專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及把正在制造中的晶片收納于具有環(huán)境控制單元的晶片搬運(yùn)容器內(nèi)之后，在半導(dǎo)體裝置的一連串制造工序中使用的各種制造裝置之間進(jìn)行移動(dòng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
目前，具有微細(xì)圖形的半導(dǎo)體裝置的制造，都在已除去了灰塵等的超凈間內(nèi)進(jìn)行。但是，超凈間內(nèi)的環(huán)境，由于從半導(dǎo)體制造工藝來看雜質(zhì)極其之多，故對于送入到超凈間內(nèi)的外氣要用化學(xué)過濾器等除去雜質(zhì)。此外，在超凈間內(nèi)產(chǎn)生的雜質(zhì)，則用在室內(nèi)空調(diào)機(jī)或空氣循環(huán)系統(tǒng)的一部分上設(shè)置化學(xué)過濾器的辦法加以除去。
超凈間內(nèi)正在制造途中的半成品晶片，為了防止超凈間內(nèi)的灰塵和雜質(zhì)的附著，要收納于晶片搬運(yùn)器內(nèi)之后再在超凈間內(nèi)搬運(yùn)/保管。但是，取決于半導(dǎo)體制造工序的種類，有時(shí)候工藝的殘存物會(huì)變成為雜質(zhì)對晶片搬運(yùn)器內(nèi)的晶片造成逆污染。
作為解決這些問題的手段，在特開平7-94577號公報(bào)中，公開了借助于含有活性碳吸收層的蒸汽除去器件除去晶片搬運(yùn)器內(nèi)的化學(xué)蒸汽(雜質(zhì))的發(fā)明。此外，株式會(huì)社荏原制作所的‘晶片搬運(yùn)超凈箱(商品名)’是一種實(shí)際上使用來除去雜質(zhì)的化學(xué)過濾器和具有用來使容器內(nèi)的空氣進(jìn)行循環(huán)的風(fēng)扇電動(dòng)機(jī)的晶片搬運(yùn)器產(chǎn)品化的商品。
然而，在一連串的半導(dǎo)體制造工序中，存在著非常多的使工藝殘存物附著到晶片上的制造工序。因此，在把該工序結(jié)束后的晶片收納于晶片搬運(yùn)容器內(nèi)的情況下，就存在著在短時(shí)間內(nèi)使具有晶片搬運(yùn)容器的化學(xué)過濾器被破壞的危險(xiǎn)。
此外，現(xiàn)有的晶片搬運(yùn)容器，在整個(gè)半導(dǎo)體制造的全部工序中只能把晶片搬運(yùn)容器內(nèi)的環(huán)境控制為一種搬運(yùn)條件。因此，要使晶片搬運(yùn)容器內(nèi)的環(huán)境分別應(yīng)對以低濕度搬運(yùn)/保管晶片時(shí)提高品質(zhì)的制造工序、在已除去了雜質(zhì)的空間內(nèi)搬運(yùn)/保管時(shí)提高品質(zhì)或成品率的制造工序、或希望除去了水分和雜質(zhì)的空間的制造工序是困難的。
此外，一般的說，用來除去離子性雜質(zhì)的化學(xué)過濾器，具有當(dāng)環(huán)境濕度變成為20％以下時(shí)，則性能會(huì)急劇劣化的特性。因此，在低濕度的環(huán)境中不能除去離子性雜質(zhì)。
如上所述，由源于各種半導(dǎo)體制造工序的要求和化學(xué)過濾器的特性可知，要使對于半導(dǎo)體制造工序的晶片的搬運(yùn)/保管最佳化，就必須要準(zhǔn)備功能不同的多種晶片搬運(yùn)容器，且對每一個(gè)工序都要更換。然而，歸因于此，就會(huì)產(chǎn)生晶片搬運(yùn)容器的購買價(jià)格增加，增大必須使空的晶片搬運(yùn)容器相應(yīng)于特性而分配給以后的工序進(jìn)行搬運(yùn)等的搬運(yùn)負(fù)擔(dān)等的缺點(diǎn)。此外，還會(huì)產(chǎn)生需要多種晶片搬運(yùn)容器的新的保管場所，需要用來交換晶片搬運(yùn)容器的時(shí)間，制造工期加長等的缺點(diǎn)。
此外，在晶片搬運(yùn)容器中，還需要用來使送風(fēng)風(fēng)扇或除水過濾器動(dòng)作的充電電池。但是，充電電池由于只具有半導(dǎo)體制造工期的1/100那種程度的容量，故將產(chǎn)生需要對充電的勞力和時(shí)間、工期的減慢以及充電場所進(jìn)行新的確認(rèn)等的缺點(diǎn)。
再者，超凈間內(nèi)的相對濕度，考慮到人的作業(yè)性、化學(xué)過濾器的性能維持，要保持在30～60％。該超凈間內(nèi)的濕度，將促進(jìn)晶片上邊的自然氧化膜的形成，促進(jìn)在晶片上邊形成的金屬布線的腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種把晶片收納于晶片搬運(yùn)容器內(nèi)在半導(dǎo)體裝置的一連串制造工序中使用的各種制造裝置之間進(jìn)行晶片移動(dòng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在各個(gè)制造工序中，把晶片搬運(yùn)容器載置到使晶片搬運(yùn)容器的蓋子自動(dòng)開閉的裝載口的上邊，通過裝載口把收納在晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部的晶片搬運(yùn)到制造裝置內(nèi)，使控制晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部的環(huán)境的環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件變更為與制造裝置的處理內(nèi)容或檢查內(nèi)容相對應(yīng)的條件，使結(jié)束了規(guī)定的處理或檢查的晶片，通過裝載口再次收納于晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部，一直到把晶片搬運(yùn)到在其次的工序中使用的制造裝置內(nèi)為止的期間，根據(jù)變更后的運(yùn)行條件，控制晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部的環(huán)境。


圖1的斜視圖示出了晶片搬運(yùn)容器的構(gòu)成的一個(gè)例子。
圖2A和圖2B示出了晶片搬運(yùn)容器和構(gòu)成一連串制造工序的各個(gè)制造裝置的配置關(guān)系。圖2A示出了對于制造裝置(干法刻蝕裝置)外加SMIF裝載口的情況。圖2B示出了把SMIF裝載口組裝到制造裝置(光刻膠剝離裝置)的一部分上的情況。
圖3的框圖示出了與圖5所示的流程圖對應(yīng)的制造裝置和生產(chǎn)系統(tǒng)之間的連接關(guān)系。
圖4的流程圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的主要構(gòu)成。
圖5的流程圖示出了一連串的半導(dǎo)體制造工序中的晶片搬運(yùn)容器的具體運(yùn)行條件的一個(gè)例子(其1)。
圖6的流程圖示出了一連串的半導(dǎo)體制造工序中的晶片搬運(yùn)容器的具體運(yùn)行條件的一個(gè)例子(其2)。
具體實(shí)施例方式
參看

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。要注意，對于全部附圖的相同或類似的部分賦予同一或類似的標(biāo)號而省略其說明。
(在半導(dǎo)體裝置的制造工序中使用的制造裝置和晶片搬運(yùn)容器)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，是一種把晶片收納于具有環(huán)境控制單元的晶片搬運(yùn)容器內(nèi)在半導(dǎo)體裝置的一連串制造工序中使用的各種制造裝置之間進(jìn)行晶片移動(dòng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在對實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明之前，首先對晶片搬運(yùn)容器和在半導(dǎo)體裝置的制造方法中使用的制造裝置進(jìn)行說明。
晶片搬運(yùn)容器是用來把制造途中的半成品晶片(以后，單叫做‘晶片’)收納于其內(nèi)部，進(jìn)行晶片的運(yùn)送和保管的容器。此外，晶片搬運(yùn)容器具有可以根據(jù)與由各個(gè)制造裝置實(shí)施的處理或檢查的內(nèi)容對應(yīng)的各種各樣的運(yùn)行條件使之動(dòng)作的環(huán)境控制單元。采用使環(huán)境控制單元正確地動(dòng)作的辦法，晶片搬運(yùn)容器就可以在適合于各個(gè)制造工序的處理/檢查內(nèi)容的環(huán)境下進(jìn)行晶片的搬運(yùn)和保管。
圖1的斜視圖示出了晶片搬運(yùn)容器8的構(gòu)成的一個(gè)例子。晶片搬運(yùn)容器8具有以SMIF為準(zhǔn)繩的SMIF容器13和SMIF容器下蓋15和超凈單元部分14。SMIF容器13是塑料制造的筐體。采用使SMIF容器13重合到SMIF容器下蓋15上的辦法，形成用來收納晶片16的封閉空間(容器)。晶片16被收納于該容器的內(nèi)部。在圖1中，雖然示出的是使晶片16橫向?qū)盈B地進(jìn)行收納這種類型的容器的例子，但是當(dāng)然即便是縱向地排列起來進(jìn)行收納的類型也沒有問題。
容器內(nèi)部的環(huán)境，可以用超凈單元部分14所具有的環(huán)境控制單元(17～20)控制。環(huán)境控制單元具備水分除去器17、微粒除去過濾器18、雜質(zhì)除去過濾器19和送風(fēng)風(fēng)扇20。
水分除去器17除去容器內(nèi)的濕氣。此外，水分除去器17還向晶片搬運(yùn)容器8填充惰性氣體和干燥空氣，或者用高分子固體電解膜分解晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的水分。用高分子固體電解膜分解晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的水分的功能，可以用在特開2000-107550號公報(bào)中公開的、具備濕度調(diào)整功能和濕度傳感器這兩方面功能的濕度調(diào)整器件具體實(shí)現(xiàn)。此外，水分除去器17準(zhǔn)備有2臺，可以獨(dú)立地對2臺進(jìn)行控制。就是說，作為水分除去器17的運(yùn)行方法，可以設(shè)定2臺連續(xù)、1臺連續(xù)1臺間歇、1臺連續(xù)1臺停止、2臺停止等的多種運(yùn)行條件。
微粒除去過濾器18除去晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的灰塵等微粒。作為微粒除去過濾器18，可以使用用無紡布過濾器或者聚四氟乙烯或聚乙烯過濾器等的膜系過濾器構(gòu)成的高效微?？諝?High Efficiency PaticularAir(HEPA))過濾器或者超低滲透空氣(Utra Low PenetrationAir(ULPA))過濾器。
作為雜質(zhì)除去過濾器19，可以使用化學(xué)過濾器或活性碳過濾器。用來除去離子性雜質(zhì)的化學(xué)過濾器，具有當(dāng)環(huán)境濕度變成為20％以下時(shí)其性能急劇地劣化的特性。因?yàn)樵诨瘜W(xué)過濾器的離子交換反應(yīng)中用來使雜質(zhì)進(jìn)行離子離解的水分是必須的。
作為雜質(zhì)除去過濾器19所可以除去的雜質(zhì)，包括氯(Cl)、氟(F)、或氨等的雜質(zhì)、從HEPA過濾器和ULPA過濾器中釋放出來的DOP(酞酸二辛酯)、從作為密封劑使用的硅酮密封膠中釋放出來的環(huán)狀硅氧烷、為使超凈間的建筑構(gòu)件難燃化而使用的磷酸酯類、在光刻工序中使用的有機(jī)溶劑等。此外，晶片搬運(yùn)容器8所具有的塑料部件，一般地說以聚丙烯或聚碳酸酯樹脂為原料。這些原料內(nèi)的單聚物、低聚物等的未反應(yīng)成分(在聚丙烯的情況下，由脂肪族碳化氫構(gòu)成)或氧化防止劑、可塑劑、交聯(lián)劑等的塑料添加劑等也包括在雜質(zhì)除去過濾器19所能夠除去的雜質(zhì)內(nèi)。另外，在這些塑料添加劑之內(nèi)，作為易于吸附到晶片上的有機(jī)物，有DBP(di-butyl phthalate，酞酸二丁酯)或BHT等。
送風(fēng)風(fēng)扇20使超凈間的干凈空氣在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部循環(huán)，除去來自晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部的工藝氣體或晶片的外氣等的殘余氣體。作為送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行方法，除去通常的運(yùn)行外，還可以設(shè)定包括間歇的運(yùn)行、低速的運(yùn)行等的節(jié)能運(yùn)行方法在內(nèi)的多種運(yùn)行條件。
超凈單元部分14，還具有獨(dú)立地控制環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行的超凈單元控制裝置(CPU)21、供給用來驅(qū)動(dòng)環(huán)境控制單元(17～20)的電力的充電電池22、用來顯示晶片搬運(yùn)容器的信息的顯示部分(終端，tag)23。超凈單元控制裝置21，根據(jù)從晶片搬運(yùn)容器8的外部接收到的信號，變更環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件。借助于此，在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部，就可以根據(jù)各個(gè)制造裝置的處理或檢查內(nèi)容形成適合于處理后的晶片的環(huán)境。此外，超凈單元控制裝置21，還具有用來暫時(shí)存儲從晶片搬運(yùn)容器8的外部接收到的信號的存儲裝置。
充電電池22供給為驅(qū)動(dòng)水分除去器17、送風(fēng)風(fēng)扇20、超凈單元控制裝置21、顯示部分23等所必須的電力。通常，充電電池22不具有恰好在一連串的半導(dǎo)體制造工序中進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)的充電容量。充電電池22可以在把晶片搬運(yùn)容器載置到裝載口的上邊的期間內(nèi)充電。關(guān)于裝載口將在后邊參照圖2A和圖2B進(jìn)行講述。
顯示部分23，顯示環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件、晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部的狀態(tài)、現(xiàn)在正在進(jìn)行的制造工序和其次要進(jìn)行的制造工序等。生產(chǎn)線上的作業(yè)者就按照該顯示部分23的顯示進(jìn)行晶片搬運(yùn)容器8的搬運(yùn)和保管。此外，顯示部分23，在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部發(fā)生了異變的情況下還可以對作業(yè)者進(jìn)行警告的顯示。再有，采用把晶片搬運(yùn)容器8的運(yùn)行方法顯示在顯示部分23上的辦法，作業(yè)者就可以判斷運(yùn)行內(nèi)容，就可以迅速地應(yīng)對因數(shù)據(jù)輸入錯(cuò)誤產(chǎn)生的運(yùn)行方法的錯(cuò)誤或超凈單元部分14的故障等的事故。
圖2A和圖2B，示出了圖1所示的晶片搬運(yùn)容器8和在一連串的制造工序中使用的各個(gè)制造裝置之間的配置關(guān)系。圖2A示出的是對于干法刻蝕裝置4外加上SMIF裝載口6的情況。圖2B示出的是把SMIF裝載口7組裝到光刻膠剝離裝置5的一部分內(nèi)的情況。裝載口(6、7)自動(dòng)開閉晶片搬運(yùn)容器8的蓋子，進(jìn)行晶片搬運(yùn)容器8和制造裝置(4、5)之間的晶片的裝/卸。另外，裝載口(6、7)也可以僅僅使晶片搬運(yùn)容器8的蓋子自動(dòng)開閉而不直接連接到制造裝置(4、5)上，或者具有使批轉(zhuǎn)移裝置等的晶片搬運(yùn)容器8的蓋子自動(dòng)開閉的功能。此外，在圖2A和圖2B中，裝置信號控制部分9和信號/充電控制部分10和附屬于它們的信號線或接口I/O被組裝到制造裝置(4、5)或裝載口(6、7)內(nèi)。但是，裝置信號控制部分9和信號/充電控制部分10和附屬于它們的信號線或接口I/O，除去制造裝置(4、5)或裝載口(6、7)之外，也可以從后邊安裝。
再有，裝載口(6、7)還具有使晶片搬運(yùn)容器8的超凈單元部分14所具備的充電電池22充電的功能，和對超凈單元控制部分(CPU)21發(fā)送與環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件有關(guān)的信號的功能。另外，干法刻蝕裝置4和光刻膠剝離裝置5，都不過是作為在一連串的制造工序中使用的各個(gè)制造裝置的具體例而示出的。與各個(gè)制造裝置(4、5)的種類和裝載口的類型(外加型或裝入型)之間沒有什么關(guān)連性。
如圖2A所示，晶片搬運(yùn)容器8被載置到外加型裝載口6的上邊。外加型裝載口6設(shè)置在干法刻蝕裝置4的運(yùn)出運(yùn)入口上。裝載口6移動(dòng)晶片搬運(yùn)容器8的SMIF口部分13或SMIF口下蓋15。然后，裝載口6取出容器內(nèi)的半導(dǎo)體晶片16，搬運(yùn)至干法刻蝕裝置4內(nèi)。在刻蝕結(jié)束后，裝載口6就從干法刻蝕裝置4內(nèi)搬運(yùn)出晶片16，把半導(dǎo)體晶片16再次收納于容器內(nèi)。
此外，裝載口6具有晶片搬運(yùn)容器用信號線11和充電用布線12。采用把晶片搬運(yùn)容器8裝載到裝載口6上的辦法，就可以把晶片搬運(yùn)容器用信號線11和充電用布線12連接到晶片搬運(yùn)容器8上。通過晶片搬運(yùn)容器用信號線11對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送接收與環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件有關(guān)的信號。通過充電用布線12使晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的充電電池22充電。晶片搬運(yùn)容器用信號線11和充電用布線12，連接到裝載口6內(nèi)的信號/充電控制部分10上。此外，晶片搬運(yùn)容器用信號線11，通過信號/充電控制部分10連接到干法刻蝕裝置4內(nèi)的裝置信號控制部分9上。裝置信號控制部分9連接到裝置用信號線3上。另外，在這里示出的是通過各個(gè)信號線(11、13)發(fā)送接收信號的情況。但是，通過可以從信號/充電控制部分10或裝置信號控制部分9等發(fā)送的無線發(fā)送接收信號而不是要這樣的有線發(fā)送接收也沒有關(guān)系。例如，也可以利用ASYST公司生產(chǎn)的smarttag(商品名)等的SMIF容器專用的顯示部分對晶片搬運(yùn)容器8指示運(yùn)行條件。
如圖2B所示，在裝入式SMIF裝載口7的情況下，對于配置在裝載口7上邊的晶片搬運(yùn)容器8，把晶片搬運(yùn)容器用信號線11和充電用布線12連接到信號/充電控制部分10上。晶片搬運(yùn)容器用信號線11，還通過裝置信號控制部分9連接到裝置用信號線3上。
如圖3所示，裝置用信號線3連接到生產(chǎn)線的主信號線2上，主信號線2則連接到作為超凈間全體的產(chǎn)生系統(tǒng)的工作站1上。此外，在一連串的制造工序中使用的制造裝置內(nèi)，還含有步進(jìn)重復(fù)裝置、離子注入裝置等對晶片施行規(guī)定處理的晶片處理裝置或測試儀、外觀觀察裝置等對晶片內(nèi)實(shí)施規(guī)定檢查的晶片檢查裝置，而不僅僅限于干法刻蝕裝置4和光刻膠剝離裝置5。
(半導(dǎo)體裝置的制造方法)圖4的流程圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。制造途中的半成品晶片經(jīng)過S01～S07的階段后，在晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)進(jìn)行搬運(yùn)/保管。
(a)首先，在階段S01中，把晶片搬運(yùn)容器8載置到圖2A和圖2B所示的外加到制造裝置4上的或作為各個(gè)制造裝置5的一部分的裝載口(6、7)的上邊。
(b)其次，在階段S02中，通過裝載口(6、7)把已收納于晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部的晶片16搬運(yùn)到制造裝置(4、5)內(nèi)。具體地說，裝載口(6、7)移動(dòng)晶片搬運(yùn)容器8的SMIF容器的下蓋15，從晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部取出晶片16。然后，通過裝載口(6、7)把所取出來的晶片16裝入到制造裝置(4、5)內(nèi)。
(c)其次，在階段S03中，在已把晶片搬運(yùn)容器8載置到裝載口(6、7)上邊的期間內(nèi)，通過裝載口(6、7)的充電用布線12，使在超凈單元部分14內(nèi)具備的充電電池22充電。這時(shí)，裝載口(6、7)檢測充電電池22的充電剩余容量，只要在充電率不足80％的情況下就開始充電。不需要對充電的勞力和時(shí)間、工期的減慢以及需要充電場所進(jìn)行新的確保。另外，階段S03可以在階段S01結(jié)束后開始，即便是與階段S01同時(shí)或在其之前實(shí)施也不要緊。
(d)其次，在階段S04中，對于晶片16在制造裝置(4、5)內(nèi)正在進(jìn)行規(guī)定的處理/檢查的期間內(nèi)，使送風(fēng)風(fēng)扇20動(dòng)作，使干凈空氣在晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)循環(huán)?？梢猿ト萜鲀?nèi)部的剩余氣體。就是說，在把晶片16搬運(yùn)至制造裝置(4、5)內(nèi)之后，采用除去附著在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)壁等上的剩余氣體的辦法，防止再次收納規(guī)定的處理/檢查后的晶片16時(shí)產(chǎn)生的晶片的逆污染。然后，在再次把處理/檢查后的晶片收納于晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)之前，通過晶片搬運(yùn)容器用信號線11向晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行停止的信號。根據(jù)該信號，送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行就被停止。另外，送風(fēng)風(fēng)扇20的啟動(dòng)停止信號是通過裝置用信號線3和主信號線2從生產(chǎn)系統(tǒng)1發(fā)送過來的信號。
(e)其次，在階段S05中，在制造裝置(4、5)內(nèi)對晶片16進(jìn)行規(guī)定的處理/檢查的期間內(nèi)，使環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件變更為與制造裝置的處理內(nèi)容對應(yīng)的條件。具體地說，通過裝載口(6、7)的晶片搬運(yùn)容器用信號線11把與水分除去器17、微粒除去過濾器18、雜質(zhì)除去過濾器19的運(yùn)行條件有關(guān)的信號發(fā)送給晶片搬運(yùn)容器8。超凈單元控制裝置21就根據(jù)該運(yùn)行條件變更各個(gè)環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件。另外，與運(yùn)行條件有關(guān)的信號，是通過裝置用信號線3和主信號線2從生產(chǎn)系統(tǒng)1發(fā)送出來的信號。
另外，也可以在已把晶片搬運(yùn)容器8載置到裝載口(6、7)上邊的期間內(nèi)，或者，已通過裝載口(6、7)把收納于搬運(yùn)容器8內(nèi)部的晶片16搬運(yùn)到制造裝置(4、5)內(nèi)的期間內(nèi)，變更環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件。
(f)其次，在階段S06中，通過裝載口(6、7)把由制造裝置(4、5)進(jìn)行的規(guī)定的處理/檢查結(jié)束后的晶片16再次收納于晶片搬運(yùn)容器8的口內(nèi)部。
(g)其次，在階段S07中，把晶片搬運(yùn)容器8移動(dòng)至在其次的工序中使用的制造裝置內(nèi)，在把晶片16搬運(yùn)到該制造裝置內(nèi)之前的期間，根據(jù)在階段S05中變更的運(yùn)行條件，使環(huán)境控制單元(17～20)動(dòng)作以控制晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)部環(huán)境。
圖5和圖6的流程圖示出了一連串制造工序中的晶片搬運(yùn)容器8的具體運(yùn)行條件的一個(gè)例子。在圖5和圖6中，左邊的一列示出了制造工序，中間一列示出了用來實(shí)施該制造工序的制造裝置。此外，右邊的一列示出了可以在正在該制造裝置內(nèi)進(jìn)行規(guī)定處理/檢查的期間內(nèi)變更的晶片搬運(yùn)容器8的運(yùn)行條件。就是說，右邊的一列示出的是用來形成對結(jié)束了由制造裝置進(jìn)行規(guī)定的處理/檢查的晶片合適的環(huán)境的送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行條件、微粒除去過濾器18的運(yùn)行條件、雜質(zhì)除去過濾器19的運(yùn)行條件、水分除去器17的運(yùn)行條件。
(1)首先，在圖5的階段S11中，生產(chǎn)系統(tǒng)1對于批量投入之后的晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使所有的環(huán)境控制單元(17～20)動(dòng)作的信號。其次，在階段S12中，在正在進(jìn)行晶片清洗的期間內(nèi)，發(fā)送使水分除去器17停止的信號，停止晶片搬運(yùn)容器8的水分除去器17的運(yùn)行。這是因?yàn)榫逑春蟮乃殖ピ谔岣吖に囆阅芊矫嫖达@示出效果，要節(jié)約充電電池22的功耗以提高效率的緣故。其次，在階段S13中，用LPCVD裝置，淀積氮化硅(Si3N4)膜。接著，在階段S14中，用光刻膠涂敷顯影裝置/步進(jìn)重復(fù)裝置，進(jìn)行用來形成LOCOS氧化膜的光刻。由于S13和S14中的運(yùn)行條件與階段S12的清洗工序是相同的，故可以發(fā)送同一信號，不變更運(yùn)行條件。
(2)其次，在階段S15，再次進(jìn)行清洗處理。結(jié)束了該清洗處理的晶片，由于在形成其次的柵極氧化膜的工序之前的期間內(nèi)必須抑制自然氧化膜的生長，故必須保持在低濕度的環(huán)境內(nèi)。因此，在正在實(shí)施清洗工序的期間內(nèi)，可以對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使水分除去器17動(dòng)作的信號。根據(jù)該信號，水分除去器17開始運(yùn)行。另外，雖然歸因于濕度的降低雜質(zhì)除去過濾器19的性能遺憾地降低，但是在這里比起雜質(zhì)除去來自然氧化膜生長的抑制是優(yōu)先考慮的。其次，在階段S16中，用擴(kuò)散爐裝置形成柵極氧化膜。在實(shí)施柵極氧化膜形成工序的期間內(nèi)，對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使水分除去器17運(yùn)行停止的信號，停止水分除去器17的運(yùn)行。借助于此，就可以確保雜質(zhì)除去過濾器10的動(dòng)作所必須的濕度。
(3)其次，在階段S17的離子注入工序、階段S18的清洗工序、階段S19的多晶硅淀積工序和階段S20的柵極電極的光刻工序中，不變更環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件。另外，在階段S18的多晶硅淀積工序之前的清洗之后，存在著因有機(jī)物向晶片的吸附而使淀積膜的品質(zhì)劣化的可能。為了抑制該劣化，停止水分除去器17以最大限度地發(fā)揮雜質(zhì)除去過濾器19的性能是重要的。
(4)其次，在圖6的階段S21中，用RIE刻蝕工序?qū)Χ嗑Ч枘みM(jìn)行刻蝕形成柵極電極圖形。該刻蝕工序結(jié)束后的晶片，在殘留有RIE的刻蝕氣體的狀態(tài)下被收納于晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)。在這時(shí)，當(dāng)使雜質(zhì)除去過濾器19動(dòng)作后，雜質(zhì)除去過濾器19就會(huì)被刻蝕氣體破壞。因此，必須停止送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行。于是，在實(shí)施RIE刻蝕工序的期間內(nèi)，要對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使送風(fēng)風(fēng)扇20停止的信號。根據(jù)該信號使送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行停止。此外，同時(shí)還要向晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使微粒除去過濾器18和雜質(zhì)除去過濾器19的運(yùn)行停止，使水分除去器17的運(yùn)行開始的信號。根據(jù)這些信號就可以變更環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件。
(5)其次，在階段S22中，用砷(As)的離子注入工序用離子注入裝置，以柵極電極為掩模形成源極/漏極區(qū)等的擴(kuò)散區(qū)。在階段S21中殘留在晶片上邊的刻蝕氣體會(huì)附著在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)壁上。當(dāng)在該狀態(tài)下再次收納擴(kuò)散區(qū)的形成結(jié)束后的晶片時(shí)，存在著歸因于附著于內(nèi)壁上的氣體的晶片的逆污染的可能性。因此，在正在實(shí)施離子注入工序的期間內(nèi)，要對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送使送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行開始，使水分除去器17的運(yùn)行停止的信號。根據(jù)該信號就可以使送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行開始，使水分除去器17的運(yùn)行停止。借助于此，使晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的濕度上升以提高雜質(zhì)除去過濾器19的性能。借助于送風(fēng)風(fēng)扇20和雜質(zhì)除去過濾器19，就可以除去附著在晶片搬運(yùn)容器8的內(nèi)壁上的刻蝕氣體，可以防止晶片的逆污染。
(6)其次，在階段S23中，用磷硅酸鹽玻璃(PSG)膜淀積工序用擴(kuò)散爐裝置，向晶片上邊淀積摻磷(P)的氧化硅膜。由于會(huì)從淀積上PSG后的晶片發(fā)生磷(P)的脫氣，故必須充分地除去之。于是，要對晶片搬運(yùn)容器8指示出使水分除去器17的運(yùn)行停止，提高雜質(zhì)除去過濾器19附著效率的運(yùn)行條件。其次，在階段S24中，實(shí)施PSG膜的熔融工序。在實(shí)施該熔融工序期間內(nèi)，為了節(jié)約充電電池22，可以發(fā)送使水分除去器17的運(yùn)行停止的信號。根據(jù)該信號就可以停止水分除去器17的運(yùn)行。
(7)其次，在階段S25中，用RIE裝置實(shí)施在PSG膜上形成接觸孔以使半導(dǎo)體襯底露出來的接觸孔形成工序。存在著在形成了接觸孔之后，在從接觸孔露出來的襯底的上邊形成自然氧化膜，因而會(huì)使接觸電阻上升的可能性。為了避免該可能性，接觸孔形成工序后的晶片，必須保持在低濕度狀態(tài)的環(huán)境內(nèi)。于是，在正在實(shí)施接觸孔形成工序的期間內(nèi)，要對晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送開始水分除去器17運(yùn)行的信號。另外，雖然歸因于濕度的降低雜質(zhì)除去過濾器19的性能會(huì)遺憾地降低，但是在這里比起雜質(zhì)除去來自然氧化膜生長的抑制是優(yōu)先考慮的。
(8)其次，在階段S26～S27中，依次實(shí)施濺射構(gòu)成布線層的Al膜的工序、使Al膜圖形化的工序、向Al布線層上邊淀積PSG膜的工序。該期間的晶片搬運(yùn)容器8的運(yùn)行條件，是同時(shí)使送風(fēng)風(fēng)扇20、微粒除去過濾器18、雜質(zhì)除去過濾器19動(dòng)作，使水分除去器17的運(yùn)行停止。這是因?yàn)橐捎眠m度地保持晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)部的濕度的辦法以充分地提高雜質(zhì)除去過濾器19性能的緣故。
圖3示出了與圖5所示的制造工序的流程圖對應(yīng)的制造裝置和生產(chǎn)系統(tǒng)1之間的連接關(guān)系。生產(chǎn)系統(tǒng)1，可以通過主信號線2和裝置用信號線3向各個(gè)制造裝置發(fā)送與晶片搬運(yùn)容器8有關(guān)的信號。生產(chǎn)系統(tǒng)1中，還預(yù)先存儲有在一連串的制造工序中使用的各個(gè)制造裝置和晶片搬運(yùn)容器8的各個(gè)運(yùn)行條件1∶1地對應(yīng)的運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)。環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件，在各個(gè)制造裝置中可以通過裝載口由生產(chǎn)系統(tǒng)1指示。因此，就無須作業(yè)者在各個(gè)制造工序中指示運(yùn)行條件或靠作業(yè)者指示運(yùn)行條件，因而可以防止運(yùn)行方法的誤動(dòng)作，可以制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外圖3還示出了經(jīng)由把生產(chǎn)系統(tǒng)1和制造裝置連接起來的信號線通過與制造裝置變成為一對的裝載口向晶片搬運(yùn)容器8提供信號的情況。但是，既可以從作為用信號線將裝載口連接起來的LAN的工作站向晶片搬運(yùn)容器8提供信號，也可以直接把生產(chǎn)系統(tǒng)1和裝載口LAN連接起來而不通過制造裝置。
如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過各個(gè)制造裝置的裝載口(6、7)向晶片搬運(yùn)容器8發(fā)送與晶片搬運(yùn)容器8的運(yùn)行條件有關(guān)的信號。然后，使晶片搬運(yùn)容器8的環(huán)境控制單元(17～20)的運(yùn)行條件變更為與制造裝置的處理內(nèi)容或檢查內(nèi)容對應(yīng)的條件。
具體地說，個(gè)別地控制水分除去器17、雜質(zhì)除去過濾器19、微粒除去過濾器18、送風(fēng)風(fēng)扇20的運(yùn)行條件。個(gè)別地進(jìn)行環(huán)境保管箱內(nèi)的濕度的管理，氯(Cl)、氟(F)或氨等的雜質(zhì)的除去，灰塵等的粒子的除去、工藝氣體、從晶片的脫氣等的容器內(nèi)的殘余氣體的除去。
借助于此，就可以制造出對于各個(gè)制造裝置的處理內(nèi)容就是說對于半成品晶片最為合適的環(huán)境。因此，就可以1種晶片搬運(yùn)容器8進(jìn)行在各個(gè)制造工序中進(jìn)行的晶片的移動(dòng)和保管。從結(jié)果上看，可以制造廉價(jià)且高可靠性的半導(dǎo)體裝置。就是說，采用在對于該處理狀態(tài)最為合適的環(huán)境中搬運(yùn)或保管制造途中的晶片的辦法，就可以提供廉價(jià)且高成品率而且高可靠性的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
因此，可以解決不再需要多種晶片搬運(yùn)容器的、避免化學(xué)過濾器的破壞、降低造價(jià)等，只能在現(xiàn)有的1種運(yùn)行條件下才可以動(dòng)作的晶片搬運(yùn)容器所具有的那些問題。
(其它的實(shí)施例)如上所述，本發(fā)明雖然用一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行講述，但是，不應(yīng)當(dāng)把構(gòu)成本公開的一部分的論述和附圖理解為是對本發(fā)明進(jìn)行限定。對那些熟練的本專業(yè)的技術(shù)人員來說，還可以實(shí)現(xiàn)其它的優(yōu)點(diǎn)和變形。因此，本發(fā)明在其更為寬闊的范圍內(nèi)不會(huì)受限于在本說明中所提供和講解的那些特定細(xì)節(jié)和典型的實(shí)施例。因此，在不偏離由所附權(quán)利要求及其等效要求所限定的總的發(fā)明概念的精神和范圍內(nèi)還可以有種種的變形。
在實(shí)施例中，預(yù)先把一連串的制造工序和晶片搬運(yùn)容器8的運(yùn)行條件1∶1地對應(yīng)的運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)存儲在生產(chǎn)系統(tǒng)1內(nèi)。此外，環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件，在各個(gè)制造裝置中通過裝載口由生產(chǎn)系統(tǒng)1指示。但是，本發(fā)明并不受限于此。也可以預(yù)先把運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)存儲在超凈單元控制裝置21內(nèi)，從超凈單元控制裝置21直接向環(huán)境控制單元(17～20)指示運(yùn)行條件。在各個(gè)制造工序中，不再需要進(jìn)行與運(yùn)行條件有關(guān)的信號的發(fā)送接收。此外，由于也不需要作業(yè)者每次都判斷運(yùn)行條件，或者向晶片搬運(yùn)容器8輸入數(shù)據(jù)，故可以防止運(yùn)行方法的誤運(yùn)行，可以制造高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
此外，生產(chǎn)系統(tǒng)1，也可以不僅要測定充電電池22的充電剩余容量，還要根據(jù)該充電剩余容量和生產(chǎn)狀況向晶片搬運(yùn)容器8指示送風(fēng)風(fēng)扇20和水分除去器17的詳細(xì)的運(yùn)行方法。就是說，也要考慮生產(chǎn)系統(tǒng)1作為數(shù)據(jù)庫所具有的制造工序間的平均滯留時(shí)間等，向晶片搬運(yùn)容器8指示送風(fēng)風(fēng)扇20的間歇運(yùn)行或低速運(yùn)行，水分除去器17的間歇運(yùn)行或部分運(yùn)行等的節(jié)能運(yùn)行方法。借助于此，使得難于發(fā)生晶片搬運(yùn)容器8的充電電池22的充電用光，減少完全不能進(jìn)行環(huán)境控制的現(xiàn)象。
再有，超凈單元控制裝置21，理想的是具有連續(xù)或定期地對充電電池22的剩余容量進(jìn)行自我判斷，自己隨時(shí)更改環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件的功能?？梢晕丈a(chǎn)狀況等的生產(chǎn)上的統(tǒng)計(jì)誤差，更為確實(shí)地防止充電電池22的充電用光。
再有，理想的是把濕度傳感器組裝到晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)，在已把晶片搬運(yùn)容器8裝載到裝載口(6、7)上邊的期間內(nèi)，把晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)的控制濕度變成為信號向裝載口(6、7)輸出。由于晶片搬運(yùn)容器8的SMIF容器部分113和SMIF容器下蓋15用塑料材料制造，故具有向材料內(nèi)部保存水分的保水特性，具有根據(jù)狀況向晶片搬運(yùn)容器8內(nèi)部放出水分的性質(zhì)。為此，取決于晶片搬運(yùn)容器8的事前的運(yùn)行狀態(tài)，來自SMIF容器部分13和SMIF容器下蓋15的水分放出特性會(huì)完全不同。如果使間歇運(yùn)行或部分運(yùn)行等的水分除去器17的各種運(yùn)行條件固定起來，則就不可能使容器內(nèi)的濕度每次都變成為相同的值。采用把濕度傳感器組裝到容器內(nèi)連續(xù)或定期地測定濕度的辦法，就可以用超凈單元控制裝置21使得每次都變更水分除去器17的運(yùn)行方法。結(jié)果就總是可以得到所希望的濕度環(huán)境。
再有，作為對象的晶片的大小，對于200mm、300mm或除此之外的大小的晶片，理所當(dāng)然地也可以應(yīng)用本發(fā)明。此外，本發(fā)明對于液晶基板的制造工序或光掩模的制造工序等，具有微細(xì)圖形、在超凈間等的干凈氣氛中制造的電子裝置都可以應(yīng)用而不限于LSI等的半導(dǎo)體裝置。
再有，考慮到要制造的半導(dǎo)體裝置的種類和特性、檢查工序中的檢查結(jié)果(成品率、故障特性等)、最終工序后的成品率或者可靠性評價(jià)結(jié)果等，也可以隨時(shí)變更各個(gè)制造工序中的環(huán)境控制單元(17～20)指示運(yùn)行條件。采用考慮到檢查結(jié)果或成品率更改對于此后的生產(chǎn)批量的晶片搬運(yùn)容器的運(yùn)行方法的辦法，對于工藝的微妙的變化也可以應(yīng)對，使得總是可以進(jìn)行高成品率和高可靠性的半導(dǎo)體裝置的制造。
權(quán)利要求
1.一種把晶片收納于晶片搬運(yùn)容器內(nèi)在半導(dǎo)體裝置的一連串制造工序中使用的制造裝置之間進(jìn)行晶片移動(dòng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述各個(gè)制造工序中，把晶片搬運(yùn)容器載置到使上述晶片搬運(yùn)容器的蓋子自動(dòng)開閉的裝載口的上邊，通過上述裝載口把收納在上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)部的晶片搬運(yùn)到上述制造裝置內(nèi)，使控制上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)部環(huán)境的環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件變更為與上述制造裝置的處理內(nèi)容或檢查內(nèi)容相對應(yīng)的條件，使結(jié)束了上述規(guī)定處理或檢查的上述晶片，通過上述裝載口再次收納于上述晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部，一直到把上述晶片搬運(yùn)到后序制造工序中使用的制造裝置內(nèi)為止的期間，根據(jù)變更后的上述運(yùn)行條件，控制上述晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部環(huán)境。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述環(huán)境控制單元，具備水分除去器和雜質(zhì)除去過濾器之內(nèi)的至少一方、以及微粒除去過濾器和送風(fēng)風(fēng)扇。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述制造裝置內(nèi)對上述晶片進(jìn)行規(guī)定處理/檢查的期間內(nèi)，使干凈空氣在上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)部循環(huán)，以除去上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)部的剩余氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在把上述晶片搬運(yùn)容器載置到上述裝載口上邊的期間內(nèi)，使供給用來驅(qū)動(dòng)上述環(huán)境控制單元的電力的充電電池充電。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于檢測上述充電電池的充電剩余容量，只要在充電率不足80％的情況下就使該充電電池充電。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于預(yù)先把一連串的制造工序和上述晶片搬運(yùn)容器的上述運(yùn)行條件按1∶1對應(yīng)的上述運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)存儲在生產(chǎn)系統(tǒng)內(nèi)，并從生產(chǎn)系統(tǒng)指示上述環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于預(yù)先把一連串的制造工序和上述晶片搬運(yùn)容器的上述運(yùn)行條件按1∶1對應(yīng)的上述運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)存儲在控制上述環(huán)境控制單元的運(yùn)行的超凈單元控制裝置內(nèi)的存儲裝置中，并從上述超凈單元控制裝置指示上述環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述晶片搬運(yùn)容器所具有的顯示部分上，顯示上述環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件、上述晶片搬運(yùn)容器的內(nèi)部狀態(tài)、現(xiàn)在正在進(jìn)行的制造工序和其次要進(jìn)行的制造工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述微粒除去過濾器，是由無紡布過濾器或者聚四氟乙烯或聚乙烯過濾器之內(nèi)的任何至少一種構(gòu)成的高效微?？諝膺^濾器或者超低滲透空氣過濾器。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述雜質(zhì)除去過濾器，是化學(xué)過濾器或活性碳過濾器。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于用上述水分除去器向上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)填充惰性氣體或干燥空氣。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于用具備上述水分除去器的高分子固體電解膜，分解上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)的水分。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在離子注入裝置內(nèi)對上述晶片進(jìn)行離子注入處理的期間內(nèi)，開始上述送風(fēng)風(fēng)扇的運(yùn)行，停止上述水分除去器的運(yùn)行，開始上述雜質(zhì)除去過濾器的運(yùn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在擴(kuò)散爐裝置內(nèi)對上述晶片進(jìn)行已摻雜的氧化硅膜的淀積處理的期間內(nèi)，停止上述水分除去器的運(yùn)行，開始上述雜質(zhì)除去過濾器的運(yùn)行。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)，其特征在于具有在半導(dǎo)體裝置的一連串制造工序中使用，對晶片進(jìn)行規(guī)定處理或檢查的多個(gè)制造裝置；具備在收納上述晶片后在上述多個(gè)制造裝置之間進(jìn)行上述晶片的移動(dòng)的同時(shí)控制收納上述晶片的收納部分的內(nèi)部環(huán)境的環(huán)境控制單元，和用于顯示該環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件的顯示部分的晶片搬運(yùn)容器；存儲一連串制造工序中的上述運(yùn)行條件的信息流數(shù)據(jù)，指示上述環(huán)境控制單元的運(yùn)行條件的管理單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造系統(tǒng)，其特征在于上述環(huán)境控制單元，具備水分除去器和雜質(zhì)除去過濾器之內(nèi)的至少一方、以及微粒除去過濾器和送風(fēng)風(fēng)扇。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造系統(tǒng)，其特征在于上述微粒除去過濾器，是由無紡布過濾器或者聚四氟乙烯或聚乙烯過濾器之內(nèi)的任何至少一種構(gòu)成的高效微?？諝膺^濾器或者超低滲透空氣過濾器。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造系統(tǒng)，其特征在于上述雜質(zhì)除去過濾器是化學(xué)過濾器或活性碳過濾器。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造系統(tǒng)，其特征在于用上述水分除去器向上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)填充惰性氣體或干燥空氣。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造系統(tǒng)，其特征在于上述水分除去器具備分解上述晶片搬運(yùn)容器內(nèi)的水分的高分子固體電解膜。
全文摘要
半導(dǎo)體裝置的制造方法,把晶片搬運(yùn)容器載置到使晶片搬運(yùn)容器的蓋子自動(dòng)開閉的裝載口的上邊,通過裝載口把收納在搬運(yùn)容器內(nèi)部的晶片搬運(yùn)到制造裝置內(nèi),使控制晶片搬運(yùn)容器內(nèi)部環(huán)境的控制單元的運(yùn)行條件變更為與制造裝置的處理內(nèi)容或檢查內(nèi)容相對應(yīng)的條件,使結(jié)束了規(guī)定處理或檢查的晶片,通過裝載口再次收納于晶片搬運(yùn)容器內(nèi),一直到把上述晶片搬運(yùn)到另一制造裝置為止,根據(jù)變更后的運(yùn)行條件控制搬運(yùn)容器的內(nèi)部環(huán)境。
文檔編號H01L21/00GK1369901SQ0210473
公開日2002年9月18日 申請日期2002年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月9日
發(fā)明者西木一廣 申請人:株式會(huì)社東芝