在此描述的本公開的示例實施例涉及半導(dǎo)體存儲器裝置，并且更具體地，涉及包括讀取回收模塊的存儲裝置及其回收操作方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲器可分為兩種主要類型：易失性存儲器和非易失性存儲器。與非易失性存儲器相比，易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(dram)或靜態(tài)隨機存取存儲器(sram))通常提供更快的讀取速度和寫入速度。然而，一旦斷電，易失性存儲器中的數(shù)據(jù)就會丟失。相反，非易失性存儲器即使在沒有電力的情況下也保存數(shù)據(jù)。

2、閃存為可在單個存儲器單元中存儲多個數(shù)據(jù)位(通常兩位或更多)的非易失性存儲器的常見形式。閃存可具有由閾值電壓分布確定的至少一個擦除狀態(tài)和多個編程(例如，寫入)狀態(tài)。

3、閃存在它的編程狀態(tài)中的每個狀態(tài)之間包含讀取裕度，以確保數(shù)據(jù)完整性。然而，閃存單元的閾值電壓可能由于各種原因(諸如，耦合噪聲、通過電壓干擾、編程電壓干擾或讀取通過電壓干擾)而偏移。這些變化可導(dǎo)致存儲器單元的閾值電壓增加，從而導(dǎo)致第一編程狀態(tài)與第二編程狀態(tài)之間的重疊。

4、在閃存中的讀取操作期間，可將選擇讀取電壓提供給選擇的字線，并且可將高電壓讀取通過電壓提供給未選擇的字線。如果將高電壓讀取通過電壓重復(fù)地施加到未選擇的字線，則它可對存儲器單元施加應(yīng)力，從而導(dǎo)致存儲器單元閾值電壓的增加。因此，在讀取操作期間可能發(fā)生讀取故障。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的示例實施例提供一種可在熱點讀取操作期間選擇性地執(zhí)行塊回收操作或字線回收操作的存儲裝置。

2、本公開的示例實施例提供一種可通過執(zhí)行字線回收操作(代替塊回收操作)來減少由讀取故障引起的讀取干擾，并且減少閃存的寫入操作的數(shù)量的存儲裝置。

3、根據(jù)本公開的實施例，提供一種存儲裝置，所述存儲裝置包括：閃存，包括選擇的字線和與選擇的字線相鄰的相鄰字線；以及存儲器控制器，被配置為：在讀取操作期間將選擇讀取電壓提供給選擇的字線，并且將通過電壓提供給所述相鄰字線，通過電壓高于選擇讀取電壓，其中，存儲器控制器還被配置為：基于所述相鄰字線的劣化水平來確定選擇的字線是否是熱點讀取字線，并且當(dāng)選擇的字線是熱點讀取字線時，對所述相鄰字線執(zhí)行字線回收操作。

4、根據(jù)本公開的實施例，提供一種存儲裝置，所述存儲裝置包括：閃存，包括第一字線和與第一字線相鄰的第二字線；以及存儲器控制器，被配置為：在讀取操作期間將選擇讀取電壓提供給第一字線，并且將通過電壓提供給第二字線，通過電壓高于選擇讀取電壓，其中，存儲器控制器還被配置為：基于第二字線的劣化水平來確定第一字線是否是熱點讀取字線，并且基于第一字線是否是熱點讀取字線來執(zhí)行塊回收操作或字線回收操作。

5、根據(jù)本公開的實施例，提供一種包括閃存的存儲裝置的回收操作方法，所述回收操作方法包括：確定與閃存的第一字線相鄰的第二字線是否是劣化字線；當(dāng)?shù)诙志€是劣化字線時，確定第一字線是否是熱點讀取字線；并且當(dāng)?shù)谝蛔志€是熱點讀取字線時，對第二字線執(zhí)行字線回收操作。

技術(shù)特征：

1.一種存儲裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

11.一種存儲裝置，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲裝置，

16.一種包括閃存的存儲裝置的回收操作方法，所述方法包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的回收操作方法，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的回收操作方法，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的回收操作方法，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的回收操作方法，還包括：

技術(shù)總結(jié)
公開了存儲裝置及其回收操作方法。所述存儲裝置包括：閃存，包括選擇的字線和與選擇的字線相鄰的相鄰字線；以及存儲器控制器，被配置為：在讀取操作期間將選擇讀取電壓提供給選擇的字線，并且將通過電壓提供給所述相鄰字線，通過電壓高于選擇讀取電壓，其中，存儲器控制器還被配置為：基于所述相鄰字線的劣化水平來確定選擇的字線是否是熱點讀取字線，并且當(dāng)選擇的字線是熱點讀取字線時，對所述相鄰字線執(zhí)行字線回收操作。

技術(shù)研發(fā)人員：李東浩,李世雄,千允洙
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17