專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如IGBT模塊等的大功率半導(dǎo)體裝置，并且特別涉及適用于必須降低功率損耗的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
我們知道作為大功率半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子，已有的IGBT模塊的構(gòu)造例如如圖9所示。
將IGBT芯片65的收集極一側(cè)和二極管芯片66的n層一側(cè)分別焊接在由銅導(dǎo)體(DBCDirect Bond Copper，直接焊接銅)夾著氧化鋁等的絕緣基片67構(gòu)成的DBC基片的表面Cu圖案63上，從芯片上經(jīng)過例如200～500μmφ的Al焊絲64，使IGBT芯片65的發(fā)射極一側(cè)和二極管芯片66的p層一側(cè)與外部電力端子61連接起來。表面Cu圖案63與外部電力端子62連接。將這樣的構(gòu)造放置在散熱片69上。此外，在圖9(a)中我們省略了柵極端子70的圖示。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在如圖9所示的已有的模塊構(gòu)造中，因?yàn)橥獠侩娏Χ俗?1和芯片65，66通過焊絲64連接起來，所以存在著由焊絲64引起的配線電阻和自電感增加那樣的問題。
因而，鑒于上述已有構(gòu)造中的問題，本發(fā)明的目的是提供降低由焊絲等的配線金屬引起的配線電阻和自電感，進(jìn)一步有良好的散熱性的例如IGBT模塊等的大功率半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明是，至少有3個(gè)以上的相互重疊的電力端子，以在上述電力端子中規(guī)定的2個(gè)電力端子之間至少夾著一塊半導(dǎo)體芯片的形式，實(shí)施電連接的半導(dǎo)體裝置。
又，該半導(dǎo)體裝置是在上述重疊的電力端子中一端的電力端子和在上述重疊的電力端子中另一端的電力端子沿同一個(gè)方向引出的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步，該半導(dǎo)體裝置是位于上述重疊的電力端子中中間位置的電力端子，但是位于上述一端或上述另一端的電力端子是沿著相反方向或成90°的方向上引出的半導(dǎo)體裝置。
又，該半導(dǎo)體裝置是夾在上述2個(gè)電力端子之間的上述至少一塊半導(dǎo)體芯片，一個(gè)面通過焊接或壓接與上述2個(gè)電力端子的一個(gè)電力端子連接，另一個(gè)面經(jīng)過緩沖片通過焊接或壓接與另一個(gè)電力端子連接的半導(dǎo)體裝置。
又，上述至少一塊的半導(dǎo)體芯片，使在上述重疊的電力端子中一端的電力端子和在另一端的電力端子中流過的電流沿相反的方向流動那樣地進(jìn)行動作。
又，該半導(dǎo)體裝置是夾在上述電力端子之間的至少一塊半導(dǎo)體芯片由多塊半導(dǎo)體芯片構(gòu)成，在上述多塊半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置絕緣層的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步，該半導(dǎo)體裝置是在上述多塊半導(dǎo)體芯片上包含至少一個(gè)晶體管和至少一個(gè)二極管，控制電極與上述晶體管連接的半導(dǎo)體裝置，是上述控制電極和上述晶體管的控制電極焊盤通過焊絲連接，或者通過夾住緩沖片直接連接的半導(dǎo)體裝置，上述控制電極是在位于上述電力端子的一端或上述電力端子的另一端的電力端子的相反方向或成90°的方向上引出的半導(dǎo)體裝置。
又，在上述電力端子中的一端的電力端子和在另一端的電力端子具有使在上述相互重疊的電力端子中任意2個(gè)電力端子之間可以壓接連接半導(dǎo)體芯片那樣的螺釘固定構(gòu)造。


圖1是表示本發(fā)明的第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的圖，(a)是半橋式構(gòu)成的IGBT模塊的電路圖，(b)是半橋式構(gòu)成的IGBT模塊的截面圖，(c)是半橋式構(gòu)成的IGBT模塊的平面圖。
圖2表示與第2個(gè)實(shí)施形態(tài)有關(guān)的6合1構(gòu)造的IGBT模塊，(a)是6合1構(gòu)造中的IGBT模塊的電路圖，(b)是在6合1構(gòu)造中的IGBT模塊的內(nèi)部平面圖。
圖3是作為第3個(gè)實(shí)施形態(tài)變更控制端子的配置時(shí)的內(nèi)部平面圖。
圖4是作為第4個(gè)實(shí)施形態(tài)變更芯片配置時(shí)的內(nèi)部平面圖。
圖5是表示第5個(gè)實(shí)施形態(tài)的圖，是變更第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的中繼電力端子的配置時(shí)的內(nèi)部平面圖。
圖6是表示第6個(gè)實(shí)施形態(tài)的圖，是分割第2個(gè)實(shí)施形態(tài)的外部電力端子時(shí)的內(nèi)部平面圖。
圖7是表示第7個(gè)實(shí)施形態(tài)的圖，(a)是在第1個(gè)實(shí)施形態(tài)中芯片的兩面與各個(gè)電力端子壓接連接時(shí)的圖，(b)是在第1個(gè)實(shí)施形態(tài)中芯片的一個(gè)面與電力端子壓接連接，另一個(gè)面與電力端子焊接連接時(shí)的圖，(c)是上述壓接連接時(shí)的內(nèi)部平面圖。
圖8是表示第8個(gè)實(shí)施形態(tài)的圖，(a)是使在第1個(gè)實(shí)施形態(tài)中IGBT一方的IGBT的極性反轉(zhuǎn)的電路圖，(b)是(a)的截面構(gòu)造圖。
圖9是已有的IGBT的構(gòu)造圖(a)和電路圖(b)。
具體實(shí)施例方式
圖9所示的已有IGBT模塊，用IGBT芯片和Cu圖案通過焊絲與外部電力端子連接。這時(shí)，在需要大電流的模塊中，通過增加焊絲的根數(shù)可以適應(yīng)大電流，但是因?yàn)槭褂昧司哂心撤N長度的焊絲，所以電阻和由其長度引起的自電感增大。
因此，為了對付與本發(fā)明有關(guān)的焊絲電阻和自電感增大的問題，本發(fā)明提出通過圖1(b)所示的IGBT芯片與外部電力端子直接連接減少由使用焊絲產(chǎn)生的電阻部分和自電感部分的構(gòu)造。
這時(shí)，配置在上部和下部的外部電力端子采用其中的電流沿相互相反的方向流動的構(gòu)造，由于互感的效果達(dá)到降低電感的目的，同時(shí)通過可以將外部電力端子作為散熱片使用的構(gòu)造，從而不需要使用其它部件的散熱片，可以降低熱阻和削減部件，實(shí)現(xiàn)低成本化。
即，本發(fā)明，例如在IGBT模塊中，通過將外部電力端子直接與IGBT芯片的上面電極和下面電極連接，可以達(dá)到電力配線部分的低電阻化和低電感化，進(jìn)一步達(dá)到低成本化的目的。
下面，我們根據(jù)所附附圖表示的具體例子詳細(xì)地說明本發(fā)明。下面的說明是關(guān)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)，我們的目的對本發(fā)明的一般原理進(jìn)行圖解，但是本發(fā)明不限定于在該實(shí)施形態(tài)中具體所述的構(gòu)成。本發(fā)明除了在本說明書中詳細(xì)述說的IGBT模塊外，也可以適用于例如可控硅整流器和功率晶體管以及功率IC等。在下面的詳細(xì)說明和圖面的記載中，相同的要素用相同的參照標(biāo)號來表示。
(第1個(gè)實(shí)施形態(tài))圖1表示本發(fā)明的第1個(gè)實(shí)施形態(tài)，顯示具有半橋式構(gòu)成的IGBT模塊1。該IGBT模塊1的電路圖如圖1(a)所示，IGBT模塊的概略截面圖如圖1(b)所示，而模塊內(nèi)部的概略平面圖如圖1(c)所示。
圖1(a)所示的IGBT半橋式電路，與2個(gè)IGBT元件2串聯(lián)地連接，一個(gè)IGBT元件的收集極7和另一個(gè)IGBT元件的發(fā)射極分別與第1和第2個(gè)外部電力端子3，4連接。而且二極管5分別并聯(lián)地與各個(gè)IGBT元件的發(fā)射極6和收集極7連接。又在2個(gè)IGBT元件之間連接著作為第3個(gè)外部電力端子的中繼電力端子8。2個(gè)IGBT元件2的柵極9分別與控制端子10，21連接。
IGBT模塊的構(gòu)造如圖1(b)和圖1(c)所示。在圖1(b)中，將第1個(gè)IGBT芯片11的收集極一側(cè)的電極和第1個(gè)二極管芯片12的n層一側(cè)的電極例如通過焊接等方法與下部的第1個(gè)外部電力端子3連接起來。也可以用導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行連接。此外，為了確保IGBT芯片11和二極管芯片12的相互絕緣性，在IGBT芯片11和二極管芯片12的周圍，配置例如由聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂等形成的絕緣體層22。外部電力端子3，4和中繼電力端子8一般用熱導(dǎo)性和電導(dǎo)性良好的銅或銅合金制成。而且需要時(shí)也可以用DBC基片。這些端子也有作為散熱部件將各個(gè)芯片上產(chǎn)生的熱發(fā)散出去的功能。
在上述IGBT芯片11的發(fā)射極表面13和二極管芯片12的p層表面71上形成容易電連接的金屬膜，為了緩沖應(yīng)力，例如用通過鉬薄片等的緩沖片15焊接中繼電力端子8等的方法進(jìn)行連接。中繼電力端子8也與第1個(gè)電力端子相同，可以用銅或銅合金或需要時(shí)用DBC基片。
控制端子10同樣地也通過緩沖片15與IGBT芯片11的柵極表面14連接。該控制端子也可以形成在預(yù)先構(gòu)成IGBT模塊1的外殼的模鑄樹脂支架17上。需要時(shí)，在中繼電力端子8和控制端子10之間設(shè)置絕緣層16。作為另一種構(gòu)造，也可以通過絲焊使控制端子10和柵極表面14連接起來(請參照圖3的控制端子38和焊絲39)。
在與外部電力端子3情形相同的方法中，用焊接等的方法進(jìn)一步使第2個(gè)IGBT芯片18和第2個(gè)二極管芯片19與中繼電力端子8連接。進(jìn)一步用焊接等的方法通過緩沖片15使第2個(gè)外部電力端子4與各個(gè)第2個(gè)芯片18，19的表面連接。外部電力端子4同樣也可以用銅或銅合金或DBC基片制成。在該實(shí)施形態(tài)中，外部電力端子3，4和中繼電力端子8有細(xì)長的薄片形狀，有與半導(dǎo)體芯片連接的區(qū)域54和向外部引出的區(qū)域55，而且為了能夠向外部進(jìn)行良好的熱發(fā)散有足夠的厚度。
在這樣的配置中至少外部電力端子3和外部電力端子4相互相對地并行配列，并使流過各個(gè)外部電力端子3，4的電流沿相反的方向20，21流動那樣地進(jìn)行配置。
又，同樣地用焊接或鍵合等的方法使控制端子21也與第2個(gè)IGBT芯片18的柵極表面20連接。在圖1(b)中，表示了通過焊接連接控制端子21的例子，但是也可以同樣地通過絲焊和第1個(gè)IGBT芯片11的控制端子10連接。需要時(shí)，在第2個(gè)外部電力端子4和控制端子21之間設(shè)置絕緣層16。通過預(yù)先將該控制端子21形成在樹脂支架17上能使組合作業(yè)變得容易。
又，在IGBT芯片11，18和二極管芯片12，19的周圍配置例如由聚酰亞胺樹脂和硅酮樹脂等形成的絕緣體層22，可以確保芯片間和電極相互間的絕緣性。
模塊內(nèi)部的平面圖如圖1(c)所示。第2個(gè)外部電力端子4是完全覆蓋IGBT芯片18的發(fā)射極23和第2個(gè)二極管芯片19的p層一側(cè)的電極24那樣構(gòu)成的。在外部電力端子4和中繼電力端子8上形成為了與使用該IGBT模塊的電力裝置的電力端子連接的貫通孔72。對于圖中未畫出的外部電力端子3也是一樣的。
因?yàn)橥ㄟ^采用這樣的構(gòu)成，在IGBT芯片11，18的電極和外部電力端子3，4，8之間的連接是短距離的而且是面的連接，所以大幅度地減少了由于內(nèi)部配線引起的電壓下降。而且，因?yàn)橥獠侩娏Χ俗?和4的配列是為了降低由于配線引起的電感成分，使電流沿相互相反的方向流動那樣的配列，所以可以達(dá)到降低互感的目的。
進(jìn)一步，因?yàn)槌送獠侩娏Χ俗?和4以外，使中繼電力端子8也有作為散熱片的功能，所以不需要連接新的散熱片，能夠達(dá)到減少在裝配模塊或使用模塊時(shí)的工序數(shù)和削減成本的目的。
又，因?yàn)椴恍枰糜诓贾门渚€的絕緣基片，所以也可以不使用比金屬熱傳導(dǎo)率差的絕緣基片，從而能夠?qū)崿F(xiàn)低熱阻化。
(第2個(gè)實(shí)施形態(tài))圖2表示作為本發(fā)明的第2個(gè)實(shí)施形態(tài)的6合1的構(gòu)造的IGBT模塊25。該IGBT模塊的電路圖如圖2(a)所示，而模塊內(nèi)部平面圖如圖2(b)所示。
第2個(gè)實(shí)施形態(tài)將第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的IGBT模塊的電路3個(gè)并列地連接起來形成1個(gè)模塊。在下面一側(cè)的3個(gè)IGBT 28的上方，配置上面一側(cè)的3個(gè)IGBT26，各個(gè)上下的IGBT26，27分別串聯(lián)連接形成3相構(gòu)造。又，在下面一側(cè)的3個(gè)二極管29的上方，配置上面一側(cè)的3個(gè)二極管27，各個(gè)二極管分別與對應(yīng)的IGBT并聯(lián)連接。
各相分別在第1個(gè)外部電力端子30和第2個(gè)外部電力端子31上使3相一體化地進(jìn)行耦合。在各相的上側(cè)和下側(cè)元件的連接點(diǎn)上形成中繼電力端子32，形成與各個(gè)IGBT26，27的柵極連接的控制端子33，34。關(guān)于內(nèi)部構(gòu)造與圖1(b)和圖1(c)所示的第1個(gè)實(shí)施形態(tài)相同，但是為了確保各相間的絕緣設(shè)置了絕緣層35。樹脂支架36形成模塊25的外殼。
由于第2個(gè)實(shí)施形態(tài)有上述構(gòu)成，所以除了第1個(gè)實(shí)施形態(tài)中所述的效果外，在使用3相模塊時(shí)還能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)造的簡要化和裝置的小型化。
(第3個(gè)實(shí)施形態(tài))圖3表示改變了第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的控制端子21，10和第2個(gè)外部電力端子4的構(gòu)造的第3個(gè)實(shí)施形態(tài)的內(nèi)部平面圖。與第1個(gè)實(shí)施形態(tài)不同的地方是采用通過焊絲39(或焊接)連接IGBT芯片37和控制端子38，從模塊40的中心部分取出控制端子38的構(gòu)造。又，它是需要時(shí)通過使信號系的發(fā)射端子41接近控制端子38，直接從外部電力端子4輸出的構(gòu)成。通過這樣的構(gòu)成，將IGBT模塊用于電力控制裝置等時(shí)，使與控制裝置的控制系統(tǒng)電路耦合，特別是配線的回轉(zhuǎn)變得容易了。
(第4個(gè)實(shí)施形態(tài))圖4表示改變了第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的芯片配置的第4個(gè)實(shí)施形態(tài)的內(nèi)部平面圖。與第1個(gè)實(shí)施形態(tài)不同的地方是變更了IGBT芯片37和二極管芯片43的位置。又，關(guān)于控制端子38的配置，第1個(gè)實(shí)施形態(tài)和第3個(gè)實(shí)施形態(tài)的構(gòu)造是可以適用的。
因?yàn)橥ㄟ^這樣的構(gòu)成，IGBT芯片37與第2個(gè)外部電力端子4的外部連接位置的距離變得更短了，所以成為能夠?qū)崿F(xiàn)更低電阻化和更低電感化的構(gòu)造。需要時(shí)，可以使信號系的發(fā)射端子41接近控制端子38那樣地進(jìn)行配置。
(第5個(gè)實(shí)施形態(tài))第5個(gè)實(shí)施形態(tài)，如圖5所示，改變了第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的中繼電力端子8的配置。圖5表示了第5個(gè)實(shí)施形態(tài)的內(nèi)部平面圖。與第1個(gè)實(shí)施形態(tài)不同的地方是中繼電力端子8的引出方向相對于第2個(gè)外部電力端子的引出方向成90°的角度。
通過采用這樣的構(gòu)成，中繼電力端子8和外部電力端子45之間的距離變短，能夠達(dá)到降低外部電力端子45和中繼電力端子8之間的電阻的目的。
(第6個(gè)實(shí)施形態(tài))第6個(gè)實(shí)施形態(tài)的構(gòu)造如圖6所示。第6個(gè)實(shí)施形態(tài)是將在圖2所示的第2個(gè)實(shí)施形態(tài)中的第2個(gè)外部電力端子31和圖中沒有畫出的第1個(gè)外部電力端子分別分割成3相，圖6表示它的內(nèi)部平面圖。與第2個(gè)實(shí)施形態(tài)不同的地方是，如上所述，將圖2的第2個(gè)外部電力端子31(對第1個(gè)外部電力端子也一樣)三分割化成在每個(gè)相上的外部電力端子44～46。
通過采用這樣的構(gòu)成，在簡單3個(gè)并列地配置使用第1個(gè)實(shí)施形態(tài)的IGBT模塊1的應(yīng)用中，可以達(dá)到模塊部分的小型化和減少裝配工序數(shù)的目的，從而能夠達(dá)到模塊部分的低成本化。
(第7個(gè)實(shí)施形態(tài))圖7表示代替在實(shí)施例1中的各個(gè)半導(dǎo)體芯片與各個(gè)電力端子的焊接連接，采用壓接連接的實(shí)施形態(tài)。圖7(a)是IGBT芯片和二極管芯片的上下兩面也壓接連接47的情形，圖7(b)是只有各個(gè)芯片的單面(下面)壓接連接47，而另一個(gè)面焊接連接42的情形。圖7(c)表示采用壓接連接時(shí)的內(nèi)部平面圖。
以從外部電力端子4通過緩沖片15例如通過蒸鍍等形成Al電極作為壓接面的IGBT或二極管等的半導(dǎo)體芯片18，19，中繼電力端子8，例如由鉬片形成的緩沖片15，半導(dǎo)體芯片11，12，外部電力端子3的順序進(jìn)行層積，有分別壓接連接47半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)面的電極面的構(gòu)造(a)，或壓接連接47各個(gè)半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的電極面與另一側(cè)的電極面焊接連接42的構(gòu)造(b)。采用壓接方式時(shí)，如圖7(c)所示在用于壓接的外部電力端子上設(shè)置螺釘固定孔48，按壓上下外部電力端子3，4進(jìn)行固定。通過采取這樣的構(gòu)成，能夠達(dá)到降低接觸電阻的目的。
(第8個(gè)實(shí)施形態(tài))圖8表示使在第1個(gè)實(shí)施形態(tài)中的2個(gè)IGBT元件中的一側(cè)的IGBT52(圖8中的上側(cè))的極性反轉(zhuǎn)的構(gòu)成。伴隨著該反轉(zhuǎn)也使對應(yīng)一側(cè)的二極管73反轉(zhuǎn)。而且使一方的IGBT52的發(fā)射極與第4個(gè)電力端子連接，另一方的IGBT53的發(fā)射極與第5個(gè)電力端子連接，雙方的收集極7相互連接并與共通的電力端子51連接。
圖8(a)表示該電路圖，圖8(b)表示截面構(gòu)造圖。
在這種構(gòu)成中，通過第4個(gè)電力端子49和第5個(gè)電力端子50連接，具有兩個(gè)IGBT元件52，53的并列連接很容易，通過這樣的連接可以取得很多電力的優(yōu)點(diǎn)。
通過使用本發(fā)明，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片和電力端子的連接是短距離并且是面連接，所以除了大幅度地減少由于內(nèi)部配線引起的電壓下降外，使外部電力端子的電感成分降低那樣地電流沿相互相反的方向流動配列，所以能夠達(dá)到降低互感的目的。
進(jìn)一步，因?yàn)樯舷聝啥说碾娏Χ俗?，而且中繼電力端子也有作為散熱片的功能，所以不需要追加連接新的其它散熱片，能夠減少工序負(fù)擔(dān)，削減成本。又，因?yàn)橐膊恍枰糜谂渚€布置的絕緣基片，所以也可以不使用比金屬熱傳導(dǎo)率差的絕緣基片，成為能夠?qū)崿F(xiàn)低熱阻化的構(gòu)造。
以上，我們用圖說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是在這里所述的本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)只是一個(gè)例子，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍時(shí)，可以作出種種的變化是不言而喻的。又，本發(fā)明除了IGBT模塊以外，還可以適用于可控硅整流器，GTO模塊，大功率IC等的大功率半導(dǎo)體元件。
此外，本發(fā)明不限定在上述實(shí)施形態(tài)，在實(shí)施階段在不脫離本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)可以作出種種的變化。進(jìn)一步，在上述實(shí)施形態(tài)中包含各種階段的發(fā)明，通過用揭示的多個(gè)構(gòu)成要件進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合，能夠提取種種發(fā)明。當(dāng)即便例如從實(shí)施形態(tài)所示的全部構(gòu)成要件中刪除幾個(gè)構(gòu)成要件，也能夠解決本發(fā)明要解決的課題欄中所述課題中的至少一個(gè)，能夠得到在本發(fā)明的效果欄中所述效果中的一個(gè)時(shí)，就能夠?qū)h除該構(gòu)成要件的效果作為一個(gè)發(fā)明提取出來。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體裝置，其特征是至少有3個(gè)以上的相互重疊的電力端子，以在上述電力端子中規(guī)定的2個(gè)電力端子之間至少夾著一塊半導(dǎo)體芯片的形式實(shí)施電連接。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是在上述重疊的電力端子中一端的電力端子和在上述重疊的電力端子中另一端的電力端子是在同一個(gè)方向上引出的。
3.權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是位于上述重疊的電力端子中中間位置的電力端子是在與位于上述一端或上述另一端的電力端子相反的方向或成90°的方向上引出的。
4.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是夾在上述2個(gè)電力端子之間的上述至少一塊半導(dǎo)體芯片，一方面通過焊接或壓接與上述2個(gè)電力端子中的一個(gè)電力端子連接，另一方面經(jīng)過緩沖片通過焊接或壓接與另一個(gè)電力端子連接。
5.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述至少一塊半導(dǎo)體芯片，使在上述重疊的電力端子中一端的電力端子和在另一端的電力端子中流過的電流沿相反的方向流動那樣地進(jìn)行動作。
6.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是夾在上述電力端子之間的至少一塊半導(dǎo)體芯片是由多塊半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的，在上述多塊半導(dǎo)體芯片之間設(shè)置絕緣層。
7.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是在上述多塊半導(dǎo)體芯片上包含至少一個(gè)晶體管和至少一個(gè)二極管，控制電極與上述晶體管連接。
8.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述控制電極和上述晶體管的控制電極焊盤通過焊絲連接，或者通過夾住緩沖片直接連接。
9.權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是上述控制電極是在與位于上述電力端子的一端或上述電力端子的另一端的電力端子相反的方向或成90°的方向上引出的。
10.權(quán)利要求4中所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是在上述電力端子中一端的電力端子和在另一端的電力端子具有使在上述相互重疊的電力端子中任意2個(gè)電力端子之間可以壓接連接半導(dǎo)體芯片那樣的螺釘固定構(gòu)造。
全文摘要
在IGBT模塊等的大功率半導(dǎo)體裝置中,降低由焊絲等的配線金屬引起的配線電阻和自電感。至少有3個(gè)以上相互重疊的電力端子(3,4,8),以在電力端子中規(guī)定的2個(gè)電力端子之間夾著至少一塊半導(dǎo)體芯片(2,5)的形式電連接的半導(dǎo)體裝置。而且,位于上述重疊的電力端子中的一端的電力端子(3)和位于重疊的電力端子中的另一端的電力端子(4)是在同一個(gè)方向上引出的。
文檔編號H01L25/07GK1333566SQ0112238
公開日2002年1月30日 申請日期2001年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月11日
發(fā)明者平原文雄, 緒方健一 申請人:株式會社東芝