基于位的熔絲修復(fù)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及基于位的熔絲修復(fù)。依照一些實(shí)施例，替代提供替換行，在熔絲陣列內(nèi)的一區(qū)域可以專供存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。隨后這些位能夠容易地通過如下方式來修復(fù)：簡(jiǎn)單地讀取標(biāo)識(shí)為有缺陷的位的所存儲(chǔ)狀態(tài)，并反轉(zhuǎn)標(biāo)識(shí)為有缺陷的位的所存儲(chǔ)的狀態(tài)，以獲得正確的輸出。
【專利說明】基于位的熔絲修復(fù)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明總地涉及熔絲陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]熔絲陣列廣泛地用于存儲(chǔ)關(guān)于用戶獲得的服務(wù)水平的信息。例如，在機(jī)頂盒或線纜盒中，熔絲被設(shè)置用來表明用戶已付費(fèi)的服務(wù)。然而，廣泛的各種其它應(yīng)用也是可行的。
[0003]所產(chǎn)生的一個(gè)問題是，當(dāng)熔絲位有缺陷時(shí)，必須報(bào)廢整個(gè)熔絲陣列。一種避免該問題的方法是提供冗余熔絲。這些冗余熔絲隨后被賦予地址，取代有缺陷的常規(guī)熔絲。通常，這需要替換整行的熔絲，僅僅是因?yàn)樵撔兄械囊晃皇怯腥毕莸摹?br> 【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]針對(duì)以下附圖來描述一些實(shí)施例:
[0005]圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示意圖；
[0006]圖2是用于基于位的修復(fù)的序列的流程圖；
[0007]圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的對(duì)基于位的修復(fù)進(jìn)行編程的序列的流程圖；
[0008]圖4是一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)繪圖；以及
[0009]圖5是一個(gè)實(shí)施例的正視圖。
具體實(shí)施例
[0010]依照一些實(shí)施例，取代提供替換行，熔絲陣列內(nèi)部的區(qū)域可以專供存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。隨后這些位能夠容易地通過如下方式來修復(fù):簡(jiǎn)單地讀取標(biāo)識(shí)為有缺陷的位的所存儲(chǔ)狀態(tài)，并反轉(zhuǎn)(invert)標(biāo)識(shí)為有缺陷的位的所存儲(chǔ)的狀態(tài)，以獲得正確的輸出。
[0011]在某些情況下，這種對(duì)有缺陷的熔絲的地址的存儲(chǔ)相較于因?yàn)橐粋€(gè)不良位而犧牲整個(gè)冗余行可以是更加有效率的。相反，在一常規(guī)的32位行中，可以提供四種不同的修復(fù)選項(xiàng)，用于僅通過存儲(chǔ)有缺陷的位的地址，來修復(fù)高達(dá)四個(gè)不同的位。
[0012]參照?qǐng)D1，熔絲陣列集成電路10可以在任意非易失性存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)，舉例而言，包括常規(guī)的熔絲，一次性可編程存儲(chǔ)器，或管芯上可編程熔絲。在一些實(shí)施例中，該熔絲陣列12可以由行尋址電路20和列尋址電路18尋址。感測(cè)放大器16感測(cè)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的狀態(tài)。控制器22可以負(fù)責(zé)控制電路18和20及感測(cè)放大器16。在一些實(shí)施例中，可以沿熔絲陣列的一個(gè)邊緣提供修復(fù)行14，用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。此外，常規(guī)的位可以定位在下方的右側(cè)角內(nèi)的陣列中，在一個(gè)實(shí)施例中，在地址行0，列0(0，0)處。當(dāng)然，多于一行或者一列或多列也可以用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。
[0013]為使用修復(fù)行14修復(fù)一組位，在一些實(shí)施例中，可以使用如圖2所示的序列24。其可以在軟件、固件和/或硬件中實(shí)現(xiàn)。在軟件和固件的實(shí)施例中，其可以由存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令來實(shí)現(xiàn)，該非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)譬如是磁性的、光學(xué)的或半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。在一些實(shí)施例中，序列24可以在控制器22(圖I)內(nèi)實(shí)現(xiàn)。
[0014]位修復(fù)序列24從確定用于讀訪問的位地址是否被接收開始，如在菱形26中所確定的。如果是這樣的話，該地址能夠在修復(fù)行內(nèi)被檢索到，如在方塊28內(nèi)所指示的。如果地址存儲(chǔ)在修復(fù)行中，那么在菱形30中可以檢測(cè)到匹配。在這種情況下，在有缺陷位置的該位被讀取并反轉(zhuǎn)，如在方塊32內(nèi)所指示的。否則，該位是良好的，且其能夠被讀取，如在方塊34中所指示的。
[0015]作為一個(gè)實(shí)例，熔絲陣列可以由32行組成，每一行具有32位。那么在一千位的熔絲陣列中需要十位來唯一地尋址任意熔絲位。然而，作為修復(fù)行本身而言也容易出現(xiàn)熔絲故障，33行是理想地可以尋址的，導(dǎo)致總共需要11位來尋址有缺陷的位。
[0016]為降低由有缺陷的熔絲引起的高故障附帶結(jié)果，可以以架構(gòu)方式設(shè)計(jì)第33行作為熔絲修復(fù)行，而不是作為冗余熔絲行。將整行用于熔絲修復(fù)，可以在一千位的熔絲塊中修復(fù)高達(dá)四位。修復(fù)機(jī)制并不修復(fù)實(shí)際的熔絲。其僅是該位沒有處在正確的值上并且需要被反轉(zhuǎn)的指示器。在熔絲感測(cè)或熔絲讀取期間，邏輯單元隨后使用該修復(fù)信息，來反轉(zhuǎn)在將熔絲數(shù)據(jù)發(fā)送至集成電路的其余部分之前讀取的熔絲值。
[0017]因此，在一個(gè)實(shí)施例中，采用單個(gè)的修復(fù)行，可以進(jìn)行四種不同的模態(tài)。在修復(fù)零中，該行的最前面的九位可以用于提供有缺陷的位的行地址和列地址。熔絲塊的數(shù)據(jù)部分中的任意熔絲能夠被修復(fù)，除了行0，列O。類似地，修復(fù)一可以通過從位10至19的位實(shí)現(xiàn)。這為行地址和列地址提供了空間。同樣，數(shù)據(jù)部分中的任意熔絲都能夠被修復(fù)，除了行0，列O。接下來，修復(fù)二使用位20-30，并包括一行地址和一列地址。這能夠修復(fù)數(shù)據(jù)部分和修復(fù)行的任意部分中的任意熔絲。同樣，其不能修復(fù)行0，列O。最終，修復(fù)三包括一位，且其僅能夠用來修復(fù)行0，列O處的熔絲。
[0018]因此，任意三個(gè)隨機(jī)位能夠被修復(fù)，同時(shí)還為行0，列O提供了唯一的指示器。專用于修復(fù)位的行0，列O排除了修復(fù)行都是零的角落的情況，例如，因?yàn)樽畛醪捎盟械奈欢紴榱銇碓O(shè)置芯片。否則，這種情況會(huì)具有所有三個(gè)指向相同的行0，列O地址的修復(fù)地址。
[0019]作為一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)例，如果行7，列6熔絲損壞了，1(V b00_l 100_0111的值可以被寫入至修復(fù)零，且多路復(fù)用器可以選擇熔絲的反轉(zhuǎn)值。類似地，如果行0，列O損壞了，那么r bl的值可以被寫入至修復(fù)三，且多路復(fù)用器可以選擇熔絲的反轉(zhuǎn)值。
[0020]為了對(duì)修復(fù)行進(jìn)行編程，在一些實(shí)施例中，可以使用圖3所示的序列。其可以在硬件、軟件和/或固件中實(shí)現(xiàn)。在軟件和固件的實(shí)施例中，其可以由存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令來實(shí)現(xiàn)，該非臨時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)譬如是磁性的、光學(xué)的或半導(dǎo)體的存儲(chǔ)設(shè)備。例如，其可以存儲(chǔ)在控制器22(圖1)內(nèi)。
[0021]序列36從確定是否存在有缺陷的位開始，如在方塊38中所指示的。這通過正常的芯片測(cè)試就可以獲知。如果不存在不良位，那么流程終止。否則，在菱形40處的檢查確定不良位是否位于修復(fù)行中。如果是這樣的，則設(shè)定修復(fù)二的程序，如在方塊42中所指示的。否則，在菱形44處的檢查確定0，0處(使用X，y位坐標(biāo)系統(tǒng))的位是否是有缺陷的位。如果是這樣的，則設(shè)定修復(fù)三的程序，如在方塊46中所指示的。
[0022]如果既不涉及0，0位，也不涉及修復(fù)行，則在菱形48處的檢查確定這是否是非修復(fù)行、非0，O位的第一修復(fù)。如果是這樣的，則將不良位的程序設(shè)定為進(jìn)入修復(fù)二，如在方塊50所指示的。否則，在菱形52處的檢查確定修復(fù)一是否已經(jīng)被使用。如果不是這樣的，可以設(shè)定修復(fù)一的程序，如在方塊58中所指示的。
[0023]如果修復(fù)一已經(jīng)被使用，則如在菱形52中所確定的，在菱形54處的檢查確定修復(fù)二是否已經(jīng)被使用。如果不是這樣的，那么可以設(shè)定修復(fù)二的程序，如在方塊60中所指示的。否則，芯片不能被修復(fù)，且其可以在方塊56中被報(bào)廢。
[0024]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，以下的方案可以用在一些實(shí)施例中。
[0025]
【權(quán)利要求】
1.一種用于修復(fù)熔絲陣列中的有缺陷的位的方法，所述方法包括: 讀取所述陣列中的有缺陷的位的地址，其中所述地址存儲(chǔ)在所述陣列中； 讀取所述有缺陷的位的狀態(tài)；以及 反轉(zhuǎn)所述有缺陷的位的所述狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括將所述陣列的行或列專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，包括確定有缺陷的位是否位于專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的行或列中。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，包括確定位0，0是否是有缺陷的。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，包括確定有缺陷的位是否是要識(shí)別的第一個(gè)有缺陷的位。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，包括基于先前檢測(cè)到的有缺陷的位的數(shù)量，確定存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的位置。
7.一個(gè)或多個(gè)用于存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述指令由處理器實(shí)施以執(zhí)行一序列，該序列包括: 讀取所述陣列中的有缺陷的位的地址，其中所述地址存儲(chǔ)在所述陣列中； 讀取所述有缺陷的位的狀態(tài)；以及 反轉(zhuǎn)所述有缺陷的位的所述狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求7所述的介質(zhì)，所述序列包括將所述陣列的行或列專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。
9.如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)，所述序列包括確定有缺陷的位是否位于專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的行或列中。
10.如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)，所述序列包括確定位0，O是否是有缺陷的。
11.如權(quán)利要求8所述的介質(zhì)，所述序列包括確定有缺陷的位是否是要識(shí)別的第一個(gè)有缺陷的位。
12.如權(quán)利要求11所述的介質(zhì)，所述序列包括基于先前檢測(cè)到的有缺陷的位的數(shù)量，確定存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的位置。
13.一種裝置，包括: 熔絲陣列；以及 控制器，用于讀取所述陣列中的有缺陷的位的地址，讀取所述有缺陷的位的狀態(tài)，以及反轉(zhuǎn)所述有缺陷的位的所述狀態(tài)，其中所述地址存儲(chǔ)在所述陣列中。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，所述控制器用于將所述陣列的行或列專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，所述控制器用于確定有缺陷的位是否位于專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的行或列中。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，所述控制器用于確定位0，0是否是有缺陷的。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，所述控制器用于確定有缺陷的位是否是要識(shí)別的第一個(gè)有缺陷的位。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，基于先前檢測(cè)到的有缺陷的位的數(shù)量，確定存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的位置。
19.如權(quán)利要求13所述的裝置，包括操作系統(tǒng)。
20.如權(quán)利要求13所述的裝置，包括電池。
21.如權(quán)利要求13所述的裝置，包括固件和用于對(duì)所述固件進(jìn)行升級(jí)的模塊。
22.—種存儲(chǔ)設(shè)備，包括: 多個(gè)熔絲，其中少于全部所述多個(gè)熔絲的熔絲用于存儲(chǔ)有缺陷的熔絲的地址；以及 控制器，用于讀取所述地址并反轉(zhuǎn)在所述地址處存儲(chǔ)的值。
23.如權(quán)利要求22所述的存儲(chǔ)設(shè)備，所述控制器用于將熔絲的行或列專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址。
24.如權(quán)利要求23所述的存儲(chǔ)設(shè)備，所述控制器用于確定有缺陷的位是否位于專用于存儲(chǔ)有缺陷的位的地址的行或列中。
25.如權(quán)利要求23所 述的存儲(chǔ)設(shè)備，所述控制器用于確定位0，0是否是有缺陷的。
【文檔編號(hào)】G11C29/44GK104036827SQ201410186457
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】J·G·山德里, I·S·沃克, M·艾哈邁德 申請(qǐng)人:英特爾公司