專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置的制造方法，特別涉及在通過預切片法減薄和單片化的半導體芯片上貼附膜狀的模片鍵合劑的半導體芯片的制造工藝中適用的半導體裝置的制造方法。
背景技術：
為了使在金屬框或有機襯底上加壓安裝半導體芯片(片狀元件)的工序簡化，采用在半導體芯片的內(nèi)表面上貼附膜狀的模片鍵合劑，即貼附粘合劑的半導體芯片。
現(xiàn)在，這種貼附粘合劑的半導體芯片用如圖6(a)～(e)所示的工藝制造，即，首先，如圖6(a)所示，在元件形成結束后的半導體晶片11的整個內(nèi)表面上用層疊等粘接膜狀的粘合劑(粘合劑膜)12。
然后，如圖6(b)所示，去除粘合劑膜12的不與晶片11粘接的部分，之后把粘合劑膜的面貼附在安裝了晶片環(huán)13的切片帶14上。
之后，如圖6(c)所示，用切片機15沿切片線16切割晶片11和粘合劑膜12。
然后，如圖6(d)所示，用撿取針等從切片結束后的一片一片的晶片11中撿出各半導體芯片，做成圖6(e)所示的貼附粘合劑的半導體芯片17。
然后，把貼附粘合劑的半導體芯片17的有粘合劑膜12的那一側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
近年來，為了安裝在卡狀的薄的封裝中或為了通過把多個半導體芯片疊層安裝而減小安裝面積，希望使半導體芯片的厚度變薄。但是，如果對元件形成結束后的晶片的內(nèi)表面進行研磨減薄，把減薄后的晶片切片分割成一個一個的半導體芯片，在工序之間的搬運時或切片時，會發(fā)生晶片開裂，內(nèi)表面破碎。
可以盡量減少這樣的因減薄半導體芯片造成的晶片開裂和內(nèi)表面破碎的方式有預切片法(即DBG，在研磨前切片)。預切片法是在晶片的元件形成面一側切割預定深度(溝)后，通過研磨晶片內(nèi)表面進行同時分片和減薄的分割。
但是，在上述預切片法中，由于對晶片切片形成溝后再研磨內(nèi)表面，在用預切片法分片粘合劑膜減薄的的半導體芯片制作上述的貼附粘合劑的半導體芯片時，用層疊等把粘合劑膜粘在分割后的半導體芯片上，之后必須只對粘合劑膜切片，使制造工藝復雜化。
作為省去上述的對粘合劑膜切片工序、可防止制造工藝復雜化的方法，提出了圖7(a)、(b)所示的制造方法。如圖7(a)所示，在金屬框或有機襯底21上的要安裝半導體芯片的位置上，預先貼附與半導體芯片尺寸相同的粘合劑膜22。
然后，如圖7(b)所示，在上述粘合劑膜22上壓上半導體芯片23，進行模片鍵合安裝。
但是，在上述制造方法中，由于分別對粘合劑膜22和半導體芯片23加壓，容易產(chǎn)生粘合劑膜22和半導體芯片23的位置錯移。因此存在安裝位置精度低的問題。因此，在要求粘合劑膜22以高的位置精度加壓貼附在金屬框或有機襯底21上時，必須引入新的膜貼附機之類。
上述的用于形成貼附粘合劑的半導體芯片的現(xiàn)有的半導體裝置的制造方法存在著，若使用預切片法則使制造工藝復雜的問題。另外，若為了防止制造工藝復雜化，則又會出現(xiàn)粘合劑膜和半導體芯片易產(chǎn)生位置偏離、安裝位置精度低、必需高精度的膜貼附機的問題。
本發(fā)明正是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供避免因粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離導致的安裝位置精度低，可實現(xiàn)制造工藝簡化的半導體裝置的制造方法。
根據(jù)第2方面的半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到含有經(jīng)UV照射發(fā)生解聚反應的成分并用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；從晶片的上面照射UV，使從上述各半導體芯片的間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生解聚反應的工序；以及除去上述粘合劑膜中的上述各半導體芯片間隙處的發(fā)生了解聚反應的區(qū)域的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)，使用有機溶劑、酸性溶液和堿性溶液中的任一種，進行上述除去發(fā)生上述解聚反應的區(qū)域的粘合劑膜的工序。
根據(jù)第3方面的半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到含有經(jīng)照射UV發(fā)生交聯(lián)或聚合反應的成分并用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；從晶片的上面照射激光，使上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生交聯(lián)或聚合反應的工序；以及從上述切片帶上剝離、撿取各半導體芯片的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)，在撿取上述各半導體芯片時，上述粘合劑膜的與上述半導體芯片相粘接的部分在與上述各半導體芯片相粘接的狀態(tài)下被撿取，上述粘合劑膜的發(fā)生了上述交聯(lián)或聚合反應的區(qū)域殘留在切片帶上。
根據(jù)第4方面的半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；以及選擇性照射激光并除去上述粘合劑膜中的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)。
根據(jù)第5方面的半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；以及用鋒利的刀具切斷上述粘合劑膜的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)。
根據(jù)上述發(fā)明的第一方面，由于用化學蝕刻除去粘合劑膜中的在各半導體芯片間隙處露出的粘合劑膜，無須用切片除去粘合劑膜，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜與半導體芯片相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
根據(jù)上述第二方面，由于使粘合劑膜中的在各半導體芯片間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生解聚反應，并除去發(fā)生該解聚反應的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜與半導體芯片相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
根據(jù)上述第三方面，由于使粘合劑膜中的在各半導體芯片間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生交聯(lián)或聚合反應，并除去發(fā)生該交聯(lián)或聚合反應的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜與半導體芯片相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
根據(jù)上述第四方面，由于用激光選擇性地照射并除去粘合劑膜中的在各半導體芯片間隙處露出的粘合劑膜，無須用切片除去粘合劑膜，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜與半導體芯片相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
而且，根據(jù)上述第五方面，由于用鋒利的刀具切斷粘合劑膜中的位于各半導體芯片間隙處的粘合劑膜，無須用切片除去粘合劑膜，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜與半導體芯片相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜和半導體芯片的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
圖3用來說明根據(jù)本發(fā)明實施方案3的半導體裝置的制造方法；圖4用來說明根據(jù)本發(fā)明實施方案4的半導體裝置的制造方法；圖5用來說明根據(jù)本發(fā)明實施方案5的半導體裝置的制造方法；圖6用來說明制作貼附粘合劑的半導體芯片的現(xiàn)有的半導體裝置的制造方法；圖7用來說明制作貼附粘合劑的半導體芯片的另一現(xiàn)有的半導體裝置的制造方法，是可適用于用預切片法制作的半導體芯片的制造方法。
首先，如

圖1(a)所示，在主要由聚酰亞胺構成的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂混合而成的膜狀粘合劑(粘合劑膜)2上，在高溫下用疊層法粘接用預切片法分割的晶片(一片一片的半導體芯片)1。然后將未粘著晶片1的部分去除。之后如圖1(b)所示，把粘合劑膜面在常溫下層疊貼附到安裝在晶片環(huán)4上的由例如氯乙烯構成的切片帶3上。由此，如圖1(c)所示，借助于粘合劑膜2把分片后的晶片(半導體芯片)1以等間隙貼附在切片帶3上。
然后，如圖1(d)所示，用二甲基乙醛(有機溶劑)化學蝕刻從各半導體芯片1的間隙處露出的粘合劑膜2，并除去間隙部分的粘合劑膜2。
然后，從切片帶3的內(nèi)面?zhèn)扔脫烊♂樀韧祈?，撿起各半導體芯片1，制作圖1(e)所示的貼附粘合劑的半導體芯片10。
然后，把上述貼附粘合劑的半導體芯片10的粘合劑膜2側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
根據(jù)這樣的制造方法，由于用化學蝕刻除去粘合劑膜2中的在各半導體芯片1間隙處露出的部分，無須用切片除去粘合劑膜2，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜2與半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜2和半導體芯片1的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
另外，在上述實施方案1中以粘合劑膜2是由聚酰亞胺構成的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂混合的粘合劑的情況為例進行了說明，但是也可以采用熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物、或向它們中加入玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片等得到的物質(zhì)。另外，說明了在化學蝕刻時，采用有機溶劑的一種即二甲基乙醛的情況，但根據(jù)粘合劑膜的材料，也可采用其它有機溶劑、酸性溶液和堿性溶液等。(實施方案2)用圖1(a)～(c)和圖2(a)～(d)說明根據(jù)本發(fā)明實施方案2的半導體裝置的制造方法。
直到得到借助于粘合劑膜2把半導體芯片1等間隔地貼附在切片帶3上的結構為止，基本上與圖1(a)～(c)所示的實施方案1相同。即，如圖1(a)所示，在高溫下用疊層法等把用預切片法分割的晶片(一片一片的半導體芯片)1粘在膜狀的粘合劑(粘合劑膜)2上。該粘合劑雖然是以聚酰亞胺為主的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物，在該實施方案2中，上述熱塑性樹脂采用具有聚甲基丙烯酸甲酯結構、并含有用UV照射發(fā)生解聚反應的成分的物質(zhì)。
然后將未粘著晶片1的部分去除。之后如圖1(b)所示，把粘合劑膜面在常溫下層疊貼附到安裝在晶片環(huán)4上的由例如氯乙烯構成的切片帶3上。由此，如圖2a(圖1(c))所示，借助于粘合劑膜2把分片后的晶片(半導體芯片)1以等間隙貼附在切片帶3上。
然后，如圖2(b)所示，從晶片1的上面照射UV，各半導體芯片1間隙部分的粘合劑膜2的熱塑性樹脂成分發(fā)生解聚反應。之后，用乙醇除去各半導體芯片1間隙的發(fā)生解聚反應的區(qū)域(粘合劑膜)5(圖2(c))。
然后，從切片帶3的內(nèi)面?zhèn)扔脫烊♂樀韧祈?，撿起各半導體芯片1，制作圖1(d)所示的貼附粘合劑的半導體芯片10。
然后，把上述貼附粘合劑的半導體芯片10的粘合劑膜2側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
根據(jù)這樣的制造方法，由于使粘合劑膜2中的在各半導體芯片間隙處露出的區(qū)域發(fā)生解聚反應，并除去發(fā)生該解聚反應的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜2，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜2與半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜2和半導體芯片1的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
另外，只要粘合劑膜2是含有經(jīng)UV照射發(fā)生解聚反應的成分的材料，也可以采用熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物、或向它們中加入玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片等得到的物質(zhì)。另外，說明了采用乙醇除去各半導體芯片1間的間隙部分的粘合劑膜2的情況，但根據(jù)粘合劑膜的材料，也可采用其它有機溶劑、酸性溶液和堿性溶液等。(實施方案3)用圖1(a)～(c)和圖3(a)～(c)說明根據(jù)本發(fā)明實施方案3的半導體裝置的制造方法。
直到得到借助于粘合劑膜2把半導體芯片1等間隔地貼附在切片帶3上的結構為止，基本上與圖1(a)～(c)所示的實施方案1相同。即，如圖1(a)所示，在高溫下用疊層法等把用預切片法分割的晶片(一片一片的半導體芯片)1粘在膜狀的粘合劑(粘合劑膜)2上，該粘合劑是以聚酰亞胺為主的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物，在該實施方案3中作為上述粘合劑膜2中含的熱塑性樹脂，采用在側鏈上含有活性乙基，在UV照射下發(fā)生交聯(lián)反應的物質(zhì)。
然后將未粘著晶片1的部分去除。之后如圖1(b)所示，把粘合劑膜面在常溫下層疊貼附到安裝在晶片環(huán)4上的由例如氯乙烯構成的切片帶3上。由此，如圖3a(圖1(c))所示，借助于粘合劑膜2把分片后的晶片(半導體芯片)1以等間隙貼附在切片帶3上。
然后，如圖3(b)所示，從晶片上面照射UV，各半導體芯片1間隙部分的粘合劑膜2發(fā)生交聯(lián)反應。然后，若從切片帶3的內(nèi)表面?zhèn)让鎿烊∪♂數(shù)榷秧敁烊「靼雽w芯片1，粘合劑膜2的與半導體芯片1相粘接的部分在與各半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下被撿取，粘合劑膜2的發(fā)生交聯(lián)反應的區(qū)域6殘留在切片帶3上。
然后，把圖3(c)所示的貼附粘合劑的半導體芯片10的粘合劑膜2側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
根據(jù)上述制造方法，由于使粘合劑膜2中的在各半導體芯片1間隙處露出的區(qū)域發(fā)生交聯(lián)或聚合反應，并除去發(fā)生交聯(lián)或聚合反應的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜2，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜2與半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜2和半導體芯片1的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。(實施方案4)用圖1(a)～(c)和圖4(a)～(c)說明根據(jù)本發(fā)明實施方案4的半導體裝置的制造方法。
首先，如圖1(a)所示，在高溫下用疊層法等把用預切片法分割的晶片(一片一片的半導體芯片)1粘在膜狀的粘合劑(粘合劑膜)2上，該粘合劑是以聚酰亞胺為主的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物。然后將未粘著晶片1的部分去除。之后如圖1(b)所示，把粘合劑膜面在常溫下層疊貼附到安裝在晶片環(huán)4上的由例如氯乙烯構成的切片帶3上。由此，如圖4a(圖1(c))所示，借助于粘合劑膜2把分片后的晶片(半導體芯片)1以等間隙貼附在切片帶3上。
然后，如圖4(b)所示，通過向上述各半導體芯片1間的間隙部分選擇性地照射YAG或CO2激光，去除粘合劑膜2。
然后，從切片帶3的內(nèi)面?zhèn)扔脫烊♂樀韧祈?，撿起各半導體芯片1，制作圖4(c)所示的貼附粘合劑的半導體芯片10。
然后，把上述貼附粘合劑的半導體芯片10的粘合劑膜2側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
根據(jù)上述的制造方法，由于用激光選擇性地照射并除去粘合劑膜2的在各半導體芯片1間隙處露出的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜2，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜2與半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜2和半導體芯片1的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。(實施方案5)用圖1(a)～(c)和圖5(a)～(c)說明根據(jù)本發(fā)明實施方案5的半導體裝置的制造方法。
首先，如圖1(a)所示，在高溫下用疊層法等把用預切片法分割的晶片(一片一片的半導體芯片)1粘在膜狀的粘合劑(粘合劑膜)2上，該粘合劑是以聚酰亞胺為主的熱硬化樹脂和熱塑性樹脂的混合物。然后將未粘著晶片1的部分去除。之后如圖1(b)所示，把粘合劑膜面在常溫下層疊貼附到安裝在晶片環(huán)4上的由例如氯乙烯構成的切片帶3上。由此，如圖5a(圖1(c))所示，借助于粘合劑膜2把分片后的晶片(半導體芯片)1以等間隙貼附在切片帶3上。
然后，如圖5(b)所示，用鐵制的刀具7等鋒利的刀具把各半導體芯片1間的間隙部分的粘合劑膜2切斷。
然后，從切片帶3的內(nèi)面?zhèn)扔脫烊♂樀韧祈敚瑩炱鸶靼雽w芯片1，制作圖5(c)所示的貼附粘合劑的半導體芯片10。
然后，把上述貼附粘合劑的半導體芯片10的粘合劑膜2側加壓安裝在金屬框或有機襯底上。
而且，根據(jù)上述制造方法，由于用刀具7切斷粘合劑膜2的位于各半導體芯片1間隙處的區(qū)域，無須用切片除去粘合劑膜2，可抑制制造工藝的復雜化。而且，由于在粘合劑膜2與半導體芯片1相粘接的狀態(tài)下進行安裝工序，不會發(fā)生粘合劑膜2和半導體芯片1的位置偏離，可防止安裝位置精度的降低。
如上所述，以前在形成貼附粘合劑的半導體芯片時，很難應用預切片法，但是若采用上述實施方案1～5的半導體裝置的制造方法可以容易地使用預切片法制作貼附粘合劑的半導體芯片。預切片法與通常的切片法相比可以制作更薄的半導體芯片。因此，若使用本發(fā)明，可制作更薄的貼附粘合劑的半導體芯片。
雖然在上面用實施方案1～5說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于上述各實施方案，在實施階段在不脫離本發(fā)明精神的前提下可進行種種變更。另外，把上述實施方案中的各階段公開的構成要件適當組合可以得到種種發(fā)明。例如，若即使從各實施方案示出的全部構成要件中去掉某一要件，仍能解決說明書發(fā)明背景部分所述的要解決的至少一個問題，能得到發(fā)明效果部分所述的至少一個效果，就可以把去除該要件后的構成作為一個發(fā)明提取出來。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以得到不會產(chǎn)生因粘合劑膜和半導體芯片位置偏離導致的安裝位置精度下降、可以使制造工藝簡化的半導體裝置的制造方法。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；以及用化學蝕刻除去上述粘合劑膜中的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)，使用有機溶劑、酸性溶液和堿性溶液中的任一種進行上述化學蝕刻。
2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到含有經(jīng)UV照射發(fā)生解聚反應的成分并用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；從晶片的上面照射UV，使從上述各半導體芯片的間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生解聚反應的工序；以及除去上述粘合劑膜中的上述各半導體芯片間隙處的發(fā)生了解聚反應的區(qū)域的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)，使用有機溶劑、酸性溶液和堿性溶液中的任一種，進行上述除去發(fā)生上述解聚反應的區(qū)域的粘合劑膜的工序。
3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到含有經(jīng)照射UV發(fā)生交聯(lián)或聚合反應的成分并用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；從晶片的上面照射激光，使上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜發(fā)生交聯(lián)或聚合反應的工序；以及從上述切片帶上剝離、撿取各半導體芯片的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)，在撿取上述各半導體芯片時，上述粘合劑膜的與上述半導體芯片相粘接的部分在與上述各半導體芯片相粘接的狀態(tài)下被撿取，上述粘合劑膜的發(fā)生了上述交聯(lián)或聚合反應的區(qū)域殘留在切片帶上。
4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；以及選擇性照射激光并除去上述粘合劑膜中的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)。
5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括下列工序用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片切片并研磨其內(nèi)表面，形成一片一片的半導體芯片的工序；把分成片的各半導體芯片粘接到用作鍵合劑的粘合劑膜上，并把粘合劑膜表面貼附到切片帶上的工序；以及用鋒利的刀具切斷上述粘合劑膜的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的粘合劑膜的工序，上述粘合劑膜是熱塑性樹脂、未硬化的熱硬化樹脂、未硬化的熱硬化樹脂和熱塑性的混合物、或向它們之中加入了玻璃粉、聚合物、銀填料的隔片的物質(zhì)。
全文摘要
提供半導體裝置的制造方法,其不會導致粘合劑膜與半導體芯片的安裝位置精度下降,且可實現(xiàn)工藝簡化。為此,用預切片法對元件形成結束后的半導體晶片(1)切片并研磨其內(nèi)表面,把切片后的半導體芯片粘在粘合劑膜(2)上,把粘合劑膜的表面貼附在切片帶(3)上。之后用化學蝕刻除去上述粘合劑膜的從上述各半導體芯片間的間隙處露出的區(qū)域。
文檔編號H01L21/20GK1348208SQ0113392
公開日2002年5月8日 申請日期2001年8月20日 優(yōu)先權日2000年10月10日
發(fā)明者田中一安 申請人:株式會社東芝