板。采用DC濺射法在該玻璃基板上依次地層疊作為軟磁性層的FeCoB、作為中間層的Ru、作為磁性層的70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金的薄膜。各層的膜厚是FeCoB軟磁性層為600A、Ru中間層為100A、磁性層為150人。在其上采用濺射法形成掩蔽層，掩蔽層使用Ta，膜厚為60nm。在其上采用旋涂法涂布抗蝕材料?？刮g材料使用作為紫外線固化樹脂的酚醛清漆類樹脂(novolakresin)0抗蝕劑層的膜厚為lOOnm。在其上，使用具有磁記錄圖形的負型圖的玻璃制的印模，以IMPa(約8.8kgf/cm2)的壓力將印模按壓在抗蝕劑層上。在該狀態(tài)下，從紫外線的透射率為95%以上的玻璃制的印模的上部照射波長250nm的紫外線10秒鐘，使抗蝕劑固化。然后，使印模從抗蝕劑層分離，轉(zhuǎn)印出磁記錄圖形。轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層上的磁記錄圖形，抗蝕劑的凸部為幅寬120nm的圓周狀，抗蝕劑層的凹部為幅寬60nm的圓周狀，抗蝕劑層的厚度為80nm，抗蝕劑層的凹部的厚度為約5nm。另外，抗蝕劑層凹部相對于基板面的角度為大約90度。然后，在掩蔽層上，采用干蝕刻除去抗蝕劑層的凹部的部位和其下的Ta層，干蝕刻條件，關(guān)于抗蝕劑的蝕刻，02氣為40SScm、壓力為0.3Pa、高頻等離子體電力為300W、DC偏壓為30W、蝕刻時間為10秒，關(guān)于Ta層的蝕刻，CF4氣為50sCCm、壓力為0.6Pa,高頻等離子體電力為500W，DC偏壓為60W，蝕刻時間為30秒。然后，對磁性層中沒有被掩蔽層覆蓋的部位，采用離子銑削除去其表面。離子銑削使用Ar離子。離子的量為5X1016原子/cm2，加速電壓為20keV，磁性層的銑削深度(被除去了的磁性層表層部分的厚度)為0.lnm。將該表面暴露在反應(yīng)性等離子體中，對實施了離子銑削的部位的磁性層進行磁特性的改性。磁性層的反應(yīng)性等離子體處理，使用了ak、y”公司的感偶等離子體裝置NE550，作為用于等離子體發(fā)生的氣體和條件，使用90cc/分的02，用于等離子體發(fā)生的投入電力為200W，裝置內(nèi)的壓力為0.5Pa，對磁性層進行300秒鐘的處理。然后，采用干蝕刻除去抗蝕劑、掩蔽層，采用CVD法在其表面成膜出5nm的碳保護膜，然后，涂布潤滑材料，制造出磁記錄介質(zhì)。將制造條件示于表1。(實施例211)除了使磁性膜的離子銑削深度(被除去了的磁性層表層部分的厚度)如表1所示地變化以外，采用與實施例1同樣的條件和方法制造了磁記錄介質(zhì)。將制造條件示于表1。(比較例1)與實施例1同樣地制造了磁記錄介質(zhì)，但不進行磁性膜的離子銑削。將制造條件示于表1。(比較例2)與實施例1同樣地制造磁記錄介質(zhì)。此時不進行磁性層的離子銑削和磁性層的采用反應(yīng)性等離子體的改性處理。將制造條件示于表1。測定實施例111，比較例1、2中制造的磁記錄介質(zhì)的磁化量、矯頑力量、電磁轉(zhuǎn)換特性(SNR和3T-SquaSh)、磁頭浮動高度(滑動雪崩；glideavalanche)。磁化量和矯頑力量，采用相對于對試樣(比較例2)測定的磁化量和矯頑力量的各百分率表示，所述試樣沒有采用離子銑削除去磁性層表層部分和沒有進行采用反應(yīng)性等離子體的改性處理。這些百分率，與進行了采用離子銑削的磁性層表層部分的除去和采用反應(yīng)性離子體的改性處理的區(qū)域的磁力量和矯頑力量，相對于沒有進行采用離子銑削的磁性層表層部分的除去和采用反應(yīng)性等離子體的改性處理的區(qū)域的磁化量和矯頑力量的百分率相同。電磁轉(zhuǎn)換特性的評價使用旋轉(zhuǎn)臺實施。此時評價用的磁頭，記錄時使用垂直記錄磁頭，讀取時使用TuMR磁頭，測定了記錄750kFCI的信號時的SNR值和3T-SquaSh。將評價結(jié)果示于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表l所示，采用本發(fā)明的方法制造的磁記錄介質(zhì)，SNR、3T—SquaSh這些Rw特性優(yōu)異，并且磁頭浮動特性也穩(wěn)定。即，磁記錄介質(zhì)表面的平滑性高，磁性層的磁道間的非磁性部帶來的分離特性優(yōu)異。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠高生產(chǎn)率地制造具有優(yōu)異的磁記錄圖形分離性能，不受相鄰圖形間的信號干擾的影響，高記錄密度特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。另外，由于表面的平滑性良好，因此能夠提供實現(xiàn)了磁頭的低浮動化的磁盤裝置等的磁記錄再生裝置。本發(fā)明中表示數(shù)值范圍的“以上”和“以下”均包括本數(shù)。權(quán)利要求一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)、(2)、(3)的順序進行實施的3個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)除去將磁性層磁分離的區(qū)域的磁性層表層部分的工序；(3)將通過除去該磁性層表層部分而露出的磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(2)中被除去的磁性層表層部分的厚度在0.Inm15nm的范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(2)中，通過離子銑削進行磁性層表層部分的除去。4.根據(jù)權(quán)利要求13的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(3)中，通過將該磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，使具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域的磁化量為具有未被改性的磁特性的磁性層區(qū)域的磁化量的75%以下。5.根據(jù)權(quán)利要求14的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在工序(3)中，通過將該磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，使具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域的矯頑力為具有未被改性的磁特性的磁性層部分的矯頑力的50%以下。6.根據(jù)權(quán)利要求15的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子是含有氧離子的等離子體或反應(yīng)性離子。7.根據(jù)權(quán)利要求16的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子是含有鹵離子的等離子體或反應(yīng)性離子。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，鹵離子是將選自CF4、SF6,CHF3、CCl4、KBr中的至少一種鹵化氣體導入到反應(yīng)性等離子體中而形成的鹵離子。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，鹵離子是氟離子。10.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括按以下的(1)(7)的順序進行實施的7個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)在磁性層上形成掩蔽層的工序；(3)在掩蔽層上形成抗蝕劑層的工序；(4)在抗蝕劑層上形成磁分離磁性層的磁記錄圖形的工序；(5)除去在磁記錄圖形中磁分離磁性層的區(qū)域的掩蔽層部分的工序；(6)對通過除去掩蔽層部分而露出的區(qū)域的磁性層的表層部分進行除去的工序；(7)將通過除去磁性層的表層部分而露出的區(qū)域的磁性層暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，對該磁性層區(qū)域的磁特性進行改性，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。11.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，組合地具有由權(quán)利要求110的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)、將該磁記錄介質(zhì)沿記錄方向驅(qū)動的驅(qū)動部、包括記錄部和再生部的磁頭、使磁頭相對于磁記錄介質(zhì)進行相對運動的機構(gòu)和用于進行向磁頭的信號輸入和來自磁頭的輸出信號再生的記錄再生信號處理單元而構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供一種制造具有磁分離了的磁記錄圖形的磁記錄介質(zhì)的方法，該方法的特征在于，包括按以下的(1)～(3)的順序進行實施的3個工序(1)在非磁性基板上形成磁性層的工序；(2)除去將磁性層磁分離的區(qū)域的磁性層表層部分的工序；(3)將通過除去該磁性層表層部分而露出的磁性層區(qū)域的表面暴露于反應(yīng)性等離子體或反應(yīng)性離子，降低該磁性層區(qū)域的矯頑力和殘余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性層區(qū)域磁分離的磁記錄圖形的工序。根據(jù)該方法能夠高生產(chǎn)率地制造具有增大的記錄密度并且消除了磁記錄時溢寫的磁記錄介質(zhì)。文檔編號G11B5/65GK101809658SQ20088010931公開日2010年8月18日申請日期2008年7月24日優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日發(fā)明者坂脇彰,山根明,福島正人申請人:昭和電工株式會社