專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體基材的制造方法和太陽(yáng)能電池的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體基材的方法，更具體地，涉及一種通過(guò)在低成本基片上沉積薄膜結(jié)晶層來(lái)制造太陽(yáng)能電池的方法。
在已知技術(shù)中，在半導(dǎo)體基片上形成的多孔層上形成薄膜半導(dǎo)體層，然后通過(guò)使切斷多孔層從基片上分離薄膜半導(dǎo)體層，并且在分離之后利用半導(dǎo)體基片再一次形成薄膜半導(dǎo)體層。由于這種技術(shù)允許有效地利用材料，可以獲得質(zhì)量好且不昂貴的薄膜半導(dǎo)體?？捎糜诜蛛x的方法包括通過(guò)腐蝕的化學(xué)方法，或利用超聲波、拉力或類(lèi)似作用的物理方法。
已公開(kāi)的日本專(zhuān)利No．7-302889描述了物理分離方法，其中在硅晶片表面所形成的多孔層上生長(zhǎng)外延層，將另一晶片鍵合到外延層(硅層)上，并且對(duì)多孔層加壓、剪切、用超聲波、或類(lèi)似作用來(lái)實(shí)現(xiàn)分離。已公開(kāi)的日本專(zhuān)利No．8-213645描述了另一方法，其中在單晶硅基片表面所形成的多孔層上外延生長(zhǎng)硅層，利用粘合劑將單晶硅基片的背面粘接到夾具上，然后利用粘合劑將外延層粘接到另一個(gè)夾具上，然后在這兩個(gè)夾具之間施加拉力來(lái)獲得薄膜半導(dǎo)體。已公開(kāi)的日本專(zhuān)利No．10-189924和No．10-190029描述了通過(guò)真空吸附裝置(卡盤(pán)或空吸)將單晶硅基片的背面固定到夾具上，將另一個(gè)夾具與外延層粘接，并且將兩個(gè)夾具相互分離以使多孔層斷裂，從而獲得薄膜外延層(以及用它的太陽(yáng)能電池)的方法。
對(duì)于通過(guò)施加拉力從原始半導(dǎo)體基片上分離薄膜外延層，基片的固定是一個(gè)重要的因素。為以低成本獲得薄膜半導(dǎo)體，必須重復(fù)使用原始半導(dǎo)體基片許多次。因此，正如在已公開(kāi)的日本專(zhuān)利No．10-189924中所描述的那樣，認(rèn)為真空吸附和／或靜電吸附是用來(lái)固定半導(dǎo)體基片又不會(huì)損壞或污染該基片的合適方法。但是，在從基片的邊緣開(kāi)始拉伸同時(shí)通過(guò)真空吸附和／或靜電吸附固定的方法中，當(dāng)多孔層的斷裂強(qiáng)度比確定的值大時(shí)，就存在通過(guò)多孔層斷裂所需要的力來(lái)消除基片吸引力的可能，該所需要的力是用于分離薄膜半導(dǎo)體層的拉力，以用來(lái)抬起基片。若通過(guò)圍繞滾筒向上滾動(dòng)薄膜半導(dǎo)體的固定元件以分離晶體，則存在折斷晶片的可能性。
本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題，以提供一種能以較高產(chǎn)量獲得具有優(yōu)異性質(zhì)薄膜外延層的方法，該方法不用抬起基片并且允許重復(fù)使用基片。
為解決上述問(wèn)題，發(fā)明人進(jìn)行了細(xì)致和廣泛的研究，并且最終完成本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)真空吸附和／或靜電吸附來(lái)固定基片，并且從除基片周?chē)獾膮^(qū)域開(kāi)始分離薄膜外延層。通過(guò)利用這種方法，能夠以較高產(chǎn)量獲得具有優(yōu)異性質(zhì)的薄膜外延層并且可以重復(fù)使用基片，因而允許低成本制造。


圖1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、和1H是表示根據(jù)本發(fā)明薄膜半導(dǎo)體制造過(guò)程示例的步驟圖，根據(jù)本發(fā)明的方法包括圖1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、和1H的步驟；圖2A和2B是表示分離開(kāi)始上所施加力的分配圖，其中圖2A表示通過(guò)在基片邊緣的多孔層分離薄膜半導(dǎo)體層的例子，并且圖2B表示通過(guò)在基片中心部分的多孔層分離薄膜半導(dǎo)體層的例子；圖3A和3B是用于說(shuō)明例子1中的工作圖，其中圖3A是平面圖，圖3B是剖面圖；圖4A和4B是用于說(shuō)明例子2中的工作圖，其中圖4A是平面圖，圖4B是剖面圖；圖5A和5B是用于說(shuō)明示例3中的工作圖，其中圖5A是平面圖，圖5B是剖面圖。
現(xiàn)在，參照?qǐng)D1A到5B描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示。
首先參照?qǐng)D1A到1H描述半導(dǎo)體基材的制造方法，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。通過(guò)，例如熱擴(kuò)散、離子注入、制備晶片時(shí)的污染、或類(lèi)似的方法將雜質(zhì)引入到單晶硅晶片101的表面，至少在晶片表面形成p+(或n+)層102(圖1A)。
然后將已引入雜質(zhì)的晶片表面在例如HF的溶液中進(jìn)行陽(yáng)極化處理。這將使表面區(qū)域多孔化，因而形成多孔層103(圖1B)。然后通過(guò)液相外延，在多孔層103表面上生長(zhǎng)包括單晶硅的外延層(以下將稱(chēng)為單晶硅層)104(圖1C)。
在通過(guò)陽(yáng)極化處理形成多孔層期間，可以改變陽(yáng)極化電流，例如在低電位到高電位的中間部位預(yù)先提供密度有差別的多孔層結(jié)構(gòu)，因而便于在生長(zhǎng)外延層之后，通過(guò)多孔層103從硅晶片101分離單晶硅層104。
然后由支撐元件106通過(guò)粘合劑105對(duì)在多孔層103上生長(zhǎng)的單晶硅層104進(jìn)行支撐(圖1E)。然后使多孔層103斷裂以分離單晶硅層104(圖1F和1G)。為了可以重復(fù)利用硅晶片，通過(guò)對(duì)與單晶硅層一側(cè)相反的側(cè)表面進(jìn)行真空吸附來(lái)固定硅晶片，并且從除基片周?chē)獾膮^(qū)域開(kāi)始分離，例如從基片的中心開(kāi)始(圖1D)。
當(dāng)從基片的邊緣開(kāi)始分離(圖2A)和從基片的中心開(kāi)始分離(圖2B)時(shí)，要考慮如圖所示，作用在起始點(diǎn)S周?chē)鷧^(qū)域的垂直方向上的分離力Fp和固定力Fv。在圖中，附圖標(biāo)記207表示固定基片的基底。附圖標(biāo)記208表示真空吸附孔。從圖中可明顯看出，當(dāng)從邊緣開(kāi)始分離時(shí)，固定力Fv僅對(duì)初始點(diǎn)S周?chē)鷧^(qū)域的晶片側(cè)面中心作用。另一方面，當(dāng)從中心開(kāi)始分離時(shí)，均勻的固定力Fv對(duì)初始點(diǎn)S周?chē)膮^(qū)域作用，也能產(chǎn)生較強(qiáng)的固定力。因此，即使在因從晶片邊緣分離導(dǎo)致抬起晶片的固定條件下，通過(guò)從除邊緣之外的區(qū)域開(kāi)始分離，也可以牢固地固定晶片而不抬起。
在從除邊緣之外的區(qū)域分離晶片時(shí)，如果至少在分離開(kāi)始部分，預(yù)先移走部分硅層，就可以從想要的位置平滑地開(kāi)始分離。例如，當(dāng)沿晶片的直徑方向移走半導(dǎo)體層時(shí)，就將分離層分為兩個(gè)區(qū)域(圖1D)。首先，在一個(gè)區(qū)域上使用粘合劑并且在該處粘接支撐元件(圖1E)。然后沿直徑從該處使該區(qū)域向晶片邊緣(圖中的右邊)與移走硅層的部分分離(圖1F)。此后，其它的剩余區(qū)域也以相似的方式從晶片上分離，以獲得薄膜硅層(圖1G)。
當(dāng)根據(jù)需要移走多孔層103的殘余物之后，這樣分離的硅層104被用于半導(dǎo)體基材或太陽(yáng)能電池。
對(duì)于完成分離之后的硅晶片101，將殘留在其表面上的多孔層103的殘余物通過(guò)腐蝕等移走或處理，然后將得到的晶片返回到第一步，從而其可以被有效地利用(圖1H)。因此，優(yōu)選地采用不會(huì)損壞晶片的真空吸附和／或靜電吸附，作為支撐晶片的方法。
下文詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體基材和太陽(yáng)能電池的制造方法的優(yōu)選條件。首先，以硅為例子描述多孔層。氫氟酸(HF)溶液優(yōu)選用于陽(yáng)極化處理中以形成多孔層103，也可利用鹽酸溶液、硫酸溶液、或類(lèi)似溶液。通過(guò)利用HF溶液，在HF濃度不小于10％的的情況下，使p+(n+)層102多孔化。陽(yáng)極化處理時(shí)的電流最好根據(jù)HF濃度、所想要的多孔層薄膜厚度、多孔層的表面條件等確定，其合適范圍約為1mA／cm2到100mA／cm2。
當(dāng)將諸如乙醇等加入到HF溶液中，就可以在不攪拌的情況下，立刻從反應(yīng)表面上消除陽(yáng)極化處理時(shí)由于氣體析出而引起的反應(yīng)氣泡，由此可以均勻有效地形成多孔層。所加入的醇的量最好根據(jù)HF濃度、所想要的多孔層薄膜厚度、或多孔層的表面條件來(lái)確定，尤其必須特別注意，確保所加入醇的量不會(huì)使HF濃度變得過(guò)低。
單晶硅的密度是2．33g／cm3，但是例如通過(guò)在50到20％的范圍內(nèi)改變HF溶液的濃度，多孔層的密度可以在例如1．1到0．6g／cm3的范圍內(nèi)變化。通過(guò)改變陽(yáng)極化處理電流也可以使多孔率變化，增加電流也會(huì)增加多孔性。
多孔層的機(jī)械強(qiáng)度因多孔性而不同，并且認(rèn)為要比體硅足夠低。例如，假設(shè)多孔性是50％，其機(jī)械強(qiáng)度可認(rèn)為是硅基體的一半。如果將基片粘接到多孔層的表面，并且在多孔層和基片之間有足夠的粘合劑，通過(guò)在所形成多孔層的硅晶片和基片之間施加壓力、拉力、或剪切力可使多孔層斷裂。如果增加多孔性，利用較弱的力就可以使多孔層斷裂。
由于孔是陽(yáng)極反應(yīng)所必需的，多孔層主要由其中包括孔的p型硅的陽(yáng)極化處理而制成(T．Unagami，J．Electrochem．Soc．，vol．127，476(1980))。但是另一方面，也有報(bào)導(dǎo)說(shuō)多孔層可以由低電阻的n型硅所制成(R．P．Holmstrom andJ．Y．Chi，Appl．Phys．Lett．，vol．42，386(1983))。因此，可以認(rèn)為能夠利用任何低電阻硅形成多孔層，而不受導(dǎo)電類(lèi)型的約束，也就是說(shuō)，不受p型或n型的約束。根據(jù)導(dǎo)電類(lèi)型來(lái)實(shí)現(xiàn)多孔層的選擇形成也是可能的；例如，在FIPOS(多孔氧化硅的完全絕緣)過(guò)程中，通過(guò)對(duì)暗區(qū)陽(yáng)極化處理，只有p型層能夠產(chǎn)生多孔。
當(dāng)利用透射電子顯微鏡進(jìn)行觀察時(shí)，單晶硅陽(yáng)極化處理得到的多孔層(硅層)具有直徑大約幾nm的小孔，并且多孔硅的密度不會(huì)超過(guò)單晶硅密度的一半。盡管有這種情況，仍維持單晶性，以便可以通過(guò)熱CVD、液相生長(zhǎng)、或類(lèi)似技術(shù)在多孔層(硅層)上生長(zhǎng)外延層。
此外，由于多孔層內(nèi)部包括大量空穴，與體積相比其表面區(qū)域顯著增加。結(jié)果是，其化學(xué)腐蝕速度遠(yuǎn)比普通單晶體層的腐蝕速度大得多。
通過(guò)用多晶體硅代替單晶硅進(jìn)行陽(yáng)極化處理也可同樣地獲得多孔層。通過(guò)熱CVD、液相生長(zhǎng)、或類(lèi)似技術(shù)可以在該處生長(zhǎng)晶體硅層。(在這種情況下，可以實(shí)現(xiàn)與多晶體硅的晶粒尺寸對(duì)應(yīng)的部分外延生長(zhǎng)。)[實(shí)施例]下面的例子是示例性的而不是限制性的。
(例子1)通過(guò)熱擴(kuò)散將硼(B)引入到p型硅單晶體基片(硅晶片)301的表面以形成p+層，該硅單晶體基片301具有800μm的厚度和4英寸的直徑。在氫氟酸溶液中以?xún)蓚€(gè)電流值上對(duì)該基片進(jìn)行陽(yáng)極化處理，以獲得厚度約為10μm的多孔層302。先以8mA／cm2的密度提供十分鐘的電流，再以30mA／cm2的密度提供一分鐘的電流。在提供電流的過(guò)程中，電流的變化導(dǎo)致形成雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)包括致密結(jié)構(gòu)的多孔層和粗大結(jié)構(gòu)的多孔層。
然后對(duì)其中形成有多孔層302的p類(lèi)型硅單晶體基片(硅晶片)301，在氫氣中以1050℃的表面溫度進(jìn)行一分鐘的退火處理。此后，將基片浸入到900℃的金屬銦溶液中，其中硅被溶解到過(guò)飽和的濃度。然后將溶液逐步冷卻以形成厚度為30μm的外延層(下文中將稱(chēng)為硅層)303。這時(shí)，將與多孔層302一側(cè)相反側(cè)的基片301的表面覆蓋氧化物薄膜，以抵制溶液，由此僅在形成多孔層的表面上形成硅層303。
下一步，將晶片分為兩個(gè)70×34mm2的區(qū)域。然后在其中形成太陽(yáng)能電池。首先，對(duì)兩個(gè)70×34mm2的區(qū)域303-1、303-2用掩模覆蓋，并且通過(guò)RIE干式蝕刻從表面上移走適當(dāng)深度的多孔層(圖3A)。然后移走掩模并且將磷(P)擴(kuò)散到每塊70×34mm2硅層303的表面以形成n+層。接著，在其上形成電極304和抗反射層305。通過(guò)真空吸附固定除太陽(yáng)能電池一側(cè)的基片301的其它表面，并且在一個(gè)硅層303-1的抗反射層304上施加透明粘合劑，但是不能溢到所移走部分和所移走側(cè)面上。然后將透明支撐元件307固定到該表面上，此后從接近中心部分對(duì)多孔層302施加力，以從硅基片301上分離硅層303-1(圖3B)。在硅層上形成背部電極，由此獲得薄膜太陽(yáng)能電池。同樣地，對(duì)剩余的硅層303-2也進(jìn)行處理以形成薄膜太陽(yáng)能電池。在分離期間，能夠從整個(gè)表面上完全分離薄膜半導(dǎo)體層而不會(huì)抬起晶片。
通過(guò)腐蝕從硅晶片301上移走多孔層的殘余物，并且用硅晶片301重復(fù)上述步驟總計(jì)5次。評(píng)價(jià)由此獲得薄膜太陽(yáng)能電池的特性，證實(shí)了不管使用晶片多少次，它們都具有穩(wěn)定的高效率。
(例子2 )以相似于例子1的方式，對(duì)直徑為5英寸的p+類(lèi)型硅晶片401提供電流，先以8mA／cm2的密度提供十分鐘的電流，再以20mA／cm2的密度提供一分鐘的電流，以在形成雙層結(jié)構(gòu)多孔層402，此后通過(guò)CVD在其兩個(gè)表面外延生長(zhǎng)，以形成每個(gè)厚度都是15μm的外延層(硅半導(dǎo)體層)403a、403b。然后向在多孔層上沉積的外延層403a的表面上施加擴(kuò)散劑以形成p+層，此后在403a表面沿晶片的直徑以3mm的寬度對(duì)硅層進(jìn)行腐蝕，由此將該層分為兩個(gè)區(qū)域403a-1、403a-2(圖4A)。這里所使用的腐蝕劑是氫氟酸-硝酸(HF∶HNO3=1∶1)。以相似于例子1的方式，在外延層的兩個(gè)分離區(qū)域403a-1、403a-2的每一個(gè)上形成4cm2的太陽(yáng)能電池，此后在一個(gè)層403a-1的表面上施加透明粘合劑404并使其不溢出。將支撐元件405粘接到表面。通過(guò)靜電吸附固定403b層表面，同時(shí)，對(duì)支撐元件施加拉力，以從腐蝕線(xiàn)開(kāi)始分離(圖4B)，由此獲得太陽(yáng)能電池。以相似的方式分離另一層403a-2。這時(shí)，幾乎從整個(gè)表面完全分離了該層而不用抬起晶片。在移走多孔層的殘余物之后，利用導(dǎo)電粘合劑將由此獲得的薄膜太陽(yáng)能電池粘接到金屬元件上，并且評(píng)價(jià)其特性。
從硅層401上移走多孔層殘余物，并且對(duì)硅層401重復(fù)共十次上述步驟的處理。由于在每次處理過(guò)程中都要在兩個(gè)面上沉積硅層，晶片的與多孔層厚度相等的量的減少被補(bǔ)償，即使在上述步驟多次重復(fù)之后也不會(huì)對(duì)處理造成困難。對(duì)由此獲得的太陽(yáng)能電池的性質(zhì)進(jìn)行比較和評(píng)價(jià)，證實(shí)了與使用晶片的次數(shù)無(wú)關(guān)，它們都具有穩(wěn)定的高效率。
(例子3)象在例子1中那樣，在5英寸的硅晶片501上形成p+層，此后通過(guò)提供電流進(jìn)行陽(yáng)極化處理以形成厚度約為12μm的雙層結(jié)構(gòu)的多孔層502，其中先以8mA／cm2的密度提供十分鐘的電流，再以25mA／cm2的密度提供一分鐘的電流。然后在多孔層上外延生長(zhǎng)0．5μm厚度的半導(dǎo)體層，此后將P(磷)擴(kuò)散到其中以形成n+層503。接著，通過(guò)液相生長(zhǎng)沉積30μm厚度的外延層(單晶體半導(dǎo)體層)504。然后在晶片的中心部分形成80mm×80mm的正方形抗蝕劑掩模，并且通過(guò)RIE干式蝕刻移走外延層(在下文中稱(chēng)為硅層)(圖5A)。然后，將掩模移走，同時(shí)利用Al箔將金屬元件505熱焊到留下的硅層504上，將Al原子擴(kuò)散進(jìn)硅層504的鍵合面上以形成p+層。此后，通過(guò)真空吸附和靜電吸附的組合來(lái)固定背表面，并且對(duì)多孔層502施加力以獲得薄膜。這時(shí)，從晶片邊緣接近中心2cm的位置開(kāi)始分離，由此不抬起晶片就可實(shí)現(xiàn)分離。將留在薄膜半導(dǎo)體層上的多孔層殘余物去除，并且在其上形成柵極。此后，在其上沉積還具有鈍化作用的TiO2的抗反射薄膜，以形成4cm2的太陽(yáng)能電池，并對(duì)其評(píng)價(jià)。在薄膜分離后，從晶片上腐蝕掉多孔層的剩余物，并且對(duì)晶片總共重復(fù)五次上述步驟的處理。
將這樣獲得的太陽(yáng)能電池進(jìn)行比較和評(píng)價(jià)，證實(shí)了不管晶片使用次數(shù)多少，都具有穩(wěn)定的高效率。
當(dāng)用支撐元件對(duì)經(jīng)由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層進(jìn)行支撐時(shí)，在支撐元件上施加拉力來(lái)機(jī)械破壞分離層，從而形成薄膜半導(dǎo)體，通過(guò)由真空和／或靜電吸附來(lái)固定基片，并且從除基片邊緣之外的區(qū)域開(kāi)始薄膜外延層的分離，可以防止因分離力超過(guò)基片的粘接力而抬起基片，還能以較高產(chǎn)量獲得具有優(yōu)異性質(zhì)的薄膜外延層，并且還允許重復(fù)使用基片，由此能夠以低成本進(jìn)行制造。
權(quán)利要求
1．一種制造半導(dǎo)體基材的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，在施加拉力的步驟中，從除基片邊緣之外的區(qū)域開(kāi)始分離。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理而形成的多孔層。
6．根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
7．一種制造半導(dǎo)體基材的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，在施加拉力的步驟中，從固定基片的力比對(duì)支撐元件的拉力大的位置開(kāi)始分離。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
9．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
10．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
11．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理所形成的多孔層。
12．根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
13．一種制造半導(dǎo)體基材的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；并且此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，通過(guò)移走半導(dǎo)體層和多孔層形成凹槽，至少獲得一個(gè)與分離進(jìn)程方向相關(guān)的預(yù)定夾角，且在施加拉力的步驟中，從凹槽開(kāi)始分離。
14．根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法；其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
15．根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸咐固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
16．根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
17．根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理所形成的多孔層。
18．根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
19．一種制造太陽(yáng)能電池的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，在施加拉力的步驟中，從除基片邊緣之外的區(qū)域開(kāi)始分離。
20．根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
21．根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
22．根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法；其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
23．根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理所形成的多孔層。
24．根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
25．一種制造太陽(yáng)能電池的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，在施加拉力的步驟中，從固定基片的力大于對(duì)支撐元件的拉力的位置開(kāi)始分離。
26．根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
27．根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
28．根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
29．根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理所形成的多孔層。
30．根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
31．一種制造太陽(yáng)能電池的方法，該方法包括下列步驟通過(guò)支撐元件支撐由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層；固定基片；此后對(duì)支撐元件施加拉力，機(jī)械破壞分離層以形成薄膜半導(dǎo)體；其中，通過(guò)移走半導(dǎo)體層和多孔層形成凹槽，至少獲得一個(gè)與分離進(jìn)程方向相關(guān)的預(yù)定夾角，且在施加拉力的步驟中，從凹槽開(kāi)始分離。
32．根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
33．根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中在通過(guò)靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
34．根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中在通過(guò)真空吸附和靜電吸附固定基片的同時(shí)，對(duì)薄膜半導(dǎo)體層進(jìn)行分離。
35．根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中分離層是通過(guò)陽(yáng)極化處理所形成的多孔層。
36．根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中將基片重復(fù)使用。
全文摘要
在通過(guò)支撐元件對(duì)由基片上的分離層形成的半導(dǎo)體層進(jìn)行支撐,并通過(guò)對(duì)支撐元件施加拉力機(jī)械破壞分離層,而形成薄膜半導(dǎo)體時(shí),通過(guò)真空吸附和/或靜電吸附來(lái)固定基片,并從除基片邊緣之外的區(qū)域開(kāi)始分離薄膜外延層。由此可提供一種能夠以較高產(chǎn)量獲得具有優(yōu)異性質(zhì)薄膜外延層的方法,并且允許重復(fù)使用基片,且在制造半導(dǎo)體基材和太陽(yáng)能電池時(shí)不會(huì)因?yàn)榉蛛x力超過(guò)基片的粘接力而抬起基片。
文檔編號(hào)H01L21/762GK1278656SQ00122589
公開(kāi)日2001年1月3日 申請(qǐng)日期2000年6月16日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月17日
發(fā)明者巖崎由希子, 米原隆夫, 西田彰志, 坂口清文, 浮世典孝 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社