專利名稱：排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體工藝的監(jiān)控方法，且特別是有關(guān)于一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷(Repeating Defect)來監(jiān)控真正缺陷(True Defect)的方法。
特別是，在一光罩制作過程中，可能會(huì)有一些異常圖案形成在光罩上，但這些異常圖案卻不容易被發(fā)現(xiàn)。然而，這些異常圖案在后續(xù)微影工藝中將會(huì)同時(shí)被轉(zhuǎn)移至晶圓上，而于晶圓上形成缺陷。特別是當(dāng)利用重復(fù)且步進(jìn)(Step and Repeat)曝光技術(shù)而進(jìn)行光罩圖案的轉(zhuǎn)移時(shí)，這些由光罩上所轉(zhuǎn)移來的缺陷便會(huì)重復(fù)的出現(xiàn)在晶圓上。因此，這些重復(fù)出現(xiàn)在晶圓上的缺陷又稱為重復(fù)性缺陷。
有的時(shí)候，這些重復(fù)性缺陷并不會(huì)影響合格率。然而，利用一監(jiān)控機(jī)臺(tái)以進(jìn)行晶圓缺陷的監(jiān)控時(shí)，監(jiān)控機(jī)臺(tái)會(huì)將這些重復(fù)性缺陷也列入欲監(jiān)控的缺陷中。如此，將會(huì)降低了找出真正影響合格率的缺陷的幾率。這主要是由于監(jiān)控機(jī)臺(tái)監(jiān)測(cè)晶圓缺陷的方式，是隨機(jī)的挑選晶圓上的部分的缺陷來進(jìn)行分析。而當(dāng)晶圓上存在有不影響合格率的重復(fù)性缺陷時(shí)，監(jiān)控機(jī)臺(tái)也可能會(huì)挑選到不影響合格率的重復(fù)性缺陷，而使晶圓上真正影響合格率的缺陷被分析到的機(jī)會(huì)降低。
另外，若晶圓上已有重復(fù)性缺陷存在，當(dāng)有新的重復(fù)性缺陷出現(xiàn)時(shí)，就無法輕易的且立即的發(fā)現(xiàn)有新的重復(fù)性缺陷出現(xiàn)。特別是，在有些時(shí)候，新的重復(fù)性缺陷可能是來自于工藝機(jī)臺(tái)或工藝環(huán)境發(fā)生了異常的現(xiàn)象所造成。倘若無法立即發(fā)現(xiàn)有新的重復(fù)性缺陷出現(xiàn)，便無法立刻進(jìn)行檢視或修復(fù)的動(dòng)作，如此，將會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品的合格率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，以使當(dāng)晶圓上有新的重復(fù)性缺陷出現(xiàn)時(shí)，能夠立即的發(fā)現(xiàn)。
本發(fā)明提出一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，此方法是首先提供一晶圓，其中晶圓上已形成有數(shù)個(gè)晶粒。接著，進(jìn)行一第一掃描步驟，以確認(rèn)晶圓上是否有一重復(fù)缺陷存在。其中，此重復(fù)性缺陷包括來自一微影工藝中一光罩上的異常圖案所轉(zhuǎn)移而來的。倘若晶圓上并無重復(fù)性缺陷存在，則直接找出晶圓上真正影響合格率的缺陷。倘若晶圓上有重復(fù)性缺陷存在，則確認(rèn)此重復(fù)性缺陷是否會(huì)影響合格率。在通過一測(cè)試步驟確認(rèn)后，倘若此重復(fù)性缺陷會(huì)影響合格率，則表示先前微影工藝所使用的光罩無法使用而必須將其退回。然而，倘若此重復(fù)性缺陷并不會(huì)影響合格率，則將晶圓上重復(fù)性缺陷所存在的區(qū)域定義為一排除區(qū)域(Non Care Region)。之后，進(jìn)行一第二掃描步驟，以掃描晶圓上此排除區(qū)域以外的部分，而找出晶圓上真正影響合格率的缺陷。
本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，由于其先將不影響合格率的重復(fù)性缺陷排除，因此可提高找出真正影響合格率的缺陷的幾率。
本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，由于其先將光罩所引起的不影響合格率的重復(fù)性缺陷排除，因此當(dāng)有新的重復(fù)性缺陷產(chǎn)生時(shí)，便可輕易且立即的發(fā)現(xiàn)。
本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，由于所定義的排除區(qū)域的面積僅是每一晶粒面積的1/250000，因此，此排除步驟并不會(huì)影響監(jiān)控機(jī)臺(tái)監(jiān)控缺陷的能力。
200晶圓202晶粒204重復(fù)性缺陷206排除區(qū)域請(qǐng)參照

圖1，本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，首先進(jìn)行一掃描步驟100，此掃描步驟100利用一監(jiān)控機(jī)臺(tái)對(duì)一晶圓進(jìn)行一掃描步驟。在掃描晶圓之后，確認(rèn)晶圓上是否有重復(fù)性缺陷存在(步驟102)。
在本實(shí)施例中，此重復(fù)性缺陷來自先前微影工藝過程中，因光罩上有異常圖案存在，經(jīng)過重復(fù)且步進(jìn)的曝光工藝后而轉(zhuǎn)移至晶圓上。然而，有的時(shí)候，這些重復(fù)性缺陷并不會(huì)影響合格率。因此，對(duì)于不影響合格率的重復(fù)性缺陷可以不用予以理會(huì)。
繼之，在步驟102中，倘若晶圓上并無重復(fù)性缺陷存在，則可以直接對(duì)晶圓進(jìn)行分析，以找出一真正的缺陷(步驟104)。其中，所謂真正的缺陷意即真正會(huì)影響合格率的缺陷。而在步驟102中，倘若晶圓上有重復(fù)性缺陷存在，則接著進(jìn)行一測(cè)試步驟，以確認(rèn)此重復(fù)性缺陷是否會(huì)影響合格率(步驟106)。
在步驟106中，倘若此重復(fù)性缺陷會(huì)影響合格率，意即此重復(fù)性缺陷會(huì)使合格率下降，則可直接將先前微影工藝中所使用的光罩退回(步驟108)。這是因?yàn)樵诒緦?shí)施例中，由于重復(fù)性缺陷來自先前微影工藝中光罩上的異常圖案所轉(zhuǎn)移過來的，因此若是由光罩所造成的重復(fù)性缺陷會(huì)影響合格率時(shí)，則表示此光罩顯然有嚴(yán)重的缺陷而無法使用。
在步驟106中，倘若此重復(fù)性缺陷并不會(huì)影響合格率，則接著進(jìn)行步驟110，即排除此重復(fù)性缺陷。而排除此重復(fù)性缺陷的方法如圖2所示，圖2為一晶圓200的俯視圖，其中晶圓200上已形成有數(shù)個(gè)晶粒202，且在晶圓200上發(fā)現(xiàn)有重復(fù)性缺陷204存在。而當(dāng)于確認(rèn)此重復(fù)性缺陷204并不會(huì)影響合格率之后，則可以將此重復(fù)性缺陷204排除。在本實(shí)施例中，排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷204的方法，是利用一監(jiān)控機(jī)臺(tái)一現(xiàn)有的功能，而將晶圓200上存在有不影響合格率的重復(fù)性缺陷204的一區(qū)域定義成一排除區(qū)域206。以使后續(xù)于進(jìn)行真正缺陷的掃描步驟時(shí)，將此排除區(qū)域206不列入掃描的范圍內(nèi)。
在本實(shí)施例中，所定義出的排除區(qū)域206的面積僅約是每一晶粒202面積的1/250000。而由于所定義的排除區(qū)域206的面積僅是每一晶粒面積的1/250000，因此，此排除的動(dòng)作并不會(huì)影響后續(xù)監(jiān)控機(jī)臺(tái)監(jiān)控晶圓缺陷的能力。
在排除重復(fù)性缺陷的步驟110之后，才利用監(jiān)控機(jī)臺(tái)進(jìn)行一掃描步驟112。此掃描步驟112是利用監(jiān)控機(jī)臺(tái)隨機(jī)的挑選晶圓上部分的缺陷來進(jìn)行分析。在此，由于先前步驟已將不影響合格率的重復(fù)性缺陷排除，因此，在此掃描步驟中，監(jiān)控機(jī)臺(tái)便不會(huì)挑選到上述的重復(fù)性缺陷。
之后，由挑選出的缺陷中進(jìn)行分析，以找出真正影響產(chǎn)品合格率的缺陷(步驟114)。
特別值得一提的是，由于本發(fā)明的方法已事先將不影響合格率的重復(fù)性缺陷排除，因此當(dāng)有新的重復(fù)性缺陷產(chǎn)生時(shí)，便可以輕易且立即發(fā)現(xiàn)。由于這些新的重復(fù)性缺陷可能是來自工藝機(jī)臺(tái)或工藝環(huán)境異?，F(xiàn)象所造成，因此若能立即發(fā)現(xiàn)到新的重復(fù)性缺陷產(chǎn)生，便可以馬上進(jìn)行檢視或修復(fù)的工作，以確保產(chǎn)品的合格率。
本發(fā)明的方法，由于其是先將不影響合格率的重復(fù)性缺陷排除，因此當(dāng)監(jiān)控機(jī)臺(tái)隨機(jī)的選取晶圓上的缺陷以進(jìn)行分析時(shí)，便不會(huì)挑選到上述的重復(fù)性缺陷，如此便可以提高監(jiān)控機(jī)臺(tái)找出真正影響合格率的缺陷的幾率。而且，在本發(fā)明中，由于先前已將由光罩轉(zhuǎn)移來的重復(fù)性缺陷排除，因此當(dāng)有新的重復(fù)性缺陷產(chǎn)生時(shí)，便可輕易且立即的發(fā)現(xiàn)。再者，本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，由于其所定義的排除區(qū)域的面積僅是每一晶粒面積的1/250000，因此，此排除的動(dòng)作并不會(huì)影響監(jiān)控機(jī)臺(tái)監(jiān)控晶圓缺陷的能力。
綜合以上所述，本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，可提高找出真正影響合格率的缺陷的幾率。
2.本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，當(dāng)有新的重復(fù)性缺陷產(chǎn)生時(shí)可立即的發(fā)現(xiàn)。
3.本發(fā)明的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，并不會(huì)影響監(jiān)控機(jī)臺(tái)監(jiān)控晶圓缺陷的能力。
權(quán)利要求
1.一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該方法包括提供一晶圓，該晶圓上已形成有數(shù)個(gè)晶粒，且在該晶圓上發(fā)現(xiàn)有一重復(fù)性缺陷存在；確認(rèn)該重復(fù)性缺陷是否為一影響合格率的缺陷；倘若該重復(fù)性缺陷并非該影響合格率的缺陷，則定義該重復(fù)性缺陷所存在的一區(qū)域?yàn)橐慌懦齾^(qū)域；以及掃描該晶圓上該排除區(qū)域以外的部分，以找出一真正缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該排除區(qū)域的面積為該晶圓上每一晶粒面積的1/250000。
3.如權(quán)利要求1所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該重復(fù)性缺陷來自一微影工藝中的一光罩上的異常圖案。
4.如權(quán)利要求3所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，倘若該重復(fù)性缺陷會(huì)為該影響合格率的缺陷，則退回該光罩。
5.一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該方法包括提供一晶圓，該晶圓上已形成有數(shù)個(gè)晶粒；進(jìn)行一第一掃描步驟，以確認(rèn)該晶圓上是否有一重復(fù)性缺陷存在；倘若該晶圓上并無該重復(fù)性缺陷存在，則立即找出一真正的缺陷，倘若該晶圓上有該重復(fù)性缺陷存在，則確認(rèn)該重復(fù)性缺陷是否為一影響合格率的缺陷；在確認(rèn)該重復(fù)性缺陷是否為該影響合格率的缺陷之后，倘若該重復(fù)性缺陷并非該影響合格率的缺陷，則將該重復(fù)性缺陷排除；以及進(jìn)行一第二掃描步驟，以掃描該晶圓上的該重復(fù)性缺陷以外的區(qū)域，以找出該真正的缺陷。
6.如權(quán)利要求1所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，將該重復(fù)性缺陷排除，之后進(jìn)行該第二掃描步驟，以找出該真正的缺陷的步驟包括定義該重復(fù)性缺陷所存在的一區(qū)域?yàn)橐慌懦齾^(qū)域；以及進(jìn)行該第二掃描步驟，以掃描該排除區(qū)域以外的部分，以找出該真正的缺陷。
7.如權(quán)利要求6所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該排除區(qū)域的面積為該晶圓上每一晶粒面積的1/250000。
8.如權(quán)利要求5所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，該重復(fù)性缺陷來自一微影工藝中的一光罩上的異常圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，其特征是，倘若該重復(fù)性缺陷會(huì)為該影響合格率的缺陷，則退回該光罩。
全文摘要
一種排除不影響合格率的重復(fù)性缺陷來監(jiān)控真正缺陷的方法，此方法首先提供一晶圓，其中晶圓上已形成有數(shù)個(gè)晶粒，且在晶圓上發(fā)現(xiàn)有一重復(fù)性缺陷存在。接著，確認(rèn)此重復(fù)性缺陷是否為一影響合格率的缺陷。倘若此重復(fù)性缺陷并非影響合格率的缺陷，則定義此重復(fù)性缺陷所存在之一區(qū)域?yàn)橐慌懦齾^(qū)域。之后，掃描晶圓上此排除區(qū)域以外的部分，以找出一真正的缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1479360SQ02142190
公開日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2002年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月30日
發(fā)明者陳功益, 陳威銘, 古淑玲, 丁茂益, 何濂澤 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司