專利名稱：真空絕緣開關(guān)裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空絕緣開關(guān)裝置，特別是在覆蓋真空容器的澆注絕緣物的表面通過噴鍍形成導(dǎo)電被膜的真空絕緣開關(guān)裝置及其制造方法。
作為應(yīng)用于開關(guān)裝置絕緣物表面的技術(shù)，電氣學(xué)會(huì)技術(shù)報(bào)告(2部)第259號p.37有所記載，如

圖10所示，在澆注有導(dǎo)體11和真空管12的固體絕緣開關(guān)的絕緣物13的表面設(shè)有接地層。
圖中，14是導(dǎo)電膜層，15是控制部，16是操作機(jī)構(gòu)，17是插入裝置，18是二次開關(guān)拴，19是隔離部，20是電纜頭，21是零相電流互感器，22是電流互感器，23是絕緣母線。
此外，在特開昭61-109411號公報(bào)中，公開了如圖11所示在絕緣物表面形成導(dǎo)電化層的方法，是一種在氣體容器內(nèi)的絕緣物的屏蔽罩的表面蒸鍍、噴鍍Zn或Pb的方法。
即，在圖11中，內(nèi)封有絕緣性氣體-SF6氣體的接地箱體、即容器24內(nèi)具有導(dǎo)體25，與絕緣子26一體澆注成型，通過絕緣子26被支撐在箱體內(nèi)。27也是導(dǎo)體，通過觸頭28與導(dǎo)體25實(shí)現(xiàn)電的連接。
電解緩和用的屏蔽罩29圍繞兩個(gè)導(dǎo)體25、27的連接部，通過螺栓30固定在導(dǎo)體25上。螺栓30不僅將屏蔽罩29與導(dǎo)體25機(jī)械固定，而且對屏蔽罩29和導(dǎo)體25的連接固定面施加壓力，使屏蔽罩29與導(dǎo)體25二者緊密接觸而實(shí)現(xiàn)二者的電氣連接。
即，電解緩和用屏蔽罩29采用塑料件，塑料件29是以導(dǎo)電化手段、即導(dǎo)電層29b將塑料形成的主體29a覆蓋而具有導(dǎo)電性。
另外，還有特開平2-303311號公報(bào)所公開的、如圖12所示對絕緣物的電場控制環(huán)的表面進(jìn)行導(dǎo)電性涂料的涂布、Zn噴鍍、真空蒸鍍、陰極真空噴鍍或金屬電鍍等方法。
圖中，31是氣體容器，32是導(dǎo)體，33是絕緣子，34是導(dǎo)體，35是觸頭，36是電場控制環(huán)，電場控制環(huán)36由控制環(huán)本體36a和導(dǎo)體覆膜36b構(gòu)成。
由于現(xiàn)有的真空絕緣開關(guān)裝置如上構(gòu)成，因此存在著如下問題，即，由于導(dǎo)電性涂料從耐久性的觀點(diǎn)來說有時(shí)需要重新進(jìn)行涂布，涂布需要使用溶劑，故干燥耗費(fèi)時(shí)間，不僅制造成本高，而且從保護(hù)環(huán)境考慮應(yīng)避免使用。
而蒸鍍和真空噴鍍是在真空罐體內(nèi)形成被膜的，不適于大批量生產(chǎn)和大型件的加工，而且，由于被膜的形成速度緩慢，故處理時(shí)間也長，導(dǎo)致制造成本高。
而金屬電鍍?yōu)闈袷阶鳂I(yè)，故遮擋和后續(xù)工序的干燥費(fèi)時(shí)費(fèi)力，而且大型件還存在因電鍍?nèi)萜骱洼斔蜋C(jī)等原因無法進(jìn)行處理的問題。
而噴鍍是在大氣中將熔融金屬吹到絕緣體表面上而形成被膜的方法，雖然是一種比較簡便且廉價(jià)的方法，但Pb的使用具有毒性而從保護(hù)環(huán)境考慮應(yīng)避免使用。
Zn的噴鍍由于不僅耐熱性差而且會(huì)形成金屬須，故不能用于電場集中的部位。
此外，由于噴鍍被膜的端面較薄，電場容易集中，而且當(dāng)噴鍍被膜的表面上噴鍍劑與絕緣體的密接性差的場合，因噴鍍材料從絕緣體表面脫離或附著在絕緣體表面而有可能導(dǎo)致絕緣強(qiáng)度降低。
本發(fā)明旨在解決上述問題，其目的是提供能夠以低成本進(jìn)行生產(chǎn)并且形成有高可靠性導(dǎo)電被膜的真空絕緣開關(guān)裝置。
此外，本發(fā)明的目的是提供制造能夠以低成本進(jìn)行生產(chǎn)并且形成有高可靠性導(dǎo)電被膜的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法。
本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
如上所述，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬、從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物、或者從上述群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜，可使導(dǎo)電被膜廉價(jià)且具有高可靠性地形成。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，在該筒狀部的至少一個(gè)端部附近的周面上形成有隨著靠近端部其直徑變大的錐面，上述導(dǎo)電被膜的邊端位于該錐部處。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，在該筒狀部的至少一個(gè)端部附近的周面上形成有環(huán)狀的槽部，上述導(dǎo)電被膜的邊端位于該槽部處。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有斜面。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有階梯面。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有錐面。
通過形成上述錐面、環(huán)狀槽部、斜面、或階梯面，能夠有效地防止因在導(dǎo)電被膜端部發(fā)生電場集中而導(dǎo)致絕緣擊穿。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置這樣構(gòu)成，即，在上述導(dǎo)電被膜的表面涂布有密封劑，通過該密封劑，能夠防止被膜材料從導(dǎo)電被膜的表面脫落。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
按照如上所述將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬、從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物、或者從上述群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上的制造方法，能夠廉價(jià)形成具有高可靠性的導(dǎo)電被膜，廉價(jià)制造出高可靠性的真空絕緣開關(guān)裝置。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法是在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行噴氣。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法是在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行噴丸。
此外，本發(fā)明所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法是在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行刷光。
通過如上所述地對導(dǎo)電被膜進(jìn)行噴氣、噴丸、或刷光，可強(qiáng)制性地清除導(dǎo)電被膜表面上的附著力弱的被膜材料，提高絕緣性能。
圖1是本發(fā)明實(shí)施形式1的真空絕緣開關(guān)裝置的主視圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施形式1的真空絕緣開關(guān)裝置的側(cè)視剖視圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施形式1的真空絕緣開關(guān)裝置的主視圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施形式1的真空絕緣開關(guān)裝置的側(cè)視剖視圖。
圖5(a)(b)(c)是本發(fā)明實(shí)施形式2的絕緣物部分的剖視圖。
圖6(a)(b)是本發(fā)明實(shí)施形式2的絕緣物部分的剖視圖。
圖7(a)(b)(c)是本發(fā)明實(shí)施形式2的絕緣物部分的剖視圖。
圖8(a)(b)(c)是本發(fā)明實(shí)施形式2的絕緣物部分的剖視圖。
圖9(a)(b)(c)是本發(fā)明實(shí)施形式2的絕緣物部分的剖視圖。
圖10是現(xiàn)有開關(guān)裝置的側(cè)視圖。
圖11是現(xiàn)有氣體絕緣電氣裝置的剖視圖。
圖12是現(xiàn)有氣體絕緣開關(guān)裝置的剖視圖。
實(shí)施形式1下面，結(jié)合附圖對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明實(shí)施形式1所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的主視圖，圖2是其側(cè)視剖視圖，圖中，1是分?jǐn)嗷芈冯娏?、?shí)現(xiàn)隔離的主回路接點(diǎn)，2是將負(fù)荷回路接地的接地接點(diǎn)，3是導(dǎo)體，4是撓性導(dǎo)體，5是收容上述零部件的真空容器。該真空容器5在三相電路的各相各配置一個(gè)，對于三相電路相應(yīng)地配置三個(gè)真空容器5，在各真空容器5內(nèi)，收容有主回路接點(diǎn)1、接地接點(diǎn)2、導(dǎo)體3、以及撓性導(dǎo)體4。此外，6a、6b是分別對主回路接點(diǎn)1和接地接點(diǎn)2進(jìn)行合分的操作機(jī)構(gòu)。構(gòu)成三相電路的三個(gè)真空容器5由共通的澆注絕緣體7覆蓋。該澆注絕緣體7是將諸如環(huán)氧樹脂等絕緣樹脂注入既定的模具內(nèi)成型而將排列好的三個(gè)真空容器5一體覆蓋的。在澆注絕緣體7的外表面上形成有導(dǎo)電被膜8，該導(dǎo)電被膜8經(jīng)接地線8a接地，以謀求真空絕緣開關(guān)裝置電氣性能的穩(wěn)定。
導(dǎo)電被膜8是通過從包含Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti以及Zr的群組中所選擇的一種或兩種以上金屬混合物的熔融體在大氣中吹到澆注絕緣體7的外表面上而形成。
將從上述群組中所選擇的一種以上的金屬的氧化物的熔融體，或者從上述群組中所選擇的一種以上的金屬與從上述群組中所選擇的一種以上的金屬的氧化物二者的混合物的熔融體在大氣中吹到澆注絕緣體7的外表面上，也能夠構(gòu)成具有電氣的導(dǎo)電性的導(dǎo)電被膜8。
將上述金屬或金屬氧化物的熔融體在大氣中吹到澆注絕緣體7的外表面上而形成的導(dǎo)電被膜8，與現(xiàn)有的導(dǎo)電性涂料相比具有優(yōu)良的耐久性，而且，不必像現(xiàn)有的導(dǎo)電性涂料那樣涂布時(shí)使用溶劑，不存在干燥時(shí)間長等問題，可使制造成本降低。并且，Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti以及Zr所組成的群組中的金屬及其氧化物不會(huì)形成金屬須，而且不存在環(huán)境污染問題。
此外，是在大氣中將上述金屬或金屬氧化物，或者它們的混合體的熔融物在大氣中吹到澆注絕緣子7的外表面上而形成導(dǎo)電被膜8的，因此，與蒸鍍、真空噴鍍相比，可提高被膜的形成速度而在短時(shí)間內(nèi)形成導(dǎo)電性被膜，可使制造成本降低，而與電鍍相比，能夠以干式形成被膜，可減少形成被膜的作業(yè)量。
圖3是其它實(shí)施形式所提供的真空絕緣開關(guān)裝置的主視圖，圖4是其側(cè)視剖視圖，圖中，1是分?jǐn)嗷芈冯娏鳌?shí)現(xiàn)隔離的主回路接點(diǎn)，2是將負(fù)荷回路接地的接地接點(diǎn)，3是導(dǎo)體，4是撓性導(dǎo)體，5是收容上述零部件的真空容器。該真空容器5在三相電路中排列配置三個(gè)，但在該實(shí)施形式中，三個(gè)真空容器5各自為單體，以諸如環(huán)氧樹脂等澆注絕緣體7覆蓋，在各自的澆注絕緣體7的外表面上分別形成有上述導(dǎo)電被膜8，該導(dǎo)電被膜8各自接地。導(dǎo)電被膜8與圖1、2的實(shí)施形式同樣，是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti以及Zr所組成的群組中所選擇的一種或兩種以上金屬的熔融體，或者從上述群組中所選擇的一種或兩種以上的金屬的氧化物的熔融體，或者從上述群組中所選擇的一種或兩種以上的金屬與從上述群組中所選擇的一種或兩種以上的金屬的氧化物二者的混合物的熔融體，在大氣中吹到澆注絕緣體7的外表面上而形成，并與前述同樣，可獲得價(jià)格低廉而可靠性優(yōu)異的真空絕緣開關(guān)裝置。
如上所述，作為價(jià)格低廉且具有優(yōu)異的耐熱性、耐電壓性的噴鍍材料，選擇了熔點(diǎn)高于Zn、不會(huì)形成金屬須、價(jià)格較為低廉、容易獲得的Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti以及Zr及其氧化物、混合物。
此外，噴鍍材料以它們?yōu)橹饕煞旨纯?，即使多少混合其它的成分也能夠獲得同樣的效果。
此外，作為真空容器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，只要收容有分?jǐn)嗖俊⒏綦x部、接地開關(guān)部即可，也可以是如特開平11-25815號公報(bào)所示，與動(dòng)接點(diǎn)鄰接的電弧槽間的絕緣子與活動(dòng)桿相連接的結(jié)構(gòu)，或者如特開平11-41726號公報(bào)所示，對向一對相向的觸頭之間的活動(dòng)電極給電的給電結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)而成的結(jié)構(gòu)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，將Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr或氧化物、混合物向真空絕緣開關(guān)裝置的絕緣體7的表面進(jìn)行噴鍍而形成導(dǎo)電被膜，因此，能夠獲得價(jià)格低廉而具有優(yōu)異的可靠性的真空絕緣開關(guān)裝置。而作為其制造方法，也能夠廉價(jià)且高可靠性地形成導(dǎo)電被膜，因此，對實(shí)現(xiàn)真空絕緣開關(guān)裝置的高可靠性、廉價(jià)化是有效的。
實(shí)施形式2圖5～圖9是展現(xiàn)噴鍍被膜8的端部與絕緣體7的表面形狀的剖視圖，所示為絕緣體7的表面形狀由多個(gè)平面或曲面形成的場合。圖5(a)、(b)所示者與圖1～圖4所示的結(jié)構(gòu)相當(dāng)，但屬于噴鍍被膜8的端部的電場較高的結(jié)構(gòu)。
為此，或者如圖5(c)所示，與絕緣體7的端面7a相比，噴鍍被膜8位于其筒狀部7b處，或者如圖6(a)、(b)所示，在絕緣物7的至少一個(gè)端面7a上靠近筒狀部7b的外周面上形成有斷面呈圓弧形的、隨著靠近端面7a其直徑變大的錐面7c，導(dǎo)電被膜8的端部位于該錐面7c處，或在絕緣物7的至少一個(gè)端面7a上靠近筒狀部7b的外周面上形成有斷面呈半圓形的環(huán)狀的槽部7d，導(dǎo)電被膜8的端部位于該槽部7d處，以防止因電場集中而發(fā)生絕緣擊穿。此外，如圖7(a)(b)(c)所示，在絕緣體7的至少一個(gè)端面7a與圍繞真空容器的筒狀部7b之間形成有斜面7e，或者如圖8(a)(b)(c)所示，在絕緣體7的至少一個(gè)端面7a與圍繞真空容器的筒狀部7b之間形成有階梯面7f也是有效的。另外，如圖9(a)(b)(c)所示，在絕緣體7的至少一個(gè)端面7a與筒狀部7b之間形成有斷面為曲面狀的、隨著靠近端面7a其直徑變小的錐面7g也是有效的。再有，通過將上述圖5(c)、圖6(a)(b)、圖7(a)(b)(c)、圖8(a)(b)(c)、圖9(a)(b)(c)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組合，可減弱電場，提高絕緣性能的可靠性。
實(shí)施形式3可在噴鍍形成的導(dǎo)電被膜8的表面使用氣體噴槍等以2～7個(gè)氣壓左右的壓縮空氣或氮?dú)膺M(jìn)行吹拂而實(shí)施噴氣。這樣，可使導(dǎo)電被膜8的最外周的附著力弱的噴鍍材料強(qiáng)制脫離，故可提高絕緣性能的可靠性。
實(shí)施形式4也可在噴鍍形成的導(dǎo)電被膜8的表面使用壓縮空氣等以鋼粉末、陶瓷粉末、玻璃粉末、塑料粉末、干冰、稻谷殼等進(jìn)行吹拂(噴丸)。這樣，可使導(dǎo)電被膜8的最外周的附著力弱的噴鍍材料強(qiáng)制脫離或密接，故可提高絕緣性能的可靠性。
實(shí)施形式5還可以使用由金屬或尼龍等纖維制成的刷子對噴鍍形成的導(dǎo)電被膜8的表面進(jìn)行刷光。這樣，可使導(dǎo)電被膜8的最外周的附著力弱的噴鍍材料強(qiáng)制脫離，故可提高絕緣性能的可靠性。
實(shí)施形式6也可在噴鍍形成的導(dǎo)電被膜8的表面涂布硅類或氟類密封劑。這樣，可防止導(dǎo)電被膜8的最外周的附著力弱的噴鍍材料脫離，故可提高絕緣性能的可靠性。
以上就圖示的實(shí)施形式對本發(fā)明的具體例子進(jìn)行了說明，但并不受此限定，可按照本發(fā)明的宗旨實(shí)現(xiàn)各種變化。
權(quán)利要求
1．一種真空絕緣開關(guān)裝置，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
2．一種真空絕緣開關(guān)裝置，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
3．一種真空絕緣開關(guān)裝置，具有容納開關(guān)部的真空容器，覆蓋該真空容器的澆注絕緣體，以及覆蓋上述澆注絕緣體表面的導(dǎo)電被膜；上述導(dǎo)電被膜是將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成。
4．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，在該筒狀部的至少一個(gè)端部附近的周面上形成有隨著靠近端部其直徑變大的錐面，上述導(dǎo)電被膜的邊端位于該錐部處。
5．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，在該筒狀部的至少一個(gè)端部附近的周面上形成有環(huán)狀的槽部，上述導(dǎo)電被膜的邊端位于該槽部處。
6．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有斜面。
7．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有階梯面。
8．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，上述澆注絕緣體具有包圍真空容器的筒狀部和該筒狀部兩端的端部，與該筒狀部的至少一個(gè)端部之間形成有錐面。
9．如權(quán)利要求1的真空絕緣開關(guān)裝置，在上述導(dǎo)電被膜的表面涂布有密封劑。
10．一種真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法，包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
11．一種真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法，包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
12．一種真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法，包括形成將容納開關(guān)部的真空容器覆蓋的澆注絕緣體的工序、以及形成將上述澆注絕緣體的表面覆蓋的導(dǎo)電被膜的工序，通過將從Al、Cu、Ag、Ni、Cr、Fe、Ti、Zr所組成的群組中所選擇的至少一種金屬與從上述群組中所選擇的至少一種金屬的氧化物二者的混合物在大氣中噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成上述導(dǎo)電被膜。
13．如權(quán)利要求10的開關(guān)裝置的制造方法，其特征是，在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行噴氣。
14．如權(quán)利要求10的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法，其特征是，在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行噴丸。
15．如權(quán)利要求10的真空絕緣開關(guān)裝置的制造方法，其特征是，在將上述至少一種金屬噴鍍到上述澆注絕緣體的表面上而形成導(dǎo)電被膜之后，對導(dǎo)電被膜進(jìn)行刷光。
全文摘要
提供一種能夠以低成本進(jìn)行生產(chǎn)的、并能夠形成可靠性優(yōu)異的導(dǎo)電層的真空絕緣開關(guān)裝置。在真空容器5內(nèi)收容有分?jǐn)嗖康榷鄠€(gè)開關(guān)部,將該真空容器5以絕緣物7進(jìn)行澆注,利用噴鍍被膜8使該絕緣物7的表面具有導(dǎo)電性。
文檔編號H01H33/666GK1320941SQ0111720
公開日2001年11月7日 申請日期2001年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月24日
發(fā)明者宮本圣一, 丸山稔正, 佐藤俊文, 糸谷孝行, 小林稔 申請人:三菱電機(jī)株式會(huì)社