專利名稱：組合光學(xué)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及組合光學(xué)設(shè)備，特別是涉及適用于所謂激光耦合器的光學(xué)設(shè)備。
組合光學(xué)設(shè)備叫做激光耦合器。例如，

圖1、2和3表示通常用作小型CD唱機(jī)光拾取器的激光耦合器。圖1是激光耦合器透視圖，圖2是激光耦合器的縱向截面圖，以及圖3是在激光耦合器中微棱鏡粘接部分的放大截面圖。
如圖1和2中所示，激光耦合器包括被以緊密關(guān)系裝配在光敏二極管集成電路(下文稱為光敏二極管IC)器1上的依次支撐在其上的半導(dǎo)體激光器104、光敏二極管103和由光學(xué)玻璃和LOP(光敏二極管激光器)片制成的微棱鏡102。光敏二極管IC101包括一對用于檢測光信號的光敏二極管PD1和PD2、電流電壓(I-V)變換放大器和算法處理單元(后兩個沒有示出)，上述器件都裝在形成在硅支撐體上的IC中。光敏二極管103是以監(jiān)視從半導(dǎo)體激光器104的后端面輸出的光和控制從半導(dǎo)體激光器104前端面輸出的光束構(gòu)成的。
如圖2中所示，微棱鏡102具有起入射面作用的傾斜面102a、頂面102b、底面102c、端面102d和端面102e。微棱鏡102已經(jīng)在斜面102a上形成半反射鏡105并在頂面102b上形成全反射膜106。較靠近LOP片的端面102d是一個拋光面，而光吸收膜107形成在與LOP片相對的端面102e上。
如圖3中所示，抗反射膜108形成在微棱鏡102的整個底面102c上、而二氧化硅(SiO2)膜109形成在抗反射膜108上。另一方面，在光敏二極管IC101的光敏二極管PD1上形成的是氮化硅(SiN)膜110，在其上形成二氧化硅膜111作為鈍化膜以遮蓋氮化硅膜110和光敏二極管PD2的表面。形成在微棱鏡102的底面102c上的二氧化硅膜109用粘合劑112粘接到光敏二極管IC101上的二氧化硅膜111上，以便把微棱鏡102裝在光敏二極管IC101上。在這種情況下，在光敏二極管PD1上的氮化硅膜110和位于上面的二氧化硅膜111就組成一個半反射鏡。二氧化硅膜109用于加強(qiáng)粘合劑112粘接微棱鏡102的粘接強(qiáng)度。二氧化硅膜111是用于光敏二極管IC101表面的鈍化，并加強(qiáng)用粘合劑112粘接微棱鏡102的粘接強(qiáng)度。在圖2中，省略二氧化硅膜109和氮化硅膜110的說明。
光敏二極管PD1和PD2在此使用的是如圖4中所示的4分區(qū)類型。在同一圖中，A1到A4表示分區(qū)類型光敏二極管PD1的單獨(dú)的光敏二極管，而B1到B4表示分區(qū)類型光敏二極管PD2的單獨(dú)的光敏二極管。
具有上述結(jié)構(gòu)的激光耦合器，如圖5中所示，＂激光耦合器被容納在由陶瓷制的扁平密封包113中，例如，用窗蓋(未示出)來密封的。
接下來參考圖6來說明激光耦合器的工作。
如圖6中所示，從半導(dǎo)體激光器104前端面射出的激光束L，首先被在微棱鏡102的斜面102a上的半反射鏡(未示出)反射，然后被物鏡OL聚焦到盤D上，用于從盤D上讀出信號。被盤D反射的激光束L經(jīng)過在微棱鏡102的斜面102上的半反射鏡(未示出)進(jìn)入到微棱鏡102。進(jìn)入微棱鏡102的光束的一半(50％)進(jìn)入光敏二極管PD1，而光束的另一半(50％)被在光敏二極管PD1上的半反射鏡(未示出)反射，然后被微棱鏡102的頂面102b反射到光敏二極管PD2上。
激光耦合器的設(shè)計是，當(dāng)激光束L聚焦在盤D的記錄面上時，使得在光敏二極管PD1和PD2的前面和背面的光點(diǎn)大小相等；然而，如果聚焦偏離于記錄面，那么，在光敏二極管PD1和PD2上的光點(diǎn)大小就會互相不同。于是，如果聚焦偏差對應(yīng)于從光敏二極管PD1輸出的信號和從光敏二極管PD2輸出的信號之間差的話，就可檢測到聚焦誤差信號。聚焦誤差信號對應(yīng)于位于盤記錄面上聚焦位置的點(diǎn)是零，就是說，這剛好是聚焦點(diǎn)。通過聚焦伺服系統(tǒng)的反饋控制使得聚焦誤差信號變?yōu)榱?，就能保持正確的聚焦?fàn)顟B(tài)，盤D就能以良好條件重放。在圖4中，聚焦誤差信號是由(A1+A2+B3+B4)-(A3+A4+B1+B2)組成的。
一個上述普通激光耦合器的改進(jìn)型式，如圖7中所示，其差別在于其反射鏡114形成在相應(yīng)于經(jīng)過抗反射膜108的光敏二極管PD1的微棱鏡102的底面102c的區(qū)域中，還在于二氧化硅膜111形成在光敏二極管IC101的整個面上。
在圖1，2和3中所示的普通激光耦合器中，形成在光敏二極管PD1上的氮化硅膜110與二氧化硅膜111一起組成半反射鏡，在制造光敏二極管IC101的過程中，首先在光敏二極管IC101的整個表面上制成氮化硅膜，然后用腐蝕方法摹制氮化硅膜。就是說，普通的激光耦合器需要制版和蝕刻，有選擇地僅在光敏二極管PD1上形成氮化硅膜110，因此就增加了光敏二極管PD1的制造成本。
在圖7中所示的最近的激光耦合器的情況中，在光敏二極管IC101上不需要半反射鏡，因此制造就便宜。然而，微棱鏡102需要在底面102a的選擇區(qū)域上制成半反射鏡114，這樣，就增加了制造微棱鏡102的成本。
由于上面說明的原因，至今要降低激光耦合器的制造成本已經(jīng)是很困難了。
因此，本發(fā)明目的是要提供一種低制造成本的組合光學(xué)設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，提供的組合光學(xué)設(shè)備包括支持體，至少具有第一光檢測設(shè)備、第二光檢測設(shè)備、耦合到第一光檢測設(shè)備輸出的第一電流電壓變換放大器、和耦合到第二光檢測設(shè)備輸出的第二電流電壓變換放大器；和形成在支持體上的光發(fā)射設(shè)備；形成在支持體上的棱鏡，位于第一光檢測設(shè)備和第二光檢測設(shè)備之上，其中經(jīng)過棱鏡的預(yù)定的入射面進(jìn)入棱鏡的光束被二分叉并引進(jìn)到第一光檢測設(shè)備和第二光檢測設(shè)備；和在引入到第一光檢測設(shè)備的入射光的總量和引入到第二光檢測設(shè)備入射光的總量之間的差是用調(diào)節(jié)在第一電流電壓變換放大器的增益和第二電流電壓變換放大器的增益之間的差來校正的。
第一電流電壓變換放大器的增益和第二電流電壓變換放大器增益之間的差，最典型的是用調(diào)節(jié)在第一電流變換放大器中的電阻值和/或在第二電流電壓變換放大器中的電阻值來確定的。
本發(fā)明的一個方面，半反射鏡是形成在棱鏡的整個底面區(qū)域上。例如，半反射鏡是由多層電介質(zhì)膜構(gòu)成。
本發(fā)明的另一個方面，半反射鏡是形成在支持體的整個表面上。例如，半反射是由形成在支持體上的氮化硅膜和形成在氮化硅膜上的二氧化硅膜構(gòu)成。
本發(fā)明再有一個方面，半反射鏡由支持體和形成在支持體整個表面上的鈍化膜之間的界面構(gòu)成。
支持體典型的是半導(dǎo)體基片，例如，可以是硅(Si)基片。
支持體的鈍化膜，例如是二氧化硅(SiO2)膜。
第一光檢測設(shè)備和第二光檢測設(shè)備典型地是多分區(qū)型，具體地說是4分區(qū)型。
在本發(fā)明典型的情況中，組合光學(xué)設(shè)備是激光耦合器。
根據(jù)本發(fā)明一個其它方面的組合光學(xué)設(shè)備，其中，在入射到第一光檢測設(shè)備的光總量和入射到第二光檢測設(shè)備的光總量之間的差是用第一電流電壓變換放大器的增益和第二電流電壓變換放大器增益之間的差來校正的，因此不需要在支持體的選定部分或在棱鏡底面的選定部分上局部地形成半反射鏡，但是允許在支持體的整個面上或在棱鏡底面的整個區(qū)域上形成半反射鏡。因此，制造支持體和棱鏡就很經(jīng)濟(jì)。結(jié)果就是減少了例如激光耦合器的組合光學(xué)設(shè)備制造成本。
在閱讀結(jié)合附圖的詳細(xì)描述之后，本發(fā)明的以上和其它方面的、本發(fā)明目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得很明顯。
圖1是普通的激光耦合器的透視圖；圖2是普通的激光耦合器的截面圖；圖3是普通的激光耦合器的比例放大的局部視圖；圖4是普通的激光耦合器的光敏二極管IC中的光敏二極管的模型平面視圖；圖5是在平面封裝中通常的激光耦合器封裝中的透視圖；圖6是說明用于CD唱機(jī)的光拾取器的激光耦合器工作的示意圖7是另一個普通的激光耦合器的局部、放大、截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的激光耦合器的截面圖；圖9是本發(fā)明第一實(shí)施例的激光耦合器的局部、放大截面圖；圖10是本發(fā)明第一實(shí)施例的激光耦合器的光敏二極管IC的方框圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的激光耦合器的光敏二極管IC中的I-V變換放大器電路和加法放大器電路的電路圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的激光耦合器的放大、截面圖；和圖13是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的激光耦合器的放大、截面圖。
下面參考附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。在所有實(shí)施例的圖中，公共的或等效部分或部件都用同一標(biāo)號標(biāo)定。
圖8是本發(fā)明第一實(shí)施例的激光耦合器的截面圖。圖9是在激光耦合器微棱鏡粘接部分的放大、截面圖。當(dāng)透視觀看時，第一實(shí)施例的激光耦合器就與圖1相同。
如圖8中所示的，本發(fā)明的激光耦合器包括，光敏二極管集成電路(下文叫做光敏二極管IC)1，在其上在靠近位置上支撐一個微棱鏡2，以及包括光敏二極管3和放置在光敏二極管3上的半導(dǎo)體激光器4的LOP片。例如，微棱鏡2是由光學(xué)玻璃(例如，用折射率1.766的玻璃)的制成。光敏二極管IC1包括一對用于檢測光信號的光敏二極管PD1和PD2、光敏二極管PD1和PD2的電流電壓(I-V)變換放大器和算法處理單元(未示出它們)，上面所有的元器件都組合在典型地形成在硅支持體上的IC(例如，雙極IC)中。在后面將詳細(xì)說明光敏二極管IC1。光敏二極管3用于監(jiān)視從半導(dǎo)體激光器4的后端面輸出的光和以控制從半導(dǎo)體激光器4前端面輸出的光。光敏二極管3例如是一個Si(硅)片，而半導(dǎo)體激光器4例如是砷化鎵/砷化鋁鎵(GaAs/AlGaAs)半導(dǎo)體激光器(例如，具有780nm(毫微米)的振蕩波長)。
如圖8中所示，微棱鏡2是有用作入射面的斜面2a、頂面2b、底面2c、端面2d和端面2e。微棱鏡2具有在斜面2a上形成的半反射鏡5、在頂面2b上形成全反射膜6、沿靠近LOP片的端面2d形成拋光面，以及在與LOP片相對的端面2e上形成光吸收膜7。例如，用作半反射鏡5是具有20％反射系數(shù)的多層電介質(zhì)膜。例如，用作全反射膜6是多層電介質(zhì)膜。這些多層電介質(zhì)膜可由氧化鋯(ZrO)、氧化鈦(TiO)，二氧化硅(SiO2)等等構(gòu)成。微棱鏡2的尺寸是，高0.6mm、全長1.52mm，寬1.8mm；以及頂面2b長度是1.1mm。
如圖9所示，抗反射膜8形成在微棱鏡2的底面2c的整個區(qū)域上。在抗反射膜8上形成的是半反射鏡9和二氧化硅膜10。光敏二極管IC1具有形成在它整個表面上作為鈍化膜的二氧化硅膜11。微棱鏡2是用粘合劑12把微棱鏡2底面2c的二氧化硅膜10粘接到光敏二極管IC1的二氧化硅膜11的方法安裝在光敏二極管IC1上。例如，用作抗反射膜8是厚度大約150nm和反射系數(shù)1.61的三氟化鈰膜或三氧化二鋁膜。半反射鏡9是由厚度大約600nm的氧化鋯(ZrO)、氧化鈦(TiO)、二氧化硅(SiO2)等多層電介質(zhì)膜構(gòu)成。二氧化硅(SiO2)用于加強(qiáng)微棱鏡2的粘接強(qiáng)度、并具有大約150nm的厚度。二氧化硅(SiO2)膜11用于光敏二極管IC1表面鈍化膜并加強(qiáng)用粘合劑12粘合微棱鏡2的粘接強(qiáng)度，它的厚度大約500nm。用作粘合劑12，例如是硅酮樹脂粘合劑，(例如具有1.43的反射系數(shù))，用紫外線使其粘合。粘合劑12的厚度是典型的10μm(微米)。在圖8中省略二氧化硅膜10的說明。
在此使用的光敏二極管PD1和PD2，與圖4中所示的是相同的4分區(qū)型的光敏二極管。
具有上述結(jié)構(gòu)的激光耦合器，以與圖5說明的相同方式容納在例如由陶瓷制成的扁平封裝113中，并用窗蓋(未示出)來封口。
如以上說明，根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器包括形成在微棱鏡2底面2C整個區(qū)域上的半反射鏡9。因此，入射到光敏二極管PD2上光的總量小于入射光敏二及管PD1上光的總量。即PF＝PO×(1-R)PR＝PO×RX(1-R)在此PF是入射到光敏二極管PD1光的強(qiáng)度，PR是入射到光敏二極管PD2光的強(qiáng)度，PO是經(jīng)過斜面2a進(jìn)入微棱鏡2的入射光的強(qiáng)度，以及R是半反射鏡9的反射系數(shù)。因?yàn)?＜R＜1，所以PR＜PF。
結(jié)果是，PR∶PF＝1∶R。例如，當(dāng)R＝0.5時，那么PR∶PF＝1∶0.5＝2∶1。
如果把光敏二極管PD1和PD2輸出的電流信號變換成電壓的I-V變換放大器的增益的確定，使得(光敏二極管PD1的I-V變換放大器的增益)∶(光敏二及管PD2的I-V變換放大器的增益)＝R∶1，那么就能等效地得到(從光敏二極管PD1輸出的信號)∶(從光敏二極管PD2輸出的信號)＝1∶1。
由此考慮到，第一實(shí)施例是為了實(shí)現(xiàn)如下關(guān)系來構(gòu)形的，(光敏二極管PD1的I-V變換放大器的增益)∶(光敏二極管PD2的I-V變換放大器的增益)＝R∶1。
圖10是光敏二極管IC1的方塊圖。如圖10中所示，光敏二極管IC1包括，用于光敏二極管PD1的I-V變換放大器電路21、用于光敏二極管PD2的I-V變換放大器電路22、用于從I-V變換放大器電路21和22輸出信號算法處理的加法放大器電路23，和偏置電路24。I-V變換放大器電路21包括用于I-V變換分別從A1到A4的4個分區(qū)光敏二極管PD1的輸出的4個I-V變換放大器。類似地，I-V變換放大器電路22包括用于I-V變換分別從A1到B4的4個分區(qū)光敏二極管PD2的輸出的4個I-V變換放大器。加法放大電路23具有4個用于分別產(chǎn)生第一信號(PD1信號)、第二信號(PD2信號)、第三信號(E信號)和第四信號(F信號)的加法放大器。
如圖11中所示，用于光敏二極管PD1的I-V變換放大器電路21的I-V變換放大器耦合到光敏二極管PD1的光敏二極管A1到A4的輸出端。耦合到每個I-V變換放大器的是電阻器R11、R12、R13、R14和電容器C1。用于光敏二極管PD2的I-V變換放大器22的I-V變換放大器耦合到光敏二極管PD2的光敏二極管B1到B4的輸出端。耦合到每個I-V變換放大器的是電阻器R21、R22、R23、R24和電容器C2。
在加法放大器23中，電阻器是R31、R32、R33、R34、R35、R36、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R61、R62、R63、R64、R65和R66，和電容器是C3、C4、C5和C6。
在用于光敏二極管PD1的I-V變換放大器電路21中，每個I-V變換放大器的增益用改變電阻器R11、R12、R13等的電阻值為調(diào)節(jié)。在用于光敏二極管PD2的I-V變換放大器電路22中，每個I-V變換放大器的增益用改變電阻器R21、R22、R23等的電阻值為調(diào)節(jié)。因此，通過改變電阻R11、R12、R13等的電阻值，和/或改變電阻R21、R22、R23等的電阻值，在光敏二極管PD1的I-V變換放大器電路21中的每個I-V變換放大器的增益和在光敏二極管PD2的I-V變換放大器電路22中的每個I-V變換放大器的增益之間的差被確定，以建立(在光敏二極管PD1的I-V變換放大器電路21中每個I-V變換放大器的增益)∶(在光敏二極PD2的I-V變換放大器電路22中的每個I-V變換放大器的增益)＝R∶1的關(guān)系。其結(jié)果是，該關(guān)系(從光敏二極管PD1輸出的信號)∶(從光敏二極管PD2輸出的信號)＝1∶1就能夠建立，并且能夠校正在入射到光敏二極管PD1光的總量和入射到光敏二極管PD2的光的總量之間的差。
入射到光敏二極管PD1和PD2的光強(qiáng)度相對于入射到微棱鏡2的光強(qiáng)度的比(光使用效率)是η＝(PF+PR)/PO＝1-R+R(1-R)-1-R2因此，當(dāng)R＝0.5時，η＝0.75。例如，當(dāng)根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器用作小CD唱機(jī)的光拾取器時，η大約為任何值都是完全可接受的。
如以上說明的，第一實(shí)施例使用形成在微棱鏡2底面2c的整個區(qū)域上的半反射鏡9，以根據(jù)在光敏二極管PD1的I-V變換放大電路21中的每個I-V變換放大器的增益和在光敏二極管PD2的I-V變換放大器22中的每個I-V變換放大器的增益之間的差來校正在入射到光敏二極管PD1光的總量和入射到光敏二極管PD2光的總量之間的差，以便等效地建立以下關(guān)系，(從光敏二極管PD1輸出的信號)∶(從光敏二及管PD2輸出的信號)＝1∶1。與使用僅選擇形成在光敏二極管IC1的光敏二極管PD1上的半反射鏡或形成在相當(dāng)于光敏二極管PD1的微棱鏡2底面2c的選擇區(qū)域上的半反射鏡的普通設(shè)備相比，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光敏二極管IC1和微棱鏡2就很容易制造，并且激光耦合器的制造就能降低這么多的程度。
接著說明作為本發(fā)明的第二實(shí)施例的激光耦合器。
雖然根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器使用以在微棱鏡2底面2c整個區(qū)域上形成的多層電介質(zhì)膜形式的半反射鏡9，而根據(jù)第二實(shí)施例的激光耦合器使用形成在光敏二極管IC1整個表面上的半反射鏡。更詳細(xì)地說，如圖12中所示，氮化硅膜13和二氧化硅膜11形成在光敏二極管IC1的整個表面上，而這些膜13和11構(gòu)成半反射鏡。另一方面，微棱鏡2已經(jīng)形成在抗反射膜8的底面2c和二化硅膜10的整個區(qū)域上。在微棱鏡2底面2c上的二氧化硅膜10粘接到光敏二極管IC1的二氧化硅膜11上，以便把微棱鏡2安裝在光敏二極管IC1上。在另外一種結(jié)構(gòu)中，根據(jù)第二實(shí)施例的激光耦合器與根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器相同，因在在這種情況中，省略其說明。
此外，第二實(shí)施例給出與第一實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。
接下來說明作為本發(fā)明的第三實(shí)施例的激光耦合器。
雖然根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器使用以在微棱鏡2底面2c整個區(qū)域上形成的多層電介質(zhì)膜形式的半反射鏡9，而根據(jù)第二實(shí)施例的激光耦合器使用形成在光敏二極管IC1整個表面上的氮化硅膜13和二氧化硅膜11構(gòu)成的半反射鏡，但是，根據(jù)第三實(shí)施例的激光耦合器既不使用以多層介質(zhì)膜形式的半反射鏡9，也不使用由氮化硅膜13和二氧化硅膜11構(gòu)成的半反射鏡。就是說，在如圖13中所示的根據(jù)第三實(shí)施例的激光耦合器中，僅二氧化硅膜61是形成在光敏二極管IC1的整個表面上，另外僅抗反射膜8和二氧化硅膜10是形成在微棱鏡2的底面2c的整個區(qū)域上。
在這種結(jié)構(gòu)中，在由硅制成的光敏二極管IC1和位于上面二氧化硅膜之間的界面用作半反射鏡。即，由于形成光敏二極管IC1的硅的折射率大約是3.5以及二氧化硅膜11的折射率大約是1.45，所以在光敏二極管IC1和位于上面的二氧化硅膜11之間界面的反射函數(shù)是|(3.5-1.45)/(3.5+1.45)|2～0.17這就意味著，在光敏二極管I管和位于上面的二氧化硅膜11之間的界面能用作半反射鏡。
在另外的結(jié)構(gòu)情況中，根據(jù)第三實(shí)施例的激光耦合器與根據(jù)第一實(shí)施例的激光耦合器相同，因此，在此省略在這方面的說明。
根據(jù)既不要求在光敏二極管IC1上的氮化硅膜13，也不要求在微棱鏡2底面2c以多層電介質(zhì)膜形式的半反射鏡9的第三實(shí)施例，其激光耦合器的結(jié)構(gòu)就更簡單，并且制造激光耦合器的過程就可簡化。其結(jié)果，制造成本就能降低到很低的程度。
在參考附圖對本發(fā)明的特別優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)作了描述，應(yīng)當(dāng)明白的是，本發(fā)明不限于這些確切的實(shí)施例，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說可以各種改變和改進(jìn)，而不脫離所附上的權(quán)利要求限定精神和范圍。
例如，用在第一到第三實(shí)施例中的4分區(qū)型的光敏二極管PD1和PD2可設(shè)計得與其它想使用的激光耦合器相一致。
雖然第一到第三實(shí)施例，作為本發(fā)明應(yīng)用到激光耦合器已經(jīng)作了說明。但是本發(fā)明還可除了激光耦合之外，用作各種類型的組合光學(xué)設(shè)備。
第一到第三實(shí)施例使用在光敏二極管IC1上的一對光敏二極管PD1和PD2；然而，尤其是，本發(fā)明還可應(yīng)用到使用形成在光敏二極管IC1上的三個或更多個光敏二極管。
如上面所述，由于本發(fā)明是用調(diào)節(jié)第一電流電壓變換放大器的增益和第二電流電壓變換放大器的增益之間的差來校正入射到第一光檢測設(shè)備光的總量和入射到第二光檢測設(shè)備光的總量之間的差來構(gòu)形的，因此，甚至用在棱鏡底面的整個區(qū)域上或在支撐體的頂面上形成半反射鏡來代替僅在棱鏡底面的選擇區(qū)域上或在支持體的頂面上形成半反射鏡的情況時，從第一光檢測設(shè)備輸出的光和從第二光檢測設(shè)備輸出的光都能平衡。因此，允許來反射鏡制作在棱鏡底面的整個區(qū)域上或制作在支持體的整個表面上的組合光學(xué)設(shè)備，就能制造得更經(jīng)濟(jì)。
權(quán)利要求
1.一種組合光學(xué)設(shè)備包括至少具有第一光檢測設(shè)備、第二光檢測設(shè)備、耦合到第一光檢測設(shè)備的輸出端的第一電流電壓變換放大器、和耦合到第二光檢測設(shè)備的輸出端的第二電流電壓變換放大器的支持體；形成在所述支持體上的光發(fā)射設(shè)備；和形成在所述支持體上的棱鏡，位于所述第一光檢測設(shè)備和所述第二光檢測設(shè)備上；經(jīng)過預(yù)定的入射面進(jìn)入所述的棱鏡的光束，被二分叉和引進(jìn)到所述第一光檢測設(shè)備和所述第二光檢測設(shè)備，和引進(jìn)到所述第一光檢測設(shè)備的入射光的總量和引進(jìn)到所述第二光檢測設(shè)備的入射光的總量之間的差是用調(diào)節(jié)所述第一電流電壓變換放大器的增益和所述第二電流電壓變換放大器的增益之間的差來校正的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述第一電流電壓變換放大器的增益和所述第二電流電壓變換放大器的增益之間的差是通過調(diào)節(jié)在所述第一電流電壓變換放大器中電阻的值和/或在所述第二電流電壓變換放大器中電阻的值來確定的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，半反射鏡形成在所述棱鏡底面的整個區(qū)域上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，半反射鏡形成在所述支持體的整個表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，鈍化膜形成在所述支持體的整個表面上，所述鈍化膜和所述支持體之間的界面構(gòu)成半反射鏡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述支持體是半導(dǎo)體基片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述支持體是硅基片。
8.根據(jù)權(quán)利要求3的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述半反射鏡是由多層介質(zhì)膜構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求4的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述半反射鏡是由形成在所述支持體上的氮化硅膜和形成在所述氮化硅膜上的氧化硅膜構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述鈍化膜是二氧化硅膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述第一光檢測設(shè)備和所述第二光檢測設(shè)備是多分區(qū)型的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的組合光學(xué)設(shè)備，其特征是，所述第一光檢測設(shè)備和所述第二光檢測設(shè)備是4分區(qū)型的。
全文摘要
一種激光耦合器，包括形成在光敏二極管IC上的光敏二極管、光敏二極管上的光敏二極管IC上裝配的微棱鏡、和靠近光敏二極管IC裝配的半導(dǎo)體激光器，使得由其入射面進(jìn)入微棱鏡的光束被二分叉和引進(jìn)光敏二極管。入射到一個光敏二極管和入射到另一光敏二極管的光量之間的差用調(diào)節(jié)耦合到一個光敏二極管的電流電壓變換放大器和耦合到另一光敏二極管的電流電壓變換放大器的增益之間的差來校正。因此，激光耦合器能非常經(jīng)濟(jì)地制造。
文檔編號G11B7/135GK1162813SQ9610603
公開日1997年10月22日 申請日期1996年3月2日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月2日
發(fā)明者谷口正 申請人:索尼公司