一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，移位寄存器單元包括輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象，可以避免行像素充電率不足，改善暗線(xiàn)或者亮線(xiàn)不良。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著觸控式顯示裝置的日益普及，人們對(duì)于觸控式顯示裝置的質(zhì)量要求也越來(lái)越高，內(nèi)嵌式觸控(In-cell touch)技術(shù)因其所具有的厚度薄以及觸控靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。
[0003]內(nèi)嵌式觸控技術(shù)即觸控元件整合于顯示面板之內(nèi)，使面板本身就具有觸控功能，不需另外進(jìn)行與觸控面板的貼合與組裝即可達(dá)到觸控的效果與應(yīng)用。以典型的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)為例，其特點(diǎn)是在TFT-LCD標(biāo)準(zhǔn)制程中即完成觸控感測(cè)元件的制造技術(shù)，由于無(wú)需額外設(shè)置觸控面板，從而沒(méi)有貼合及對(duì)位的問(wèn)題，重量及厚度也顯著降低，產(chǎn)品將更輕薄。由于采用內(nèi)嵌技術(shù)，使得顯示裝置產(chǎn)品無(wú)需邊框，可達(dá)全平面設(shè)計(jì)，產(chǎn)品的設(shè)計(jì)也更為簡(jiǎn)潔俐落，應(yīng)用領(lǐng)域更廣。
[0004]現(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控技術(shù)一般采用投射式多點(diǎn)電容觸控方式，其觸控信號(hào)的采集是通過(guò)兩層信號(hào)線(xiàn)，其中一層信號(hào)線(xiàn)為驅(qū)動(dòng)線(xiàn)(Tx lines)，另一層信號(hào)線(xiàn)作為感應(yīng)線(xiàn)(Rxlines)，兩層線(xiàn)路彼此垂直。在實(shí)現(xiàn)方式上，采用掃描式輪流驅(qū)動(dòng)每一條驅(qū)動(dòng)線(xiàn)，并測(cè)量與這條驅(qū)動(dòng)線(xiàn)交錯(cuò)的感應(yīng)線(xiàn)是否有某點(diǎn)發(fā)生電容耦合現(xiàn)象。經(jīng)逐一掃描，即可獲得確切的觸點(diǎn)位置，并能實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控。
[0005]對(duì)于現(xiàn)有的觸控顯示裝置而言，當(dāng)位于相同行或列的像素和掃描線(xiàn)同時(shí)充電時(shí)會(huì)互相干擾，所以像素充電和掃描的過(guò)程通常都是分時(shí)進(jìn)行，具體的，在一幀內(nèi)一般有V-Blank和H-Blank兩種時(shí)序方式。V-Blank方式是指在一幀內(nèi)，對(duì)所有像素充電之后，留一段時(shí)間進(jìn)行觸控信號(hào)掃描，即像素充電與觸控掃描分開(kāi)進(jìn)行。此種方式只能支持與顯示器畫(huà)面刷新率相同的觸控掃描刷新率(I:1關(guān)系)，如果畫(huà)面刷新率為60HZ，則觸控掃描刷新率只能為60HZ。為了提高觸控的靈敏度，提高觸控掃描的頻率是關(guān)鍵，在追求高性能的觸控體驗(yàn)效果時(shí)，120HZ及以上的觸摸刷新率是必要的。
[0006]H-Blank方式則可以有效提高觸控掃描刷新率，該方式通過(guò)在一幀內(nèi)，在一定行數(shù)像素充電的間隙中，預(yù)留一段時(shí)間進(jìn)行部分觸控信號(hào)掃描，即像素充電與觸控掃描交叉進(jìn)行，此種方式可以支持觸摸掃描刷新率大于畫(huà)面刷新率，即與畫(huà)面刷新率成倍數(shù)關(guān)系。采用H-Blank方式實(shí)現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的內(nèi)嵌式觸控掃描時(shí)序可以如圖1所示，通過(guò)將顯示掃描平均分成兩段，在每段結(jié)束之后，暫停像素掃描GOA (Gate Drive on Array，陣列基板行驅(qū)動(dòng))電路工作，對(duì)所有的觸控感應(yīng)線(xiàn)進(jìn)行一次掃描(Tx掃描)，因此在一次顯示掃描內(nèi)，可以完成2次觸控掃描，實(shí)現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的觸控掃描。
[0007]傳統(tǒng)的GOA電路通常包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元，其結(jié)構(gòu)可以如圖2所示，其中，每一個(gè)移位寄存器單元分別與相鄰行的移位寄存器單元相連接，每一個(gè)移位寄存器單兀均對(duì)應(yīng)一行柵線(xiàn)，每一行移位寄存器單兀輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的同時(shí)會(huì)對(duì)下一行移位寄存器單元進(jìn)行預(yù)充電，以保證下一行移位寄存器單元在下一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)輸出。在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖3所示，移位寄存器單元以最簡(jiǎn)單的4T1C結(jié)構(gòu)為例，當(dāng)進(jìn)行如圖1所示的H-Blank時(shí)序掃描時(shí)，由于N/2+1行移位寄存器單兀為第二個(gè)1/2顯不掃描的最開(kāi)始的一行，但其上拉控制PU節(jié)點(diǎn)在第N/2行輸出時(shí)已經(jīng)被充電為高電平，由于N/2和N/2+1行輸出之間相隔了較長(zhǎng)的掃描時(shí)間，因此PU點(diǎn)電位會(huì)通過(guò)相連的TFT漏電，從而嚴(yán)重影響N/2+1行移位寄存器單元的預(yù)充電，使得在N/2+1行移位寄存器單元輸出時(shí)電壓降低，從而導(dǎo)致該行像素充電率不足，出現(xiàn)暗線(xiàn)或者亮線(xiàn)不良。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，可以避免行像素充電率不足，改善暗線(xiàn)或者亮線(xiàn)不良。
[0009]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0010]本實(shí)用新型實(shí)施例的一方面，提供一種移位寄存器單元，包括:輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊；
[0011]所述輸入復(fù)位模塊，連接第一信號(hào)輸入端、第二信號(hào)輸入端、第一電壓端、第二電壓端以及上拉控制節(jié)點(diǎn)，用于根據(jù)所述第一信號(hào)輸入端和所述第二信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)控制所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，所述上拉控制節(jié)點(diǎn)為所述輸入復(fù)位模塊與所述上拉模塊的連接點(diǎn)；其中，在進(jìn)行觸控掃描時(shí)所述第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平；
[0012]所述上拉模塊，連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端、所述上拉控制節(jié)點(diǎn)以及信號(hào)輸出端，用于根據(jù)所述上拉控制節(jié)點(diǎn)和所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入的時(shí)鐘信號(hào)將所述信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)上拉為高電平；
[0013]所述控制模塊，連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、第三電壓端、所述上拉控制節(jié)點(diǎn)以及下拉控制節(jié)點(diǎn)，用于根據(jù)所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入的時(shí)鐘信號(hào)以及所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平控制所述下拉控制節(jié)點(diǎn)的電平；
[0014]所述下拉模塊，連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)、所述下拉控制節(jié)點(diǎn)、所述第三電壓端、第四電壓端以及所述信號(hào)輸出端，用于將所述信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)下拉為低電平。
[0015]具體的，所述輸入復(fù)位模塊包括:
[0016]第一晶體管，其第一極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其柵極均連接所述第一信號(hào)輸入端，其第二極連接所述第一電壓端；
[0017]第二晶體管，其第一極連接所述第二電壓端，其柵極連接所述第二信號(hào)輸入端，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)。
[0018]其中，所述第一電壓端輸入的信號(hào)為所述第一信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)。
[0019]進(jìn)一步地,所述上拉模塊包括:
[0020]第三晶體管，其第一極連接所述信號(hào)輸出端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端；
[0021]電容，所述電容并聯(lián)于所述第三晶體管的柵極和所述第三晶體管的第一極之間。
[0022]所述控制模塊包括:[0023]第四晶體管，其柵極和第二極均連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端；
[0024]第五晶體管，其柵極連接所述第四晶體管的第一極，其第二極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端；
[0025]第六晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述第四晶體管的第一極；
[0026]第七晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)。
[0027]進(jìn)一步地，當(dāng)所述第一電壓端輸入的信號(hào)為所述第一信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)時(shí)，所述下拉模塊包括:
[0028]第八晶體管，其第一極連接所述第四電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，所述第四電壓端與所述第二電壓端輸入電壓相同；
[0029]第九晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述信號(hào)輸出端。
[0030]所述下拉模塊包括:
[0031]第八晶體管，其第一極連接所述第四電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)；
[0032]第九晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述信號(hào)輸出端。
[0033]另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括多個(gè)相互級(jí)聯(lián)的如上所述的移位寄存器單元；
[0034]除第一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元的信號(hào)輸出端均連接與其相鄰的上一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端；
[0035]除最后一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元的信號(hào)輸出端均連接與其相鄰的下一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端。
[0036]具體的，所述第一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端輸入幀起始信號(hào)，所述最后一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端輸入復(fù)位信號(hào)；或，
[0037]所述最后一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端輸入幀起始信號(hào)，所述第一級(jí)移位寄存器單兀的第一信號(hào)輸入端輸入復(fù)位信號(hào)。
[0038]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
[0039]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器單元、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，包括輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象，這樣一來(lái)，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長(zhǎng)的觸控掃描時(shí)間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級(jí)移位寄存器單元PU點(diǎn)漏電現(xiàn)象，從而在保證高報(bào)點(diǎn)率的觸控掃描的同時(shí)避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線(xiàn)或者売線(xiàn)不良，提聞了顯不品質(zhì)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種采用H-Blank方式實(shí)現(xiàn)兩倍于顯示刷新頻率的內(nèi)嵌式觸控掃描時(shí)序結(jié)構(gòu)不意圖；
[0041]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中一種柵極驅(qū)動(dòng)電路中移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器單元的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一移位寄存器單元的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖7本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0048]本實(shí)用新型所有實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性相同的器件，由于這里采用的晶體管的源極、漏極是對(duì)稱(chēng)的，所以其源極、漏極是沒(méi)有區(qū)別的。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中一極稱(chēng)為第一極，將另一極稱(chēng)為第二極。此外，按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為N型和P型，以下實(shí)施例均以N性晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明，當(dāng)采用N型晶體管時(shí)，第一極可以是該N型晶體管的源極，第二極則可以是該N型晶體管的漏極?？梢韵氲降氖窃诓捎肞型晶體管實(shí)現(xiàn)時(shí)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下輕易想到的，因此也是在本實(shí)用新型的實(shí)施例保護(hù)范圍內(nèi)的。
[0049]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器單元，如圖4所示，包括:輸入復(fù)位模塊41、上拉模塊42、控制模塊43以及下拉模塊44。
[0050]其中，輸入復(fù)位模塊41，連接第一信號(hào)輸入端INPUTl、第二信號(hào)輸入端INPUT2、第一電壓端V1、第二電壓端V2以及上拉控制節(jié)點(diǎn)PU，用于根據(jù)第一信號(hào)輸入端INPUTl和第二信號(hào)輸入端INPUT2輸入的信號(hào)控制上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，上拉控制節(jié)點(diǎn)為輸入復(fù)位模塊41與上拉模塊42的連接點(diǎn)；其中，在進(jìn)行觸控掃描時(shí)第二信號(hào)輸入端INPUT2輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)PU的電平。
[0051]上拉模塊42，連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLK、上拉控制節(jié)點(diǎn)PU以及信號(hào)輸出端OUTPUT，用于根據(jù)上拉控制節(jié)點(diǎn)PU和第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLK輸入的時(shí)鐘信號(hào)將信號(hào)輸出端OUTPUT輸出的信號(hào)上拉為高電平。
[0052]控制模塊43，連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLKB、第三電壓端V3、上拉控制節(jié)點(diǎn)PU以及下拉控制節(jié)點(diǎn)PD，用于根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLKB輸入的時(shí)鐘信號(hào)以及上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平控制下拉控制節(jié)點(diǎn)PD的電平。
[0053]下拉模塊44，連接上拉控制節(jié)點(diǎn)PU、下拉控制節(jié)點(diǎn)H)、第三電壓端V3、第四電壓端V4以及信號(hào)輸出端OUTPUT，用于將信號(hào)輸出端OUTPUT輸出的信號(hào)下拉為低電平。
[0054]其中，第三電壓端V3可以輸入低電平VSS信號(hào)。第一時(shí)鐘信號(hào)端CLK和第二時(shí)鐘信號(hào)端CLKB所輸入的時(shí)鐘信號(hào)均為方波時(shí)鐘信號(hào)且具有相同的周期與占空比，但兩個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的相位相反，即當(dāng)CLK輸入高電平時(shí)，CLKB輸入低電平。[0055]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器單元，包括輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象，這樣一來(lái)，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長(zhǎng)的觸控掃描時(shí)間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級(jí)移位寄存器單元PU點(diǎn)漏電現(xiàn)象，從而在保證高報(bào)點(diǎn)率的觸控掃描的同時(shí)避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線(xiàn)或者亮線(xiàn)不良，提高了顯示品質(zhì)。
[0056]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器單元的具體結(jié)構(gòu)可以參照?qǐng)D5所示，其中，輸入復(fù)位模塊41可以包括:
[0057]第一晶體管M1，其第一極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)PU，其柵極連接第一信號(hào)輸入端INPUTl，其第二極連接第一電壓端Vl。
[0058]第二晶體管M2，其第一極連接第二電壓端V2，其柵極連接第二信號(hào)輸入端INPUT2，其第二極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)PU。
[0059]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上拉控制節(jié)點(diǎn)是指控制上拉模塊42處于開(kāi)啟或關(guān)閉狀態(tài)的電路節(jié)點(diǎn)。輸入復(fù)位模塊41的作用具體是根據(jù)第一信號(hào)輸入端INPUTl與第二信號(hào)輸入端INPUT2的高低電平的不同確定上拉控制節(jié)點(diǎn)I3U的電平高低，從而確定移位寄存器單元當(dāng)前處于輸出或復(fù)位狀態(tài)。
[0060]這樣一種結(jié)構(gòu)的輸入復(fù)位模塊41可以實(shí)現(xiàn)從上至下的柵極行驅(qū)動(dòng)單向掃描。具體的，當(dāng)上一級(jí)移位寄存器單元的輸出端OUTPUT輸出信號(hào)時(shí)，該輸出信號(hào)輸入本級(jí)移位寄存器單元的輸入端INPUTl，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)本級(jí)PU節(jié)點(diǎn)的預(yù)充電，直至下個(gè)時(shí)鐘周期來(lái)臨時(shí)實(shí)現(xiàn)本級(jí)移位寄存器單元OUTPUT端的輸出。本級(jí)移位寄存器單元的輸出信號(hào)又同時(shí)輸入至上級(jí)移位寄存器單元的INPUT2端以及下級(jí)移位寄存器單元的INPUTl端，實(shí)現(xiàn)對(duì)上一級(jí)移位寄存器單元的復(fù)位以及對(duì)下級(jí)移位寄存器單元PU節(jié)點(diǎn)的預(yù)充電，以此類(lèi)推，最終實(shí)現(xiàn)從上至下的單向逐級(jí)掃描。在如圖5所示的移位寄存器單元中即是以這樣一種具有單向掃描功能的輸入復(fù)位模塊41為例進(jìn)行的說(shuō)明。
[0061]或者，當(dāng)分別采用上下級(jí)移位寄存器單元輸出的信號(hào)作為本級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端INPUTl或第二信號(hào)控制端INPUT2的輸入信號(hào)時(shí)，這樣一種結(jié)構(gòu)的輸入復(fù)位模塊41還可以實(shí)現(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)電路的雙向掃描。具體的，第一信號(hào)輸入端INPUTl可以連接上一級(jí)移位寄存器單元的OUTPUT端，第二信號(hào)輸入端INPUT2可以連接下一級(jí)移位寄存器單元的OUTPUT端。
[0062]當(dāng)?shù)谝浑妷憾薞l輸入高電平、第二電壓端V2輸入低電平時(shí)，上一級(jí)移位寄存器單元輸出的高電平可以通過(guò)輸入復(fù)位模塊41對(duì)上拉模塊42進(jìn)行預(yù)充，下一級(jí)移位寄存器單元輸出的高電平可以通過(guò)輸入復(fù)位模塊41對(duì)上拉模塊42進(jìn)行復(fù)位。
[0063]當(dāng)?shù)谝浑妷憾薞l輸入低電平、第二電壓端V2輸入高電平時(shí)，下一級(jí)移位寄存器單元輸出的高電平可以通過(guò)輸入復(fù)位模塊41對(duì)上拉模塊42進(jìn)行預(yù)充，上一級(jí)移位寄存器單元輸出的高電平可以通過(guò)輸入復(fù)位模塊41對(duì)上拉模塊42進(jìn)行復(fù)位。
[0064]需要說(shuō)明的是，在如圖5所示的移位寄存器單元中，第一電壓端Vl輸入的信號(hào)為第一信號(hào)輸入端INPUTl輸入的信號(hào)。具體的，在實(shí)現(xiàn)單向掃描的過(guò)程中，可以通過(guò)將上一級(jí)移位寄存器單元的輸出信號(hào)同時(shí)連接晶體管Ml的柵極和第二極，以便能夠在開(kāi)啟晶體管Ml的同時(shí)輸入高電平。[0065]進(jìn)一步地,如圖5所示,上拉模塊42可以包括:
[0066]第三晶體管M3，其第一極連接信號(hào)輸出端OUTPUT，其柵極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)I3U,其第二極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLK。
[0067]電容C，該電容C并聯(lián)于第三晶體管M3的柵極和第三晶體管M3的第一極之間。
[0068]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，上拉模塊42的作用是在進(jìn)行預(yù)充之后，且第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLK輸入的時(shí)鐘信號(hào)為高電平的時(shí)鐘周期內(nèi)，使得信號(hào)輸出端OUTPUT輸出柵極驅(qū)動(dòng)的聞電平/[目號(hào)。
[0069]進(jìn)一步地，如圖5所示，控制模塊43可以包括:
[0070]第四晶體管M4，其柵極和第二極均連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLKB。
[0071]第五晶體管M5，其柵極連接第四晶體管M4的第一極，其第二極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端CLKB。
[0072]第六晶體管M6，其第一極連接所述第三電壓端V3，其柵極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)其第二極連接第四晶體管M4的第一極。
[0073]第七晶體管M7，其第一極連接所述第三電壓端V3，其柵極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)其第二極連接下拉控制節(jié)點(diǎn)H)。
[0074]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，控制模塊43的作用是根據(jù)上拉控制節(jié)點(diǎn)I3U的電壓控制下拉控制節(jié)點(diǎn)ro的電平，其中，下拉控制節(jié)點(diǎn)ro是指控制下拉模塊處于開(kāi)啟或關(guān)閉狀態(tài)的電路節(jié)點(diǎn)。
[0075]進(jìn)一步地，在如圖5所示的移位寄存器單元中，當(dāng)?shù)谝浑妷憾薞l輸入的信號(hào)為第一信號(hào)輸入端INPUTl輸入的信號(hào)時(shí),下拉模塊44可以包括:
[0076]第八晶體管M8，其第一極連接第四電壓端V4，其柵極連接下拉控制節(jié)點(diǎn)PD，其第二極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)PU，第四電壓端V4與第二電壓端V2輸入電壓相同。
[0077]第九晶體管M9，其第一極連接第三電壓端V3，其柵極連接下拉控制節(jié)點(diǎn)PD，其第二極連接信號(hào)輸出端OUTPUT。
[0078]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的下拉模塊44，在實(shí)現(xiàn)移位寄存器單元單向掃描功能的同時(shí)能夠進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路，便于設(shè)計(jì)和制造。
[0079]在現(xiàn)有的單向掃描移位寄存器單元中，I3U點(diǎn)的電荷主要是通過(guò)晶體管M2與M8泄漏至低電平的第三電壓端V3(此為正向掃描情況，反向掃描則是通過(guò)晶體管Ml和M8，此處以正向掃描為例進(jìn)行說(shuō)明)，當(dāng)進(jìn)行觸控掃描時(shí)，以上晶體管均存在漏電現(xiàn)象。如圖5所示，在本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的單向掃描移位寄存器單元中，晶體管M2和M8均連接第二電壓端V2，在觸控掃描時(shí)，設(shè)置第二電壓端V2輸入BW信號(hào)為高電平，使Vbw>Vpu，根據(jù)晶體管的特性，此時(shí)PU點(diǎn)通過(guò)晶體管M2和M8漏電將變?yōu)锽W通過(guò)晶體管M2和M8對(duì)PU點(diǎn)進(jìn)行充電，晶體管M2和M8的漏電將會(huì)大大降低，從而改善單向掃描移位寄存器單元的點(diǎn)漏電情況。
[0080]或者，為了實(shí)現(xiàn)雙向掃描的功能，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)還可以如圖6所示，與上述移位寄存器單元結(jié)構(gòu)所不同的是，下拉模塊44可以包括:
[0081]第八晶體管M8，其第一極連接第四電壓端V4，其柵極連接下拉控制節(jié)點(diǎn)PD，其第二極連接上拉控制節(jié)點(diǎn)PU，第四電壓端V4輸入低電平。
[0082]第九晶體管M9，其第一極連接第三電壓端V3，其柵極連接下拉控制節(jié)點(diǎn)PD，其第二極連接信號(hào)輸出端OUTPUT。
[0083]具體的，根據(jù)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的分析可知，在現(xiàn)有的移位寄存器單元中，PU點(diǎn)的電荷主要是通過(guò)晶體管M2與M8泄漏至低電平的第三電壓端V3 (此為正向掃描情況，反向掃描則是通過(guò)晶體管Ml和M8，此處以正向掃描為例進(jìn)行說(shuō)明)，當(dāng)PU點(diǎn)為高電平時(shí)，H)非常接近低電平VSS，且由于晶體管M7的分壓作用，H)點(diǎn)電壓Vpd會(huì)略大于VSS，假設(shè)VSS設(shè)置為-10V，則模擬結(jié)果顯示Vpd約為-9.6V左右。對(duì)于晶體管M8，柵極電壓Vpd會(huì)略大于源極電壓VSS，由晶體管特性可知，此時(shí)晶體管接近開(kāi)啟，所以漏電流非常大。
[0084]因此，可以對(duì)晶體管M8連接一個(gè)額外的獨(dú)立第四電壓端V4輸入VSSl直流低電平信號(hào)，設(shè)置其大于Vpd,同時(shí)在觸控掃描時(shí)，設(shè)置第二電壓端V2輸入BW信號(hào)為高電平，使Vbw>Vpu，根據(jù)晶體管的特性，此時(shí)I3U點(diǎn)通過(guò)晶體管M2漏電將變?yōu)锽W通過(guò)晶體管M2對(duì)PU點(diǎn)進(jìn)行充電，晶體管M8的漏電也會(huì)大大降低，從而改善雙向掃描移位寄存器單元的點(diǎn)漏電情況。通過(guò)測(cè)算可知，采用這樣一種結(jié)構(gòu)的移位寄存器單元的漏電流降低為原來(lái)的1/38?1/71，改善效果明顯。
[0085]在如圖5或圖6所示的移位寄存器單元中，分別包括9個(gè)N型晶體管以及I個(gè)電容(9T1C)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，這種電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中元器件相對(duì)較少，從而顯著簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的難度，有效控制了電路區(qū)域與布線(xiàn)空間的大小，實(shí)現(xiàn)了顯示裝置窄邊框的設(shè)計(jì)。
[0086]采用這樣一種結(jié)構(gòu)的移位寄存器單元，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象。
[0087]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路，如圖7所示，包括多個(gè)相互級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元71，多級(jí)移位寄存器單元71的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行。
[0088]其中，除第一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元71的信號(hào)輸出端OUTPUT均連接與其相鄰的上一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端INPUT2。
[0089]除最后一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元71的信號(hào)輸出端OUTPUT均連接與其相鄰的下一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端INPUTl。
[0090]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括移位寄存器單元，該移位寄存器單元包括輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象，這樣一來(lái)，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長(zhǎng)的觸控掃描時(shí)間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級(jí)移位寄存器單元PU點(diǎn)漏電現(xiàn)象，從而在保證高報(bào)點(diǎn)率的觸控掃描的同時(shí)避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線(xiàn)或者売線(xiàn)不良，提聞了顯不品質(zhì)。
[0091]需要說(shuō)明的是，在對(duì)具有N行柵線(xiàn)的陣列基板進(jìn)行柵極行驅(qū)動(dòng)掃描加觸控掃描的過(guò)程中，為了提高觸控掃描的精準(zhǔn)度與報(bào)點(diǎn)率，提高觸控掃描的頻率是關(guān)鍵，這就要求在一次柵極行驅(qū)動(dòng)掃描的過(guò)程中加入多次觸控掃描，可以通過(guò)在一定行數(shù)像素充電的間隙中，預(yù)留一段時(shí)間進(jìn)行部分觸控信號(hào)掃描，即像素充電與觸控掃描交叉進(jìn)行，此種方式可以支持觸摸掃描刷新率大于畫(huà)面刷新率，即與畫(huà)面刷新率成倍數(shù)關(guān)系。
[0092]具體的，在如圖8所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，是以將陣列基板平均分成具有相同行數(shù)柵線(xiàn)的兩個(gè)區(qū)域進(jìn)行的說(shuō)明，其中，可以將前N/2行柵線(xiàn)所在區(qū)域稱(chēng)為第一區(qū)域，將后N/2行柵線(xiàn)所在區(qū)域稱(chēng)為第二區(qū)域，在對(duì)第一區(qū)域掃描完成后且第二區(qū)域開(kāi)始掃描之前的一段時(shí)間為觸控掃描時(shí)間。在觸控掃描完成后，再次掃描位于第一區(qū)域的最后一級(jí)移位寄存器單元，以使得位于第一區(qū)域的最后一級(jí)移位寄存器單元對(duì)位于第二區(qū)域的第一級(jí)移位寄存器單元進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)然，以上也僅是舉例說(shuō)明，為了進(jìn)一步提高觸摸掃描的刷新率，可以將陣列基板上的柵線(xiàn)分成更多的區(qū)域進(jìn)行掃描，本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定。
[0093]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，當(dāng)采用從上至下的順序進(jìn)行柵極行驅(qū)動(dòng)掃描時(shí)，第一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端INPUTl可以輸入幀起始信號(hào)STV作為起始信號(hào)，在掃描完成后，最后一級(jí)移位寄存器單兀的第二信號(hào)輸入端INPUT2可以輸入復(fù)位信號(hào)RST。在如圖8所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路中即是以從上至下掃描為例進(jìn)行的說(shuō)明。
[0094]或者，當(dāng)采用從下至上的順序進(jìn)行柵極行驅(qū)動(dòng)掃描時(shí)，最后一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端INPUT2可以輸入幀起始信號(hào)STV作為起始信號(hào)，在掃描完成后，第一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端INPUTl可以輸入復(fù)位信號(hào)RST。本實(shí)用新型對(duì)此并不做限定。
[0095]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
[0096]由于柵極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)在前述實(shí)施例中已做了詳細(xì)的描述，此處不做贅述。
[0097]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置，包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路具有多個(gè)相互級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元，每個(gè)移位寄存器單元又包括輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊，通過(guò)在進(jìn)行觸控掃描時(shí)將所述輸入復(fù)位模塊的第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，從而能夠有效克服上拉控制節(jié)點(diǎn)的漏電現(xiàn)象，這樣一來(lái)，避免了兩行移位寄存器單元輸出之間由于相隔了較長(zhǎng)的觸控掃描時(shí)間而造成的在進(jìn)行完觸控掃描之后的第一級(jí)移位寄存器單元PU點(diǎn)漏電現(xiàn)象，從而在保證高報(bào)點(diǎn)率的觸控掃描的同時(shí)避免了行像素充電率不足的缺陷，顯著改善了暗線(xiàn)或者亮線(xiàn)不良，提高了顯示品質(zhì)。
[0098]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0099]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種移位寄存器單元，其特征在于，包括:輸入復(fù)位模塊、上拉模塊、控制模塊以及下拉模塊； 所述輸入復(fù)位模塊，連接第一信號(hào)輸入端、第二信號(hào)輸入端、第一電壓端、第二電壓端以及上拉控制節(jié)點(diǎn)，用于根據(jù)所述第一信號(hào)輸入端和所述第二信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)控制所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平，所述上拉控制節(jié)點(diǎn)為所述輸入復(fù)位模塊與所述上拉模塊的連接點(diǎn)；其中，在進(jìn)行觸控掃描時(shí)所述第二信號(hào)輸入端輸入高電平，以保持所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平； 所述上拉模塊，連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端、所述上拉控制節(jié)點(diǎn)以及信號(hào)輸出端，用于根據(jù)所述上拉控制節(jié)點(diǎn)和所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入的時(shí)鐘信號(hào)將所述信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)上拉為高電平； 所述控制模塊，連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、第三電壓端、所述上拉控制節(jié)點(diǎn)以及下拉控制節(jié)點(diǎn)，用于根據(jù)所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入的時(shí)鐘信號(hào)以及所述上拉控制節(jié)點(diǎn)的電平控制所述下拉控制節(jié)點(diǎn)的電平； 所述下拉模塊，連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)、所述下拉控制節(jié)點(diǎn)、所述第三電壓端、第四電壓端以及所述信號(hào)輸出端，用于將所述信號(hào)輸出端輸出的信號(hào)下拉為低電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述輸入復(fù)位模塊包括: 第一晶體管，其第一極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其柵極均連接所述第一信號(hào)輸入端，其第二極連接所述第一電壓端； 第二晶體管，其第一極連接所述第二電壓端，其柵極連接所述第二信號(hào)輸入端，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移位寄存器單元，其特征在于， 所述第一電壓端輸入的信號(hào)為所述第一信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述上拉模塊包括: 第三晶體管，其第一極連接所述信號(hào)輸出端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端； 電容，所述電容并聯(lián)于所述第三晶體管的柵極和所述第三晶體管的第一極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述控制模塊包括: 第四晶體管，其柵極和第二極均連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端； 第五晶體管，其柵極連接所述第四晶體管的第一極，其第二極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端； 第六晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述第四晶體管的第一極； 第七晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，當(dāng)所述第一電壓端輸入的信號(hào)為所述第一信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)時(shí)，所述下拉模塊包括: 第八晶體管，其第一極連接所述第四電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)，所述第四電壓端與所述第二電壓端輸入電壓相同； 第九晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述信號(hào)輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述下拉模塊包括: 第八晶體管，其第一極連接所述第四電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述上拉控制節(jié)點(diǎn)； 第九晶體管，其第一極連接所述第三電壓端，其柵極連接所述下拉控制節(jié)點(diǎn)，其第二極連接所述信號(hào)輸出端。
8.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括多個(gè)相互級(jí)聯(lián)的如權(quán)利要求1-7任一所述的移位寄存器單元，多級(jí)移位寄存器單元的掃描輸出與觸控掃描間隔進(jìn)行； 除第一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元的信號(hào)輸出端均連接與其相鄰的上一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端； 除最后一級(jí)移位寄存器單元外，其余每個(gè)移位寄存器單元的信號(hào)輸出端均連接與其相鄰的下一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述第一級(jí)移位寄存器單元的第一信號(hào)輸入端輸入幀起始信號(hào)，所述最后一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端輸入復(fù)位信號(hào)；或， 所述最后一級(jí)移位寄存器單元的第二信號(hào)輸入端輸入幀起始信號(hào)，所述第一級(jí)移位寄存器單兀的第一信號(hào)輸 入端輸入復(fù)位信號(hào)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
【文檔編號(hào)】G11C19/28GK203760057SQ201420143404
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月27日
【發(fā)明者】張?jiān)? 趙家陽(yáng), 韓承佑, 姚星, 金海峰 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司