專利名稱：具有接地裝置的記憶卡插接座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種具有接地裝置的記憶卡插接座，尤其指一種可提供記憶卡插植做導(dǎo)接存取，并于插植時(shí)，可同步觸動(dòng)后端導(dǎo)接片形成接地狀態(tài)的記憶卡插接座。
而習(xí)見(jiàn)的記憶卡插接座結(jié)構(gòu)，通常包括由一絕緣座體、復(fù)數(shù)端子及接地片所組成，該絕緣座體采用以塑膠質(zhì)形成為∏形座狀，于兩側(cè)各具有一引導(dǎo)臂供導(dǎo)引記憶卡插植，于絕緣座體內(nèi)部底面設(shè)有復(fù)數(shù)端子延伸至后端，以供作為記憶卡與其他電子元件連接的媒介，并選定兩側(cè)引導(dǎo)臂處各設(shè)有一接地片，藉此即組成插設(shè)記憶卡時(shí)，可利用兩側(cè)接地片形成接地狀態(tài)的記憶卡插接座，降低電磁干擾的發(fā)生。雖然電磁干擾不可能完全防治，惟必須盡量使其降到最低，然而，習(xí)見(jiàn)的記憶卡插接座只用兩側(cè)接地片，即希望防治電磁干擾，似嫌不足。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型主要目的在于提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，主要在使記憶卡于插植時(shí)，可同步推動(dòng)金屬上蓋后端的導(dǎo)接片，以令具有屏避功能的金屬上蓋亦形成接地狀態(tài)，藉此同時(shí)達(dá)到接地(grounding)及屏避(shielding)多重防治電磁波的效果。
本實(shí)用新型次一目的在于提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該記憶卡插接座包括一絕緣殼座、復(fù)數(shù)端子、一上蓋及一接地裝置所組成，于金屬上蓋表面選定處向下彎折一導(dǎo)接片，使其形成于上蓋內(nèi)面并呈<形橫向延伸至一側(cè)，而該絕緣殼座供記憶卡插置的塑膠座體，于其后端一側(cè)植設(shè)有接地片，藉此令上蓋覆設(shè)于絕緣殼座上，以構(gòu)成記憶卡插置時(shí)可頂推<形導(dǎo)接片與接地裝置相觸成接地及屏避狀態(tài)的記憶卡插接座。
本實(shí)用新型在于提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，至少包括一絕緣殼座、復(fù)數(shù)端子、一上蓋及一接地裝置組成，其中絕緣殼座，為一體形成為∏形座狀，于兩側(cè)各具有一引導(dǎo)臂；復(fù)數(shù)端子，分別植設(shè)于絕緣殼座上；上蓋，以沖壓構(gòu)成的∏形片體，其上表面后方選定處設(shè)有一開(kāi)槽，選于開(kāi)槽任意一邊向下彎摺一呈<形的導(dǎo)接片，并導(dǎo)接片橫向延伸至上蓋內(nèi)部一側(cè)處；接地裝置，其以接地片插植于絕緣殼座后端一側(cè)所構(gòu)成；該上蓋覆設(shè)于絕緣座體上，并其上部導(dǎo)接片延伸至接地裝置的接地片前方呈一間隙。
本實(shí)用新型在于還提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該絕緣殼座于各引導(dǎo)臂外側(cè)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)倒鉤塊，且勾契固定上蓋。
本實(shí)用新型在于還提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該絕緣殼座選定其中一引導(dǎo)臂設(shè)有開(kāi)槽與外側(cè)相通，且該引導(dǎo)臂后方設(shè)有軸向通孔相通至絕緣殼座后端，于該通孔上下面分別設(shè)有兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的插縫，且供接地裝置的接地片植設(shè)。
本實(shí)用新型在于還提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該上蓋于其兩側(cè)壁設(shè)有數(shù)個(gè)通孔、且與絕緣殼座扣合。
本實(shí)用新型在于還提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該上蓋選定其中一側(cè)壁設(shè)有一向內(nèi)彎凸的接觸片、且供與記憶卡側(cè)部的接地部接觸。
本實(shí)用新型在于還提供一種具有接地裝置的記憶卡插接座，該接地裝置由第一接地片及第二接地片配合構(gòu)成，第一接地片乃呈短片狀，于一側(cè)沖壓彎摺有一擋片，上端緣設(shè)有數(shù)個(gè)凸鉤，并于下端緣彎摺有一焊接部；第二接地片呈長(zhǎng)片狀，于前段彎摺有一弧形接觸部，而于后段上緣設(shè)有數(shù)個(gè)凸鉤，并于后段下緣彎摺有一焊接部，其與植設(shè)于絕緣殼座后端一側(cè)的插縫以構(gòu)成接地裝置，并第二接地片前端的接觸部延伸至引導(dǎo)臂內(nèi)側(cè)。
本實(shí)用新型同時(shí)達(dá)到接地及屏避多重防治電磁波的效果。
圖2為本實(shí)用新型組合狀態(tài)的俯視圖。
圖3為本實(shí)用新型上蓋分解狀態(tài)的立體圖。
圖4為本實(shí)用新型接地裝置分解狀態(tài)的立體圖。
圖5為本實(shí)用新型接地裝置組合狀態(tài)的局部視圖。
圖6為本實(shí)用新型記憶卡插設(shè)動(dòng)作的示意圖。
運(yùn)用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的組成，于絕緣座體1周圍以該金屬質(zhì)上蓋3構(gòu)成屏避(shieldling)效果，俾阻隔電磁波對(duì)其他電子元件的干擾；其次，當(dāng)記憶卡100插設(shè)入絕緣座體1時(shí)，其兩側(cè)接地部可分別與上蓋3的接觸片32及第二接地片42的接觸部421導(dǎo)接，且以前端推動(dòng)上蓋3的導(dǎo)接片34與接地裝置4其第一接地片41的擋片411接觸(如圖5所示)，若此即構(gòu)成記憶卡100具有接地(grounding)效果，且該上蓋3除屏避(shielding)外亦有接地(grounding)功能，是以能更有效的阻隔、防治電磁干擾，以符合電子相容性的設(shè)計(jì)理念。
惟本實(shí)用新型主要技術(shù)手段，乃在于該上蓋3與接地裝置4利用記憶卡100的推動(dòng)，而構(gòu)成屏避(shielding)以及接地(grouding)的功能，至于其他例如絕緣座體1的結(jié)構(gòu)形狀、端子2的形狀、數(shù)量、第二接地片42或上蓋3接觸片32的設(shè)置等，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不以此限定可簡(jiǎn)易變化的范圍，故凡以本實(shí)用新型主要技術(shù)手段所為的簡(jiǎn)易變更置換，均應(yīng)包括于本案創(chuàng)作精神及請(qǐng)求保護(hù)范圍中，并予指明。
權(quán)利要求1.一種具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是至少包括一絕緣殼座、復(fù)數(shù)端子、一上蓋及一接地裝置組成，其中絕緣殼座，為一體形成為∏形座狀，于兩側(cè)各具有一引導(dǎo)臂；復(fù)數(shù)端子，分別植設(shè)于絕緣殼座上；上蓋，以沖壓構(gòu)成的∏形片體，其上表面后方選定處設(shè)有一開(kāi)槽，選于開(kāi)槽任意一邊向下彎摺一呈<形的導(dǎo)接片，并導(dǎo)接片橫向延伸至上蓋內(nèi)部一側(cè)處；接地裝置，其以接地片插植于絕緣殼座后端一側(cè)所構(gòu)成；該上蓋覆設(shè)于絕緣座體上，并其上部導(dǎo)接片延伸至接地裝置的接地片前方呈一間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是該絕緣殼座于各引導(dǎo)臂外側(cè)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)倒鉤塊，且勾契固定上蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是該絕緣殼座選定其中一引導(dǎo)臂設(shè)有開(kāi)槽與外側(cè)相通，且該引導(dǎo)臂后方設(shè)有軸向通孔相通至絕緣殼座后端，于該通孔上下面分別設(shè)有兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的插縫，且供接地裝置的接地片植設(shè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是該上蓋于其兩側(cè)壁設(shè)有數(shù)個(gè)通孔、且與絕緣殼座扣合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是該上蓋選定其中一側(cè)壁設(shè)有一向內(nèi)彎凸的接觸片、且供與記憶卡側(cè)部的接地部接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述具有接地裝置的記憶卡插接座，其特征是該接地裝置由第一接地片及第二接地片配合構(gòu)成，第一接地片乃呈短片狀，于一側(cè)沖壓彎摺有一擋片，上端緣設(shè)有數(shù)個(gè)凸鉤，并于下端緣彎摺有一焊接部；第二接地片呈長(zhǎng)片狀，于前段彎摺有一弧形接觸部，而于后段上緣設(shè)有數(shù)個(gè)凸鉤，并于后段下緣彎摺有一焊接部，其與植設(shè)于絕緣殼座后端一側(cè)的插縫以構(gòu)成接地裝置，并第二接地片前端的接觸部延伸至引導(dǎo)臂內(nèi)側(cè)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種具有接地裝置的記憶卡插接座，至少包括一絕緣殼座、復(fù)數(shù)端子、一上蓋及一接地裝置組成，其中絕緣殼座，為一體形成為∏形座狀，于兩側(cè)各具有一引導(dǎo)臂；復(fù)數(shù)端子，分別植設(shè)于絕緣殼座上；上蓋，以沖壓構(gòu)成的∏形片體，其上表面后方選定處設(shè)有一開(kāi)槽，選于開(kāi)槽任意一邊向下彎摺一呈＜形的導(dǎo)接片，并導(dǎo)接片橫向延伸至上蓋內(nèi)部一側(cè)處；接地裝置，其以接地片插植于絕緣殼座后端一側(cè)所構(gòu)成；該上蓋覆設(shè)于絕緣座體上。從而，同時(shí)達(dá)到接地及屏避多重防治電磁波的效果。
文檔編號(hào)H01R13/652GK2566496SQ0224751
公開(kāi)日2003年8月13日 申請(qǐng)日期2002年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月19日
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