用于制造硬盤基片的方法
【專利摘要】通過(guò)本發(fā)明解決的問(wèn)題是獲得一種可以具有通過(guò)NiP化學(xué)鍍的鍍膜的平滑表面并且不具有對(duì)酸溶液惡化的抗腐蝕性的硬盤基片。用于制造本發(fā)明的硬盤基片的方法包括：第一覆鍍步驟，將基片浸泡在包含具有平整作用的添加劑的第一NiP化學(xué)鍍鍍液中，從而在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層，該下層具有比表面更小的平均表面粗糙度；和第二覆鍍步驟，將具有通過(guò)第一覆鍍步驟在其上形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的基片浸泡在第二NiP化學(xué)鍍鍍液中，從而形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層，該上層具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。在從第一覆鍍步驟過(guò)渡到第二覆鍍步驟的時(shí)期中，抑制下層暴露于大氣。
【專利說(shuō)明】用于制造硬盤基片的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于制造硬盤基片的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為用于制造硬盤基片的方法，已經(jīng)進(jìn)行了包括以下步驟的方法：將NiP化學(xué)鍍 應(yīng)用至已經(jīng)被機(jī)械加工的鋁或鋁合金基片，而在基片的表面上形成鍍膜，以便鍍膜被用作 磁性鍍膜的基底（參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。
[0003] 在此，為了實(shí)現(xiàn)硬盤記錄裝置的高記錄密度，有必要盡可能低地設(shè)置記錄/讀數(shù) 頭的浮起高度。因此，在通過(guò)NiP化學(xué)鍍形成鍍膜之后，通過(guò)用游離磨料拋光表面來(lái)進(jìn)行使 鍍膜的表面光滑的拋光步驟。
[0004] 引用列表
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn) I JPHO3-23M76A [0007] 發(fā)明概述
[0008] 技術(shù)問(wèn)題
[0009] 然而，由于通過(guò)NiP化學(xué)鍍形成的鍍膜的表面非常粗糙，而對(duì)拋光步驟造成極大 的負(fù)擔(dān)。而且，由于因拋光的去除厚度也很大，所以鍍膜的厚度也應(yīng)增加，而這又會(huì)降低生 產(chǎn)率并且增加環(huán)境負(fù)擔(dān)。
[0010] 鑒于以上原因，期望通過(guò)NiP化學(xué)鍍形成的鍍膜的表面盡可能地平滑，以減少對(duì) 拋光步驟的負(fù)擔(dān)。例如，在印刷板或類似物上形成鍍膜的方法中，比如有機(jī)硫化合物的光澤 劑（brighter)被添加到化學(xué)鍍鍍液中，來(lái)獲得具有平滑表面的鍍膜。
[0011] 然而，包含硫的鍍膜通常具有對(duì)酸溶液低的抗腐蝕性，并且特別地，如果使用用于 其中在拋光步驟中使用強(qiáng)酸拋光劑的制造硬盤基片的方法，擔(dān)心在所產(chǎn)生的鍍膜的表面上 可能產(chǎn)生比如腐蝕凹坑的缺陷。因此，不能直接應(yīng)用用于印刷板以及類似物的技術(shù)。而且， 如果鍍膜的對(duì)酸溶液的抗腐蝕性低，則擔(dān)心鍍膜中過(guò)量的Ni會(huì)優(yōu)先地流出（elute)，即使 是在進(jìn)行強(qiáng)酸清洗時(shí)，這又會(huì)導(dǎo)致在硬盤基片的后續(xù)步驟中失敗。
[0012] 本發(fā)明鑒于以上內(nèi)容進(jìn)行，并且本發(fā)明的目的為供給一種硬盤基片，其可以具有 通過(guò)NiP化學(xué)鍍的鍍膜的平滑表面并且對(duì)酸溶液的抗腐蝕性沒(méi)有惡化。
[0013] 問(wèn)題的解決方案
[0014] 制造用于解決以上問(wèn)題的本發(fā)明的硬盤基片的方法是用于制造具有NiP化學(xué)鍍 鍍膜的硬盤基片的方法，所述方法包括：第一覆鍍步驟，其將基片浸泡在包含具有平整作用 的添加劑的第一 NiP化學(xué)鍍鍍液中，從而在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層，該下 層具有比表面更小的平均表面粗糙度；和第二覆鍍步驟，將具有通過(guò)第一覆鍍步驟在其上 形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的基片浸泡在第二NiP化學(xué)鍍鍍液中。在從第一覆鍍步驟過(guò) 渡到第二覆鍍步驟的時(shí)期中，抑制鍍膜的下層暴露于大氣。
[0015] 發(fā)明的有益效果
[0016] 根據(jù)上述用于制造硬盤基片的方法，通過(guò)將基片浸泡在包含具有平整作用的添加 劑（比如有機(jī)硫化合物）的第一 NiP化學(xué)鍍鍍液中，而在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍 膜的下層。由此，可以抑制下層的表面粗糙度，并且下層的表面可因此是平滑的。
[0017] 此外，由于通過(guò)將具有在其上形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的基片，浸泡在具有 對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的第二NiP化學(xué)鍍鍍液中，而在下層的被平滑了的表面上形成NiP化 學(xué)鍍鍍膜的上層，因此可以抑制上層的表面粗糙度，并且由此上層的表面可以是平滑的。而 且，由于下層的表面可以用具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的上層覆蓋，因此對(duì)酸溶液的抗腐蝕 性將不會(huì)在拋光步驟或清洗步驟中惡化。
[0018] 因此，可以減輕拋光步驟的負(fù)擔(dān)，并且可以改進(jìn)硬盤基片的生產(chǎn)率。而且，由于可 以減少拋光步驟中排出的拋光廢液的量，則可以抑制因拋光的去除厚度，并且可以減少鍍 膜的厚度，也可以減少環(huán)境負(fù)擔(dān)。
[0019] 根據(jù)上述用于制造本發(fā)明的硬盤基片的方法，下層暴露于大氣在從形成下層的第 一覆鍍步驟過(guò)渡到形成上層的第二覆鍍步驟的時(shí)期中被抑制。因此，能避免鍍膜的下層的 表面上氧化膜的形成。因此，可以抑制當(dāng)通過(guò)第二覆鍍步驟形成上層時(shí)或者當(dāng)在第二拋光 步驟之后進(jìn)行拋光步驟時(shí)凹坑在鍍膜的上層的表面上的產(chǎn)生，該凹坑是源自鍍膜的下層上 的氧化膜的凹口缺陷。
[0020] 因此，獲得平滑的硬盤基片并且避免始于在NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層中產(chǎn)生的凹坑 的、在鍍膜的下層中的腐蝕的產(chǎn)生是可能的，否則其會(huì)惡化對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。此外，根 據(jù)本發(fā)明，由于可以減少NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層中產(chǎn)生的凹坑的數(shù)目，因此可以避免硬盤 記錄裝置的記錄容量的減少。 附圖簡(jiǎn)介
[0021] 圖1是顯示實(shí)施例1-1和對(duì)比實(shí)施例1-1和1-2中的測(cè)量結(jié)果的圖表。
[0022] 圖2是顯示實(shí)施例1-2中的測(cè)量結(jié)果的圖。
[0023] 圖3是顯示實(shí)施例1-3中的表面粗糙度的測(cè)量結(jié)果的圖。
[0024] 圖4是顯示實(shí)施例1-3中的節(jié)結(jié)（nodule)的直徑和節(jié)結(jié)的高度的測(cè)量結(jié)果的圖。
[0025] 圖5是顯示實(shí)施例1-3中的波度的測(cè)量結(jié)果的圖。
[0026] 圖6是顯示實(shí)施例2中的鍍膜的上層的表面的圖像的圖。
[0027] 圖7是顯示氧檢測(cè)強(qiáng)度和距離氧化膜的表面的深度之間的關(guān)系的曲線圖。
[0028] 實(shí)施方案的描述
[0029] 以下，將更加詳細(xì)描述本實(shí)施方案。
[0030] 用于制造硬盤基片的方法包括：形成基片的步驟，通過(guò)研磨鋁坯料形成基片；覆 鍍步驟，將NiP化學(xué)鍍應(yīng)用至基片，來(lái)在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍膜；拋光步驟，將具 有在其上形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的基片的表面拋光，來(lái)獲得鏡面；以及清洗步驟，清洗被拋 光了的鍍膜。
[0031] 在上述步驟之中，覆鍍步驟可以包括：（1)脫脂（degreasing)步驟，（2)水洗，（3) 蝕刻處理，（4)水洗，（5)除污處理，（6)水洗，（7) -次鋅酸鹽處理，（8)水洗，（9)去鋅酸 鹽處理，（10)水洗，（11)二次鋅酸鹽處理，（12)水洗，（13) NiP化學(xué)鍍，（14)水洗，（15)干 燥，以及（16)退火。（13)NiP化學(xué)鍍可以以包括第一覆鍍步驟和第二覆鍍步驟的兩個(gè)階段 來(lái)進(jìn)行。
[0032] 在第一覆鍍步驟中，基片被浸泡在包含具有平整作用的添加劑的第一 NiP化學(xué)鍍 鍍液中，以便在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層。通過(guò)這個(gè)過(guò)程，可以形成具有比 鋁坯材的平均表面粗糙度更小的平均表面粗糙度的NiP化學(xué)鍍鍍膜。應(yīng)注意，有機(jī)硫化合 物可以用于具有平整作用的添加劑。
[0033] 認(rèn)為此具有平整作用的添加劑將沉積在具有不平整（irregularities)的鋁坯材 的凸出物上，并且較其他部分延緩?fù)钩鑫锾幍腘iP化學(xué)鍍的生長(zhǎng)，并且從而具有減少鋁坯 材的不平整的影響的作用，以便可以獲得平滑的鍍膜。
[0034] 在第二覆鍍步驟中，具有通過(guò)第一覆鍍步驟在其上形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層 的基片被浸泡在具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的第二NiP化學(xué)鍍鍍液中，借由此，形成具有對(duì) 酸溶液的抗腐蝕性的NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層。為了形成具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的NiP化 學(xué)鍍鍍膜，可以使用不包含添加到其中的有機(jī)硫化合物的鍍液。
[0035] 應(yīng)注意，短語(yǔ)"具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性"此處意指具有如常規(guī)使用的NiP化學(xué)鍍 鍍膜的對(duì)酸溶液的抗腐蝕性至少大約相同程度的對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。為此，優(yōu)選地，不積 極地添加有機(jī)硫化合物到鍍液中，但是，包含由于將不影響對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的污染的 有機(jī)硫化合物的量，則可以接受。
[0036] 在常規(guī)NiP化學(xué)鍍中，通過(guò)單一覆鍍步驟形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的單層。因此，例 如，鍍膜厚度為約10到15 μ m，其比此實(shí)施方案中的NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層厚。因此，即使 在覆鍍沉積的初期產(chǎn)生小孔，由于小孔可以在鍍膜生長(zhǎng)的時(shí)候被填充，小孔作為凹坑出現(xiàn) 在鍍膜的表面上的可能性低。而且，即使小孔作為空隙保留在鍍膜中，由于小孔存在于鋁坯 材的界面附近，小孔可以作為凹坑在拋光步驟之后出現(xiàn)在鍍膜的表面上的可能性低。
[0037] 同時(shí)，在此實(shí)施方案的NiP化學(xué)鍍中，通過(guò)第一覆鍍步驟形成下層并且通過(guò)第二 覆鍍步驟形成上層，由此形成具有上層和下層的兩層結(jié)構(gòu)的NiP化學(xué)鍍鍍膜。
[0038] 然而，在用于制造兩層結(jié)構(gòu)的此方法中，鍍膜的上層的表面暴露于大氣，并且從而 在從形成下層的第一覆鍍步驟過(guò)渡到形成上層的第二覆鍍步驟的時(shí)期中形成氧化膜。當(dāng)氧 化膜非常薄時(shí)，鍍膜的下層的表面是活躍的。因此，在覆鍍NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層期間，NiP 覆鍍的稠密的成核現(xiàn)象發(fā)生，并且NiP覆鍍立即生長(zhǎng)為鍍膜狀。
[0039] 然而，當(dāng)鍍膜的下層的表面上形成的氧化膜厚時(shí)，應(yīng)認(rèn)為鍍膜的下層的表面變得 不活躍，并且因此上層的NiP化學(xué)鍍的沉積在不活躍部分處被延緩。因此，NiP覆鍍的稀疏 的成核現(xiàn)象發(fā)生，并且NiP覆鍍生長(zhǎng)為島狀，并且然后生長(zhǎng)為鍍膜狀。因此，由于島之間的 邊界部分沒(méi)有完全填充，具有小孔或空隙的似網(wǎng)的凹口缺陷可能在鍍膜的上層的表面上產(chǎn) 生，并且因此有可能在進(jìn)行拋光之后在基片的表面上產(chǎn)生許多凹坑的可能性。
[0040] 特別地，由于在NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的表面上形成的氧化膜厚，擔(dān)心產(chǎn)生在NiP 化學(xué)鍍鍍膜的上層上的似網(wǎng)的凹口缺陷的數(shù)目會(huì)增加，而且在進(jìn)行拋光之后許多凹坑可能 會(huì)因此出現(xiàn)在鍍膜的上層的表面上。因此，擔(dān)心鍍膜的下層的腐蝕會(huì)從凹坑開(kāi)始產(chǎn)生，其會(huì) 惡化對(duì)酸溶液的抗腐蝕性；或者擔(dān)心在完成磁性記錄層之后不能記錄數(shù)據(jù)的部分的數(shù)目會(huì) 增加，其會(huì)減少硬盤記錄裝置的被減少的記錄容量。
[0041] 因此，在此實(shí)施方案中，在從第一覆鍍步驟過(guò)渡到第二覆鍍步驟的時(shí)期中，抑制下 層暴露于大氣，以避免厚氧化膜在鍍膜的下層的表面上形成，并且從而抑制在鍍膜的上層 的表面上產(chǎn)生源自氧化膜的似網(wǎng)的凹口缺陷，并且避免在進(jìn)行拋光之后出現(xiàn)凹坑。因此，獲 得平滑的硬盤基片并且避免產(chǎn)生始于在NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層中的凹坑的鍍膜的下層的 腐蝕是可能的，否則，其會(huì)惡化對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。進(jìn)而，可以避免硬盤記錄裝置的記錄 容量的減少。
[0042] 作為用于抑制下層暴露于大氣的示例性的方法，例如，有已知的其中通過(guò)在短時(shí) 間內(nèi)從第一覆鍍步驟過(guò)渡到第二覆鍍步驟，而盡可能短地使鍍膜的下層的表面暴露于大氣 的設(shè)定時(shí)間的方法；和當(dāng)在第一覆鍍步驟之后用純凈水清洗基片時(shí)，在維持其中用于水洗 的純凈水粘附至鍍膜的下層的表面的潮濕條件的時(shí)候，過(guò)渡到第二覆鍍步驟以將基片浸泡 在第二鍍液中的方法。而且，還有已知的在氮?dú)?、氬氣或類似的惰性氣體環(huán)境下過(guò)渡到第二 覆鍍步驟的方法。
[0043] 對(duì)于第一 NiP化學(xué)鍍鍍液和第二NiP化學(xué)鍍鍍液，可溶于水的鎳鹽被用作鎳離子 的供給源。作為此可溶于水的鎳鹽，可以使用硫酸鎳、氯化鎳、碳酸鎳、醋酸鎳、氨基磺酸鎳 等等。優(yōu)選地，鍍液中金屬鎳的濃度為1到30g/L。
[0044] 作為絡(luò)合劑，優(yōu)選地使用二羧酸，其堿金屬鹽；例如酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、琥珀 酸、丙二酸、乙醇酸、葡萄糖酸、草酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、馬來(lái)酸或乳酸、其鈉鹽、其鉀鹽以 及其銨鹽中的兩種或更多種。優(yōu)選地，其中至少一種是輕基二羧酸（oxydicarboxylic)。優(yōu) 選地，絡(luò)合劑的濃度為〇· 01到2. Omol/L。
[0045] 作為還原劑，優(yōu)選地使用次磷酸或比如次磷酸鈉或次磷酸鉀的次磷酸鹽。優(yōu)選地， 還原劑的濃度為5到80g/L。
[0046] 在第一覆鍍步驟中，為了使作為下層的NiP化學(xué)鍍鍍膜的表面平滑，優(yōu)選地，使用 包含作為具有平整作用的添加劑添加到其中的光澤劑（比如有機(jī)硫化合物）的第一 NiP化 學(xué)鍍鍍液進(jìn)行NiP化學(xué)鍍。通過(guò)這種處理，可以形成具有比鋁坯材的平均表面粗糙度更小 的平均表面粗糙度的NiP化學(xué)鍍鍍膜。
[0047] 可以使用在結(jié)構(gòu)式中包含硫原子的任何有機(jī)硫化合物。例如，硫脲、硫代硫酸鈉、 磺酸鹽、異噻唑酮（isothiazolone)化合物、月桂醇硫酸鈉 （sodium lauryl sulfate)、 2, 2' -二吡啶基二硫化物（2, 2' -dipyridyl disulfide)、2, 2' -二硫代二苯甲酸 (2, 2' -dithiodibenzoic acid)、雙（二）硫化物等等可以被單獨(dú)或者以兩種或更多種的組 合使用。更優(yōu)選地，包含氮的有機(jī)硫化合物比如硫脲、異噻唑酮化合物、2, 2'-二吡啶基二硫 化物或雙（二）硫化物被優(yōu)選地使用。有機(jī)硫化合物的添加的量為優(yōu)選地0. 01到20ppm， 并且特別優(yōu)選地，為0. 1到5ppm。當(dāng)添加的量太小時(shí)，則將對(duì)鍍膜沒(méi)有平整作用；而當(dāng)添加 的量太大時(shí)，則沒(méi)有更好的效果識(shí)別到。
[0048] 如同上述的有機(jī)硫化合物的光澤劑比包含CcU As、Tl等的光澤劑毒性更小，并且 因此其常常適合于實(shí)際用途。
[0049] 第一 NiP化學(xué)鍍鍍液優(yōu)選地還包括對(duì)酸、堿、鹽等的pH控制劑、用于避免當(dāng)鍍液在 其中包含化合物時(shí)而在該鍍液中產(chǎn)生霉菌的防腐劑、用于抑制PH的波動(dòng)的緩沖劑、用于抑 制小孔的產(chǎn)生的表面活性劑、以及用于抑制鍍液分解的穩(wěn)定劑。
[0050] 在第二覆鍍步驟中，優(yōu)選地，使用不包含有機(jī)硫化合物的第二NiP化學(xué)鍍鍍液進(jìn) 行NiP化學(xué)鍍。第二NiP化學(xué)鍍鍍液是通常用于制造硬盤基片并且針對(duì)在覆鍍步驟之后進(jìn) 行的拋光步驟具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的一種鍍液。而且，第二NiP化學(xué)鍍鍍液還具有對(duì) 強(qiáng)酸清洗步驟的抗腐蝕性。
[0051] 在第一覆鍍步驟和第二覆鍍步驟之間，用水溶液比如純凈水清洗基片的清洗步驟 在第一覆鍍步驟之后進(jìn)行，以避免包含在第一鍍液中的有機(jī)硫化合物包含到第二鍍液中。 在該情況下，在維持其中用清洗液潤(rùn)濕基片表面的潮濕條件的時(shí)候進(jìn)行到第二覆鍍步驟的 過(guò)渡。例如，當(dāng)在清洗步驟中已粘附至基片表面的清洗液變干之前，基片迅速地過(guò)渡到第二 覆鍍步驟時(shí)，維持基片表面在潮濕條件中是可能的。因此，抑制下層暴露于大氣并且從而抑 制鍍膜的下層的表面上的氧化膜的形成是可能的。
[0052] 根據(jù)上述用于制造硬盤基片的方法，通過(guò)將基片浸泡在包含具有平整作用的比如 有機(jī)硫化合物的添加劑的第一 NiP化學(xué)鍍鍍液，在基片的表面上形成NiP化學(xué)鍍鍍膜的下 層。因此，可以抑制下層的表面粗糙度，并且因此下層的表面可以變得平滑。
[0053] 此外，由于通過(guò)將具有在其上形成的NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的基片浸泡在具有對(duì) 酸溶液的抗腐蝕性的第二NiP化學(xué)鍍鍍液中，而在下層的被平滑了的表面上形成NiP化學(xué) 鍍鍍膜的上層，可以抑制上層的表面粗糙度，并且因此下層的表面可以變得平滑。而且，由 于下層的表面可以由具有有助于抗腐蝕的上層覆蓋，所以對(duì)酸溶液的抗腐蝕性將不會(huì)在拋 光步驟或清洗步驟中惡化。
[0054] 因此，由于可以獲得平滑的硬盤基片，可以減少對(duì)拋光步驟的負(fù)擔(dān)，并且從而可以 改進(jìn)硬盤基片的生產(chǎn)率。而且，由于可以減少拋光步驟中排出的拋光廢液的量，所以可以抑 制利用拋光去除的厚度，并且可以減少鍍膜的厚度，還可以減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)。
[0055] 進(jìn)而，根據(jù)上述的用于制造硬盤基片的方法，在從形成下層的第一覆鍍步驟過(guò)渡 到形成上層的第二覆鍍步驟的時(shí)期中，抑制下層暴露于大氣。因此，可以避免鍍膜的下層的 表面上氧化膜的形成。因此，當(dāng)通過(guò)第二覆鍍步驟形成上層時(shí)，在鍍膜的上層的表面上避免 產(chǎn)生源自氧化膜的似網(wǎng)的凹口缺陷并且從而避免進(jìn)行拋光之后出現(xiàn)凹坑是可能的。
[0056] 因此，獲得平滑的硬盤基片，并且避免產(chǎn)生始于NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層中的鍍膜 的下層的腐蝕是可能的，否則其會(huì)惡化對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。此外，根據(jù)本發(fā)明，由于可以 減少NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層中產(chǎn)生的凹坑的數(shù)目，所以可以避免硬盤記錄裝置的記錄容量 的減少。
[實(shí)施例]
[0057] 盡管將在以下參考實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例更加詳細(xì)描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于以 下實(shí)施例。
[0058] [實(shí)施例1]
[0059] 實(shí)施實(shí)施例1來(lái)觀察在第一覆鍍步驟和第二覆鍍步驟之后上層的表面粗糙度的 狀態(tài)。
[0060] 〈預(yù)處理步驟〉
[0061] 使用包含已知的磷酸鈉 （soda phosphate)和表面活性劑的脫脂液，使具有Ra = 15nm的平均表面粗糙度的可商購(gòu)的3. 5英寸鋁基片（95mm-內(nèi)徑Φ為25mm)在50°C經(jīng)受脫 脂處理持續(xù)2分鐘。然后，使用已知的包含硫酸和磷酸的蝕刻溶液，使基片在70°C經(jīng)受蝕刻 處理持續(xù)2分鐘。
[0062] 進(jìn)而，使用硝酸，在20°C持續(xù)30秒進(jìn)行去污處理，并且使用已知的鋅酸鹽處理溶 液，在20°C持續(xù)30秒進(jìn)行第一鋅酸鹽處理。然后，使用硝酸，在20°C持續(xù)30秒進(jìn)行去鋅酸 鹽處理，并且然后，在20°C持續(xù)30秒進(jìn)行二次鋅酸鹽處理。
[0063] 〈覆鍍條件〉
[0064] (實(shí)施例 1-1)
[0065] 在基片的表面上形成下層的第一覆鍍步驟中，使用已知的基于蘋果酸-琥珀酸的 包含作為有機(jī)硫化合物添加到其中的Ippm 2, 2'-二吡啶基二硫化物的NiP化學(xué)鍍鍍液，在 85°C持續(xù)90分鐘進(jìn)行覆鍍處理來(lái)形成具有10 μ m的厚度的鍍膜。用由Veeco制造的原子 力顯微鏡（AFM)測(cè)量NiP化學(xué)鍍鍍膜的表面粗糙度（粗糙度指示為10 μ m平方的平均粗糙 度Ra)。因此，表面粗糙度的值為2. 3nm。
[0066] 然后，清洗NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層的表面。然后，在形成上層的第二覆鍍步驟中， 使用不包含添加到其中的有機(jī)硫化合物的已知的基于蘋果酸-琥珀酸的NiP化學(xué)鍍鍍液， 在85°C持續(xù)20分鐘進(jìn)行覆鍍處理，來(lái)形成具有2 μ m的厚度的鍍膜，借由此，具有12 μ m的 總厚度的鍍膜形成在基片的表面上。
[0067] (對(duì)比實(shí)施例1-1)
[0068] 使用不包含添加到其中的上述的有機(jī)硫化合物的已知的基于蘋果酸-琥珀酸的 NiP化學(xué)鍍鍍液，在85°C持續(xù)120分鐘進(jìn)行覆鍍處理，來(lái)形成具有12 μ m的厚度的鍍膜。即， 使用不包含有機(jī)硫化合物且具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的NiP化學(xué)鍍鍍液進(jìn)行覆鍍處理。
[0069] (對(duì)比實(shí)施例1-2)
[0070] 使用包含添加到其中的Ippm的有機(jī)硫化合物的已知的基于蘋果酸-琥珀酸的NiP 化學(xué)鍍鍍液，在85°C持續(xù)120分鐘進(jìn)行覆鍍處理，來(lái)形成具有12 μ m的厚度的鍍膜。即，使 用包含有機(jī)硫化合物的NiP化學(xué)鍍鍍液進(jìn)行覆鍍處理。
[0071](測(cè)量結(jié)果）
[0072] 使用由Veeco制造的原子力顯微鏡（AFM)測(cè)量實(shí)施例1-1、對(duì)比實(shí)施例1-1和對(duì)比 實(shí)施例1-2的NiP化學(xué)鍍鍍膜的每個(gè)的表面粗糙度（粗糙度指示為10 μ m平方的平均粗糙 度 Ra)。
[0073] 進(jìn)而，使用用于目視檢查的光學(xué)顯微鏡反映每個(gè)鍍膜的表面。通過(guò)將實(shí)施例1-1、 對(duì)比實(shí)施例1-1和對(duì)比實(shí)施例1-2的NiP化學(xué)鍍鍍膜的每個(gè)浸泡在硝酸（以30%的濃度和 40°C的溫度）中持續(xù)5分鐘來(lái)測(cè)量對(duì)酸溶液的抗腐蝕性，并且用光學(xué)顯微鏡反映每個(gè)鍍膜 的表面以計(jì)算視場(chǎng)中的腐蝕凹坑的數(shù)目。
[0074] 圖1是顯示實(shí)施例1-1和對(duì)比實(shí)施例1-1以及對(duì)比實(shí)施例1-2的測(cè)量結(jié)果的圖表。
[0075] 在實(shí)施例1-1中，表面粗糙度Ra在覆鍍之后為2. 6nm，并且腐蝕凹坑的數(shù)目為 1250(個(gè)/mm2)。在對(duì)比實(shí)施例1-1中，表面粗糙度Ra在覆鍍之后為14. 8nm，并且腐蝕凹坑 的數(shù)目為1125(個(gè)/mm2)。在對(duì)比實(shí)施例1-2中，表面粗糙度Ra在覆鍍之后為2. lnm，并且 腐蝕凹坑的數(shù)目為72875 (個(gè)/mm2)。
[0076] 在對(duì)比實(shí)施例1-1中，在覆鍍步驟中使用具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性的NiP化學(xué)鍍 鍍液進(jìn)行覆鍍處理。因此，腐蝕凹坑的數(shù)目少于實(shí)施例1中的腐蝕凹坑的數(shù)目。然而，由于 不包含有機(jī)硫化合物，表面粗糙度Ra大于實(shí)施例1-1中的表面粗糙度Ra,并且在圖1中的 鍍膜的表面上可以觀察到多個(gè)微小的不平整。因而，可以預(yù)料，在對(duì)比實(shí)施例1-1中，其會(huì) 對(duì)拋光步驟施加極大的負(fù)擔(dān)。
[0077] 在對(duì)比實(shí)施例1-2中，在覆鍍步驟中使用包含有機(jī)硫化合物的NiP化學(xué)鍍鍍液進(jìn) 行覆鍍處理。因此，表面粗糙度Ra小于實(shí)施例1-1中的表面粗糙度Ra,并且在圖1中的表 面上不能觀察到不平整。然而，可看出，腐蝕凹坑的數(shù)目遠(yuǎn)大于實(shí)施例1-1中的腐蝕凹坑的 數(shù)目，并且因而對(duì)酸溶液的抗腐蝕性低。因此，由此預(yù)測(cè)，將在拋光步驟中產(chǎn)生比如腐蝕凹 坑的缺陷，并且還預(yù)測(cè)，NiP鍍膜中過(guò)量的Ni將在清洗步驟中流出，其將影響對(duì)于硬盤基片 的以下步驟。
[0078] 比較對(duì)比實(shí)施例1-1和1-2發(fā)現(xiàn)，在實(shí)施例1的覆鍍之后的表面粗糙度Ra更小且 更平滑，并且鍍膜具有小的腐蝕凹坑數(shù)目并且從而具有更高的對(duì)酸溶液的抗腐蝕性。
[0079] (實(shí)施例 1_2)
[0080] 通過(guò)制備多種類型的有機(jī)硫化合物并且在如與實(shí)施例1-1中相同的覆鍍條件下 進(jìn)行覆鍍來(lái)制造具有樣品號(hào)1-6的樣品。以下的表1是顯示每個(gè)有機(jī)硫化合物的名稱、結(jié) 構(gòu)式和添加量的表格。
[0081] [表 1]

【權(quán)利要求】
1. 一種用于制造硬盤基片的方法，所述硬盤基片具有NiP化學(xué)鍍鍍膜，所述方法包括： 第一覆鍍步驟，將基片浸泡在包含具有平整作用的添加劑的第一 NiP化學(xué)鍍鍍液中， 從而在所述基片的表面上形成所述NiP化學(xué)鍍鍍膜的下層，所述下層具有比所述表面更小 的平均表面粗糙度；以及 第二覆鍍步驟，將具有通過(guò)所述第一覆鍍步驟在其上形成的所述NiP化學(xué)鍍鍍膜的所 述下層的所述基片浸泡在第二NiP化學(xué)鍍鍍液中，從而形成所述NiP化學(xué)鍍鍍膜的上層，所 述上層具有對(duì)酸溶液的抗腐蝕性， 其中在從所述第一覆鍍步驟過(guò)渡到所述第二覆鍍步驟的時(shí)期中，抑制所述下層暴露于 大氣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造硬盤基片的方法，還包括在所述第一覆鍍步驟之后用清 洗液清洗所述基片的清洗步驟，其中在所述清洗步驟之后，所述清洗液在其中粘附至所述 下層的表面的潮濕條件被維持以抑制所述下層暴露于大氣。
【文檔編號(hào)】G11B5/73GK104364847SQ201380030531
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月10日
【發(fā)明者】石田元, 迎展彰, 吉田隆廣 申請(qǐng)人:東洋鋼鈑株式會(huì)社