專利名稱：光盤和使用該光盤的光盤設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光盤和光盤設備，所述設備能夠根據(jù)來自光盤的再現(xiàn)信號檢測跟蹤偏離，并且對跟蹤偏離作補償。
光盤比如高密度光盤(CD)和數(shù)字視頻(或多用途)盤(DVD)被用作記錄數(shù)據(jù)、圖象和/或聲音的信息記錄介質(zhì)，并且被廣泛地應用于OA(辦公自動化)設備和AV(音像)設備等等。在大容量可改寫光盤領域中，一種實現(xiàn)增加表面容量的償試是允許信息被記錄在“溝槽”(即由螺旋形跡道的引導溝槽形成的凹形部分)和“臺面”(即“溝槽”之間空間)中，以致被記錄在溝槽和臺面內(nèi)的信息可被再現(xiàn)。
有一類光盤，被叫做單螺旋臺面溝槽形式(下稱為SS-L/GFMT)光盤，其能夠連續(xù)再現(xiàn)和記錄在從光盤的內(nèi)周緣到外周緣的臺面和溝槽上的信息，其中所提供的臺面和溝槽以使得光盤的每一圈交替。
從另一方面來說，光盤設備通常被設置成能夠在光盤上再現(xiàn)或記錄信息。光盤設備使用公知的推挽等方法從光束產(chǎn)生跟蹤誤差信號，所述光束發(fā)射在光盤上并且從其上反射。跟蹤誤差信號指示相對于光盤上的目標跡道的中心，發(fā)射在光盤上的光束的變動或偏移狀態(tài)?；诋a(chǎn)生的跟蹤誤差信號，光盤設備通過控制跟隨在光盤上給定的目標跡道的聚焦光束，執(zhí)行跟蹤控制。
下面將敘述通常的SS-L/GFMT盤。


圖19A到19C示意性展示通常的SS-L/GFMT盤結(jié)構(gòu)。圖19A表示單螺旋形結(jié)構(gòu)。如圖19A所示，通過形成臺面跡道和溝槽跡道，以便在光盤每一圈的L/G(臺面/溝槽)轉(zhuǎn)換點交替，這樣構(gòu)成單螺旋形光盤。
圖19B表示L/G轉(zhuǎn)換點的放大圖。如圖19B所示，由數(shù)據(jù)區(qū)域和表示在光盤上物理位置的地址區(qū)域構(gòu)成光盤上的跡道。地址區(qū)域包括第1和第2地址凹坑陣列和第3與第4地址凹坑陣列。在L/G轉(zhuǎn)換點配置第1和第2地址凹坑陣列，以便從每個溝槽跡道的末端向內(nèi)周緣側(cè)位移1/2跡道間距。相反，在與L/G轉(zhuǎn)換點不對應的地址區(qū)域中，配置第1和第2地址凹坑陣列，以便從每個溝槽跡道的末端向外周緣側(cè)位移1/2跡道間距。
在所有地址區(qū)域，不管它們是否對應L/G轉(zhuǎn)換點，都配置第3和第4地址凹坑陣列，以便從每個溝槽跡道的開頭向內(nèi)周緣側(cè)位移1/2跡道間距。
圖19C是和L/G轉(zhuǎn)換點不對應的地址區(qū)域附近的進一步放大圖。如圖19C所示，由跡道、溝槽或臺面構(gòu)成每個數(shù)據(jù)區(qū)域，其相對于光盤旋轉(zhuǎn)方向彎曲。如參照圖19B所述，配置第1和第2地址凹坑陣列，以便從每個溝槽跡道的末端向外周緣側(cè)位移1/2跡道間距，配置第3和第4地址凹坑陣列，以便從每個溝槽跡道的開始向內(nèi)周緣側(cè)位移1/2跡道間距。
然而，通常的SS-L/GFMT光盤和用于在通常的SS-L/GFMT盤上再現(xiàn)和/或記錄信息的傳統(tǒng)光盤設備存在如下問題。
下面將敘述利用公知的推挽方法檢測來自聚焦和發(fā)射在通常的SS-L/GFMT盤上的光束的跟蹤誤差信號的原理。
圖20A和20B說明當光束橫穿光盤上跡道時得到的跟蹤誤差信號和光束相對于光盤表面偏移(下稱為“光盤傾斜”)之間的關系。特別是圖20A顯示了以具有臺面跡道和溝槽跡道的光盤橫截面為背景，說明在當光束橫穿具有零度徑向傾斜的跡道時得到的跟蹤誤差信號，以及在當光束橫穿具有徑向傾斜1.0度的跡道時得到的跟蹤誤差信號。假定跡道沿垂直于圖20A的平面方向延伸。圖20B說明光盤沿徑向傾斜與光束偏離跡道中心的位移(下稱“跟蹤偏離”)之間關系，其中檢測出表明光束跟蹤偏離的跟蹤誤差信號，并且執(zhí)行跟蹤控制，以便使檢測的跟蹤誤差信號達到零值。其中所用的是，把徑向傾斜定義為沿跡道的掃描方向出現(xiàn)的光盤的傾斜。
如圖20A中的實線波形所示，當無光盤傾斜時，表示當光束定位在跡道中心時，相對于跡道的光束位置的跟蹤誤差信號為零值。光盤設備跟蹤伺服系統(tǒng)運作，以便使跟蹤誤差信號的零電平和參照控制值之間的差別減少到零，以此實現(xiàn)反饋控制，以使聚焦的光束跟隨跡道中心。
然而，當光盤存在徑向傾斜時，如圖20A中的虛線波形所示，實際跟蹤中心和跟蹤誤差信號的零電平不一致。從另一方面來說，如圖20B所示，跟蹤偏離對徑向傾斜的特征是，沿徑向約1.0度的光盤傾斜導致約0.104μm的跟蹤偏離。因此，問題在于即便跟蹤伺服功能正常，光盤傾斜約1.0度可導致約0.104μm的跟蹤偏離。
根據(jù)本發(fā)明的光盤包括跡道和溝槽，溝槽以等于或大于約λ/NA的間距形成，其中，沿大體上垂直于跡道的兩個方向之一，相對于跡道位移一預定量的位置處設置第1凹坑陣列，以預定的間距形成第1凹坑陣列，此處，預定間距是在從約0到約λ/NA范圍內(nèi)取值的溝槽間距的函數(shù)，其中，在下述位置處設置第2凹坑陣列，所述位置是沿大體上垂直于跡道的兩個方向中的另一個，相對于跡道位移一預定量的位置。以預定間距形成第2凹坑陣列，此處，預定間距是從約0到約λ/NA范圍內(nèi)取值的溝槽間距的函數(shù)，其中，λ是射在光盤上光束的波長；NA是透鏡的數(shù)值孔徑。
在本發(fā)明的一個實施例中，在地址區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域之間設置第1和第2凹坑陣列，地址區(qū)域用來記錄指示光盤上一條跡道的信息，并且，數(shù)據(jù)區(qū)域用于記錄數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另一個實施例中，光盤包括第1地址區(qū)域和第2地址區(qū)域。第1地址區(qū)域形成在沿大體上垂直于跡道的兩個方向之一相對于每個跡道位移一預定量的位置，跡道之一的位置信息被記錄在第1地址區(qū)域內(nèi)；并且，第2地址區(qū)域形成在沿大體上垂直于跡道的兩個方向中的另一個方向相對于每個跡道位移一預定量的位置。第1和第2地址區(qū)域的每一個包括用于產(chǎn)生再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域，并且，在第1地址區(qū)域內(nèi)的PLL同步區(qū)域設置第1凹坑陣列；在第2地址區(qū)域內(nèi)的PLL同步區(qū)域設置第2凹坑陣列。
在本發(fā)明的又一個實施例中，第1凹坑陣列內(nèi)的每個凹坑具有大體上與第2凹坑陣列中的每個凹坑一樣的形狀。
在本發(fā)明的又一個實施例中，第1凹坑陣列中的凹坑再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的n倍；第2凹坑陣列中的凹坑再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的n倍；第1凹坑陣列中的相鄰凹坑之間的間隔的再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的m倍；并且，第2凹坑陣列中的相鄰凹坑之間的間隔的再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的m倍；此處n和m是自然數(shù)。
在本發(fā)明的又一個實施例中，n為3，m為4。
在本發(fā)明的又一個實施例中，n為4，m為3。
在本發(fā)明的又一個實施例中，第1凹坑陣列的預定間距是在約0.96μm到1.035μm范圍內(nèi)；第2凹坑陣列的預定間距是在約0.96μm到1.035μm范圍內(nèi)；λ約為660nm；NA約為0.6。
在本發(fā)明的又一個實施例中，第1凹坑陣列的預定間距是在約0.61μm到0.667μm范圍內(nèi)；第2凹坑陣列的預定間距是在約0.61μm到0.667μm范圍內(nèi)；λ約為425nm；NA約為0.6。
在本發(fā)明的又一個實施例中，溝槽的間距在約λ/NA到λ/NA×1.9的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的又一個方案中，所設置的光盤設備包括再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分，用于使光束聚焦在光盤上，以再現(xiàn)記錄在光盤上的信息；包括跡道和溝槽的光盤，以等于或大于約λ/NA的間距形成溝槽，其中，沿大致垂直于跡道的兩個方向之一的方向相對于每個跡道位移一預定量的位置處設置第1凹坑陣列，以預定間距形成第1凹坑陣列，此處，預定間距是取從約0到約λ/NA范圍內(nèi)值的溝槽間距的函數(shù)；其中，沿大致垂直于跡道的兩個方向的另一個方向相對于跡道位移一預定量的位置上設置第2凹坑陣列，以預定間距形成第2凹坑陣列，此處，預定間距是取從約0到約λ/NA范圍內(nèi)值的溝槽間距的函數(shù)。光盤設備進一步包括跟蹤偏離檢測部分，基于由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分再現(xiàn)的信息、涉及第1和第2凹坑陣列的信息，檢測光束和跡道中心之間的偏移；其中，λ是發(fā)射在光盤上光束的波長；NA是透鏡的數(shù)值孔徑。
在本發(fā)明的一個實施例中，光盤設備進一步包括跟蹤伺服部分，用于控制光束，以便依據(jù)表明光束和跡道中心之間偏移的跟蹤誤差信號跟隨跡道，并且，根據(jù)由跟蹤偏離檢測部分檢測的在光束和跡道中心之間的偏移，跟蹤伺服部分改變光束的目標位置，以使光束大體上定位于跡道的中心。
在本發(fā)明的又一個實施例中，有關第1和第2凹坑陣列的信息是由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分檢測的來自第1凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅和來自第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅，并且，根據(jù)來自第1凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅和來自第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅之間的差，跟蹤偏離檢測部分檢測光束和跡道中心之間的偏移。
在本發(fā)明的又一個實施例中，根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分產(chǎn)生的再現(xiàn)信號的表示峰頂包絡的值和表示谷底包絡的值之差，跟蹤偏離檢測部分計算振幅，并且，跟蹤偏離檢測部分計算通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號的振幅和用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號的振幅之差。
在本發(fā)明的又一個實施例中，跟蹤偏離檢測部分計算峰頂包絡檢測值差和谷底包絡檢測值差。峰值檢測值差被定義為表示通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號峰頂包絡的值和表示通過用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號峰頂包絡的值之間差，谷底包絡檢測值差被定義為表示通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號谷底包絡的值和表示通過用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號谷底包絡的值之間差，而且，跟蹤偏離檢測部分計算峰頂包絡檢測值差和谷底包絡檢測值差之間的差。
在本發(fā)明的又一個實施例中，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的在先一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
在本發(fā)明的又一個實施例中，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的隨后一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
本發(fā)明的又一個實施例中，跟蹤偏離檢測部分利用在第1和第2凹坑陣列上掃描的光束檢測光束和跡道中心之間的偏移，并且，跟蹤偏離檢測部分檢測偏移保持在先檢測的值，直到下一次光束在第1和第2凹坑陣列上掃描。
在本發(fā)明的又一個實施例中，光盤設備進一步包括跟蹤伺服部分，用于根據(jù)由偏離跟蹤檢測部分檢測的偏移控制光束，以便使其基本上位于跡道中心。
因此，這里所述的發(fā)明可產(chǎn)生的優(yōu)點是(1)所提供的光盤具有凹坑陣列，其被用于確保聚焦的光束準確地跟隨跡道中心；(2)所提供的光盤設備能確保聚焦的光束準確地跟隨跡道中心。
本發(fā)明的各種優(yōu)點對于普通技術人員來說，通過參照附圖閱讀和理解后面的詳細描述將變得更加清楚。
圖1是表示根據(jù)發(fā)明例子的光盤設備的方框圖；圖2A是示意性表示根據(jù)本發(fā)明光盤的方框圖；圖2B是表示根據(jù)來自以等于或小于λ/NA的預定間距成形的凹坑的再現(xiàn)信號的再現(xiàn)信號RF的波形圖；圖3是表示為使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響減至最小，在λ≈660nm和NA≈0.6條件下的溝槽間距Λr和凹坑間距d之間關系的曲線圖；圖4是表示為使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響減至最小，在λ≈425nm和NA≈0.6條件下的溝槽間距Λr和凹坑間距d之間關系的曲線圖；圖5是表示為使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響減至最小，在λ≈660nm和NA≈0.5條件下的溝槽間距Λr和凹坑間距d之間關系的曲線圖；圖6是表示通過按比例使圖3的曲線圖中溝槽間距Λr和凹坑間距d擴大NA/λ倍，為使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響減至最小的Λr和d之間關系的歸一化曲線圖；圖7A是示意性表示根據(jù)本發(fā)明的光盤的方框圖；圖7B是表示根據(jù)來自以等于或小于λ/NA的預定間距成形的凹坑的再現(xiàn)信號的再現(xiàn)信號RF的波形圖；圖8A是示意性表示光盤跡道結(jié)構(gòu)圖，以此顯示光束從溝槽軌道、L/G轉(zhuǎn)換點，然后到達溝槽間平面軌道上面偏移的光束跡道；圖8B至圖8D分別顯示RFTE信號、LGS信號、IDGATE信號的波形，這些波形是在光束分別沿按照圖8A顯示的跡道跟蹤獲得的；圖9是表示根據(jù)發(fā)明例子的跟蹤誤差檢測部分5B的內(nèi)部構(gòu)成的方框圖；圖10是表示根據(jù)發(fā)明例子的地址區(qū)域識別部分10的內(nèi)部構(gòu)成的方框圖；圖11A是表示由圖10所示的地址區(qū)域識別部分10接收的RFTE信號波形的波形圖；圖11B是表示從在圖10中的數(shù)字化電路1003輸出的波形圖；圖11C是表示從在圖10中的數(shù)字化電路1004輸出的波形圖；圖11D是表示通過圖10中所示的地址區(qū)域識別部分的IDGATE輸出信號的波形圖；圖12是表示有關根據(jù)發(fā)明例描述的跟蹤偏離檢測部分12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方框圖；圖13A是表示再現(xiàn)信號RF的波形圖；圖13B是表示再現(xiàn)信號IDGATE的波形圖；圖13C是表示再現(xiàn)信號SP1的波形圖；圖13D是表示再現(xiàn)信號SP2的波形圖；圖14是表示根據(jù)發(fā)明例的跟蹤偏離檢測部分改進實施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖；圖15是表示相對于以大于λ/NA的間距形成凹坑情況下和以等于或小于λ/NA的間距形成凹坑的情況下，在λ≈660nm和NA≈0.6的條件下，徑向傾斜和跟蹤偏離之間關系的曲線圖；圖16是表示相對于以大于λ/NA的間距形成凹坑情況下和以等于或小于λ/NA的間距形成凹坑的情況下，在λ≈425nm和NA≈0.6的條件下，徑向傾斜和跟蹤偏離之間關系的曲線圖；圖17是表示在λ≈660nm和NA≈0.6的條件下，跟蹤偏離和跟蹤偏離檢測信號OFTR之間關系的曲線圖18A是示意性表示包括這樣地址區(qū)域的光盤的方框圖，以致于第1凹坑陣列形成在用于在第2地址區(qū)域內(nèi)設置的再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域，并且，第2凹坑陣列形成在用于在第4地址區(qū)域內(nèi)設置的再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域；圖18B是表示第1、第2、第3和第4地址的結(jié)構(gòu)的更詳細的方框圖；圖19A是表示單螺旋形結(jié)構(gòu)的平面圖；圖19B是表示圖19A中的L/G轉(zhuǎn)換點的放大圖；圖19C是表示不符合圖19B中的L/G轉(zhuǎn)換點的地址區(qū)域附近的進一步放大圖；圖20A是表示當光束與徑向傾斜為零度的跡道相交時獲得的，顯示對著具有臺面跡道和溝槽跡道的光盤的橫截面的跟蹤誤差信號的圖；圖20B是表示沿著徑向光盤傾斜和跟蹤偏離之間關系的圖表，此處根據(jù)推挽TE執(zhí)行跟蹤伺服控制。
根據(jù)本發(fā)明的光盤包括跡道和溝槽，此處，一些跡道由溝槽限定，其方式為以等于或大于約λ/NA的間距形成溝槽。第1凹坑陣列設置在以大致垂直于跡道的兩個方向之一相對于每個跡道位移預定徑向量的位置上，沿周圍方向以預定間距形成第1凹坑陣列。此處，預定間距是取在從約0到約λ/NA的范圍內(nèi)值的溝槽間距的函數(shù)。第2凹坑陣列設置在以大致垂直于跡道的另一個方向相對于跡道位移預定徑向量的位置上。沿周圍方向以預定間距形成第2凹坑陣列。此處，預定間距是取在從約0到約λ/NA的范圍內(nèi)值的溝槽間距的函數(shù)。λ是發(fā)射在光盤上的光束波長，NA是物鏡的數(shù)值孔徑。
根據(jù)本發(fā)明的光盤設備基于來自第1和第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號之間振幅差別，對相對于使光束在跡道中心聚焦的在光盤上聚焦的光束偏差(下稱“跟蹤偏離”)進行檢測和補償。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)來自以等于或小于約λ/NA的預定間距形成的第1和第2凹坑陣列的各再現(xiàn)信號的振幅在跡道中心總是相等的，與任何可能的徑向傾斜無關。這大概是因為在以小至約λ/NA或更小的間距形成凹坑的情況下，存在徑向傾斜時衍射的圖象強度變量可忽略不計。
下面，根據(jù)本發(fā)明一個例子的光盤包括以等于或小于約λ/NA的預定間距形成的凹坑，并且光盤設備能夠根據(jù)來自以約等于或小于λ/N預定間距形成的凹坑的再現(xiàn)信號，對在光盤上聚焦的光束的跟蹤偏離進行檢測和補償，對此將參照附圖作特別描述。
首先，將特別敘述根據(jù)發(fā)明第1個例子的光盤設備，所述設備能夠根據(jù)通過以等于或小于約λ/NA的預定間距形成的凹坑的再現(xiàn)信號，對聚焦在光盤上光束的跟蹤偏離進行檢測和補償。圖1是表示根據(jù)發(fā)明第1個例子的光盤設備的方框圖。
參照圖1，具有以約等于或小于λ/NA的預定間距形成凹坑陣列的光盤1被裝在主軸馬達2上。光頭7包括半導體激光器(未顯示)、物鏡3、光檢測器5A、再現(xiàn)信號檢測器4、跟蹤致動器6、聚焦致動器(未顯示)、聚焦誤差檢測器(未顯示)等元件。從半導體激光器發(fā)射的光束通過光學系統(tǒng)(未顯示)被被引導，以便通過物鏡3被聚焦到光盤1上。
從光盤1上反射的光束通過物鏡3和光學系統(tǒng)被引回，以便進入光檢測器5A、再現(xiàn)信號檢測器4、聚焦誤差檢測器等。
聚焦誤差檢測器(未顯示)檢測表示在光盤1上聚焦的光束相對于預定狀態(tài)的變動的聚焦誤差信號。通過公知的聚焦誤差檢測方法比如象散法執(zhí)行FES檢測。
光檢測器5A輸出電壓信號VTS1、VTS2，所述電壓信號用于產(chǎn)生跟蹤誤差信號TES，跟蹤誤差信號TES表示聚焦在光盤1上光束檢測的跟蹤偏離，即光束相對于光盤1上目標跡道中心的位移。再現(xiàn)信號檢測器4根據(jù)沿光盤1半徑方向分離的光檢測器5A的分別兩個位置(未示)獲得的檢測信號總量，檢測表示發(fā)射到光盤1上光束的反射光量的再現(xiàn)信號RF。另外，再現(xiàn)信號檢測器4根據(jù)從光檢測器5A的兩個分開位置(未示)獲得的檢測信號之間差別，檢測高頻段跟蹤誤差信號(RFTE)。這樣，再現(xiàn)信號檢測器4輸出這些檢測到的信號RF和RFTE。能夠根據(jù)再現(xiàn)信號RF讀出以不同反射率的形式記錄在光盤1上的信息。跟蹤誤差檢測部分5B接收從用于產(chǎn)生跟蹤誤差信號TES的光檢測器5A的電壓信號VTS1和VTS2。這樣，跟蹤誤差檢測部分5B和光檢測器5A相配合檢測跟蹤誤差信號TES。用公知的跟蹤誤差檢測方法比如推挽法可執(zhí)行跟蹤誤差信號TES的檢測。
跟蹤誤差檢測部分5B根據(jù)來自跟蹤偏離補償控制部分13(如下所述)的跟蹤誤差檢測平衡控制信號TBALCNT或跟蹤誤差檢測偏移控制信號TOFTCNT改變跟蹤誤差信號TES的零電平，即跟蹤伺服控制的目標位置。下面將詳細地描述跟蹤誤差信號TES的平衡調(diào)整和偏移調(diào)整。
來自再現(xiàn)信號檢測器4的RFTE輸出信號是包括來自光盤1上的地址區(qū)域的再現(xiàn)信號(下稱“地址信號”)的信號。每個地址區(qū)域以凸面和/或凹面地址凹坑的形式成形。光盤1上的地址凹坑形成在相對于溝槽跡道中心或臺面跡道中心偏移約1/2跡道間距的位置上，以使能從RFTE信號再現(xiàn)地址，RFTE信號是使地址信號頻帶范圍內(nèi)的成分通過而獲得的高頻段跟蹤誤差信號。這樣，通過RFTE信號可獲得地址區(qū)域內(nèi)的地址信號和門信號(后述)。
地址區(qū)域識別部分10產(chǎn)生地址區(qū)域內(nèi)的門信號(后述)。跟蹤控制部分8根據(jù)來自跟蹤誤差檢測部分5B的輸出信號TES，向驅(qū)動部分9輸出這樣的信號，該信號控制檢測的位置和跟蹤伺服目標位置之間的誤差或差別變?yōu)榱?。根?jù)來自地址區(qū)域識別部分10的IDGATE信號，跟蹤控制部分8把用于驅(qū)動部分9的輸出信號保持在聚焦于光盤上進入地址區(qū)域的光束跨越通過該地址區(qū)域的整個時間長度之前存在在值上。
驅(qū)動部分9向跟蹤致動器6(后述)驅(qū)動跟蹤致動器6輸出信號，以便根據(jù)來自跟蹤控制部分8的輸出信號沿跟蹤方向改變物鏡3的位置。根據(jù)來自驅(qū)動部分9的信號，跟蹤驅(qū)動器6使物鏡3移動，以便使光束被聚焦在光盤1上給定的目標跡道中心。
根據(jù)再來自現(xiàn)信號檢測器4的RF信號和來自地址區(qū)域識別部分10的IDGATE信號，跟蹤偏離檢測部分12檢測表示在光盤1上聚焦的光束偏離的信號OFTR，并且，把檢出的信號OFTR輸出到跟蹤偏離補償控制部分13。
跟蹤偏離補償控制部分13把跟蹤誤差檢測平衡控制信號TBALCNT或跟蹤誤差檢測偏離控制信號TOFTCNT輸出到用于強行移動跟蹤位置的跟蹤誤差檢測部分5B，并且接收來自跟蹤偏離檢測部分12的跟蹤偏離檢測信號OFTR。尤其是，從跟蹤偏離補償控制部分13輸出到跟蹤誤差檢測部分5B的跟蹤誤差檢測平衡控制信號TBALCNT或跟蹤誤差檢測偏移控制信號TOFTCNT具有確保跟蹤偏離檢測信號OFTR為零的值。跟蹤偏離補償控制部分13還接收來自臺面/溝槽檢測部分11的LGS信號(后述)和來自地址區(qū)域識別部分10的IDGATE信號。
現(xiàn)在，參照附圖2A和2B描述包括以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的光盤，其中λ是從光頭7(圖1)發(fā)射的光束的波長，NA是物鏡3(圖1)的數(shù)值孔徑。
圖2A是示意性表示具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的光盤的方框圖。圖2B是表示再現(xiàn)信號RF的波形圖，所述再現(xiàn)信號RF是根據(jù)從凹坑檢測的信號總量被再現(xiàn)的，以等于或小于λ/NA的預定間距形成所述凹坑。
如圖2A所示，比如以等于或小于λ/NA的預定間距形成第1凹坑陣列，以便被定位于從溝槽跡道終端向外圓周側(cè)偏移1/2跡道間距的位置上。比如以等于或小于λ/NA的預定間距形成第2凹坑陣列，以便被定位于從溝槽跡道開始端向內(nèi)圓周側(cè)偏移1/2跡道間距的位置上。
第1凹坑陣列的凹坑數(shù)最好是2、3、或更多。第2凹坑陣列的凹坑數(shù)最好也是2、3、或更多。
現(xiàn)在將敘述以等于或小于λ/NA的預定間距d形成的凹坑。
光學系統(tǒng)可被看作用于象電路那樣傳送信息的通路，其中，光學系統(tǒng)通過光傳送給定物體的形狀、位置、色彩等。為了簡明起見，下面論述的是針對以放大率為1的一維光學系統(tǒng)，其在實體平面和圖象平面上分別具有x和x′軸。假定在物體平面的原點具有亮度(振幅或強度)為1的點光源產(chǎn)生圖象h(x’)，具有亮度f(x)的物體會產(chǎn)生圖象g(x′)，所述圖象g(x′)可用式1表示g(x′)＝∫f(x′)h(x′-x)dx ……1
一旦h(x′)已知，可由式1計算物體的圖象g(x′)，與其亮度分布f(x)無關。因此，僅依據(jù)h(x′)就能相當?shù)亟咏鈱W系統(tǒng)的特征。
把傅里葉變換用于到h(x′)，給出式2H(ω)＝∫h(x′)exp(iωx′)dx′……2其中i表示虛部。
按電路推論，光學傳遞功能元件(下稱“OTF”)可被看作具有相對空間頻率ω象由式3表示的頻率特性的頻率濾波器H(ω)＝T(ω)exp{iθ(ω)} ……3在上述方程式中，T(ω)通常被稱作MTF(調(diào)制變換函數(shù))，以及θ(ω)通常被稱作PTF(相變換函數(shù))。
如果能夠把所給物體的結(jié)構(gòu)分解成空間頻譜的光頭的光學系統(tǒng)能把所有光譜無衰減或失真地傳送到圖象平面，于是，OTF應H(ω)＝1，但是，實際上，繞射起相當大的作用。因此，在繞射影響下的一維模型內(nèi)無象差系統(tǒng)的繞射圖象的強度已知，用式4表示h(x′)＝(sin akx′/(akx′))∧2 ……4上述方程式假定點光源具有亮度h(x′)。
由于k＝2π/λb(其中b是從圖象側(cè)上透鏡的主面到圖象平面的距離；“透鏡”指的是物鏡3)，根據(jù)式2可用式5表示無象差系統(tǒng)的OTFH(ω)＝π(1-ω/2ak)/ak (ω≤2ak)……5＝0 (ω＞2ak)在上述方程式中，2a是物鏡3的有效直徑或孔徑。在其中的H(ω)等于零的情況下可通過式6表示截止頻率fscofsco＝2NA/λ ……6在上述方程式中，NA表示物鏡3的數(shù)值孔徑，λ表示光束的波長。
假設凹坑不再滿足用于以間距dco(下稱作“子OTF臨界間距”)獲得圖象的臨界條件(即OFT臨界條件)，可使式6表示為式7dco≤1/fsco≤λ/(2NA) ……7根據(jù)本例子的光盤具有如由式7表達的以等于或小于2倍子OTF臨界間距dco，根據(jù)本例子的光盤間距d可由式8表達d≤λ/NA ……8為了讀出記錄在光盤上的信息起見，最好不在OTF臨界間距的附近的間距形成凹坑陣列。然而，發(fā)明者們已發(fā)現(xiàn)使用在約零到λ/NA的范圍內(nèi)的相對比較小的凹坑間距，在有徑向傾斜的情況下減小繞射圖象的亮度變化。
根據(jù)本發(fā)明，任憑可能的徑向傾斜，也能夠獲得具有相對小的跟蹤偏離誤差的跟蹤偏離檢測信號(后述)，通過配置凹坑，以便相對跡道中心相互或互補地被偏移1/2跡道間距，所用間距滿足由式8表示的條件，并且，根據(jù)由此產(chǎn)生的再現(xiàn)信號之間的振幅差別(如圖2所示)檢測跟蹤偏離(即距跡道中心的光束位移)。
在式8中代入λ＝約660nm，NA＝約0.6，以等于或小于λ/NA的預定間距d，形成凹坑，其中d≤約1.1μm。
接著，將敘述用于記錄在光盤上信息的調(diào)制方法和根據(jù)本發(fā)明以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑之間關系。
通常，當光盤設備在光盤上記錄信息時，以調(diào)制形式記錄信息，并且，當信息從光盤被再現(xiàn)時，根據(jù)用于記錄信息的調(diào)制規(guī)則解調(diào)再現(xiàn)信號。比如，當采用8-16調(diào)制方法作為調(diào)制方法時，在調(diào)制后可用的最短時間是3T，此處T表示根據(jù)再現(xiàn)時鐘決定的再現(xiàn)參照時間。假定再現(xiàn)時間等于再現(xiàn)參照T的參照凹坑的長度PLt約是0.14μm，參照凹坑之間的間隔PSt約是0.14μm以等于或小于λ/NA的預定間距d形成的本發(fā)明的凹坑，最好具有每個等于3倍參照凹坑長度PLt的長度，并且其間間隔等于4倍參照凹坑間距PSt。因此，以等效于7倍再現(xiàn)參照時間T的間距d形成凹坑。
在Journal of Visual Information Media Society Vol.51，no.7，pp.947-951，和957-960(1997)，和由K.K.Torikkepusu(1995，7，24)公開的“NEXT-GENERATION OPTICAL DISK TECHNOLOGY”描述了8-16調(diào)制方法。因此，這里省去了對該方法的任何詳細描述。
根據(jù)發(fā)明例子使用的7T時間間隔在沿光盤半徑方向劃分的區(qū)域的每個的最內(nèi)圓周上是等效于約0.98μm(典型的)，以及每個區(qū)域的最外圓周上是等效于約1.015μm(典型的)?？紤]到凹坑的成形誤差約±0.02μm，在圖2A所示的間距d最好在約0.96到1.035μm范圍內(nèi)。
因此，通過確保凹坑再現(xiàn)時間和凹坑之間間隔是多倍再現(xiàn)參照時間，并且是等于或大于最短時間3T(由調(diào)制方法決定)，通過簡單使用適合于光盤的地址區(qū)域等(后述)中采取調(diào)制方法的任何調(diào)制電路都能夠確保削減凹坑陣列，以便具有等于或小于λ/NA的間距。因此使光盤再現(xiàn)容易。
接著，參照圖3、4、5和6，將敘述如光盤上從臺面跡道中心到連接臺面跡道的中心測量的間距(下稱“溝槽間距Λr”)和根據(jù)等于或小于λ/NA的本發(fā)明凹坑的預定間距d。
圖3是表示溝槽間距Λr和凹坑間距d之間關系的曲線圖。圖3是這樣獲得的，在如下條件下推導出使因徑向傾斜引起的跟蹤偏離影響大體上減小到最小的間距，并且，繪制出在垂直軸上的1/8間距d和水平軸上取溝槽間距Λr光束波長λ約為660nm；溝槽寬度(下稱“GW”)約為0.4μm；用于溝槽結(jié)構(gòu)的錐形寬度約為0.05μm。
如從圖3所看到，在這樣的條件下，即溝槽間距Λr＝約1.2μm，大體上使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響最小的間距d值是8×0.118μm＝約0.944μm。從另一方面來說，在這樣的條件下，即λ/NA＝約1.1μm，大體上使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響最小的間距d值是約0.944μm。因此，通過形成具有約0.944μm間距的凹坑陣列，根據(jù)來自這樣凹坑陣列的再現(xiàn)信號，可獲得帶有因徑向傾斜導致比較小跟蹤偏離誤差的跟蹤偏離信息(后述)。通過由式9表達的多項漸近法可表示展示如圖3所示溝槽間距Λr和間距d之間關系的曲線。d＝8{10.069×(Λr∧6)-79.159×(Λr∧5)+258.48×(Λr∧4)-448.99×(Λr∧3)+437.89×(Λr∧2)-227.64×Λr+49.491} …9已知因增加近似曲線的曲率，所以近似曲線提供更好的近似值。然而，發(fā)明者們進一步證實使用象由式9表示的6次近似曲線，實質(zhì)上使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離誤差最小的間距d的假定值大體上與給定的溝槽間距Λr相對應。因此，如由式9表示的6次多項方程式被用作推導出其中敘述的近似曲線。
通過把溝槽間距Λr的值代入這樣得到的近似方程式(9)，能計算間距d的值，其使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小，條件是光束具有約660nm的波長；物鏡具有約0.5的數(shù)值孔徑NA；溝槽寬度GW是約0.4μm；用于溝槽構(gòu)形的錐形寬度約0.05μm。通過把溝槽間距Λr＝約1.2μm代入根據(jù)本發(fā)明的例子的式9中，計算大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小的間距d的值約為0.994μm。如從圖3可見，溝槽間距Λr不限于約1.2μm。在把溝槽間距Λr限于等于或大于約1.1μm的值，即等于或大于λ/NA的時候，大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小的間距d的值，會變成等于或小于約1.024μm(其甚至小于λ/NA的值，條件是光束具有約660nm的波長；物鏡具有約0.6的數(shù)值孔徑NA)，并且大于0。
實際上，為了獲得記錄在光盤上的高密度信息，溝槽間距Λr最好被規(guī)定在小于約1.6μm的值范圍內(nèi)。
在溝槽間距Λr等于或大于λ/NA時，如圖3所示，不會由溝槽結(jié)構(gòu)的溝槽寬度GW或錐形寬度影響間距d的值，該值大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小。即，用于溝槽結(jié)構(gòu)的溝槽寬度GW和錐形寬度不影響溝槽間距Λr和間距d之間的關系，所述間距d大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小。
圖4是表示除了波長λ約為425nm外，在如圖3中所使用的那些的相同條件下，最理想溝槽間距Λr和凹坑間距d之間關系的曲線圖。圖4是在垂直軸上通過繪制出大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d的1/8值，以及在水平軸上取溝槽間距Λr。因此，用于圖4的曲線中的條件是光束具有波長λ約為425nm；物鏡具有約0.6的數(shù)值孔徑NA；溝槽寬度GW是約0.4μm；溝槽結(jié)構(gòu)使用錐形寬度約0.05μm。
讓我們假設圖3曲線中的光束波長λ是λ1；圖3曲線中的物鏡的NA是NA1；圖4曲線中的光束波長λ是λ2；圖4曲線中的物鏡的NA是NA2。如已有技術所知，增加光盤表面的記錄密度要求縮小光盤上聚焦光點的尺寸，順之要求使用設置較短波長的光，并且物鏡具有大數(shù)值孔徑NA。而且，根據(jù)縮小光束的光點大小適當?shù)販p小溝槽間距。因此，合理地假設溝槽間距Λr與λ/NA值成比例地變化，如光束的波長λ從λ1變成λ2，物鏡的NA從NA1變成NA2?，F(xiàn)在根據(jù)這假設，將注重以下狀態(tài)研討圖4的曲線，即，溝槽間距Λr約是1.2μm，以及在圖3中的大體上使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響最小的間距d為約0.944μm。
首先，如0.644(≈(λ2×NA1)/(λ1×NA2))乘1.2μm(圖3)所計算出的圖4的曲線中的溝槽間距Λr約是0.773μm。
接著在圖4的曲線中，計算出大體上使在溝槽間距Λr＝約0.773μm條件下因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值為約0.608μm，其8倍達到0.076μm。由于0.608μm/0.944μm＝0.644≈(λ2×NA1)/(λ1×NA2)，所以會看到大體上使在Λr＝約1.2μm條件下(圖3)、在Λr＝約0.773μm條件下(圖4)因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值變化大體上是與λ/NA中的值變化成比例。
如圖4所示，如果溝槽間距Λr等于或大于λ/NA(＝約0.708μm)，則大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d等于或小于λ/NA。因此，通過在沿垂直于跡道方向之一以一預定量位移，以便具有在d≤λ/NA附近的位置上形成第1凹坑陣列，以及通過在沿垂直于跡道的另一個方向以一預定量位移，以便具有在d≤λ/NA附近的位置上形成第2凹坑陣列，根據(jù)來自第1和第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號中的差別，有可能檢測具有減少了的因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響，相對于跡道中心光束的偏移。
圖5是表示除了物鏡的數(shù)值孔徑NA是約0.5外，最理想的溝槽間距Λr和如在圖3中使用那些的同樣條件下的凹坑間距d之間關系曲線圖。圖5是通過在垂直軸上繪制出大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值的1/8，并具有在水平軸上所取的溝槽間距Λr獲得的。因此，用于圖5曲線圖中的條件是光束的波長λ是約660nm；物鏡的數(shù)值孔徑NA是約0.5；溝槽寬度GW約為0.4μm；用于溝槽結(jié)構(gòu)的錐形寬度約為0.05μm。
讓我們假設圖3曲線中的光束波長λ是λ1；圖3曲線中的物鏡的NA是NA1；圖5曲線中的光束波長λ是λ3；圖5曲線中的物鏡的NA是NA3。由于如根據(jù)圖4描述的同樣理由，因此假設溝槽間距Λr與λ/NA值成比例地變化，如光束的波長λ從λ1變成λ3，物鏡的NA從NA1變成NA3?，F(xiàn)在根據(jù)這假設，將注重以下狀態(tài)研討圖5的曲線，即，溝槽間距Λr約是1.2μm，以及在圖3的曲線中大體上使因徑向傾斜導致的跟蹤偏離影響最小的間距d約為0.944μm。
首先，作為1.2(≈(λ3×NA1)/(λ1×NA3))乘1.2μm(圖3)所計算出的圖5的曲線中的溝槽間距Λr約是1.44μm。
接著在圖5的曲線中，計算出大體上使在溝槽間距Λr＝約1.44μm條件下因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值為約1.1328μm，為0.1416μm的8倍。由于1.1328μm/0.944μm＝1.2≈(λ3×NA1)/(λ1×NA3)，所以會看到大體上使在Λr＝約1.2λm條件下(圖3)、在Λr＝約1.44μm條件下(圖5)因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值變化大體上是與λ/NA中的值變化成比例。
如圖5所示，如果溝槽間距Λr等于或大于λ/NA(＝約1.32μm)，則大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d等于或小于λ/NA。因此，通過在沿垂直于跡道方向之一以一預定量位移，以便具有在d≤λ/NA附近的位置上形成第1凹坑陣列，以及通過在沿垂直于跡道的另一個方向以一預定量位移，以便具有在d≤λ/NA附近的位置上形成第2凹坑陣列，根據(jù)來自第1和第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號中的差別，有可能檢測具有減少了的因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響，相對于跡道中心光束的偏移。
通過參照圖3、4和5的上述研討，會看到大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的溝槽間距(下稱(“優(yōu)選溝槽間距Λroptm”)和大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的凹坑間距(下稱(“優(yōu)選間距doptm”)是與λ/NA成比例，如通過式10h和式11所看到Λroptm∝λ/NA ……10doptm∝λ/NA ……11因此，通過NA/λ乘圖3中曲線的水平軸(即溝槽間距Λr)和垂直軸(凹坑間距d)可得到溝槽間距Λr和凹坑間距d之間的一般關系。
現(xiàn)在，將對光束波長λ和物鏡數(shù)值孔徑NA總結(jié)出如通過近似公式式9計算出的優(yōu)選溝槽間距Λroptm和優(yōu)選凹坑間距doptm之間的關系。
圖6是其中通過NA/λ乘圖3曲線中的溝槽間距Λr和凹坑間距d，歸納出溝槽間距Λr和凹坑間距d之間的關系曲線。圖6的水平軸表示NA/λ乘溝槽間距Λr獲得的值；圖6的垂直軸表示NA/λ乘凹坑間距d獲得的值。水平軸值(X)、優(yōu)選溝槽間距Λroptm、物鏡數(shù)值孔徑NA、光束波長λ滿足式12X＝Λroptm×NA/λ ……12垂直軸值(Y)、優(yōu)選凹坑間距doptm、物鏡數(shù)值孔徑NA和光束波長λ滿足式13Y＝doptm×NA/λ ……13可用式14的多項近似值法表達表示圖6曲線中所示的X＝(Λroptm×NA/λ)和Y(doptm×NA/λ)之間關系的曲線Y＝119.8437×(X∧6)-859.8443×(X∧5)+2562.7631×(X∧4)-4063.5930×(X∧3)+3618.1612×(X∧2)-1717.4253×X+341.0248 ……14因此，獲得了表示優(yōu)選的溝槽間距Λroptm和優(yōu)選的凹坑間距doptm之間關系的歸一化公式。
現(xiàn)在，在Λr＝約1.2μm(圖3)條件下，大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值約為0.994μm。如圖6曲線的水平軸上所示，NA/λ乘圖3曲線中的溝槽間距Λr(＝約1.2μm)得出1.091。在該條件下，我們將論述通過NA/λ乘大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d而獲得的值。
假設NA/λ乘圖3曲線中的溝槽間距Λr產(chǎn)生如圖6中曲線的水平軸上所示的約1.091，NA/λ乘大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d，應等于NA/λ乘在圖3的曲線中(此處，溝槽間距Λr約為1.2μm)大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d(＝約0.994μm)。
從另一方面來說，如通過圖6所看到，在NA/λ乘大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d等于或大于約1.0時，大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離影響最小的間距d值(乘以NA/λ)等于或小于約1.0。因此，凹坑間距d等于或小于在該區(qū)域的λ/NA。
因此，甚至于在光束波長λ和物鏡數(shù)值孔徑NA不同于在圖3、4和5的曲線中的那些的情況下，可使用前述廣義公式(14)，計算用于給定的光束波長λ和給定的物鏡數(shù)值孔徑NA的優(yōu)化溝槽間距Λroptm和優(yōu)化凹坑間距doptm。
下面，就光束波長λ從λ1變成λ2或物鏡數(shù)值孔徑NA從NA1變成NA2而論，將敘述利用歸一化公式14的優(yōu)化溝槽間距Λroptm和優(yōu)化凹坑間距doptm的計算。
首先，通過把光束波長λ1和物鏡數(shù)值孔徑NA1代入式12，可把優(yōu)化溝槽間距Λroptm的歸一化值X表達為式15X＝Λroptm×NA1/λ1……15通過λ2/NA2乘式15，可利用式16表達光束波長已被變成λ2和物鏡數(shù)值孔徑已被變成NA2之后的優(yōu)化溝槽間距Λroptm2Λroptm2＝X×(λ2/NA2)＝Λroptm×NA1/λ1×(λ2/NA2)＝Λroptm×(λ2/λ1)×(NA1/NA2) ……16通過把光束波長λ1和物鏡數(shù)值孔徑NA1代入式13，可把優(yōu)化凹坑間距doptm的歸一化值Y表達為式17Y＝doptm×NA1/λ1……17通過λ2/NA2乘式17，可把光束波長已被變成λ2和物鏡數(shù)值孔徑已被變成NA2之后的優(yōu)化凹坑間距doptm2表達為式18
doptm2＝Y(jié)×(λ2/NA2)＝doptm×NA1/λ1×(λ2/NA2)＝doptm×(λ2/λ1)×(NA1/NA2) ……18這樣，在光束波長λ值和/或物鏡數(shù)值孔徑NA值改變的情況下，把如下值變化前的波長λ1、變化前的數(shù)值孔徑NA1、變化后的波長λ2、變化后的數(shù)值孔徑NA2代入式16，可計算在各值變化后的優(yōu)選溝槽間距Λroptm2。同樣，把如下值變化前的波長λ1、變化前的數(shù)值孔徑NA1、變化后的波長λ2、變化后的數(shù)值孔徑NA2代入式18，可計算在各值變化后的優(yōu)選溝槽間距Λroptm2情況下的優(yōu)選間距doptm2。
如上所述，根據(jù)光束波長λ、物鏡數(shù)值孔徑NA、溝槽間距Λr等，可決定不受徑向傾斜影響的凹坑間距doptm。如在公知技術中，增加光盤表面記錄密度要求減少在光盤上聚焦光點的大小，隨之要求使用提供較短波長光的光源，短波長激光器例子包括SHG(產(chǎn)生2次諧波)近紅外線半導體激光器和準相位匹配(下稱“QPM”)器件，藍紫氮化物型半導體激光器等。甚至于在使用高密度記錄的這樣短波光源情況下，也能使用表示優(yōu)化溝槽間距Λroptm和優(yōu)化凹坑間距doptm之間關系的歸一化公式(12)、計算優(yōu)化溝槽間距Λroptm2的公式(eq.14)、計算優(yōu)化凹坑間距doptm2的公式(eq.16)算出優(yōu)化溝槽間距Λroptm和優(yōu)化凹坑間距doptm。
例如，象參照圖4已經(jīng)描述的那樣，把λ＝425nm和NA＝0.6代入式14和式16，可算出優(yōu)化溝槽間距Λroptm2為0.773μm，可算出優(yōu)化凹坑間距doptm2為0.608μm。如參照圖4所述，溝槽寬度GW和用于溝槽構(gòu)成的錐形寬度不直接影響溝槽間距Λr和大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小的間距d之間關系。因此，溝槽寬度GW可指定為約0.26μm，由于這值大體上與λ/NA成比例，所以用于溝槽構(gòu)成的錐形寬度可適合指定為如圖3曲線中約0.05μm。
在作為上述算出的λ＝425nm和NA＝0.6條件下的優(yōu)化凹坑間距doptm2滿足d≤約0.708μm，其通過把λ＝425nm和NA＝0.6代入限定d≤λ/NA的式8中得到。
如上所述，在溝槽間距Λr等于或大于λ/NA處大體上使因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小的間距d等于小于λ/NA(并且大于零)。因此，規(guī)定本發(fā)明的光盤為具有用等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的光盤。
用再現(xiàn)信號檢測器4檢測聚焦在光盤上和從其反射的光束，并使用檢測的信號之和可獲得再現(xiàn)信號(RF)，所述光盤上具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑。尤其是在光束通過以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列上面時獲得的再現(xiàn)信號(RF)會有第1凹坑陣列的振幅A和或第2凹坑陣列的振幅B，如圖2B所示。通過當光束經(jīng)第1和第2上面時獲得的各再現(xiàn)信號的振幅A和振幅B之間的差別取得根據(jù)本例的跟蹤偏離檢測信號。
接著，將參照圖7A和7B描述光盤，其包括地址區(qū)域和具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑。
圖7A是示意性表示包括地址區(qū)域和具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的光盤方框圖。圖7B是表示基于從以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑檢測的信號之和獲得的再現(xiàn)信號RF的波形圖。
如圖7A中所示，地址區(qū)域包括第1地址、第2地址、第3地址、第4地址、以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第1凹坑陣列、和以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第2凹坑陣列。第1和第2地址區(qū)域和第1凹坑陣列每個設置在從溝槽跡道末端朝外圓周側(cè)偏移跡道間距的1/2的位置上。第3和第4地址區(qū)域以及第2凹坑陣列每個設置在從溝槽跡道末端朝內(nèi)圓周側(cè)偏移跡道間距的1/2的位置上。
借助于再現(xiàn)信號檢測器4檢測聚焦在上述光盤上并從其上反射的光束得到的信號總量可獲得再現(xiàn)信號RF，所述光盤包括地址區(qū)域，并具有以等于或小于小于λ/NA的預定間距形成的凹坑。尤其足，如圖7B所示，一旦光束通過第1到第4地址上方，光束在第1凹坑陣列上面通過時，再現(xiàn)信號RF會有振幅A；光束通過第2凹坑陣列上方時，再現(xiàn)信號RF會有振幅B。通過在光束經(jīng)第1和第2凹坑陣列上面時獲得的各再現(xiàn)信號的振幅A和振幅B之間差別，可得到跟蹤偏離檢測信號。
下面，參照圖8A到8D將敘述高頻段跟蹤誤差信號(RFTE)、L/G轉(zhuǎn)換信號(LGS)和地址門信號(IDGATE)。
圖8A到8D是分別展示高頻跟蹤誤差信號(RFTE)、L/G轉(zhuǎn)換信號(LGS)和地址門信號(IDGATE)的波形圖，它們是當光束沿SS-L/GFMT盤跟蹤時獲得的，所述盤具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑。
圖8A是示意性表示光盤的跡道結(jié)構(gòu)，在其上顯示光束從溝槽跡道、L/G轉(zhuǎn)換點跨越，然后到達臺面跡道上面的軌跡。圖8B到圖8D顯示根據(jù)圖8A所示的軌跡依照光束沿各跡道跟蹤獲得的各信號的波形。
如上所述，這光盤的每個地址區(qū)域包括在每個扇區(qū)的開始端設置的凹坑，為使沿光盤的半徑方向相對于跡道中心相互或彼此偏移1/2跡道間距(下面把這樣的地址區(qū)域稱為“CAPA”或“彼此配置的凹坑地址”)。根據(jù)具有在圖7A和8A中所示的結(jié)構(gòu)的CAPA，根據(jù)在光束通過地址區(qū)域上面時產(chǎn)生的高頻跟蹤誤差信號(RFTE)，可再現(xiàn)以凹坑形式記錄的地址信息。
當沿溝槽跡道跟蹤時，隨著光束通過地址區(qū)域，高頻段跟蹤誤差信號(RFTE)會有這樣的波形，響應地址信號，首先使零電平的正側(cè)突出，然后使負側(cè)突出。隨著光束通過L/G轉(zhuǎn)換點上面，高頻段跟蹤誤差信號(RFTE)會有這樣的波形(圖8)，響應地址信號，首先使零電平的負側(cè)突出，然后使正側(cè)突出。如圖8c所示，當光束在溝槽跡道上移動時，L/G轉(zhuǎn)換信號(LGS)處于“Hi”電平，當光束在臺面跡道上移動時，L/G轉(zhuǎn)換信號(LGS)處于“Low”電平。
根據(jù)RFTE信號，臺面/溝槽檢測部分11檢測L/G轉(zhuǎn)換信號LGS，所述信號LGS表示從光頭7發(fā)射到光盤上的光束通常是位于溝槽跡道還是位于臺面跡道上，所述跡道在光盤1上形成螺旋形。
特別是，根據(jù)通過使RFTE信號的峰頂包絡(下稱“PEPS”信號)數(shù)字化獲得的信號和使RFTE信號谷底包絡(下稱“BEPS”信號)數(shù)字化獲得的信號產(chǎn)生LGS信號。當沿給定跡道跟蹤時，如果光束沿給定的跡道通過地址區(qū)域時，在BEPS邏輯電平變化之前PEPS邏輯電平改變，則LGS信號將表示“溝槽跡道”。如果在PEPS邏輯電平變化之前BEPS邏輯電平改變，則LGS將表示“臺面跡道”。
如圖8D所示，當光束到達地址區(qū)域時，用于識別地址區(qū)域的地址門信號IDGATE取“Hi”電平。當通過地址區(qū)域的光束進入數(shù)據(jù)區(qū)域時，地址門信號IDGATE取“Low”電平。
根據(jù)來自再現(xiàn)信號檢測器4的RFTE信號，地址區(qū)域識別部分10輸出IDGATE門信號，其在數(shù)據(jù)區(qū)域內(nèi)取“Low”電平，在地址區(qū)域內(nèi)取“Hi”電平。具體地說，由PEPS信號的邏輯OR信號(即表示RFTE信號的峰頂包絡的數(shù)字化信號)和BEPS信號的倒相信號(即表示RFTE信號的谷底包絡的數(shù)字化信號)產(chǎn)生IDGATE信號。
下面參照圖1，描述根據(jù)本發(fā)明的光盤設備的運作，該設備檢測根據(jù)來自以等于或小于λ/NA預定間距形成的凹坑的重放信號，對跟蹤偏離進行檢測和補償。
光盤設備使光盤1以預定速度旋轉(zhuǎn)，并從半導體激光器(未示)發(fā)射光束道光盤1上，并且執(zhí)行聚焦伺服控制，以便確保發(fā)射在光盤1上的光束維持預定的會聚狀態(tài)。
光檢測器5A把從光盤1反射回來的光束轉(zhuǎn)換成電壓信號VTS1、VTS2，以用于產(chǎn)生跟蹤誤差信號TES，并且向跟蹤誤差檢測部分5B輸出電壓信號VTS1、VTS2。跟蹤誤差檢測部分5B根據(jù)來自光檢測器5A的電壓信號VTS1、VTS2檢測跟蹤誤差信號TES。此外，根據(jù)自跟蹤偏離補償控制部分13輸出的跟蹤誤差檢測平衡控制信號TBALCNT或跟蹤誤差檢測偏移控制信號TOFTCNT，跟蹤誤差檢測部分5B改變跟蹤誤差信號TES的零電平，即跟蹤伺服控制的目標位置。
根據(jù)來自跟蹤誤差檢測部分5B的跟蹤誤差信號TES，跟蹤控制部分8通驅(qū)動部分9推動跟蹤致動器6來進行跟蹤伺服，以便使由跟蹤誤差信號TES指出的位置和跟蹤伺服控制的目標位置之間的差別為零。
在執(zhí)行聚焦伺服控制和跟蹤誤差伺服控制時，從再現(xiàn)信號檢測器4獲得再現(xiàn)信號RF。
接著參照圖9將敘述跟蹤伺服控制的目標位置調(diào)整。圖9是表示跟蹤誤差檢測部分5B的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方框圖。
跟蹤平衡電路5B01接收來自光檢測器5A的VTS1、VTS2和TBALCNT信號。跟蹤平衡電路5B01根據(jù)TBALCNT信號控制VTS1信號增益和VTS2信號增益的比例，從而，相對于輸入信號調(diào)整自差動放大器電路5B03(后述)輸出的零位置。
電阻器5B02確定在差動放大器電路5B03中的反饋增益。在作輸入信號的增益比例調(diào)整后，差動放大器電路5B03輸出跟蹤誤差信號。接收來自差動放大器電路5B03的輸出信號的電阻器5B04確定在差動放大器電路5B07中的負輸入增益。接收來自跟蹤偏離補償控制部分13的跟蹤誤差檢測偏移控制信號TOFTCNT的電阻器5B04確定在差動放大器電路5B07中的負輸入增益。電阻器5B06確定在差動放大器電路5B07中的反饋增益。
利用根據(jù)來自跟蹤補償控制部分13的TBALCHT信號調(diào)整輸入信號(即來自光檢測器5A的輸出信號)的增益比例，具有所述結(jié)構(gòu)的跟蹤誤差檢測部分5B相對于輸入信號調(diào)整來自差動放大器電路5B03的輸出信號零位置。由此產(chǎn)生跟蹤誤差信號TES。借助這樣調(diào)整跟蹤位置，控制光束會聚在光盤1上，以使其位于跡道中心。
另一方面，根據(jù)來自跟蹤偏離補償控制部分13的TOFTCNT信號，跟蹤誤差檢測部分5B可增減跟蹤誤差檢測信號的偏差，從而調(diào)整跟蹤位置，以便控制光束會聚在光盤1上，使其位于跡道中心。
接著，參照圖10和11A到11D，將敘述地址區(qū)域識別部分10的結(jié)構(gòu)及其輸出信號IDGATE。圖10是表示地址區(qū)域識別部分10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖。圖11A到11D是在圖10的地址區(qū)域識別部分10中分別表示在點(a)、(b)、(c)、(d)的信號波形的波形圖。首先，將描述圖10中的組成元件。
峰頂包絡檢測部分1001檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的高頻段跟蹤誤差信號RFTE的峰頂包絡。谷底包絡檢測部分1002檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的高頻段跟蹤誤差信號RFFE的谷底包絡。數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1003使用適當閾值使來自峰頂包絡檢測部分1001的RFTE峰頂包絡數(shù)字化。數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1004使用適當閾值使來自谷底包絡檢測部分10012的RFTE谷底包絡數(shù)字化。NOT電路1005使來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1004的輸出信號倒相，并輸出數(shù)字化信號。OR電路1006以邏輯OR輸出來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1003的輸出信號和來自NOT電路1005的輸出信號。根據(jù)來自再現(xiàn)信號檢測器4的高頻段跟蹤誤差信號RFTE，具有圖9中所示結(jié)構(gòu)的地址區(qū)域識別部分10產(chǎn)生門信號IDGATE，以便使其取在光盤上的地址區(qū)域中的“Hi”值。
接著，參照圖11A到11D將敘述信號IDGATE的產(chǎn)生。圖11A是表示由地址區(qū)域識別部分10接收的RFTE信號波形的波形圖。如果象圖11A所示的RFTE信號被輸入地址區(qū)域識別部分10，則當?shù)刂沸盘栵@示在如圖11B所示RFTE信號零電平正側(cè)上時，來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1003的輸出信號取“Hi”值；而且，當以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的再現(xiàn)信號顯示在如圖11B所示的RFTE零電平正側(cè)上時也取“Hi”值。另外，來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1003的輸出信號取“Low”值。
如果象圖11A所示的RFTE信號被輸入地址區(qū)域識別部分10，則當?shù)刂沸盘栵@示在如圖11C所示RFTE信號零電平負側(cè)上時，來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1004的輸出信號取“Low”值；而且，當以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的再現(xiàn)信號顯示在如圖11C所示的RFTE零電平負側(cè)上時，也取“Low”值。反之，來自數(shù)字轉(zhuǎn)換器電路1004的輸出信號取“Hi”值。
結(jié)果，如圖11D所示，當?shù)刂沸盘柣蛞缘扔诨蛐∮讦?NA的預定間距形成的任何凹坑的再現(xiàn)信號出現(xiàn)在RFTE信號中時，來自OR電路1006(即IDGATE信號)取“Hi”值。反之，IDGATE信號取“Low”值。
接著，參照圖12敘述跟蹤偏離檢測部分12。圖12是表示跟蹤偏離檢測部分12內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方框圖。
峰頂包絡檢測部分1201檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的再現(xiàn)信號RF的峰頂包絡。谷底包絡檢測器部分1202檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的再現(xiàn)信號RF的谷底包絡。第1差動放大器電路1203計算來自峰頂包絡檢測部分1201和谷底包絡檢測部分1202輸出信號之間的差，并輸出算出的差。取樣脈沖發(fā)生部分1207輸出用于第1取樣/保持部分1204的取樣時間信號SP1和用于第2取樣/保持部分1205的取樣時間信號SP2。第1取樣/保持部分1204根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分1207的取樣時間信號對從第1差動放大器電路1203的輸出取樣，并且，保持取樣結(jié)果。第2差動器放大器電路1206計算在第1取樣/保持部分1204中保持的信號和來自第1差動放大器電路1203輸出信號之間差，并輸出算出的差。第2取樣/保持部分1205根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分1207的取樣時間信號SP2，對來自第2差動放大器電路1206的輸出作取樣，并且保持取樣結(jié)果，將其作為跟蹤偏離檢測信號OFTR輸出。
參照圖13A到13D敘述根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分1207的取樣脈沖控制的取樣時間。圖13A是表示再現(xiàn)信號RF的波形圖；圖13B是表示IDGATE信號的波形圖；圖13C是表示取樣脈沖SP1的波形圖；圖13D是表示取樣脈沖SP2的波形圖。
如圖13C所示，取樣脈沖SP1是這樣的脈沖信號，即對于從IDGATE信號的上升緣開始經(jīng)時Td1之后，與脈沖寬度Pw一致的周期，其電平處于“Hi”狀態(tài)。當來自取樣脈沖發(fā)生部分1207的取樣脈沖SP1是在“Hi”電平狀態(tài)下時，第1取樣/保持部分1204對來自第1凹坑陣列(以等于或小于λ/NA的預定間距形成)的再現(xiàn)信號的振幅A取樣，并且保持振幅值到下一個取樣時間。
如圖13D所示，取樣脈沖SP2是這樣的脈沖信號，對于從IDGATE信號的上升緣，在經(jīng)時Td2之后，與脈沖寬度Pw一致的周期，其電平處于“Hi”狀態(tài)。當來自取樣脈沖發(fā)生部分1207的取樣脈沖SP2是在“Hi”電平狀態(tài)下時，第2取樣/保持部分1205對來自第1取樣/保持部分1204的輸出信號和來自第2凹坑陣列(以等于或小于λ/NA的預定間距形成)的再現(xiàn)信號的振幅B之間算出的差取樣，并且保持取樣值到下一個取樣時間。這樣獲得跟蹤偏離檢測信號OFTR，作為從跟蹤偏離檢測部分12的輸出信號。
接著，參照圖14將敘述跟蹤偏離檢測部分12的另一個例子。圖14是表示作為跟蹤偏離檢測部分12的一個變形例的跟蹤偏離檢測部分12A的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖。峰頂包絡檢測部分12A01檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的再現(xiàn)信號RF的峰頂包絡。谷底包絡檢測部分12A02檢測來自再現(xiàn)信號檢測器4的再現(xiàn)信號RF的谷底包絡。
取樣脈沖發(fā)生部分12A07向第1取樣/保持部分12A04和第2取樣/保持部分12A05輸出取樣時間信號SP1，向第3取樣/保持部分12A09輸出取樣時間信號SP2。第1取樣/保持部分12A04根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分12A07的取樣時間信號SP1，對來自峰頂包絡檢測部分12A01的輸出取樣，并且保持該取樣的結(jié)果。
第2取樣/保持部分12A05根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分12A07的取樣時間信號SP1，對來自谷底包絡檢測部分12A02的輸出取樣，并且保持該取樣的結(jié)果。第1差動放大器電路12A03計算來自峰頂包絡檢測部分12A01和第1取樣/保持部分12A04的輸出信號之間差，并把算出的差輸出。第2差動放大器電路12A06計算來自谷底包絡檢測部分12A02和第2取樣/保持部分12A05的輸出信號之間差，并把算出的差輸出。第3差動放大器電路12A08計算來自第1差動放大器電路12A03和第2差動放大器電路12A06的輸出信號之間差，并把算出的差輸出。第3取樣/保持部分12A09根據(jù)來自取樣脈沖發(fā)生部分12A07的取樣時間信號SP2，對來自第3差動放大器12A08的輸出取樣，并保持取樣結(jié)果，將其作為跟蹤偏離檢測信號OFTR輸出。
取樣脈沖發(fā)生部分12A07具有類似在跟蹤偏離檢測部分12中的取樣脈沖發(fā)生部分1207的那些功能。取樣時間信號SP1和SP2還有類似參照圖12所述的功能。因此，敘述從略。
如圖12和12A所示，跟蹤偏離檢測部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不僅限于上面所描述的。只要其提供類似上述那些功能，則跟蹤偏離檢測部分12可具有任何其他內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
下面，參照圖15、16和17將敘述徑向傾斜和跟蹤偏離檢測信號OFTR之間關系，通過來自以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的再現(xiàn)信號對其進行檢測。
圖15表示徑向傾斜和跟蹤偏離(即光束偏移跡道中心)之間關系，所述關系的狀態(tài)是相對于以大于λ/NA的間距形成凹坑的情況下和以等于或小于λ/NA的間距形成凹坑的情況下，光束波長λ約為660nm，而物鏡數(shù)值孔徑NA約為0.6。圖16表示徑向傾斜和跟蹤偏離之間關系，所述關系的狀態(tài)是相對于以大于λ/NA的間距形成凹坑的情況下和以等于或小于λ/NA的間距形成凹坑的情況下，光束波長λ約為425nm，而物鏡數(shù)值孔徑NA約為0.6。圖17表示跟蹤偏離和跟蹤檢測信號OFTR之間關系。
圖15的圖表的水平軸和垂直軸分別表示徑向傾斜(度數(shù))和跟蹤偏離量(μm)。在圖15中，用標志◇和實線表示的數(shù)據(jù)說明凹坑形成的長度是等于4倍基準凹坑長度PLt和其彼此相隔間距為等于4倍基準凹坑間距PSt，假定再現(xiàn)時間等于再現(xiàn)基準T的基準凹坑的長度PLt約為0.14μm，并且，基準凹坑之間間隔約為0.14μm；在該情況下，1.12μm的凹坑間距大于λ/NA。當控制光束位置，以便使來自以約1.12μm間距形成的這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，對于每度徑向傾斜產(chǎn)生約0.045μm的跟蹤偏離。
在圖15中，用標志●和實線表示的數(shù)據(jù)說明的情況是，所形成的凹坑長度等于3倍基準凹坑長度PLt，并且使其彼此相隔等于4倍基準凹坑間距PSt；在這情況下，0.98μm的凹坑間距小于λ/NA。當控制光束位置，以便使來自以約0.98μm間距形成的這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，對于每度徑向傾斜產(chǎn)生約0.015μm的跟蹤偏離。
在圖15中，用標志□和實線表示的數(shù)據(jù)說明的情況是，所形成的凹坑長度等于3倍基準凹坑長度PLt，并且使其彼此相隔等于3.74倍基準凹坑間距PSt；在這情況下，0.9436μm的凹坑間距小于λ/NA。0.9436μm的這凹坑間距大體上等于使徑向傾斜影響最小的間距d(約為0.944μm)，其條件(參照圖3已做了描述)是光束波長λ約660nm；物鏡的數(shù)值孔徑NA約0.6；溝槽寬度GW約0.4μm；用于溝槽結(jié)構(gòu)錐形寬度約0.05μm；并且，溝槽間距Λr約1.2μm。因此，當控制光束位置，以便使來自以約0.9436μm形成這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，實質(zhì)上任何徑向傾斜都不產(chǎn)生跟蹤偏離。
圖16的圖表的水平軸和垂直軸分別表示徑向傾斜(度數(shù))和跟蹤偏離量(μm)。在圖16中，用標志◇和實線表示的數(shù)據(jù)說明凹坑形成的長度是等于4倍基準凹坑長度PLt和其彼此相隔間距為等于4倍基準凹坑間距PSt，假定再現(xiàn)時間等于再現(xiàn)基準T的基準凹坑的長度PLt約為0.09μm，并且，基準凹坑之間間隔約為0.09μm；在該情況下，0.72μm的凹坑間距大于λ/NA。當控制光束位置，以便使來自以約0.72μm間距形成的這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，對于每度徑向傾斜產(chǎn)生約0.029μm的跟蹤偏離。
在圖16中，用標志●和實線表示的數(shù)據(jù)說明的情況是，所形成的凹坑長度等于3倍基準凹坑長度PLt，并且使其彼此相隔等于4倍基準凹坑間距PSt；在這情況下，0.63μm的凹坑間距小于λ/NA。當控制光束位置，以便使來自以約0.63μm間距形成的這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，對于每度徑向傾斜產(chǎn)生約9.66×10-3μm的跟蹤偏離。
在圖16中，用標志□和實線表示的數(shù)據(jù)說明的情況是，所形成的凹坑長度等于3倍基準凹坑長度PLt，并且使其彼此相隔等于3.74倍基準凹坑間距PSt；在這情況下，0.607μm的凹坑間距小于λ/NA。0.607μm的這凹坑間距大體上等于使徑向傾斜影響最小的間距d(約為0.608μm)，其條件(參照圖4、6、和相當于圖12、14、16已做了描述)是光束波長λ約425nm；物鏡的數(shù)值孔徑NA約0.6；溝槽間距Λr約0.77μm。因此，當控制光束位置，以便使來自以約0.607μm形成這樣凹坑的再現(xiàn)信號的振幅相等時，實質(zhì)上任何徑向傾斜都不產(chǎn)生跟蹤偏離。
在圖17的曲線中，水平軸和垂直軸分別表示跟蹤偏離量(μm)和跟蹤偏離檢測信號OFTR(％)，所述跟蹤偏離檢測信號OFTR(％)如是根據(jù)來自以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑再現(xiàn)信號之間振幅中的差別檢測的。根據(jù)該曲線圖可確定相對于跡道中心光束跟蹤偏離的極性和數(shù)量。在圖17中展示的跟蹤偏離檢測特征表示的情況是，所形成的凹坑長度等于3倍基準凹坑長度PLt，并且使其彼此相隔等于4倍基準凹坑間距PSt，其條件是光束波長λ約660μm；物鏡數(shù)值孔徑NA約0.6，以使凹坑間距d約為0.98μm。在這情況下，每1μm的跟蹤偏離提供約0.12％的檢測靈敏度。當光束的跟蹤偏離距跡道中心為零時跟蹤偏離檢測率(OFTR)實際上為0％。
在圖17的曲線圖中，相對于光盤的整個反射表面的反射率(＝100％)，通過以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的反射百分率，使跟蹤偏離檢測率(％)規(guī)格化。
如圖15、16和17所示，以因徑向傾斜導致跟蹤偏離的影響最小，根據(jù)來自以等于或小于λ/NA的預定間距形成凹坑的的再現(xiàn)信號之間的振幅差檢測跟蹤偏離，可測出光束距跡道中心的跟蹤偏離數(shù)量和極性。
基于來自跟蹤偏離檢測部分12的跟蹤偏離檢測信號OFTR，跟蹤偏離補償控制部分13控制根據(jù)跟蹤誤差檢測部分5B檢測的跟蹤誤差信號的檢測平衡，并改變跟蹤伺服控制的目標位置，致使跟蹤偏離檢測信號OFTR成為零，即，致使相對于目標跡道的中心，聚焦在光盤上的光束的跟蹤偏離變?yōu)榱恪?br> 另一方面，基于來自跟蹤偏離檢測部分12的跟蹤偏離檢測信號OFTR，跟蹤偏離補償控制部分13控制由跟蹤誤差檢測部分5B檢測的跟蹤誤差信號的偏移，并改變跟蹤伺服控制的目標位置，致使跟蹤偏離檢測信號OFTR變?yōu)榱恪?br> 接著，參照圖18A和18B，將敘述的內(nèi)容是，光盤包括地址區(qū)域和以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑，以使在第2地址區(qū)域設置在再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域內(nèi)形成第1凹坑陣列，和在第4地址區(qū)域設置在再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域內(nèi)形成第2凹坑陣列。
圖18A是示意性表示包括地址區(qū)域和以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑的光盤，以使在第2地址區(qū)域設置在再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域內(nèi)形成第1凹坑陣列，和在第4地址區(qū)域設置在用于再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域內(nèi)形成第2凹坑陣列。圖18B是表示第1、第2、第3和第4地址區(qū)域結(jié)構(gòu)的更詳細方框圖。
如圖18A所示，以該順序設置第1、第2、第3和第4地址。第1和第2地域每個定位于從溝槽跡道的末端向外圍側(cè)移動1/2跡道間距。第3和第4地址每個定位于從溝槽跡道的末端向內(nèi)圍側(cè)移動1/2跡道間距。
如圖18B所示，第1、第2、第3和第4地址的每個包括VFO區(qū)域(其是用于再現(xiàn)時鐘的PLL同步的區(qū)域)和地址。以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第1凹坑陣列被設置在第2地址內(nèi)的PLL同步區(qū)域VFO2中。以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第2凹坑陣列被設置在第4地址內(nèi)的PLL同步區(qū)域VFO4中。
還是在圖18所示的方式中以等于或小于λ/NA的預定間距形成凹坑的情況下，通過規(guī)定從地址區(qū)域檢測點和取樣點的延遲時間，根據(jù)當光束通過以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第1凹坑陣列上面時獲得的再現(xiàn)信號和當光束通過以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第2凹坑陣列上面時獲得的再現(xiàn)信號之間振幅差別而得到跟蹤偏離檢測信號是可能的。正如圖7所示在具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陳列的光盤的情況下一樣。此外，由于除了第1、第2、第3和第4地址外，還不是必須分別設置具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的第1凹坑陣列和第2凹坑陣列，所以利用前述的光盤可提供較大的記錄容量，所述光盤包括地址區(qū)域和以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列，使得在用于在第2地址區(qū)域內(nèi)設置的再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域中形成第1凹坑陣列，在用于在第4地址區(qū)域內(nèi)設置的再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域中形成第2凹坑陣列。
在發(fā)明的上述例子中，說明具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列的光盤的兩個例子在地址區(qū)域內(nèi)的第4地址后面具有以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列的光盤；和包括地址區(qū)域的光盤，致使在用于在地址區(qū)域中設置的再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域中，以等于或小于λ/NA的預定間距形成凹坑陣列。然而，對于以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列排列沒有限制。例如，通過規(guī)定從地址區(qū)域檢測點和取樣點的延遲時間，在第1地址和第2地址之間設置凹坑陣列以及在第3地址和第4地址之間設置另一個凹坑陣列，可實現(xiàn)同樣的運作。另一方面，甚至于在與地址區(qū)域相隔遠距離的位置上，通過設置以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列，也能夠通過每個凹坑陣列和地址區(qū)域之間距離規(guī)定從地址區(qū)域檢測點和取樣點的延遲時間，也可實現(xiàn)同樣的運作。
作為以等于或小于λ/NA的預定間距形成的凹坑陣列的一個例子，上面描述具有3PLt的凹坑長度和4Pst的凹坑之間間隔的凹坑陣列排列，本發(fā)明并不僅限于此。只要以等于或小于λ/NA的預定間距形成每個凹坑陣列，則應理解為，通過替換凹坑陣列排列，例如用4PLt的凹坑長度和3PSt的凹坑間空間，可實現(xiàn)同樣的作用。
作為用于記錄在光盤上的信息或再現(xiàn)記錄在光盤上的信息的調(diào)制方法，上述例子說明了8-16調(diào)制方法，本發(fā)明不僅限于此，如下所述。
在發(fā)明的上述例子中，使徑向傾斜影響最小的間距d約為0.944μm，條件是光束波長λ約為660nm；物鏡數(shù)值孔徑NA約為0.6；溝槽寬度GW約為0.4μm；用于溝槽結(jié)構(gòu)的錐形寬度約0.05μm；溝槽間距Λr約為1.2μm。
從另一方面來說，如參照公式7已經(jīng)描述，子OTF臨界間距dco(上述規(guī)定的)是λ/(2NA)。因此，子OTF臨界間距dco約為0.55μm，條件是，λ＝約660nm；NA＝約0.6。
假定凹坑長度和凹坑之間間距大體上相等，子OTF臨界凹坑長度應是子OTF臨界間距dco＝約0.275μm。
在8-16調(diào)制方法的情況下，最短凹坑的再現(xiàn)時間為3T，其中T表示再現(xiàn)時鐘周期。通常，規(guī)定最短凹坑長度值大于子OTF臨界凹坑長度。在本發(fā)明的上述例子中，最短凹坑長度約為0.42μm，再現(xiàn)時間T等于的基準凹坑長度約為0.14μm。
因此，在本發(fā)明的上述例子中說明的8-16調(diào)制方法的情況下，基準凹坑長度約為0.14μm。所以，如果使徑向傾斜影響最小的間距d依照根據(jù)8-16調(diào)制方法的基準長度的整數(shù)k倍接近，則當k等于7時，間距d給定0.98μm(最接近實際上使徑向傾斜最小的d值)。實質(zhì)上對于最佳總間距d來說，假設可把整數(shù)k表示為整數(shù)n與整數(shù)m之和(即，k＝n+m)，可獲得本發(fā)明效果是通過利用凹坑陣列排列，致使以等于或小于λ/NA的預定間距形成的每個凹坑的再現(xiàn)時間等于最短凹坑再現(xiàn)時間的n倍，并且，凹坑相互間隔的再現(xiàn)時間等于最短凹坑再現(xiàn)時間的m倍。對這樣的凹坑陣列排列作出規(guī)定，凹坑長度和或相互間隔都可不小于最短凹坑長度。換言之，最好規(guī)定n和m，以使得凹坑長度和間距大于約0.275μm(即，子OTF臨界凹坑長度)。由于根據(jù)在本發(fā)明的上述例子中的8-16調(diào)制方法的基準凹坑長度約為0.14μm，所以n和m最后好為3或更大。由于k-7，所以可用“n＝3和m-4”或“n＝4和m＝3”中的任一種。
當按照8-16調(diào)制方法的最短凹坑的再現(xiàn)時間是3T，其中T表示再現(xiàn)時鐘周期，例如，根據(jù)2-7調(diào)制方法的最短凹坑的再現(xiàn)時間是1.5T。因此，根據(jù)調(diào)制方法改變最短凹坑的再現(xiàn)時間。
現(xiàn)在，假設按照2-7調(diào)制方法的最短凹坑是與按照8-16調(diào)制方法的相同，即，0.42μm，基準凹坑長度會是0.42μm×1/1.5＝約0.28μm。然后，如果使徑向傾斜影響最小的間距d依照根據(jù)2-7調(diào)制方法的基準長度的整數(shù)k倍接近，則當k等于3時，間距d給定0.84μm(最接近實際上使徑向傾斜最小的d值)。
由K.K.Trikkepusu(March 3，1992)公開的“FUNDAMENTAL STUDY OFHDD”中描述A2-7調(diào)制方法。所以對該方法的任何詳細描述從略。
這樣，通過使用整數(shù)k，以致k倍的基準凹坑長度(已知因調(diào)制方法不同而不同)估計使徑向影響最小的間距d，可決定等于或小于λ/NA的預定間距d，而以預定間距d形成根據(jù)本發(fā)明的凹坑。實質(zhì)上對于最佳總間距d來說，假設可把整數(shù)k表示為整數(shù)n與整數(shù)m的和(即，k＝n+m)，可獲得本發(fā)明效果是通過利用凹坑陣列排列，致使以等于或小于λ/NA的預定間距形成的每個凹坑的再現(xiàn)時間等于最短凹坑再現(xiàn)時間的n倍，并且，凹坑相互間隔的再現(xiàn)時間等于最短凹坑再現(xiàn)時間的m倍。對這樣的凹坑陣列排列作出規(guī)定，凹坑長度和或相互間隔都可不小于最短凹坑長度。換言之，最好規(guī)定n和m，以使得凹坑長度和間距大于約0.275μm(即，子OTF臨界凹坑長度)。由于根據(jù)在本發(fā)明的上述例子中的2-7調(diào)制方法的基準凹坑長度約為0.28μm，所以n和m最后好為1或更大。由于k＝3，所以可用“n＝1和m＝2”或“n＝2和m＝1”中的任一種。
如上所述，根據(jù)除8-16調(diào)制方法以外的任一個調(diào)制方法，通過近似預定間距d(其等于或小于λ/NA)，如基準凹坑長度的一定整數(shù)倍(已知隨調(diào)制方法而變化)，可容易地制作根據(jù)本發(fā)明的光盤。
盡管，本發(fā)明的上述例子說明具有以等于或小于λ/NA預定間距形成的凹坑的單螺旋形臺面溝槽形式(SS-L/GFMT)盤作為具有以等于或小于λ/NA預定間距形成的凹坑的光盤例子，但本發(fā)明不僅限于此。例如，采用具有連續(xù)溝槽跡道的光盤也可獲得同樣的效果，這種光盤在沿大體上垂直于溝槽跡道的兩個方向之一的位移的位置上，設置具有等于或小于λ/NA的預定間距的第1凹坑陣列；和在沿大體上垂直于溝槽跡道的另一方向的位移的位置上，設置具有等于或小于λ/NA的預定間距的第2凹坑陣列。
根據(jù)具有以等于或小于λ/NA預定間距形成的凹坑的光盤和使用上述光盤的光盤設備，可相對跡道中心高度準確地控制光束，以此能獲得優(yōu)異的記錄/重放特性。
因此，根據(jù)本發(fā)明，使用根據(jù)來自以等于或小于λ/NA預定間距形成的凹坑的重現(xiàn)信號之間振幅差別檢測的跟蹤偏離檢測信號，以便為相對于跡道中心以一預定量移動作跟蹤位置補償。結(jié)果，本發(fā)明解決涉及傳統(tǒng)技術的問題，即，在根據(jù)由推挽方法檢測的跟蹤誤差(TE)信號作跟蹤伺服的情況下由推挽TE信號的零位和實際跡道中心之間偏移導致的跟蹤偏離，也是由光盤表面的光軸內(nèi)的偏移導致的跟蹤偏離。因此，本發(fā)明能高度準確地相對跡道中心對光束進行控制，以此能獲得優(yōu)異的記錄/再現(xiàn)特性。
顯然，在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下，該技術領域普通技術人員易于作出不同的其它修改。因此，并不意味著其附加的權(quán)利要求范圍被限定于所作的描述，而是概括地說明權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種包括跡道和溝槽光盤，溝槽以等于或大于約λ/NA的間距形成，其中，在沿大體上垂直于跡道的兩個方向之一的方向上相對于跡道位移一預定量的位置處設置第1凹坑陣列，以預定的間距形成第1凹坑陣列，此處，預定間距是取值在從約0到約λ/NA范圍內(nèi)的溝槽間距的函數(shù)，其中，在下述位置處設置第2凹坑陣列，所述位置是在沿大體上垂直于跡道的兩個方向中的另一個方向上相對于跡道以一預定量位移的位置，以預定間距形成第2凹坑陣列，此處，預定間距是取值在從約0到約λ/NA范圍內(nèi)的溝槽間距的函數(shù)，其中，λ是發(fā)射在光盤上光束的波長；NA是透鏡的數(shù)值孔徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，第1和第2凹坑陣列設置在地址區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域之間，地址區(qū)域用于指示光盤上跡道之一的記錄信息，數(shù)據(jù)區(qū)域用于記錄數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，該光盤包括形成在這樣位置處的第1地址區(qū)域，所述位置是在沿大體上垂直于跡道的兩個方向之一的方向上相對于每個跡道位移一預定量的位置，跡道之一的定位信息被記錄在第1地址區(qū)域內(nèi)；和，形成在沿大體上垂直于跡道的兩個方向中的另一個方向上相對于每個跡道以一預定量位移的位置處的第2地址區(qū)域，第1和第2地址區(qū)域的每一個包括用于產(chǎn)生再現(xiàn)時鐘的PLL同步區(qū)域，并且第1凹坑陣列設置在第1地址區(qū)域內(nèi)的PLL同步區(qū)域；第2凹坑陣列設置在第2地址區(qū)域內(nèi)的PLL同步區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，第1凹坑陣列內(nèi)的每個凹坑具有大體上與第2凹坑陣列中的每個凹坑一樣的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，第1凹坑陣列中的凹坑再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的n倍；第2凹坑陣列中的凹坑再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的n倍；第1凹坑陣列中的相鄰凹坑之間的間隔的再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的m倍；并且，第2凹坑陣列中的相鄰凹坑之間的間隔的再現(xiàn)時間是再現(xiàn)時鐘周期的m倍；此處n和m是自然數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的光盤，其特征是，n為3，m為4。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的光盤，其特征是，n為4，m為3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，第1凹坑陣列的預定間距是在約0.96μm到1.035μm范圍內(nèi)；第2凹坑陣列的預定間距是在約0.96μm到1.035μm范圍內(nèi)；λ約為660nm；NA約為0.6。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，第1凹坑陣列的預定間距是在約0.61μm到0.667μm范圍內(nèi)；第2凹坑陣列的預定間距是在約0.61μm到0.667μm范圍內(nèi)；λ約為425nm；NA約為0.6。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的光盤，其特征是，溝槽的間距在約λ/NA至λ/NA×1.9的范圍內(nèi)。
11.一種光盤設備，包括再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分，用于使光束聚焦在光盤上，以再現(xiàn)記錄在光盤上的信息；包括跡道和溝槽的光盤，溝槽以等于或大于約λ/NA的間距形成，其中，在沿大致垂直于跡道的兩個方向之一的方向上相對于每個跡道以一預定量位移的位置處設置第1凹坑陣列，以預定間距形成第1凹坑陣列，此處，預定間距是取值從約0到約λ/NA范圍內(nèi)的溝槽間距的函數(shù)；其中，在沿大致垂直于跡道的兩個方向的另一個方向上相對于跡道以一預定量位移的位置處設置第2凹坑陣列，以預定間距形成第2凹坑陣列，此處，預定間距是取值從約0到約λ/NA范圍內(nèi)的溝槽間距的函數(shù)；跟蹤偏離檢測部分，用于根據(jù)在由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分再現(xiàn)的信息、涉及第1和第2凹坑陣列的信息，檢測光束和跡道中心之間的偏移；其中，λ是發(fā)射在光盤上光束的波長；NA是透鏡的數(shù)值孔徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括跟蹤伺服部分，用于控制光束，以便依據(jù)表示光束和跡道中心之間偏移的跟蹤誤差信號跟隨跡道，并且，根據(jù)由跟蹤偏離檢測部分檢測的在光束和跡道中心之間的偏移，跟蹤伺服部分改變光束的目標位置，以使光束大體上定位于跡道的中心。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的光盤設備，其特征是，有關第1和第2凹坑陣列的信息是由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分檢測的來自第1凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅和來自第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅，并且，根據(jù)來自第1凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅和來自第2凹坑陣列的再現(xiàn)信號振幅之間的差，跟蹤偏離檢測部分檢測光束和跡道中心之間的偏移。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的光盤設備，其特征是，根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分產(chǎn)生的再現(xiàn)信號的表示峰頂包絡的值和表示谷底包絡的值之差，跟蹤偏離檢測部分計算振幅，并且，跟蹤偏離檢測部分計算通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號的振幅和用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號的振幅之差。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的光盤設備，其特征是，跟蹤偏離檢測部分計算峰頂包絡檢測值差和谷底包絡檢測值差，峰值檢測值差被定義為表示通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號峰頂包絡的值和表示通過用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號峰頂包絡的值之間差，谷底包絡檢測值差被定義為表示通過用光束掃描第1凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號谷底包絡的值和表示通過用光束掃描第2凹坑陣列獲得的再現(xiàn)信號谷底包絡的值之間差，而且，跟蹤偏離檢測部分計算峰頂包絡檢測值差和谷底包絡檢測值差之間的差。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的在先一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的隨后一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的光盤設備，其特征是，跟蹤偏離檢測部分利用在第1和第2凹坑陣列上掃描的光束檢測光束和跡道中心之間的偏移，并且，跟蹤偏離檢測部分檢測偏移保持在先檢測的值，直到下一次光束在第1和第2凹坑陣列上掃描。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的在先一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括地址區(qū)域檢測部分，用于根據(jù)由再現(xiàn)信號產(chǎn)生部分形成的再現(xiàn)信號，產(chǎn)生表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，其中根據(jù)表示光束位于光盤上地址區(qū)域的信號，當光束在第1和第2凹坑陣列的隨后一個上面掃描時，地址區(qū)域檢測部分產(chǎn)生定時，用該定時檢測光束和跡道中心之間的偏移。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的光盤設備，其特征是，跟蹤偏離檢測部分利用在第1和第2凹坑陣列上掃描的光束檢測光束和跡道中心之間的偏移，并且，跟蹤偏離檢測部分檢測偏移保持在先檢測的值，直到下一次光束在第1和第2凹坑陣列上掃描。
22.根據(jù)權(quán)利要求11的光盤設備，其特征是，光盤設備進一步包括跟蹤伺服部分，用于根據(jù)由偏離跟蹤檢測部分檢測的偏移控制光束，以便使其基本上位于跡道中心。
全文摘要
一種光盤,包括跡道和溝槽,溝槽以等于或大于約λ/NA的間距形成,其中,在沿大體上垂直于跡道的兩個方向之一的方向相對于跡道位移一預定量的位置設置第1凹坑陣列,以預定的間距形成第1凹坑陣列,此處,預定間距是所取在從約0到約λ/NA范圍內(nèi)值的溝槽間距的函數(shù),其中,在下述位置設置第2凹坑陣列,所述位置是在沿大體上垂直于跡道的兩個方向中的另一個方向相對于跡道以一預定量位移的位置。以預定間距形成第2凹坑陣列,此處,預定間距是取在從約0到約λ/NA范圍內(nèi)的值的溝槽間距的函數(shù),其中,λ是發(fā)射在光盤上光束的波長;NA是透鏡的數(shù)值孔徑。
文檔編號G11B7/24085GK1246701SQ99119710
公開日2000年3月8日 申請日期1999年7月15日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月15日
發(fā)明者高峰浩一, 山田真一, 石田隆, 中村敦史, 西脅青兒 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社