本發(fā)明涉及集成電路裝置，并且更具體地，涉及集成電路存儲器裝置。

背景技術(shù)：

1、易失性半導體存儲器裝置(諸如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram))可執(zhí)行寫入操作或讀取操作。

2、近來，隨著存儲在存儲器裝置中的數(shù)據(jù)的大小持續(xù)增大并且用于制造存儲器裝置的制造工藝導致存儲器裝置內(nèi)的裝置尺寸的減小，在存儲器單元的行方向上選擇的字線之間的距離逐漸變窄，使得每條被選字線與鄰近的未被選字線間隔得更近。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，尺寸和間隔的這種減小可通過增大鄰近的字線之間的電耦合的大小等而導致各種缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的實施例提供可改善字線的禁用時間且改善鄰近的字線之間的耦合效應(yīng)的其中具有子字線驅(qū)動器的半導體存儲器裝置。

2、本公開的一個或多個實施例提供一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：第一字線，沿著第一方向延伸；以及子字線驅(qū)動器，包括第一電路和第二電路，第一電路和第二電路連接到第一字線并且沿著第一方向彼此間隔開。第一電路用第一電壓來驅(qū)動第一字線，并且第二電路用與第一電壓不同的第二電壓來驅(qū)動第一字線。提供在第一電路與第二電路之間連接到第一字線的存儲器單元。

3、本公開的一個或多個實施例提供一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：單元陣列，包括存儲器單元；第一字線，連接到存儲器單元；第一塊，設(shè)置在單元陣列的一側(cè)上，并且包括連接到第一字線以用第一電壓來驅(qū)動第一字線的第一電路；以及第二塊，設(shè)置在單元陣列的另一側(cè)上，并且包括連接到第一字線以用與第一電壓不同的第二電壓來驅(qū)動第一字線的第二電路。

4、本公開的一個或多個實施例提供一種存儲器系統(tǒng)，所述存儲器系統(tǒng)包括：單元陣列，包括連接到多條字線的多個存儲器單元；存儲器控制器，輸出地址信號；行解碼器，接收地址信號，并且輸出基于地址信號從所述多條字線之中選擇第一字線的第一信號、以及多個驅(qū)動信號。提供第一子字線驅(qū)動器，第一子字線驅(qū)動器包括：第一晶體管，連接到第一字線的一端，第一晶體管基于第一信號和所述多個驅(qū)動信號之中的第一驅(qū)動信號將第一電壓施加到第一字線；第二晶體管，基于第一信號將與第一電壓不同的第二電壓施加到第一字線；以及第三晶體管，連接到第一字線的另一端，并且基于與第一驅(qū)動信號互補的第二驅(qū)動信號將第二電壓施加到第一字線。

5、根據(jù)本公開的一個或多個實施例，提供一種集成電路存儲器裝置，所述集成電路存儲器裝置包括：存儲器單元的陣列，具有與其相關(guān)聯(lián)的字線；以及多個子字線驅(qū)動器。存儲器單元的陣列布置為跨越所述陣列的多個列的多個存儲器單元的行，并且所述多個行中的每行具有跨越所述陣列(例如，從所述陣列的第一側(cè)到相對的第二側(cè))的與其相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的字線。提供包括第一電路和第二電路的子字線驅(qū)動器。有利地，第一電路與所述陣列的第一側(cè)鄰近地延伸，并且第二電路與所述陣列的第二側(cè)鄰近地延伸。電結(jié)合到所述陣列的第一側(cè)上的所述字線的第一節(jié)點的第一電路被配置為在第一電路被激活時用上拉電壓來驅(qū)動所述字線。相反，電結(jié)合到所述陣列的第二側(cè)上的所述字線的第二節(jié)點的第二電路被配置為在第二電路被激活時用下拉電壓來驅(qū)動所述字線。

技術(shù)特征：

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，第一電路包括第一晶體管和第二晶體管，第一晶體管連接在第一電源與第一字線連接到的第一節(jié)點之間，第二晶體管連接到第一節(jié)點并且與第一晶體管串聯(lián)連接，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，第一電路在第一字線的一端連接到第一字線，并且

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體存儲器裝置，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，第二電路和第三電路具有相同的結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括：

9.一種半導體存儲器裝置，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，第一電路包括上拉晶體管，上拉晶體管被配置為將第一字線上拉到第一電壓；并且第二電路包括下拉晶體管，下拉晶體管被配置為將第一字線下拉到第二電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體存儲器裝置，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，第二電路和第三電路具有相同的結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體存儲器裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體存儲器裝置，還包括：第三塊，被設(shè)置在第一塊的相對于第二塊的相對側(cè)上；

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體存儲器裝置，其中，第一電路和第三電路具有相同的結(jié)構(gòu)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導體存儲器裝置，還包括：第四塊，被設(shè)置在第二塊的相對于第三塊的相對側(cè)上；

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，第一電路在第一字線的一端連接到第一字線，并且第二電路在第一字線的另一端連接到第一字線。

18.一種存儲器系統(tǒng)，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲器系統(tǒng)，還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器系統(tǒng)，

技術(shù)總結(jié)
提供半導體存儲器裝置和存儲器系統(tǒng)，所述半導體存儲器裝置包括：第一字線，沿第一方向延伸；第一子字線驅(qū)動器，包括連接到第一字線并沿第一方向彼此間隔開的第一電路和第二電路，其中，第一電路被配置為用第一電壓來驅(qū)動第一字線，并且第二電路被配置為用與第一電壓不同的第二電壓來驅(qū)動第一字線；以及存儲器單元，連接到第一電路與第二電路之間的第一字線。

技術(shù)研發(fā)人員：樸鍾旭
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/12