一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及檢測(cè)方法技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著機(jī)頂盒技術(shù)的發(fā)展，用戶對(duì)加大機(jī)頂盒的flash存儲(chǔ)空間的需求越來(lái)越迫切，尤其是安卓OTT機(jī)頂盒，使用nandflash是滿足用戶大量存儲(chǔ)空間的最常見(jiàn)方式之一。
[0003]Nandflash的特性之一就是存在壞塊，壞塊產(chǎn)生的原因多樣，nandflash芯片在出廠時(shí)可能已經(jīng)產(chǎn)生了一些壞塊，也有可能是機(jī)頂盒用戶在使用過(guò)程中產(chǎn)生，隨著產(chǎn)生的壞塊逐漸增加，用戶可使用的nandflash空間也逐漸減少，nandfIash空間不足會(huì)引起機(jī)頂盒各種異常問(wèn)題，影響用戶正常使用。因此，機(jī)頂盒應(yīng)用界面下對(duì)nandflash的壞塊情況進(jìn)行監(jiān)控并界面顯示壞塊的個(gè)數(shù)和比例就顯得很有必要，方便用戶提前更換nandflash壞塊過(guò)多的nandflash，以免產(chǎn)生機(jī)頂盒功能異常影響使用，同時(shí)，對(duì)機(jī)頂盒售后維修人員對(duì)問(wèn)題機(jī)頂盒定位分析也很有幫助，可以作為定位分析相關(guān)問(wèn)題的一種技術(shù)手段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的發(fā)明目的在于提供一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了對(duì)機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)，以免產(chǎn)生機(jī)頂盒功能異常影響使用，同時(shí)，方便維護(hù)人員對(duì)問(wèn)題機(jī)頂盒定位分析。
[0005]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)；通過(guò)nandflash驅(qū)動(dòng)中相應(yīng)的函數(shù)對(duì)各個(gè)所述分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷；計(jì)算nandflash各個(gè)所述分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。
[0006]將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)之后還包括:獲取各個(gè)所述分區(qū)的大小。
[0007]nandflash壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小的計(jì)算方法為:壞塊空間在分區(qū)中所占比例=分區(qū)中壞塊空間大小/分區(qū)大?。桓鞣謪^(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小=分區(qū)大小-分區(qū)中壞塊大小。
[0008]機(jī)頂盒軟件通過(guò)分區(qū)表對(duì)nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)，各所述分區(qū)為:mtdparts =hinand:0x100000 (fastboot), 0x80000(bargs), 0x80000(bbargs), 0x80000(stbid), OxcOO00 (Idb)，OxcOOOO(bakldb)，0x800000(ml)，0x800000(bl)，0x500000(dvt5_2)，0x500000(tf3_0), 0x500000(db), 0x100000(baseparam), 0x300000(logo), 0x500000(kernel), OxfOOO00 (fs), OxleOOOOO(app), 0x500000(adv)。
[0009]機(jī)頂盒系統(tǒng)為linux系統(tǒng)；所述Iinux系統(tǒng)通過(guò)1ctl函數(shù)給Iinux內(nèi)核發(fā)送MEMGETBADBL0CK命令對(duì)各個(gè)所述分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷。
[0010]本發(fā)明可實(shí)時(shí)檢測(cè)機(jī)頂盒的nandflash各分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小，用戶可提前更換壞塊過(guò)多的nandflash芯片，以免產(chǎn)生機(jī)頂盒功能異常影響使用，同時(shí)，機(jī)頂盒售后維修人員能夠通過(guò)本發(fā)明提供的檢測(cè)方法對(duì)問(wèn)題機(jī)頂盒進(jìn)行定位分析，可以作為定位分析相關(guān)問(wèn)題的一種技術(shù)手段。
【附圖說(shuō)明】
[0011]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0014]實(shí)施例1
[0015]如圖1所示，本實(shí)施例公開了一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其步驟如下:a、將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)；b、通過(guò)nandflash驅(qū)動(dòng)中相應(yīng)的函數(shù)對(duì)各個(gè)分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷；c、計(jì)算nandflash各個(gè)分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。
[0016]其中在步驟a中，機(jī)頂盒軟件通過(guò)分區(qū)表對(duì)nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)，各分區(qū)為:
[0017]mtdparts = hinand:0x100000(fastboot), 0x80000(bargs), 0x80000(bbargs), Ox80000 (stbid)，OxcOOOO (Idb)，OxcOOOO(bakldb)，0x800000(ml)，0x800000(bl)，0x500000(dvt5_2), 0x500000(tf3_0), 0x500000(db), 0x100000(baseparam), 0x300000(logo), 0x500000 (kernel), OxfOOOOO(fs), OxleOOOOO(app), 0x500000(adv)。
[0018]在a步驟將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)之后，還包括:獲取各個(gè)分區(qū)的大小。nandflash壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小的計(jì)算方法為:壞塊空間在分區(qū)中所占比例=分區(qū)中壞塊空間大小/分區(qū)大小；各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小=分區(qū)大小-分區(qū)中壞塊大小。
[0019]在b步驟中，由于nandflash是以block為單位組成，block大小通常為128KB，即總大小為128MB大小的nandf Iash共有1024個(gè)block組成，壞塊是指nandf Iash中的某個(gè)或某些block不能正常的讀寫數(shù)據(jù)，導(dǎo)致這些block空間不可使用。
[0020]機(jī)頂盒系統(tǒng)為Iinux系統(tǒng)；Iinux系統(tǒng)通過(guò)1ctl函數(shù)給Iinux內(nèi)核發(fā)送MEMGETBADBL0CK命令對(duì)各個(gè)分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷。
[0021]本實(shí)施例能夠檢測(cè)機(jī)頂盒的nandflash各分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小，用戶可提前更換壞塊過(guò)多的nandflash芯片，以免產(chǎn)生機(jī)頂盒功能異常影響使用，同時(shí)，機(jī)頂盒售后維修人員能夠通過(guò)本發(fā)明提供的檢測(cè)方法對(duì)問(wèn)題機(jī)頂盒進(jìn)行定位分析。
[0022]實(shí)施例2
[0023]本實(shí)施例公開了一種可監(jiān)控并顯示機(jī)頂盒nandf I ash壞塊的機(jī)頂盒，在機(jī)頂盒系統(tǒng)信息界面上新增一項(xiàng)“nandflash壞塊狀態(tài)”菜單，遙控器選中該菜單，按確定鍵，彈出一個(gè)顯示界面，該界面能統(tǒng)計(jì)并顯示當(dāng)前nandflash壞塊狀態(tài)，顯示的信息有機(jī)頂盒nandflash各分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。
[0024]其中nandflash壞塊狀態(tài)通過(guò)上述實(shí)施例公開的檢測(cè)方法進(jìn)行統(tǒng)計(jì)。
[0025]機(jī)頂盒創(chuàng)建一個(gè)線程或定時(shí)器實(shí)時(shí)監(jiān)控nandflash各個(gè)分區(qū)中的壞塊個(gè)數(shù)，并通過(guò)機(jī)頂盒osd界面顯示技術(shù)將上述nandflash壞塊狀態(tài)顯示在界面上。
[0026]本實(shí)施例可實(shí)時(shí)監(jiān)控并顯示機(jī)頂盒的nandflash的壞塊狀態(tài)，通過(guò)界面可以顯示機(jī)頂盒nandflash各分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。
[0027]以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其特征在于: 將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)； 通過(guò)nandflash驅(qū)動(dòng)中相應(yīng)的函數(shù)對(duì)各個(gè)所述分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷；計(jì)算nandflash各個(gè)所述分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。2.根據(jù)權(quán)利要求所述的一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其特征在于: 將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)之后還包括: 獲取各個(gè)所述分區(qū)的大小。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其特征在于: nandflash壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小的計(jì)算方法為: 壞塊空間在分區(qū)中所占比例=分區(qū)中壞塊空間大小/分區(qū)大??； 各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小=分區(qū)大小-分區(qū)中壞塊大小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其特征在于: 機(jī)頂盒軟件通過(guò)分區(qū)表對(duì)nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)，各所述分區(qū)為:mtdparts = hinand:0x100000 (fastboot), 0x80000(bargs), 0x80000 (bbargs), 0x80000(Stbid)，OxcOOOO(Idb)，OxcOOOO(bakldb)，0x800000(ml)，0x800000 (bl)，0x500000 (dvt5_2),0x500000 (tf3_0), 0x500000(db), 0x100000(baseparam), 0x300000(logo), 0x500000 (kernel), OxfOOOOO(fs), OxleOOOOO(app), 0x500000(adv)。5.根據(jù)權(quán)利要求所述的一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，其特征在于: 機(jī)頂盒系統(tǒng)為Iinux系統(tǒng)； 所述Iinux系統(tǒng)通過(guò)1ctl函數(shù)給Iinux內(nèi)核發(fā)送MEMGETBADBLOCK命令對(duì)各個(gè)所述分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷。
【專利摘要】本發(fā)明涉及檢測(cè)方法技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法,將nandflash芯片進(jìn)行分區(qū)；通過(guò)nandflash驅(qū)動(dòng)中相應(yīng)的函數(shù)對(duì)各個(gè)所述分區(qū)中的block單元進(jìn)行壞塊判斷；計(jì)算nandflash各個(gè)所述分區(qū)中存在的壞塊個(gè)數(shù)、壞塊空間在分區(qū)中所占比例以及各分區(qū)除去壞塊空間外實(shí)際可以使用的空間大小。本發(fā)明的發(fā)明目的在于提供一種機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)方法，采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了對(duì)機(jī)頂盒nandflash芯片的壞塊檢測(cè)，以免產(chǎn)生機(jī)頂盒功能異常影響使用，同時(shí)，方便維護(hù)人員對(duì)問(wèn)題機(jī)頂盒定位分析。
【IPC分類】G11C29/04
【公開號(hào)】CN105225696
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510669550
【發(fā)明人】劉道歡
【申請(qǐng)人】廣東九聯(lián)科技股份有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月15日