阻變存儲(chǔ)裝置、其操作方法以及具有其的系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種阻變存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元，其包括阻變存儲(chǔ)器單元陣列；電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信號(hào)并且將RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流DC電壓；以及控制單元，其適用于控制要對(duì)阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的刷新操作，其中，升高的DC電壓用作刷新操作的操作電壓。
【專(zhuān)利說(shuō)明】阻變存儲(chǔ)裝置、其操作方法以及具有其的系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2013年10月7日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0119336的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明構(gòu)思的各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體集成電路，更具體而言，涉及一種阻變存儲(chǔ)裝置及其操作方法、以及具有阻變存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置大部分被分成易失性存儲(chǔ)裝置和非易失性存儲(chǔ)裝置。
[0005]易失性存儲(chǔ)裝置的典型實(shí)例可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM，dynamic randomaccess memory) 0 DRAM可周期性地刷新構(gòu)成單位存儲(chǔ)器單元的單元電容器的狀態(tài)，以保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。DRAM可以高速執(zhí)行讀取/寫(xiě)入操作，但是DRAM具有高功耗。
[0006]此外，非易失性存儲(chǔ)器可以包括快閃存儲(chǔ)裝置和阻變存儲(chǔ)裝置，快閃存儲(chǔ)裝置具有非易失性屬性，即使在斷電時(shí)也能保存數(shù)據(jù)，但是快閃存儲(chǔ)裝置的使用壽命短，具有編程次數(shù)的限制。
[0007]阻變存儲(chǔ)裝置具有DRAM和快閃存儲(chǔ)裝置的優(yōu)點(diǎn)。
[0008]阻變存儲(chǔ)裝置的典型實(shí)例為使用硫族化合物的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM，phase-change random access memory)、使用鐵電電容器的鐵電 RAM(FRAM, ferroelectricRAM)、使用金屬氧化物的阻變RAM (ReRAM，resistive RAM)以及使用鈣鈦礦的磁阻式RAM (MRAM, magnetoresistive RAM)。
[0009]在阻變存儲(chǔ)裝置之中，基于相變材料的結(jié)晶狀態(tài)，PCRAM可以確定要儲(chǔ)存在選中的存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。通過(guò)將相變材料加熱，相變材料的相位會(huì)改變，且因而可以控制電阻狀態(tài)。PCRAM具有包括存取器件的單位存儲(chǔ)器單元、和作為阻變器件用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的相變材料。相變材料的電阻可由于各種原因而增加，并且這種現(xiàn)象被稱(chēng)作為電阻漂移。隨著相變材料的電阻變高，電阻漂移會(huì)加劇。
[0010]圖1是解釋由于電阻漂移而造成的失敗的圖。
[0011]可以將兩個(gè)比特或更多個(gè)比特儲(chǔ)存在一個(gè)存儲(chǔ)器單元中的存儲(chǔ)器單元可以被稱(chēng)作為多電平單元(MLC，multilevel cell)。圖1說(shuō)明儲(chǔ)存四個(gè)電平R1、R2、R3和R4的數(shù)據(jù)的多電平單元隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)的電阻變化。
[0012]當(dāng)存儲(chǔ)器單元具有高電阻狀態(tài)(即，以R4>R3>R3>R1的順序)時(shí)，電阻漂移嚴(yán)重。當(dāng)存儲(chǔ)器單元被編程為具有電阻R3的電阻超過(guò)參考電阻Ref時(shí)，從時(shí)間點(diǎn)‘A’開(kāi)始會(huì)發(fā)生失敗。
[0013]換言之，由‘A’表示的時(shí)間被稱(chēng)作為存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保持時(shí)間(或漂移保持時(shí)間)。
[0014]所以需要一種防止由于電阻漂移造成的失敗的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種阻變存儲(chǔ)裝置可以包括:存儲(chǔ)單元，其包括阻變存儲(chǔ)器單元陣列；電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻(RF，rad1 frequency)信號(hào)并且將RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流(DC，direct current)電壓；以及控制單元，其適用于控制要對(duì)阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的刷新操作，其中升高的DC電壓用作刷新操作的操作電壓。
[0016]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種阻變存儲(chǔ)裝置的操作方法可以包括以下步驟:接收射頻(RF)信號(hào)；以及基于RF信號(hào)，對(duì)包括在阻變存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作。
[0017]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種電子系統(tǒng)可以包括處理器和阻變存儲(chǔ)裝置，處理器適用于對(duì)從外部裝置輸入的命令執(zhí)行譯碼，阻變存儲(chǔ)裝置包括:存儲(chǔ)單元，其包括通過(guò)處理器來(lái)存取的存儲(chǔ)器單元陣列；電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻(RF)信號(hào)；以及控制單元，其適用于響應(yīng)于基于RF信號(hào)產(chǎn)生的刷新命令而控制對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的刷新操作。
[0018]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種電子系統(tǒng)可以包括:阻變存儲(chǔ)裝置，其適合用于接收射頻(RF)信號(hào)，并且基于RF信號(hào)對(duì)包括在阻變存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作；存儲(chǔ)器控制器，其適用于控制存儲(chǔ)裝置的操作；以及卡接口，其適用于執(zhí)行主機(jī)與存儲(chǔ)器控制器之間的數(shù)據(jù)交換。
[0019]在以下標(biāo)題為“【具體實(shí)施方式】”的部分描述這些和其他的特點(diǎn)、方面以及實(shí)施例。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]從如下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更加清楚地理解本公開(kāi)的主題的以上和其他的方面、特征和其他的優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0021]圖1是解釋由于電阻漂移造成的失敗的曲線(xiàn)圖；
[0022]圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例的阻變存儲(chǔ)裝置的圖；
[0023]圖3是圖2中所示的控制單元的詳細(xì)圖；
[0024]圖4是圖2中所示的電壓發(fā)生單元的詳細(xì)圖；
[0025]圖5是解釋被集成在一個(gè)芯片中的圖2中所示的阻變存儲(chǔ)裝置的截面圖；
[0026]圖6至圖8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的阻變存儲(chǔ)裝置的圖；
[0027]圖9A和圖9B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例解釋刷新方法的流程圖；
[0028]圖10是解釋圖9A和圖9B中所示的刷新方法的時(shí)序圖；
[0029]圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例解釋阻變存儲(chǔ)裝置的電阻漂移的圖；以及
[0030]圖12和圖13是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。本文參照截面圖來(lái)描述示例性實(shí)施例，截面圖是示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。照此，可以預(yù)料到圖示的形狀變化是緣于例如制造技術(shù)和/或公差。因而，示例性實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于本文說(shuō)明的區(qū)域的特定形狀，而可以包括例如來(lái)自于制造的形狀差異。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可以能對(duì)層和區(qū)域的長(zhǎng)度和尺寸進(jìn)行夸大。在本公開(kāi)中，附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中直接對(duì)應(yīng)于相同編號(hào)的部分。還將理解的是，當(dāng)一個(gè)層涉及在另一個(gè)層或襯底“上”時(shí)，其可以直接在另一個(gè)層或襯底上，或者還可以存在中間層。還應(yīng)注意的是，在本說(shuō)明書(shū)中，“連接/耦接”不僅表示一個(gè)部件與另一個(gè)部件直接耦接，還表示一個(gè)部件經(jīng)由中間部件與另一個(gè)部件間接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0032]盡管將示出并且描述本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，但本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些示例性實(shí)施例進(jìn)行變化。
[0033]圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例的阻變存儲(chǔ)裝置10的圖。
[0034]如圖2中所示，阻變存儲(chǔ)裝置10可以包括:形成在半導(dǎo)體襯底的第一區(qū)中的存儲(chǔ)單元110、形成在半導(dǎo)體襯底的第二區(qū)中的控制單元120以及形成在半導(dǎo)體襯底的第三區(qū)中的電壓發(fā)生單元130。存儲(chǔ)單元110、控制單元120以及電壓發(fā)生單元130可以集成在單個(gè)芯片(或一個(gè)芯片)中。
[0035]存儲(chǔ)單元110可以包括存儲(chǔ)器單元陣列(即，阻變存儲(chǔ)器單元陣列)、地址譯碼器、輸入/輸出電路塊等。這里，包括在存儲(chǔ)器單元陣列中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元可以包括存取器件和電阻器件(例如，相變材料)。
[0036]電壓發(fā)生單元130接收射頻(RF)信號(hào)。在刷新信號(hào)被提供為RF信號(hào)的情況下，電壓發(fā)生單元130可以將刷新命令傳送至控制單元120。
[0037]控制單元120可以控制阻變存儲(chǔ)裝置10的整體操作。具體地,控制單元120可以接收來(lái)自電壓發(fā)生單元130的刷新命令，并且對(duì)存儲(chǔ)單元110中的存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行刷新操作。
[0038]另外，電壓發(fā)生單元130響應(yīng)于被提供為RF信號(hào)的刷新命令而產(chǎn)生操作電壓。當(dāng)在控制單元120的控制下執(zhí)行刷新命令時(shí)，可以將操作電壓作為刷新電壓提供至存儲(chǔ)器單元陣列。
[0039]盡管未示出，但是阻變存儲(chǔ)裝置10還可以包括主電源單元(未示出)。當(dāng)阻變存儲(chǔ)裝置10包括主電源單元時(shí)，電壓發(fā)生單元130可以將接收的刷新命令作為RF信號(hào)提供至控制單元120，并且可以允許使用從主電源單元提供的電壓來(lái)執(zhí)行刷新操作。
[0040]當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置10不包括主電源單元時(shí)，電壓發(fā)生單元130可以響應(yīng)于刷新命令而產(chǎn)生操作電壓，并且可以允許使用操作電壓來(lái)執(zhí)行刷新操作。即使阻變存儲(chǔ)裝置10包括主電源單元時(shí)，也可以使用不在主電源單元中而在電壓發(fā)生單元130中產(chǎn)生的操作電壓來(lái)執(zhí)行刷新操作。
[0041]圖3是圖2中所示的控制單元120的詳細(xì)圖。
[0042]參見(jiàn)圖3，控制單元120可以包括:控制器1201、信號(hào)處理器1203以及時(shí)鐘發(fā)生器1205。
[0043]控制器1201可以分別響應(yīng)于編程命令、讀取命令以及刷新命令而允許對(duì)存儲(chǔ)單元110中的存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行編程操作、讀取操作以及刷新操作。
[0044]信號(hào)處理器1203將從電壓發(fā)生單元130提供的RF信號(hào)譯碼以產(chǎn)生刷新命令，并且將刷新命令提供至控制器1201。
[0045]時(shí)鐘發(fā)生器1205基于信號(hào)處理器1203提供的刷新命令來(lái)使能或禁止控制器1201。時(shí)鐘發(fā)生器1205產(chǎn)生具有預(yù)設(shè)周期的用于刷新操作的刷新時(shí)鐘信號(hào)。
[0046]因此，當(dāng)基于在信號(hào)處理器1203中譯碼的刷新命令來(lái)將控制器1201使能，并且在時(shí)鐘發(fā)生器1205中產(chǎn)生刷新時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列重復(fù)地執(zhí)行兼有刷新讀取操作和刷新寫(xiě)入操作的刷新操作預(yù)定的次數(shù)。當(dāng)基于在信號(hào)處理器1203中譯碼的刷新命令來(lái)禁止控制器1201時(shí)，完成刷新操作。
[0047]圖4是圖2中所示的電壓發(fā)生單元130的詳細(xì)圖。
[0048]參見(jiàn)圖5，電壓發(fā)生單元130包括:電壓倍增器1301，其可以接收RF信號(hào)并且產(chǎn)生直流(DC)電壓加倍(或升高)至預(yù)定的電平；以及充電器1303，其可以將加倍的電壓儲(chǔ)存在電壓倍增器1301中。充電器1303的輸出端子OUT中產(chǎn)生的輸出電壓DCPWR可以被提供至存儲(chǔ)單元110或主電源單元。
[0049]電壓倍增器1301可以用作RF-DC轉(zhuǎn)換器，其可以接收來(lái)自輸入端子IN的RF信號(hào)，并且將RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成DC電壓。當(dāng)RF信號(hào)供應(yīng)至輸入端子IN時(shí)，電壓通過(guò)二極管的整流以及電容器的升壓來(lái)加倍，并且根據(jù)二極管和電容器的連接級(jí)數(shù)來(lái)控制電壓電平。
[0050]在電壓倍增器1301中升高的DC電壓被儲(chǔ)存在包括儲(chǔ)存電容器的充電器1303中，并且充電器1303的輸出電壓PWR可以用作數(shù)字電路單元的操作電源，數(shù)字電路單元構(gòu)成存儲(chǔ)單元110或控制單元120。
[0051]當(dāng)使用具有與電壓倍增器1301和充電器1303的輸出電壓PWR不同的電平的其他電壓時(shí)，可以在電壓倍增器1301的中間級(jí)處提取電壓。因此，當(dāng)電壓倍增器1301中的級(jí)數(shù)為N時(shí)，可以產(chǎn)生具有不同電平的N個(gè)DC電壓。
[0052]RF信號(hào)可以從移動(dòng)通信系統(tǒng)的的基站或中繼器傳送。在另一個(gè)實(shí)施例中，RF信號(hào)可以從無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的核心網(wǎng)、或者無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的中繼器或接入點(diǎn)傳送。傳送包括刷新命令的RF信號(hào)的方法并非限制于此，并且可以使用例如Zigbee、近場(chǎng)通信(NFC, near field communicat1n)或藍(lán)牙的短距離無(wú)線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)。
[0053]當(dāng)如圖1所示實(shí)施一個(gè)芯片的阻變存儲(chǔ)裝置時(shí)，可在形成存儲(chǔ)單元110的存儲(chǔ)器單元陣列和外圍電路單元時(shí)，同時(shí)形成電壓發(fā)生單元130。
[0054]圖5是解釋集成在一個(gè)芯片中圖2中所示的阻變存儲(chǔ)裝置的截面圖。
[0055]參見(jiàn)圖5，在限定有單元區(qū)C和外圍電路區(qū)P的半導(dǎo)體襯底上形成存儲(chǔ)器單元、夕卜圍電路以及電壓發(fā)生單元。
[0056]存儲(chǔ)器單元110形成在單元區(qū)C和外圍電路區(qū)P上。外圍電路區(qū)P被分成數(shù)字電路區(qū)T和模擬電路區(qū)PG。存儲(chǔ)器單元MC形成在單元區(qū)C上。用于外圍電路的數(shù)字電路(例如，晶體管TR)形成在數(shù)字電路區(qū)T中。包括二極管D和電容器CAP的電壓發(fā)生單元可以形成在模擬電路區(qū)PG內(nèi)。
[0057]當(dāng)存儲(chǔ)單元110形成在半導(dǎo)體襯底上時(shí)，可以同時(shí)形成電壓發(fā)生單元130，適合可以簡(jiǎn)化處理并且可以將芯片尺寸小型化。
[0058]圖6至圖8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例的阻變存儲(chǔ)裝置的圖。
[0059]在圖6中所示的阻變存儲(chǔ)裝置10-1中，存儲(chǔ)單元IlOA和充電器1303A被形成為單個(gè)芯片。控制單元120A和電壓倍增器1301A可以形成在與形成有存儲(chǔ)單元I1A和充電器1303A的第一芯片分開(kāi)的芯片中。此時(shí)，控制單元120A和電壓倍增器1301A可以形成在同一芯片中或相應(yīng)的芯片中。
[0060]在圖7中所示的阻變存儲(chǔ)裝置10-2中，存儲(chǔ)單元110B、控制單元120B和充電器1303B被形成為單個(gè)芯片。電壓倍增器1301B可以形成在單獨(dú)的芯片中。
[0061]在如圖8中所示的阻變存儲(chǔ)裝置10-3中，存儲(chǔ)單元I1C和電壓發(fā)生單元130C被形成為單個(gè)芯片?？刂茊卧?20C可以形成在單獨(dú)的芯片中。
[0062]例如，圖6至圖8中所示的控制單元120A、120B和120C可以由圖3中所示的控制單元120來(lái)配置。電壓發(fā)生單元130C、以及構(gòu)成電壓發(fā)生單元的電壓倍增器1301A和1301B以及充電器1303A和1303B可以由如圖4中所示的電壓發(fā)生單元130來(lái)配置。
[0063]圖9A和圖9B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例解釋刷新方法的流程圖，且圖10是解釋圖9A和圖9B中所示的刷新方法的時(shí)序圖。
[0064]在步驟SlOl中，在電壓發(fā)生單元130的輸入端子IN處接收RF信號(hào)RF，并且在步驟S103中，通過(guò)電壓發(fā)生單元130的RF-DC轉(zhuǎn)換操作來(lái)將輸出電壓PWR施加至輸出端子OUT。
[0065]控制單元120的信號(hào)處理器1203將刷新命令(施加至輸入端子IN的RF信號(hào)被譯碼)提供至?xí)r鐘發(fā)生器1205和控制器1201。因此，在步驟S105中，通過(guò)在時(shí)鐘發(fā)生器1205中產(chǎn)生的控制器使能信號(hào)EN_C0N來(lái)將控制器使能，以及在步驟S107中，通過(guò)控制器1201的控制來(lái)執(zhí)行刷新操作。
[0066]針對(duì)刷新操作，控制器1201控制時(shí)鐘發(fā)生器1205來(lái)產(chǎn)生刷新時(shí)鐘信號(hào)，并且控制器1201響應(yīng)于刷新時(shí)鐘信號(hào)而重復(fù)地執(zhí)行刷新讀取操作和刷新寫(xiě)入操作。刷新讀取操作和刷新寫(xiě)入操作可以通過(guò)從電壓發(fā)生單元130提供的輸出電壓PWR來(lái)執(zhí)行。
[0067]當(dāng)時(shí)鐘發(fā)生器1205產(chǎn)生控制器禁止信號(hào)DIS_C0N時(shí)，終止刷新操作。
[0068]圖9A中所述的刷新方法可以被應(yīng)用于阻變存儲(chǔ)裝置接收來(lái)自主電源單元的電力時(shí)，或阻變存儲(chǔ)裝置不接收來(lái)自主電源單元的電力時(shí)。
[0069]供作參考，圖10中的‘RD_REF’表示與刷新讀取操作相對(duì)應(yīng)的讀取脈沖，而圖10中的‘WT_REF’表示與刷新寫(xiě)入操作相對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入脈沖。
[0070]圖9B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)實(shí)施例的刷新方法的流程圖，并且可以適用于阻變存儲(chǔ)裝置接收來(lái)自主電源單元的電力時(shí)。
[0071]為了執(zhí)行刷新操作，電壓發(fā)生單元130的輸入端子IN可以與控制單元120相互連接，具體地與信號(hào)處理器1203相互連接。
[0072]當(dāng)在步驟S201中在電壓發(fā)生單元130的輸入端子IN處接收RF信號(hào)時(shí)，與輸入端子IN連接的信號(hào)處理器1203將刷新命令(施加至輸入端子IN的RF信號(hào)被譯碼)提供至?xí)r鐘發(fā)生器1205和控制器1201。因此，在步驟S203中，通過(guò)時(shí)鐘發(fā)生器1205中產(chǎn)生的控制器使能信號(hào)EN_C0N來(lái)將控制器使能，以及在步驟S205中，通過(guò)控制器1201的控制來(lái)執(zhí)行刷新操作。
[0073]針對(duì)刷新操作，控制器1201控制時(shí)鐘發(fā)生器1205來(lái)產(chǎn)生刷新時(shí)鐘信號(hào)，以及控制器1201響應(yīng)于刷新時(shí)鐘信號(hào)而重復(fù)地執(zhí)行刷新讀取操作RD_REF和刷新寫(xiě)入操作WT_REF預(yù)定的次數(shù)。刷新操作可以通過(guò)從主電源單元提供的電壓來(lái)執(zhí)行。
[0074]當(dāng)通過(guò)時(shí)鐘發(fā)生器1205來(lái)產(chǎn)生控制器禁止信號(hào)DIS_C0N時(shí)，終止刷新操作。
[0075]圖11是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例解釋改善的電阻漂移的曲線(xiàn)圖。
[0076]在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，包括刷新命令的RF信號(hào)可以采用預(yù)設(shè)的周期或任意的周期來(lái)傳送。
[0077]當(dāng)根據(jù)接收作為RF信號(hào)的刷新命令來(lái)周期性地刷新阻變存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器單元陣列時(shí)，存儲(chǔ)器單元的電阻狀態(tài)R1、R2、R3和R4可以維持在期望的電平。因此，也可以增加數(shù)據(jù)保持時(shí)間，并且可以改善感測(cè)余量。
[0078]圖12和圖13是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的圖。
[0079]參見(jiàn)圖12，電子系統(tǒng)20可以包括:處理器201、存儲(chǔ)器控制器203、存儲(chǔ)裝置205、輸入/輸出裝置207以及通信模塊209。
[0080]存儲(chǔ)器控制器203可以根據(jù)處理器201的控制來(lái)控制存儲(chǔ)裝置205的數(shù)據(jù)處理操作，例如編程操作、讀取操作、刷新操作等。
[0081]在存儲(chǔ)裝置205中編程的數(shù)據(jù)可以根據(jù)處理器201和存儲(chǔ)器控制器205的控制，通過(guò)輸入/輸出裝置207來(lái)輸出。為此，輸入/輸出裝置207可以包括顯示裝置、揚(yáng)聲器裝置等。
[0082]輸入/輸出裝置207還可以包括輸入裝置，并且輸入/輸出裝置207可以通過(guò)輸入裝置來(lái)輸入用于處理器201的操作控制的控制信號(hào)、或要通過(guò)處理器201處理的數(shù)據(jù)。
[0083]在另一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器203可以被實(shí)施成處理器201的部分，或者可以被實(shí)施為與處理器201分開(kāi)的芯片組。
[0084]存儲(chǔ)裝置205可以是例如圖2、圖6、圖7和圖8中所示的阻變存儲(chǔ)裝置中的任意一種。即，存儲(chǔ)裝置205可以包括可接收RF信號(hào)的電壓發(fā)生單元130、以及可根據(jù)從RF信號(hào)譯碼的刷新命令來(lái)控制對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的刷新操作的控制單元120。電壓發(fā)生單元130可以根據(jù)刷新命令來(lái)另外產(chǎn)生刷新電壓。
[0085]通信模塊209提供通信環(huán)境，其中電子系統(tǒng)20與有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)連接，并且與有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)交換數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。
[0086]當(dāng)電子系統(tǒng)20包括通信模塊209時(shí)，圖12中的電子系統(tǒng)20可以是便攜式通信裝置，例如無(wú)線(xiàn)通信終端。用于通信模塊209的天線(xiàn)2091可以與用于存儲(chǔ)裝置205中的電壓發(fā)生單元的天線(xiàn)2051形成為一體，或者可以與用于存儲(chǔ)裝置205的電壓發(fā)生單元的天線(xiàn)2051分開(kāi)形成。
[0087]圖13中所示的電子系統(tǒng)30可以包括卡接口 301、存儲(chǔ)器控制器303以及存儲(chǔ)裝置305。
[0088]圖13中所示的電子系統(tǒng)30是存儲(chǔ)卡或智能卡的示例性實(shí)施例。電子系統(tǒng)30可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)(PCMCIA, personal computer memory card internat1nalassociat1n)卡、多媒體卡、嵌入式多媒體卡、安全數(shù)字卡以及通用串行總線(xiàn)(USB,universal serial bus)驅(qū)動(dòng)中的任意一種。
[0089]卡接口 301可以根據(jù)主機(jī)協(xié)議在主機(jī)與存儲(chǔ)器控制器303之間執(zhí)行接口連接。在一個(gè)實(shí)施例中，卡接口 301表示可支持主機(jī)中使用協(xié)議的硬件、安裝在可支持主機(jī)使用協(xié)議的硬件中的軟件、或者信號(hào)傳送方法。
[0090]存儲(chǔ)器控制器303控制存儲(chǔ)裝置305與卡接口 301之間的數(shù)據(jù)交換。
[0091]存儲(chǔ)裝置305可以是例如圖2、圖6、圖7和圖8中所示的阻變存儲(chǔ)裝置中任意一種。即，存儲(chǔ)裝置205可以包括可接收RF信號(hào)的電壓發(fā)生單元130、以及可根據(jù)從RF信號(hào)中譯碼的刷新命令來(lái)控制對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列的刷新操作的控制單元120。電壓發(fā)生單元130還可以根據(jù)刷新命令來(lái)另外產(chǎn)生刷新電壓。
[0092]本發(fā)明的以上實(shí)施例是說(shuō)明性的，并非限制性的。各種替換和等同形式是可以的。本發(fā)明不局限于本文所述的實(shí)施例。本發(fā)明也不局限于任何特定形式的半導(dǎo)體裝置。其他增加、刪減或修改結(jié)合本公開(kāi)是顯然的，且旨在落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
[0093]通過(guò)以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0094]技術(shù)方案1.一種阻變存儲(chǔ)裝置，包括:
[0095]存儲(chǔ)單元，其包括阻變存儲(chǔ)器單元陣列；
[0096]電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信號(hào)并且將所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流DC電壓；以及
[0097]控制單元，其適用于控制要對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的刷新操作，其中，升高的DC電壓用作所述刷新操作的操作電壓。
[0098]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述電壓發(fā)生單元被集成在一個(gè)芯片上。
[0099]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元和所述電壓發(fā)生單元包括在第一芯片中，而所述控制單元包括在第二芯片中。
[0100]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述電壓發(fā)生單元包括:
[0101]電壓倍增器，其適用于通過(guò)將經(jīng)由天線(xiàn)輸入的所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生所述DC電壓，并且將所述DC電壓升高至預(yù)定的電平；以及
[0102]充電器，其適用于儲(chǔ)存升高的DC電壓，并且將儲(chǔ)存的電壓提供為所述操作電壓。
[0103]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案4所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元和所述充電器包括在第一芯片中，而所述控制單元和所述電壓倍增器包括在第二芯片中。
[0104]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案4所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述充電器包括在第一芯片中，而所述電壓倍增器包括在第二芯片中。
[0105]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案I所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制單元包括:
[0106]控制器，其適用于對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行編程操作、讀取操作以及所述刷新操作；
[0107]信號(hào)處理器，其適用于將所述RF信號(hào)譯碼以產(chǎn)生刷新命令，并且將所述刷新命令提供至所述控制器；以及
[0108]時(shí)鐘發(fā)生器，其適用于接收所述刷新命令，將所述控制器使能/禁止，以及產(chǎn)生具有預(yù)設(shè)周期的刷新時(shí)鐘信號(hào)。
[0109]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案I所述的阻變存儲(chǔ)裝置，還包括主電源單元，其適用于將電力供應(yīng)至所述存儲(chǔ)單元。
[0110]技術(shù)方案9.一種電子系統(tǒng),包括:
[0111]處理器，其適用于對(duì)從外部裝置輸入的命令輸入執(zhí)行譯碼；以及
[0112]阻變存儲(chǔ)裝置，其包括:存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括通過(guò)處理器來(lái)存取的存儲(chǔ)器單元陣列；電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信；以及控制單元，其適用于響應(yīng)于基于所述RF信號(hào)產(chǎn)生的刷新命令而控制對(duì)所述存儲(chǔ)器單元陣列的刷新操作。
[0113]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案9所述的電子系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述電壓發(fā)生單元集成在一個(gè)芯片上。
[0114]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案9所述的電子系統(tǒng)，其中，所述電壓發(fā)生單元包括:
[0115]電壓倍增器，其適用于通過(guò)將經(jīng)由天線(xiàn)輸入的所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生直流DC電壓，并且將所述DC電壓升高至預(yù)定的電平；以及
[0116]充電器，其適用于儲(chǔ)存升高的DC電壓，并且將儲(chǔ)存的電壓提供為操作電壓。
[0117]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案9所述的電子系統(tǒng)，其中，所述電壓發(fā)生單元接收所述RF信號(hào)以產(chǎn)生用于所述刷新操作的操作電壓，以及
[0118]所述控制單元將所述操作電壓施加至所述存儲(chǔ)器單元陣列以執(zhí)行所述刷新操作。
[0119]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案9所述的電子系統(tǒng)，其中，所述控制單元將從包括在所述阻變存儲(chǔ)裝置中的主電源單元中提供的電力施加至所述存儲(chǔ)器單元陣列，以執(zhí)行所述刷新操作。
[0120]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案9所述的電子系統(tǒng)，還包括通信模塊，其適用于允許所述電子系統(tǒng)與無(wú)線(xiàn)或有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)連接。
[0121]技術(shù)方案15.—種電子系統(tǒng),包括:
[0122]阻變存儲(chǔ)裝置，其適用于接收射頻RF信號(hào)，并且基于所述RF信號(hào)對(duì)包括在所述阻變存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作；
[0123]存儲(chǔ)器控制器，其適用于控制所述存儲(chǔ)裝置的操作；以及
[0124]卡接口，其適用于在主機(jī)與所述存儲(chǔ)器控制器之間執(zhí)行數(shù)據(jù)交換。
[0125]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案15所述的電子系統(tǒng)，其中，所述阻變存儲(chǔ)裝置包括:
[0126]存儲(chǔ)單元，其包括阻變存儲(chǔ)器單元陣列；
[0127]電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信號(hào)并且將所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流DC電壓；以及
[0128]控制單元，其適用于控制要對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的刷新操作，其中，升高的DC電壓用作所述刷新操作的操作電壓。
[0129]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的電子系統(tǒng)，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述電壓發(fā)生單元集成在一個(gè)芯片上。
[0130]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案16所述的電子系統(tǒng)，其中，所述電壓發(fā)生單元包括:
[0131]電壓倍增器，其適用于通過(guò)將經(jīng)由天線(xiàn)輸入的所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生所述DC電壓，并且將所述DC電壓升高至預(yù)定的電平；以及
[0132]充電器，其適用于儲(chǔ)存升高的DC電壓，并且將儲(chǔ)存的電壓提供為所述操作電壓。
[0133]技術(shù)方案19.如技術(shù)方案16所述的電子系統(tǒng)，還包括主電源單元，其適用于將電力供應(yīng)至所述存儲(chǔ)單元。
[0134]技術(shù)方案20.—種阻變存儲(chǔ)裝置的操作方法，所述操作方法包括以下步驟:
[0135]接收射頻RF信號(hào)；以及
[0136]基于所述RF信號(hào)對(duì)包括在所述阻變存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作。
[0137]技術(shù)方案21.如技術(shù)方案20所述的操作方法，還包括以下步驟:
[0138]將所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流DC電壓；以及
[0139]將所述DC電壓升聞，
[0140]其中，通過(guò)使用升高的DC電壓作為操作電壓來(lái)執(zhí)行所述刷新操作。
[0141]技術(shù)方案22.如技術(shù)方案20所述的操作方法，還包括以下步驟:
[0142]通過(guò)將所述RF信號(hào)譯碼來(lái)產(chǎn)生刷新命令，其中，響應(yīng)于所述刷新命令來(lái)執(zhí)行所述刷新操作。
【權(quán)利要求】
1.一種阻變存儲(chǔ)裝置，包括: 存儲(chǔ)單元，其包括阻變存儲(chǔ)器單元陣列； 電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信號(hào)并且將所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流DC電壓；以及 控制單元，其適用于控制要對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的刷新操作，其中，升高的DC電壓用作所述刷新操作的操作電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述電壓發(fā)生單元被集成在一個(gè)芯片上。
3.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元和所述電壓發(fā)生單元包括在第一芯片中，而所述控制單元包括在第二芯片中。
4.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述電壓發(fā)生單元包括: 電壓倍增器，其適用于通過(guò)將經(jīng)由天線(xiàn)輸入的所述RF信號(hào)轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生所述DC電壓，并且將所述DC電壓升高至預(yù)定的電平；以及 充電器，其適用于儲(chǔ)存升高的DC電壓，并且將儲(chǔ)存的電壓提供為所述操作電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元和所述充電器包括在第一芯片中，而所述控制單元和所述電壓倍增器包括在第二芯片中。
6.如權(quán)利要求4所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述存儲(chǔ)單元、所述控制單元以及所述充電器包括在第一芯片中，而所述電壓倍增器包括在第二芯片中。
7.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制單元包括: 控制器，其適用于對(duì)所述阻變存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行編程操作、讀取操作以及所述刷新操作； 信號(hào)處理器，其適用于將所述RF信號(hào)譯碼以產(chǎn)生刷新命令，并且將所述刷新命令提供至所述控制器；以及 時(shí)鐘發(fā)生器，其適用于接收所述刷新命令，將所述控制器使能/禁止，以及產(chǎn)生具有預(yù)設(shè)周期的刷新時(shí)鐘信號(hào)。
8.—種電子系統(tǒng),包括: 處理器，其適用于對(duì)從外部裝置輸入的命令輸入執(zhí)行譯碼；以及 阻變存儲(chǔ)裝置，其包括:存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括通過(guò)處理器來(lái)存取的存儲(chǔ)器單元陣列；電壓發(fā)生單元，其適用于接收射頻RF信；以及控制單元，其適用于響應(yīng)于基于所述RF信號(hào)產(chǎn)生的刷新命令而控制對(duì)所述存儲(chǔ)器單元陣列的刷新操作。
9.一種電子系統(tǒng),包括: 阻變存儲(chǔ)裝置，其適用于接收射頻RF信號(hào)，并且基于所述RF信號(hào)對(duì)包括在所述阻變存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作； 存儲(chǔ)器控制器，其適用于控制所述存儲(chǔ)裝置的操作；以及 卡接口，其適用于在主機(jī)與所述存儲(chǔ)器控制器之間執(zhí)行數(shù)據(jù)交換。
10.一種阻變存儲(chǔ)裝置的操作方法，所述操作方法包括以下步驟: 接收射頻RF信號(hào)；以及 基于所述RF信號(hào)對(duì)包括在所述阻變存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行刷新操作。
【文檔編號(hào)】G11C11/406GK104517635SQ201410339944
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月7日
【發(fā)明者】樸海贊 申請(qǐng)人:愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司